技術(shù)編號：10470516
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在現(xiàn)代CMOS集成電路的制作工藝過程中，幾乎所有的襯底結(jié)構(gòu)都是由離子注入形成的，從而使其滿足各種器件不同功能的要求。這些襯底結(jié)構(gòu)的摻雜區(qū)的制作流程如下首先使用光刻膠或者其他高于表面的結(jié)構(gòu)，定義需要注入的區(qū)域，然后使用離子注入機將高能離子(比如砷、磷、硼等)嵌入到襯底中，最后去除光刻膠，得到所需的摻雜區(qū)。然而在高能離子注入涂布有光刻膠的襯底晶圓過程中，其中的部分高能離子會被吸附到光刻膠表面上甚至?xí)诫s到光刻膠中，使光刻膠表面甚至一定深度發(fā)生硬化，變成一種金剛...
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