技術(shù)編號：10536785
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。以硅工藝為基礎(chǔ)的集成電路沿摩爾定律經(jīng)歷了50多年的超高速發(fā)展，特征尺寸已經(jīng)減小至目前的216/14納米乃至更小。隨著集成電路技術(shù)進(jìn)入納米尺度，工藝難度及工藝成本激增，關(guān)鍵技術(shù)正在逼近量子效應(yīng)主導(dǎo)的物理極限，集成電路的可持續(xù)發(fā)展正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。近年來不斷涌現(xiàn)出新材料、新工藝和新器件，以克服目前納米尺寸CMOS技術(shù)所遭遇的瓶頸。二維材料是目前被寄予厚望的新型材料。例如石墨稀(Graphene)是從石墨材料中剝離出來、由碳原子組成的只有一層原子厚度的二維晶...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。