熱釋電焦平面陣列器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種利用電學(xué)讀出方法的紅外熱像儀探測裝置，尤其涉及一種熱釋電焦平面陣列器，屬于紅外成像設(shè)備領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]自從17世紀(jì)德國科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了紅外線，進(jìn)過200多年，紅外技術(shù)得到了飛速的發(fā)展。最早紅外輻射和紅外元部件的研究發(fā)展十分緩慢，研制成的紅外探測器主要是熱敏型探測器。經(jīng)過前人的各種努力及累積，在70年代中后期，第一代熱像儀的研制和生產(chǎn)得以完成。到80年代，在軍事上，紅外熱探測器成為了部隊(duì)裝備中的必要輔助武器，經(jīng)過了多次的實(shí)戰(zhàn)考驗(yàn)，技術(shù)更加先進(jìn)成熟，為后來將其應(yīng)用于民用領(lǐng)域奠定了基礎(chǔ)。
[0003]但在發(fā)展的過程中，這些設(shè)備和儀器依然存在一些共性問題，包括:分辨率較低、反應(yīng)速度慢、難以批量生產(chǎn)和裝備。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，解決好現(xiàn)有技術(shù)的問題，彌補(bǔ)現(xiàn)有目前市場上現(xiàn)有產(chǎn)品的不足。
[0005]本實(shí)用新型提供了一種熱釋電焦平面陣列器，熱釋電焦平面陣列器主要包括底部的集成電路、集成電路上方的多個(gè)熱敏感元件以及熱敏感元件上方的紅外吸收區(qū)和共用電極，其中所述紅外吸收區(qū)和共用電極由上層的半透明晶金屬、中間的紅外吸收層和底層的反射金屬層構(gòu)成。
[0006]優(yōu)選的，上述集成電路和熱敏感元件之間通過金屬支腳連接。
[0007]優(yōu)選的，上述熱敏感元件主要包括鈦酸鍶鋇制成的熱敏電阻。
[0008]優(yōu)選的，上述熱敏感元件與金屬支腳之間是背面接觸。
[0009]本實(shí)用新型提供的熱釋電焦平面陣列器兼容了焦平面陣列與硅工藝，探測器單元與基底之間設(shè)置了隔離裝置，金屬接觸和背面接觸有效地進(jìn)行了熱隔離，探測靈敏度高。
【附圖說明】
[00?0]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)不意圖。
[0011 ]附圖標(biāo)記:1-集成電路;2-熱敏感元件;3-金屬支腳;4-紅外吸收區(qū)和共用電極;5-半透明金屬;6-紅外吸收層;7-反射金屬層。
【具體實(shí)施方式】
[0012]為了便于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解和實(shí)施本實(shí)用新型，下面結(jié)合附圖及【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0013]如圖1所示，本實(shí)用新型提供的熱釋電焦平面陣列器，熱釋電焦平面陣列器主要包括底部的集成電路1、集成電路I上方的多個(gè)熱敏感元件2以及熱敏感元件2上方的紅外吸收區(qū)和共用電極4，其中所述紅外吸收區(qū)和共用電極4由上層的半透明晶金屬5、中間的紅外吸收層6和底層的反射金屬層7構(gòu)成。
[0014]從圖1可以看出，集成電路I和熱敏感元件2之間通過金屬支腳3連接，是一種金屬接觸。熱敏感元件2主要包括鈦酸鍶鋇制成的熱敏電阻。熱敏感元件2與金屬支腳3之間是背面接觸。
[0015]本實(shí)用新型提供的熱釋電焦平面陣列器兼容了焦平面陣列與硅工藝，探測器單元與基底之間設(shè)置了隔離裝置，金屬接觸和背面接觸有效地進(jìn)行了熱隔離，探測靈敏度高。
[0016]以上所述之【具體實(shí)施方式】為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式，并非以此限定本實(shí)用新型的具體實(shí)施范圍，本實(shí)用新型的范圍包括并不限于本【具體實(shí)施方式】，凡依照本實(shí)用新型之形狀、結(jié)構(gòu)所作的等效變化均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種熱釋電焦平面陣列器，其特征在于:所述熱釋電焦平面陣列器主要包括底部的集成電路(I )、集成電路(I)上方的多個(gè)熱敏感元件(2)以及熱敏感元件(2)上方的紅外吸收區(qū)和共用電極(4)，其中所述紅外吸收區(qū)和共用電極(4)由上層的半透明晶金屬(5)、中間的紅外吸收層(6)和底層的反射金屬層(7)構(gòu)成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱釋電焦平面陣列器，其特征在于:所述集成電路(I)和熱敏感元件(2)之間通過金屬支腳(3)連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱釋電焦平面陣列器，其特征在于:所述熱敏感元件(2)主要包括鈦酸鍶鋇制成的熱敏電阻。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱釋電焦平面陣列器，其特征在于:所述熱敏感元件(2)與金屬支腳(3)之間是背面接觸。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種熱釋電焦平面陣列器，熱釋電焦平面陣列器主要包括底部的集成電路(1)、集成電路(1)上方的多個(gè)熱敏感元件(2)以及熱敏感元件(2)上方的紅外吸收區(qū)和共用電極(4)，其中所述紅外吸收區(qū)和共用電極(4)由上層的半透明晶金屬(5)、中間的紅外吸收層(6)和底層的反射金屬層(7)構(gòu)成。本實(shí)用新型提供的熱釋電焦平面陣列器兼容了焦平面陣列與硅工藝，探測器單元與基底之間設(shè)置了隔離裝置，金屬接觸和背面接觸有效地進(jìn)行了熱隔離，探測靈敏度高。
【IPC分類】G01J5/02, G01J5/20
【公開號(hào)】CN205300770
【申請?zhí)枴?br>【發(fā)明人】劉曉嵐
【申請人】劉曉嵐
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2015年4月21日