技術(shù)編號：101032
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微型器件的制作，更具體地說，涉及一種適用于直接在工件表面上，以高速方式進(jìn)行照寫的帶電粒子束曝光方法及設(shè)備。 在本技術(shù)領(lǐng)域中，各種帶電粒子束曝光設(shè)備都為人所知，這些例如應(yīng)用于單束掃描電子的設(shè)備，已經(jīng)作為一種制造高質(zhì)優(yōu)良特性集成電路掩模的實際工具，廣泛地應(yīng)用在電子工業(yè)中。 帶電粒子束曝光設(shè)備還能夠在例如覆蓋有抗蝕劑的半導(dǎo)體晶片上直接地曝光出圖形。但實際上由于在大面積晶片上需要有相當(dāng)長的時間束進(jìn)行照寫，這種直接照寫設(shè)備尚未廣泛地用于商業(yè)性生產(chǎn)。 人們已經(jīng)提出了許多提高電粒子束曝光設(shè)備的照寫速度的技術(shù)方法。例...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。