技術(shù)編號(hào):10541006
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 傳統(tǒng)上,肖特基二極管包括重?fù)诫s的半導(dǎo)體襯底,典型地,該襯底由單晶硅制成。 第二層覆蓋襯底。第二層被稱(chēng)為漂移區(qū),較不重地?fù)诫s有具有與襯底相同導(dǎo)電類(lèi)型的載流 子的雜質(zhì)。金屬層或金屬硅化物層形成具有輕摻雜的漂移區(qū)的肖特基接觸,并形成二極管 陽(yáng)極。 當(dāng)形成單極部件諸如肖特基二極管時(shí),會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)相對(duì)立的約束。具體地講,該部 件應(yīng)在具有高擊穿電壓的同時(shí)呈現(xiàn)出盡可能最低的導(dǎo)通態(tài)電阻(Ron)。使導(dǎo)通態(tài)電阻最小 化,促使最大限度地減小較少摻雜層的厚度并且最大限度地提高了...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。