具有裡的A1q3。另外，電子導(dǎo)體可用 鹽滲雜，例如CS2CO3。電子滲雜是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的且公開于例如W.Gao,A.K址n， J. Appl.Phys.，第 94 卷，No. 1，2003 年 7 月 1 日（P滲雜有機(jī)層）；A.G.Werner，F(xiàn).Li， K. Harada，M.Pfeiffer,T.Rritz，K.Leo.Appl.Phys.Lett.，第 82 卷，No. 25, 2003 年6月 23 日，和Pfeiffer等人，OrganicElectronics2003,4,89-103 中。例如，除卡賓絡(luò)合物如 Ir(化bic)^h，空穴導(dǎo)體層可用MoO3或W03滲雜。
[026引陰極做為用于引入電子或負(fù)電荷載流子的電極。用于陰極的合適材料選自元素 周期表（舊IUPAC版本）la族的堿金屬如Li、Cs，Ila族的堿±金屬如巧、領(lǐng)或儀，1扣族金 屬，包括銅系元素和澗系元素，例如衫。另外，也可使用金屬如侶或銅W及所有所述金屬的 組合。另外，含裡有機(jī)金屬化合物或LiF可應(yīng)用于有機(jī)層與陰極之間W降低工作電壓。
[026引本發(fā)明0L邸還可包含本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的其它層。例如在層似與發(fā)光層（3) 之間可應(yīng)用促進(jìn)正電荷的傳輸和/或使層的帶隙相互匹配的層。作為選擇，該其它層可用 作保護(hù)層。W類似方式，其它層可W存在于發(fā)光層（3)與層（4)之間W促進(jìn)負(fù)電荷的傳輸 和/或使層之間的帶隙相互匹配。作為選擇，該層可用作保護(hù)層。
[0267] 在優(yōu)選實(shí)施方案中，除層（1)-(6)外，本發(fā)明0L邸還包含W下提到的其它層中的 至少一個(gè)：
[026引-在陽極（1)與空穴傳輸層（2)之間的空穴注入層；
[0269]-在空穴傳輸層（2)與發(fā)光層（3)之間的電子阻擋層；
[0270]-在電子傳輸層（5)與陰極（6)之間的電子注入層。
[027。 用于空穴注入層的材料可選自獻(xiàn)菁銅、4, 4'，4" -S(N-3-甲基苯基-N-苯基氨 基）S苯胺（m-MTDATA)、4, 4'，4"-S(N-(2-蒙基）-N-苯基氨基）S苯胺（2T-NATA)、 4,4'，4"-S(N-Q-蒙基）-N-苯基氨基）S苯胺（1T-NATA)、4,4'，4"-S饑N-二苯基 氨基）S苯胺（NATA)、氧化鐵獻(xiàn)菁、2, 3, 5,6-四氣-7, 7,8,8-四氯基釀二甲燒（F4-TCNQ)、 化嗦并[2, 3-鬥[1，10]菲咯咐-2, 3-二膳（PPDN)、N，N，N'，N' -四（4-甲氧基苯基）聯(lián)苯 胺（MeO-TPD)、2, 7-雙的N-雙（4-甲氧基苯基）氨基]-9, 9-螺二巧（MeO-Spiro-TPD)、 2, 2' -雙的N-雙（4-甲氧基苯基）氨基]-9, 9-螺二巧化 2' -MeO-Spiro-TPD)、N，N' -二 苯基-N，N' -二[4- (N，N-二甲苯基氨基）苯基]聯(lián)苯胺（NTNPB)、N，N' -二苯基-N，N' -二 [4-饑N-二苯基氨基）苯基]聯(lián)苯胺（NPNPB)、N，N'-二（蒙-2-基）-N，N'-二苯基 苯-1，4-二胺（a-NP巧、陽D0T-PSS聚合物。原則上，空穴注入層可包含至少一種式（I)、 (II)或（III)的化合物作為空穴注入材料。
[027引用于空穴注入層的其它合適材料在WO2012/121936A2中，尤其是第100頁提到， 即W0 2012/121936A2 第 100 頁提到的U細(xì)2、化合物C、TAPC、3TPYMB、TPBi、TCTA、UW3、A 合物D、化合物E、化合物F、化合物G和化合物A。
[027引用于電子注入層的材料可W為例如LiF、CsF、KF或CsgCA。原則上，電子注入層可 包含至少一種式（I)化合物作為電子注入材料。
[0274] 本領(lǐng)域技術(shù)人員知道（例如基于電化學(xué)研究）如何選擇合適的材料。用于各層的 合適材料是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的且公開于例如W0 00/70655中。
[0275] 另外，可將本發(fā)明0L邸中所用一些層進(jìn)行表面處理，W提高電荷載流子傳輸效 率。所述各層的材料的選擇優(yōu)選由得到具有高效率和壽命的0LED決定。
[0276] 本發(fā)明0L邸可通過本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法生產(chǎn)。一般而言，本發(fā)明0L邸通 過在合適的基底上依次氣相沉積各層而生產(chǎn)。合適的基底例如為玻璃、無機(jī)半導(dǎo)體或聚合 物膜。對(duì)于氣相沉積，可使用常規(guī)技術(shù)，例如熱蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積（CVD)、物理氣相沉積 (PVD)和其它技術(shù)。在可選方法中，0LED的有機(jī)層可使用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的涂覆技術(shù) 由在合適溶劑中的溶液或分散體施用。
[0277] -般而言，不同的層具有W下厚度：陽極（1)50-500皿，優(yōu)選100-200皿；空穴傳 導(dǎo)層（2) 5-100皿，優(yōu)選20-80皿，發(fā)光層（3) 1-100皿，優(yōu)選10-80皿，空穴/激子阻擋層 (4) 2-lOOnm，優(yōu)選 5-50nm，電子傳導(dǎo)層巧)5-lOOnm，優(yōu)選 2〇-80nm，陰極巧)20-1000nm，優(yōu)選 30-500nm。除其它因素外，本發(fā)明0L邸中空穴和電子的重組區(qū)相對(duì)于陰極的相對(duì)位置和因 此0L邸的發(fā)射光譜可受各層的相對(duì)厚度影響。該意味著應(yīng)優(yōu)選選擇電子傳輸層的厚度使 得重組區(qū)的位置與二極管的光學(xué)共振器性能，并因此與發(fā)射體的發(fā)射波長(zhǎng)匹配。0L邸中各 層的層厚度的比例取決于所用材料。所用任何其它層的層厚度是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的。 電子傳導(dǎo)層和/或空穴傳導(dǎo)層具有比在將它們電滲雜時(shí)所述的層厚度更大的厚度。
[027引式（I)化合物在0L邸的至少一個(gè)層中，優(yōu)選在發(fā)光層中（優(yōu)選作為主體（基體） 材料）和/或在電子/空穴/激子傳輸層中和/或在電子/空穴/激子阻擋層中和/或在 電子/空穴/激子注入層中的使用使得可得到具有高效率且具有低使用和工作電壓且具有 長(zhǎng)壽命的0L邸。根據(jù)本發(fā)明使用的式（I)化合物傳導(dǎo)空穴和電子，即它們?yōu)殡p極的。該可 建立良好的電荷載流子平衡，其可實(shí)現(xiàn)較好的效率和壽命。0L邸的效率還可通過使0L邸的 其它層最佳化而改進(jìn)。例如，可使用高效率陰極如化或Ba，任選與LiF、CsF、KF或Cs20)3 的中間層組合。導(dǎo)致工作電壓降低或量子效率提高的成型基底和新型空穴傳輸材料也可用 于本發(fā)明0L邸中。此外，其它層可存在于0L邸中W調(diào)整不同層的能級(jí)并促進(jìn)電致發(fā)光。
[0279] 0L邸可進(jìn)一步包含至少一個(gè)第二發(fā)光層。0L邸的總發(fā)射可包括所述至少兩個(gè)發(fā) 光層的發(fā)射并且還可包括白光。
[0280] 0LED可用于其中電致發(fā)光有用的所有設(shè)備中。合適的器件優(yōu)選選自固定和移動(dòng)視 覺顯示裝置和照明裝置。固定視覺顯示裝置為例如計(jì)算機(jī)、電視機(jī)中的視覺顯示裝置，打印 機(jī)、廚房電器和廣告牌、照明和信息板中的視覺顯示裝置。移動(dòng)視覺顯示裝置為例如智能手 機(jī)、無線電話、便攜式電腦、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、車輛中的視覺顯示裝置，W及公共汽車和 火車上的目的地顯示器?？墒褂帽景l(fā)明0L邸的其它器件為例如鍵盤；服裝；家具；壁紙。
[0281] 另外，式（I)化合物可用于具有倒置結(jié)構(gòu)的0L邸中。根據(jù)本發(fā)明使用的式（I)化 合物優(yōu)選再次作為空穴/激子阻擋材料用于該些倒置0L邸中。倒置0L邸的結(jié)構(gòu)和其中常 用的材料是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的。
[0282] 另外，本發(fā)明設(shè)及包含至少一個(gè)本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管或至少一個(gè)本發(fā)明發(fā)光層 的器件，所述器件選自固定視覺顯示裝置，例如計(jì)算機(jī)、電視機(jī)中的視覺顯示裝置，打印機(jī)、 廚房電器和廣告牌、照明、信息板中的視覺顯示裝置，和移動(dòng)視覺顯示裝置，例如智能手機(jī)、 無線電話、便攜式電腦、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、車輛中的視覺顯示裝置，W及公共汽車和火 車上的目的地顯示器；照明裝置；鍵盤；服裝；家具；壁紙。
[0283] 在另一實(shí)施方案中，式（I)化合物可用于白色0L邸中，優(yōu)選作為發(fā)光層中的基體 材料或者作為阻擋材料。
[0284] W下實(shí)施例提供對(duì)本發(fā)明的另外舉例說明。 實(shí)施例
[0285] I合成實(shí)施例
[0286] I. 1結(jié)構(gòu)單元2, 8-二漠-10, 10-二苯基-吩巧惡塘燒（PXBr)的制備
[0287]U2, 2'，4, 4'-四漠二苯離的制備 [028引
[0289] 將二苯離巧.Og，29. 5毫摩爾）、鐵粉（0.Ig，1. 79毫摩爾）和四氯化碳巧0ml)的 混合物加熱至7〇°C24小時(shí)。向混合物中加入在四氯化碳巧0ml)中的漠（19. 3g，120. 9毫 摩爾），同時(shí)保持溫度在75°C下1小時(shí)。然后向反應(yīng)混合物中加入氯仿（40ml)，然后過濾并 用水洗漆。將有機(jī)層分離，并蒸發(fā)至干燥。通過從正己燒中再結(jié)晶而將所得固體提純W提 供無色固體（10. 6g，74. 3% )。
[0290] iH-NMR(400MHz，CDCI3) : 5 7. 79化J= 2. 2細(xì)Z, 2田，7. 38 (dd,J=2. 3Hz, 2H)， 6. 71 (d,J=8. 7Hz, 2H)，7. 39-7. 24 (m, 30H)卵m。
[02川 EIMS(m/z) = 486[M+]。
[029引U) 2,8-二漠-10, 10-二苯基-吩巧患硅烷（PXBr)的制備
[0293]
[0294] 向圓底燒瓶中加入2, 2'，4, 4'-四漠二苯離（3. 0g，6. 176毫摩爾）。在通氮?dú)?小 時(shí)W后，加入無水己離（30ml)。將所得混合物在冰?。ǜ杀?丙酬）中冷卻至-10°C，然后 逐滴加入正了基裡（1. 6M，8.0ml)。在室溫下攬拌2小時(shí)W后，將混合物冷卻至-7〇°C，并逐 滴加入二氯二苯基硅烷（1. 6g，6. 36毫摩爾）。將所得混合物在室溫下攬拌19小時(shí)并將沉 淀物過濾。將有機(jī)層用水洗漆，將混合物分離并經(jīng)無水M拆〇4干燥。然后將混合物過濾并蒸 發(fā)至干燥，然后通過在硅膠（洗脫液；己燒/甲苯=4/1)上層析而提純W提供PXBH2.Ig， 69.0%)0
[029引咱-醒R(400MHz, CD2CI2);S 7. 61-7. 53(m,細(xì)），7. 49-7. 38(m,細(xì)），7. 18(d, J= 8. 7Hz, 2H)卵m。
[029引 EIMS(m/z)=508[M+]。
[0297]I. 2化合物（1)的合成
[0298]
[0299] 向圓底燒瓶中加入PXBr(合成實(shí)施例I. 1)化00g，3. 93毫摩爾）、巧挫（1.38g， 8. 25毫摩爾）和叔了醇鋼（1. 13g，11. 8毫摩爾）。加入無水二甲苯巧0ml)并使氮?dú)夤呐?通過混合物1小時(shí)。然后加入Pd(0Ac)2(17. 6mg，79. 6微摩爾）、S-叔了基麟口3. 8 ? 1， 0.314毫摩爾）并將所得混合物在馬流下在回流溫度下強(qiáng)力攬拌5小時(shí)。將所得混合物冷 卻至室溫。將沉淀物過濾，并用水洗漆。將有機(jī)層分離并經(jīng)無水MgS〇4干燥，過濾并蒸發(fā)。 將所得混合物通過硅膠墊（洗脫液；甲苯）過濾。將濾液蒸發(fā)至干燥，倒入己燒中W提供白 色固體（2.07g:77.4g)。
[0300] iH-NMR ; (400MHz, CD2CI2) : 5 8. 14化J = 8. OHz, 4H)，7. 80 (d, J = 2. 8Hz, 2H)， 7. 75 (q, J = 8. 8Hz, 2H)，7. 67-7. 60 (m, 6H)，7. 47-7. 37 (m, 14H)，7. 30-7. 26 (m, 4H)卵m。
[0301] EIMS(m/z)=681[M+]
[030引C4品2N20Si的分析、計(jì)算值；C，84. 67 ;H，4. 74 ;N，4. 11%。實(shí)測(cè)值；C，84. 77化 4. 55 ;N，4. 11%
[030引I. 3化合物似的合成
[0304]
[0305]
[0306] 向圓底燒瓶中加入PXBr(合成實(shí)施例I. 1)化OOg，5. 90毫摩爾）。在通入氮?dú)?. 5 小時(shí)W后，加入無水四氨快喃化0ml)。將所得混合物冷卻至-70°C，然后逐滴加入正了基裡 (1. 6M，11. 1ml)。在-70°C下攬拌1小時(shí)W后，逐滴加入S苯基氯硅烷巧.21g，17. 7毫摩爾） 的離溶液（20ml)。將所得混合物在室溫下攬拌。將反應(yīng)混合物蒸發(fā)，溶于甲苯巧0ml)中并 用水洗漆。將有機(jī)層分離并經(jīng)無水MgS〇4干燥，過濾并蒸發(fā)至干燥。通過從甲苯中再結(jié)晶 而將所得溶液提純W得到白色固體（2. 88g，56. 3% )。
[0307] iH-NMR(400MHz，THF-cQ;S7. 96(S,2H)，7. 62 化J= 8. 2Hz, 2H)，7. 51 化J= 8. 2Hz, 12H)，7. 39-7. 24 (m, 30H)卵m，
[030引 EIMS(m/z)=868[M+]，
[030引CecfteOSis的分析、計(jì)算值；C，83. 09 化 5. 35%。實(shí)測(cè)值；C，83. 04 化 5. 28%。
[0310] 1.4化合物（3)的合成
[0311]
[031引向圓底燒瓶中加入PXBr(合成實(shí)施例I.lH2.00g，3.93毫摩爾）和二苯并快 喃-4-棚酸化43g，8. 25毫摩爾）。向混合物中加入甲苯（40. 0ml)、己醇（20.0ml)和含水 化20)3化6M，11. 8ml)并使氮?dú)夤呐萃ㄟ^混合物1小時(shí)。然后加入Pd(P化)4化23g，0. 20毫 摩爾）并將混合物在馬流下在回流溫度下強(qiáng)力攬拌12小時(shí)。將所得混合物冷卻至室溫。 將沉淀物過濾，并溶于回流甲苯（200ml)中，通過硅膠墊過濾。將清澈的濾液蒸發(fā)至干燥。 通過從甲苯中再結(jié)晶而將所得白色固體進(jìn)一步提純（1. 45g，54% )。 陽引引lH-Mffi(400MHz，CD2Cl^ ; 5 8. 12 化J= 2.0Hz, 2H)，8.01 (d，J= 7.6Hz, 2H)， 7. 86-7. 81 (m, 4H)，7. 71-7. 56 (m,lOH)，7. 49-7.：M(m, 12H)卵m。
[0引4]EIMS(m/z)=683[M+] 峽巧]C4品2N2〇Si的分析、計(jì)算值；C，84. 43 ;H，4. 43%。實(shí)測(cè)值；C，84. 37 ;H，4. 21%。
[031引I. 5化合物（4)、妨和做的合成 [0317]
[031引
[031引化合物（4)、妨和做類似于化合物（1)、似和做制備，其中應(yīng)用精確的化學(xué) 計(jì)量。
[0320]I. 6化合物（V7)的合成
[0321]
[0322]化合物（V7)公開于JP2006083167 中（CZNTPH)。
[0323]II二極管實(shí)施例
[0324]II. 1生產(chǎn)包含化合物（1)作為主體材料和空穴阻擋材料的0LED(0LED(1))
[0325] 將用作陽極的IT0基底首先用用于LCD生產(chǎn)的商業(yè)洗漆劑（Deconex? 20NS和 250RGAN~ACm?中和劑）清洗，然后在超聲浴中在丙酬/異丙醇'混合物中清洗。為 消除可能的有機(jī)殘余物，將基底在臭氧烘箱中暴露于連續(xù)臭氧流下另外25分鐘。該處理也 改進(jìn)了IT0的空穴注入性能。接著，將來自Plexcore的AJ20-1000空穴注入層由溶液（~ 40nm)旋涂于其上。
[0326] 其后，將下文所述有機(jī)材料通過在約1(T8毫己下W約0. 5-5nm/min的速率氣相沉 積而應(yīng)用于清潔基底上。應(yīng)用于基底上的空穴導(dǎo)體和激子阻擋體為厚度為35皿且滲雜有 Mo〇3(~50重量％ )的Ir(dpbic)3(Vl)值PBIC)W改進(jìn)導(dǎo)電率。
[0327]
[032引 公開于例如W02005/019373中
[0329] 隨后，通過氣相沉積W5nm的厚度應(yīng)用Ir(化bic)3(Vl)。
[0330] 隨后通過氣相沉積W40nm的厚度應(yīng)用發(fā)射體巧1) (30重量％)、Ir(化bic)3(Vl) (主體化）（15重量％ )和化合物（1)(合成實(shí)施例I. 2)(主體肥）（55重量％ )的混合物， 其中前一種化合物充當(dāng)發(fā)射體材料，后兩種充當(dāng)基體材料。E1、H1和肥的重量比在下文給 出。
[0331]
[033引公開于WO2011/073149 中
[0333] 隨后通過氣相沉積W5nm的厚度應(yīng)用化合物（1)作為激子和空穴阻擋體。
[0334] 接著，作為電子傳輸體，通過氣相沉積，W25nm的厚度應(yīng)用50重量％ (V2)和50 重量％Liq的混合物，應(yīng)用0. 7皿厚KF層W及最后100皿厚A1電極。在惰性氮?dú)鈿夥罩?將所有組件結(jié)合在玻璃蓋上。
[0335]
[0336]公開于W0 2006/128800A1 中
[0337]II. 2生產(chǎn)包含化合物（2)作為主體材料和空穴阻擋材料的0LED(0LED(2))
[033引如同實(shí)施例II. 1，不同的是所用主體材料和空穴阻擋材料為根據(jù)合成實(shí)施例I. 3 的化合物（2)，而不是化合物（1)。
[0339]II. 3生產(chǎn)包含化合物（3)作為主體材料和空穴阻擋材料的0LED(0LED(3))
[0340] 如同實(shí)施例II. 1，不同的是所用主體材料和空穴阻擋材料為根據(jù)合成實(shí)施例I. 4 的化合物（3)，而不是化合物（1)。
[0341]II. 4生產(chǎn)包含對(duì)比化合物（V7)作為主體材料和空穴阻擋材料的0LED(0LED(V7))
[0342] 如同實(shí)施例II. 1，不同的是所用主體材料和空穴阻擋材料為根據(jù)合成實(shí)施例I. 5 的化合物（V7)，而不是化合物（1)。
[0343] 結(jié)果
[0344]為表征實(shí)施例II. 1、II. 2和II. 3的OLEDW及對(duì)比例II. 4的OLED，在不同的電 流和電壓下記錄電致發(fā)光光譜。另外，與發(fā)射的光輸出組合測(cè)量電流-電壓特性。光輸出 可通過用光度計(jì)校準(zhǔn)而轉(zhuǎn)化成光度參數(shù)。數(shù)據(jù)顯示于表1中。
[034引II. 5生產(chǎn)包含化合物（4)、妨和做作為主體材料和空穴阻擋材料的 0LED(0LED(4)、巧）和巧)）
[0346] 如同實(shí)施例II. 1，不同的是所用主體材料和空穴阻擋材料為分別根據(jù)合成實(shí)施例 I. 5的化合物（4)、妨或化），而不是化合物（1)。
[0347]得到的0L邸(4)、妨和做發(fā)射藍(lán)光。
[034引表1
[0349]
[0350] 1)CIE(InternationalCommissiononIllumination)色坐標(biāo)；x-坐標(biāo)
[0351] 2)(CIE(InternationalCommissiononIllumination)色坐標(biāo)；y-坐標(biāo)
[0352] 3)標(biāo)準(zhǔn)化值；相對(duì)于對(duì)比OL邸II. 4