技術編號：10467338
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著半導體制造技術的飛速發(fā)展，半導體器件朝著更高的元件密度，以及更高的集成度的方向發(fā)展。晶體管作為最基本的半導體器件目前正被廣泛應用，因此隨著半導體器件的元件密度和集成度的提高，晶體管的柵極尺寸也越來越短。然而，晶體管的柵極尺寸變短會使晶體管產生短溝道效應，進而產生漏電流，最終影響半導體器件的電學性能。為了克服晶體管的短溝道效應，抑制漏電流，現有技術提出了一種全包圍柵納米線(Gate All Around Nanowire)晶體管；所述全包圍柵納米線晶體管...
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