技術(shù)編號：10514097
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。現(xiàn)今，發(fā)光二極管(LED)，特別是氮化物發(fā)光二極管因其較高的發(fā)光效率，在普通照明領(lǐng)域已取得廣泛的應(yīng)用。因氮化物發(fā)光二極管的底層存在缺陷，導致生長量子阱時缺陷延伸會形成V形坑，形成非輻射復合中心，導致電子容易通過V形坑的漏電通道泄漏，形成漏電和非福射復合，降低發(fā)光強度和ESD。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種氮化物發(fā)光二極管，通過在多量子阱區(qū)域的V]形坑(V-shape pits)沉積第一AlN/AlxGai—XN超晶格、In量子點/InN量子點形成的局域量子...
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