技術(shù)編號：10514012
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種MOS場效應(yīng)和雙極型晶體管復(fù)合的新型電力電子器件。它既有MOSFET易于驅(qū)動，控制簡單的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管導(dǎo)通壓降低，通態(tài)電流大，損耗小的優(yōu)點(diǎn)，已成為現(xiàn)代電力電子電路中的核心電子元器件之一，廣泛地應(yīng)用在諸如通信、能源、交通、工業(yè)、醫(yī)學(xué)、家用電器及航空航天等國民經(jīng)濟(jì)的各個領(lǐng)域。IGBT的應(yīng)用對電力電子系統(tǒng)性能的提升起到了極為重要的作用。從IGBT發(fā)明以來，人們一直致力于改善IGBT的性能。經(jīng)過二十幾年的發(fā)展，相繼提出了 ...
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