技術(shù)編號：10472612
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。寬禁帶II1-V族半導(dǎo)體材料的迅猛發(fā)展使得高亮度發(fā)光二極管實現(xiàn)了綠光到近紫外產(chǎn)品的商業(yè)化。但目前商業(yè)化的LED大部分采用MOCVD技術(shù)在藍寶石、碳化硅或者硅襯底上生長001面的氮化物制備而成，并且表面都是鎵極性面。圖1顯示了常規(guī)商業(yè)化鎵極性氮化鎵基LED結(jié)構(gòu)圖，其中多量子阱發(fā)光層104與電子阻擋層105之間由于晶格常數(shù)的差異，存在較強的極化場。圖2顯示了常規(guī)商業(yè)化鎵極性氮化鎵基LED能帶結(jié)構(gòu)圖，電子阻擋層104由于受到張應(yīng)變在界面處產(chǎn)生正電荷，導(dǎo)致能帶向下...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。