技術(shù)編號：101957
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是關于冷卻器的制造方法，及由該方法生產(chǎn)的冷卻器。根據(jù)半導體技術(shù)領域近來的發(fā)展，在4000V、3000A或更高的參數(shù)下工作的，直接由光信號觸發(fā)的大容量半導體器件已被開發(fā)出來，并得到了實際應用。在這種半導體器件中，由于數(shù)千瓦的熱量產(chǎn)生在半導體器件的電極上的一塊小區(qū)域內(nèi)，因此需要一種具有極大冷卻能力的冷卻裝置。為了滿足這一需要，到目前為止已提出用導熱性能好的金屬，如用銅或鋁制成散熱裝置，穿過散熱裝置的流體冷卻劑循環(huán)通道是做成“之”字形的。一種典型的應用是把所需數(shù)目的散熱裝置分別放在兩個半導體器件，如二極管、可控硅、...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。