專利名稱:移位寄存器電路的制作方法
本發(fā)明涉及移位寄存器電路，特別用于向有源矩陣顯示裝置的顯示像素提供行電壓。
有源矩陣顯示裝置包括排列成行和列的像素陣列，其中的每一個(gè)包括至少一個(gè)薄膜驅(qū)動(dòng)晶體管和顯示元件(例如液晶單元)。每行像素共享一條行導(dǎo)線，其連接到該行中的各像素的薄膜晶體管的柵極。每一列像素共享一條列導(dǎo)線，在該列導(dǎo)線上提供有像素驅(qū)動(dòng)信號。在行導(dǎo)線上的信號決定所述晶體管被接通還是關(guān)斷，并且當(dāng)通過所述行導(dǎo)線上的高壓脈沖而接通該晶體管時(shí)，來自列導(dǎo)線的信號被允許傳遞到液晶材料區(qū)域，從而改變所述材料的光透射特性。
對應(yīng)于有源矩陣顯示裝置的幀(場)周期要求在一小段時(shí)間內(nèi)尋址一行像素，從而這對于所述晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力又提出了要求，以便把所述液晶材料充電或者放電到所需的電壓電平。為了滿足這些電流需求，被提供到所述薄膜晶體管的柵極電壓需要以很大的電壓擺幅波動(dòng)。在非晶硅的情況下，該電壓擺幅可能是大約30伏。
在行導(dǎo)線中對于大電壓擺幅的需求又要求使用高壓組件來實(shí)現(xiàn)行驅(qū)動(dòng)器電路。
人們一直很關(guān)注把行驅(qū)動(dòng)器電路的組件集成在與顯示像素陣列相同的基底上。一種可能性是對于像素晶體管使用多晶硅，因?yàn)檫@種技術(shù)更適用于行驅(qū)動(dòng)器電路的高壓電路元件。然而，這樣做就失去了使用非晶硅技術(shù)來生產(chǎn)顯示陣列的成本優(yōu)勢。
因此，人們關(guān)注提供可以利用非晶硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)的驅(qū)動(dòng)器電路。在利用非晶硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器電路的過程中，非晶硅晶體管的低遷移率以及由應(yīng)力導(dǎo)致的閾值電壓改變帶來了很多困難。
傳統(tǒng)上，所述行驅(qū)動(dòng)器電路被實(shí)現(xiàn)為移位寄存器電路，其適于依次在每一條行導(dǎo)線上輸出行電壓脈沖。
實(shí)際上，所述移位寄存器電路的每一級包括連接在鐘控高功率線和行導(dǎo)線之間的輸出晶體管，并且所述驅(qū)動(dòng)晶體管被接通以便把所述行導(dǎo)線耦合到該鐘控高功率線，從而產(chǎn)生行尋址脈沖。為了確保行導(dǎo)線上的脈沖達(dá)到所述功率線電壓(盡管有串聯(lián)連接的驅(qū)動(dòng)晶體管)，已經(jīng)知道利用自舉效應(yīng)，其中使用該輸出晶體管的雜散電容。這在US6 052 426中進(jìn)行了討論。
以上述方式使用驅(qū)動(dòng)晶體管的寄生電容的一個(gè)問題在于存在其他雜散效應(yīng)，這些也在US 6 052 426中進(jìn)行了討論。對于這個(gè)問題的一種解決方案是通過引入第一附加電容器來抵消雜散電容的影響，以及引入專用于自舉操作的第二附加電容器。
以上述方式使用附加的自舉電容器的移位寄存器電路在US 6 052426和US 6 064 713中公開。在這些電路中，通過輸入晶體管由前一行的行脈沖對所述輸出晶體管的柵極充電。結(jié)果，可以被施加到該輸出晶體管的最大柵極電壓取決于該輸入晶體管的閾值電壓。特別當(dāng)使用非晶硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)移位寄存器電路時(shí)，這可能會(huì)變成對于電路性能的限制因素。這在低溫下特別成問題，因?yàn)榇藭r(shí)TFT遷移率處于最低點(diǎn)，并且閾值電壓處于最高點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種包括多級的移位寄存器電路，每一級包括連接到前一級的輸出端的第一輸入端；用于把第一鐘控功率線電壓耦合到該級的輸出端的驅(qū)動(dòng)晶體管；用于補(bǔ)償該驅(qū)動(dòng)晶體管的寄生電容的影響的補(bǔ)償電容器；連接在該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和該級的輸出端之間的第一自舉電容器；以及用于對第一自舉電容器充電并且由第一輸入端控制的輸入晶體管，其中，每一級還包括耦合到該級的兩級之前的那一級的輸出端的輸入部分，并且該輸入部分包括連接在所述輸入晶體管和第一輸入端之間的第二自舉電容器。
這種電路安排使用兩個(gè)自舉電容器。其中一個(gè)用于確?？梢詫⑷娫淳€電壓耦合到輸出端，另一個(gè)用于確保可以在柵極充電步驟中通過所述輸入晶體管將來自前一級的全行電壓耦合到所述驅(qū)動(dòng)晶體管。該電路具有兩個(gè)預(yù)充電操作周期期間對輸入晶體管柵極進(jìn)行預(yù)充電的第一周期，以及期間對驅(qū)動(dòng)晶體管柵極進(jìn)行預(yù)充電的第二周期。這使得所述電路對于閾值電壓電平或其變化較不敏感，并且允許使用非晶硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)所述電路。
每一級優(yōu)選地還包括連接到下一級的輸出端并且連接到復(fù)位晶體管的柵極的第二輸入端，該復(fù)位晶體管連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和低功率線之間。因此，該電路具有兩個(gè)預(yù)充電周期一個(gè)輸出周期，以及一個(gè)復(fù)位周期。
每一級的補(bǔ)償電容器優(yōu)選地連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和第二鐘控功率線電壓之間，該第二鐘控功率線電壓與第一功率線電壓被互補(bǔ)地鐘控。這樣做適于抵消所述驅(qū)動(dòng)晶體管的寄生電容的影響。
所述輸入部分優(yōu)選地包括用于在第二自舉電容器上存儲晶體管閾值電壓的電路元件。
例如，所述輸入部分還可以包括把該級的兩級之前的那一級的輸出提供到第一輸入晶體管的柵極的第二輸入晶體管；以及與第二自舉電容器并聯(lián)的衰減(decay)晶體管，其用于衰減第二自舉電容器上的電壓，直到達(dá)到該衰減晶體管的閾值電壓。
該衰減晶體管的柵極優(yōu)選地連接到第一輸入晶體管的柵極從而它們承受相同的電壓應(yīng)力，并且其還可以具有與第一輸入晶體管相同的尺寸。因此，該衰減晶體管被用作所述輸入晶體管的模型，并且該衰減晶體管閾值電壓被用來表示所述輸入晶體管閾值電壓。
所述輸入部分還可以包括復(fù)位晶體管，該復(fù)位晶體管的柵極連接到該級的輸出端，以用于對第二自舉電容器進(jìn)行放電。
本發(fā)明的移位寄存器電路特別適用于有源矩陣顯示裝置(例如有源矩陣液晶顯示裝置)的行驅(qū)動(dòng)器電路。
本發(fā)明還提供產(chǎn)生多級移位寄存器輸出的方法，該方法對于該移位寄存器的每一級包括使用該級的兩級之前的那一級的輸出來對輸入晶體管的柵極充電，并且在第二自舉電容器上存儲該柵極-源極電壓；對第二自舉電容器進(jìn)行放電，直到閾值電壓被存儲在第二自舉電容器上；使用該級的一級之前的那一級的輸出通過該輸入晶體管對驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極進(jìn)行充電，以及對存儲該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極-源極電壓的第一自舉電容器進(jìn)行充電；以及通過該驅(qū)動(dòng)晶體管把第一鐘控電源線電壓耦合到該級的輸出端。
這樣就提供了如上解釋的兩級預(yù)充電操作。
同樣地，可以使用下一級的輸出來復(fù)位第一自舉電容器，并且可以使用該級的輸出來復(fù)位第二自舉電容器。
下面將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的一個(gè)例子，其中圖1示出已知的移位寄存器電路；圖2示出本發(fā)明的移位寄存器電路；圖3示出本發(fā)明的顯示裝置；圖4示出用于有源矩陣液晶顯示器的已知像素結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子；以及圖5示出包括行、列驅(qū)動(dòng)器電路的顯示裝置，其中可以使用本發(fā)明的電路。
圖1示出適于使用在非晶硅有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)中的高阻抗柵極驅(qū)動(dòng)器電路。所示出的電路是一個(gè)多級移位寄存器當(dāng)中的單個(gè)一級，該多級移位寄存器的每一級被用于向一行像素提供行電壓。在US 6 052 426中已經(jīng)描述了類似的電路。
該電路包括耦合在鐘控功率線Pn和由該級控制的行導(dǎo)線Rn之間的輸出驅(qū)動(dòng)晶體管Tdrive。該鐘控功率線(以及互補(bǔ)信號invPn)是一個(gè)兩相信號，并且該鐘控功率線的各周期決定各移位寄存器級的時(shí)序操作的定時(shí)。
在前一行Rn-1上的行脈沖被用于通過二極管連接的輸入晶體管Tin對該輸出晶體管柵極進(jìn)行充電。
第一電容器C1連接在所述輸出晶體管柵極和把互補(bǔ)信號載送到鐘控功率線Pn的控制線之間，并且電容器C1的目的是抵銷所述輸出晶體管的內(nèi)部寄生電容的影響。
在所述輸出晶體管的柵極和行導(dǎo)線(即該級的輸出端)之間提供附加的自舉電容器C2。
該級還受到下一行Rn+1上的行脈沖的控制，該行脈沖被用來通過下拉所述輸出晶體管的柵極電壓而關(guān)斷該級。下一行Rn+1上的行脈沖通過與下一行導(dǎo)線信號相關(guān)的輸入晶體管Tr(n+1)被提供到所述輸出晶體管的柵極。
所述電路還具有兩個(gè)復(fù)位晶體管Tr-n和Tr-r，當(dāng)初始地對該電路供電時(shí)使用這兩個(gè)復(fù)位晶體管。
在操作中，輸入晶體管Tin在前一行脈沖期間對所述輸出晶體管柵極充電。在該前一行脈沖期間，功率線Pn為低，并且反相功率線invPn為高。該輸出晶體管由該前一行脈沖接通，但是由于功率線Pn為低，因此該級的輸出保持為低。
在該充電階段期間，自舉電容器C2被充電到所述行電壓脈沖(減去輸入晶體管Tin的閾值電壓)。
在下一個(gè)時(shí)鐘周期期間，時(shí)鐘信號Pn為高，這一電壓增大通過所述輸出晶體管上拉行導(dǎo)線Rn上的輸出電壓。自舉電容器C2的效果是提高柵極電壓，以便確保把鐘控信號Pn的全電壓電平傳遞到行導(dǎo)線Rn。隨后，晶體管Tr(n+1)在下一行脈沖期間復(fù)位所述輸出晶體管柵極電壓節(jié)點(diǎn)。
在空閑狀態(tài)下，通過第一附加電容器C1對反相功率線invPn的耦合被設(shè)計(jì)成在輸出晶體管Tdrive從Pn接收脈沖時(shí)防止輸出晶體管柵極接通。
如上所述的電路操作是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的。
如上所述，圖1的電路的操作的一個(gè)限制在于，在前一行脈沖的定時(shí)期間對所述輸出晶體管的柵極的充電取決于輸入晶體管Tin的閾值電壓。對于非晶硅晶體管來說，該閾值電壓可能較大，并且可能隨著溫度和時(shí)間而有較大變化。
本發(fā)明提供一個(gè)附加的輸入部分，其耦合到該級的兩級之前的那一級的輸出端。該輸入部分包括連接在所述輸入晶體管的柵極和所述第一輸入端之間的第二自舉電容器，并且適于在對所述驅(qū)動(dòng)晶體管柵極進(jìn)行充電的過程中抵消所述輸入晶體管的閾值電壓的影響。
圖2示出本發(fā)明的移位寄存器電路的一級。
該電路包括預(yù)充電電路10以用于把TFT閾值電壓采樣到第二自舉電容器C3上。其隨后被用于自舉輸入TFT Tin1，從而導(dǎo)致對驅(qū)動(dòng)晶體管柵極電壓的良好的柵極充電，而不管所述輸入晶體管的閾值電壓如何。隨后，所述行電路復(fù)位C3上的電荷，從而使得輸入TFT Tin1不發(fā)生漂移。圖2的電路的其他部分與圖1相同，因此不對這些組件進(jìn)行重復(fù)描述。
預(yù)充電電路10的輸入端連接到所示出的該級的兩級之前的那一級的輸出端Rn-2。該輸出端Rn-2通過第二輸入晶體管Tin2耦合到第一輸入晶體管Tin1的柵極。
第二自舉電容器C3連接在第一輸入晶體管Tin1和前一級Rn-1的輸出端之間。
衰減晶體管Tdecay與第二自舉電容器C3并聯(lián)，并且是二極管連接的。該衰減晶體管的柵極連接到第一輸入晶體管Tin1的柵極，從而它們承受相同的電壓應(yīng)力。該衰減晶體管還優(yōu)選地具有與第一輸入晶體管Tin1基本上相同的尺寸。
預(yù)充電部分10具有復(fù)位晶體管Tr(n)，其柵極連接到Rn級的輸出端，以便對第二自舉電容器C3進(jìn)行充電。
在操作中，用于當(dāng)前行的兩行之后的那一行Rn-2的行脈沖被用來通過第二輸入晶體管Tin2對第一輸入晶體管Tin1和第二自舉電容器C3進(jìn)行充電。該充電受到通過衰減晶體管Tdecay的電荷衰減的限制。
當(dāng)行n-2走低時(shí)，衰減晶體管Tdecay使得第二自舉電容器C3兩端的電壓衰減到接近TFT閾值電壓。衰減晶體管Tdecay和第一輸入晶體管Tin1在所有時(shí)間都承受相同的柵極偏置，因此即使當(dāng)發(fā)生任何閾值電壓漂移時(shí)，它們都將展現(xiàn)出相同的閾值電壓。
當(dāng)行n-1脈沖為高時(shí)，第一輸入晶體管Tin1的柵極由第二自舉電容器C3自舉，從而導(dǎo)致對驅(qū)動(dòng)晶體管Tdrive的良好的充電。
當(dāng)行n-1走低時(shí)，由于其在閾值附近，因此不通過Tin1移走電荷。相反，一旦行n走高，放電晶體管Tr(n)就對第二自舉電容器C3兩端的電壓進(jìn)行放電，從而將第一輸入晶體管Tin1完全關(guān)斷。
隨后，電路操作如圖1的已知電路那樣繼續(xù)。
復(fù)位晶體管Tr(n)可以被放置成使其下方連接到低壓線Voff(如圖所示)，或者其可以連接到前一行n-1。
圖3用于示意性地解釋所述電路的操作定時(shí)。其中的各曲線圖示出所述鐘控電源線、第一輸入晶體管Tin1上的柵極電壓、驅(qū)動(dòng)晶體管Tdrive上的柵極電壓以及輸出Rn。
在兩級之后的那一級的定時(shí)n-2期間，第二自舉電容器C3被預(yù)充電。在這一階段的末尾有一個(gè)電壓降，直到該電容器存儲所述閾值電壓。在將輸出脈沖n-1施加到所述輸入晶體管期間，在第二自舉電容器上的電壓衰減持續(xù)，并且在對應(yīng)于行n-1的輸出脈沖的末尾，第二自舉電容器兩端的電壓將已經(jīng)衰減到所述閾值電壓，從而閾值補(bǔ)償對于該輸入晶體管是有效的，并且全行電壓被用于對第一自舉電容器進(jìn)行充電。
在n-1級期間，n-1級的輸出被電容性地加到第二自舉電容器上的電壓上，以便導(dǎo)出驅(qū)動(dòng)第一輸入晶體管Tin1的柵極電壓。
在n-1級期間，第一自舉電容器C2也被充電，正如可以從對應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管柵極的曲線圖中看出的那樣。
在級n期間，鐘控電源線電壓Pn被加到第一自舉電容器C2上的電壓上，以便導(dǎo)出驅(qū)動(dòng)晶體管Tdrive的柵極電壓。
周期n的開頭被用于通過由Rn控制的復(fù)位晶體管Tr(n)對第二自舉電容器C3進(jìn)行放電。
圖4示出用于有源矩陣液晶顯示器的傳統(tǒng)像素結(jié)構(gòu)。該顯示器被排列為像素的行和列的陣列。每行像素共享一條公共行導(dǎo)線11，每列像素共享一條公共列導(dǎo)線12。每個(gè)像素包括串聯(lián)排列在列導(dǎo)線12和公共電極18之間的薄膜晶體管14和液晶單元16。如上所述，晶體管14由提供在行導(dǎo)線11上的信號接通和關(guān)斷。每個(gè)像素附加地包括存儲電容器20，該存儲電容器20的一端22連接到下一行電極、前一行電極或者單獨(dú)的電容器電極。該電容器20存儲驅(qū)動(dòng)電壓，從而在晶體管被關(guān)斷之后仍然在液晶單元16的兩端保持信號。
為了把液晶單元16驅(qū)動(dòng)到所需電壓從而獲得所要求的灰度級，與行導(dǎo)線11上的行尋址脈沖同步地在列導(dǎo)線12上提供一個(gè)適當(dāng)?shù)男盘?。該行尋址脈沖接通薄膜晶體管14，從而允許列導(dǎo)線12把液晶單元16充電到所需電壓，以及還把存儲電容器20充電到該相同的電壓。在所述行尋址脈沖的末尾，晶體管14被關(guān)斷，并且當(dāng)其他行正被尋址時(shí)存儲電容器20在液晶單元16兩端保持一個(gè)電壓。存儲電容器20減輕了液晶泄漏的影響，并且減小了由液晶單元電容的電壓依賴性導(dǎo)致的像素電容的百分比變化。
各行被順序地尋址，從而所有行在一個(gè)幀周期內(nèi)被尋址，并且在后續(xù)的幀周期內(nèi)被刷新。
如圖5所示，由行驅(qū)動(dòng)器電路30提供所述行尋址信號給顯示像素的陣列34，并且由列尋址電路32提供像素驅(qū)動(dòng)信號給該陣列34。本發(fā)明的電路適用于行驅(qū)動(dòng)器電路，并且適于用非晶硅技術(shù)制造。于是，各電路元件可以被集成到有源矩陣顯示器基底上。
本發(fā)明的電路導(dǎo)致在低溫下的好得多的操作以及更寬的處理容限。于是其可以允許對于給定的應(yīng)用使用更小的組件，從而導(dǎo)致更低的功率和更小的電路設(shè)計(jì)，盡管其中包含了額外的TFT(它們都很小)。
在上面的例子中，由下一級控制的復(fù)位晶體管Tr(n+1)連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和低功率線之間。其也可以被替換地連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和行輸出端之間，即連接在第一自舉電容器C2的兩端。此外，該復(fù)位晶體管可以連接到不同的輸出級的輸出端，比如n+2級、n+3級等等(直到n+時(shí)鐘相位的數(shù)量-1)。
所述輸入部分的復(fù)位晶體管Tr(n)在所述例子中被顯示為連接在第一輸入晶體管Tin1的柵極和低功率線Voff之間。替換地，其可以被連接在第一輸入晶體管Tin1的柵極和前一行輸出端n-1之間，即連接在第二自舉電容器C3的兩端。該復(fù)位晶體管的柵極還可以連接到不同的輸出級的輸出端，比如n+1級、n+2級等等。在沒有該復(fù)位晶體管的情況下所述電路也可以運(yùn)行。
因此，可以理解，對于以上詳細(xì)描述的特定電路可以有多種變型，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)想出許多其他修改。
權(quán)利要求
1.一種包括多級的移位寄存器電路，每一級包括連接到前一級的輸出端的第一輸入端(Rn-1)；用于把第一鐘控功率線電壓(Pn)耦合到該級的輸出端(Rn)的驅(qū)動(dòng)晶體管(Tdrive)；用于補(bǔ)償該驅(qū)動(dòng)晶體管的寄生電容的影響的補(bǔ)償電容器(C1)；連接在該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和該級的輸出端(Rn)之間的第一自舉電容器(C2)；以及用于對第一自舉電容器(C2)進(jìn)行充電并且由第一輸入端(Rn-1)控制的輸入晶體管(Tin1)，其中，每一級還包括耦合到該級的兩級之前的那一級的輸出端(Rn-2)的輸入部分(10)，并且該輸入部分包括連接在所述輸入晶體管(Tin1)和第一輸入端(Rn-1)之間的第二自舉電容器(C3)。
2.如權(quán)利要求
1所述的電路，其中，每一級還包括連接到下一級的輸出端的第二輸入端(Rn+1)。
3.如權(quán)利要求
2所述的電路，其中，第二輸入端(Rn+1)連接到復(fù)位晶體管(Tr(n+1))的柵極，該復(fù)位晶體管(Tr(n+1))連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和低功率線(Voff)之間。
4.如任一在前權(quán)利要求
所述的電路，其中，每一級的所述補(bǔ)償電容器(C1)連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和第二鐘控功率線電壓(invPn)之間，該第二鐘控功率線電壓(invPn)被與第一功率線電壓(Pn)互補(bǔ)地鐘控。
5.如任一在前權(quán)利要求
所述的電路，其中，所述輸入部分(10)包括用于在所述第二自舉電容器(C3)上存儲晶體管閾值電壓的電路元件。
6.如任一在前權(quán)利要求
所述的電路，其中，所述輸入部分還包括把該級的兩級之前的那一級的輸出提供到第一輸入晶體管(Tin1)的柵極的第二輸入晶體管(Tin2)；以及與第二自舉電容器并聯(lián)的衰減晶體管(Tdecay)，其用于衰減第二自舉電容器上的電壓，直到達(dá)到該衰減晶體管的閾值電壓。
7.如權(quán)利要求
6所述的電路，其中，所述衰減晶體管(Tdecay)具有與第一輸入晶體管(Tin1)基本上相同的尺寸。
8.如任一在前權(quán)利要求
所述的電路，其中，所述輸入部分還包括復(fù)位晶體管(Tr(n))，該復(fù)位晶體管(Tr(n))的柵極連接到該級的輸出端，以用于對第二自舉電容器(C3)進(jìn)行放電。
9.如任一在前權(quán)利要求
所述的電路，其是利用非晶硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。
10.一種有源矩陣顯示裝置，包括有源矩陣顯示像素的陣列；包括如任一在前權(quán)利要求
所述的移位寄存器電路的行驅(qū)動(dòng)器電路。
11.如權(quán)利要求
10所述的有源矩陣顯示裝置，其包括有源矩陣液晶顯示裝置。
12.一種產(chǎn)生多級移位寄存器電路輸出的方法，該方法對于該移位寄存器電路的每一級包括使用該級的兩級之前的那一級的輸出(Rn-2)來對輸入晶體管(Tin1)的柵極充電，并且在第二自舉電容器(C3)上存儲該柵極-源極電壓；對第二自舉電容器(C3)進(jìn)行放電，直到閾值電壓被存儲在第二自舉電容器上；使用該級的一級之前的那一級的輸出通過該輸入晶體管(Tin1)對驅(qū)動(dòng)晶體管(Tdrive)的柵極進(jìn)行充電，以及對存儲該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極-源極電壓的第一自舉電容器(C2)進(jìn)行充電；以及通過該驅(qū)動(dòng)晶體管把第一鐘控電源線電壓(Pn)耦合到該級的輸出端。
13.如權(quán)利要求
12所述的方法，還包括通過補(bǔ)償電容器(C1)把第二鐘控電源線電壓(invPn)耦合到所述驅(qū)動(dòng)晶體管柵極，所述第一和第二鐘控電源線電壓被互補(bǔ)地鐘控。
14.如權(quán)利要求
12或13所述的方法，還包括使用下一級的輸出(Rn+1)來復(fù)位第一自舉電容器(C2)。
15.如權(quán)利要求
12到14當(dāng)中的任一條所述的方法，還包括使用該級的輸出(Rn)來復(fù)位第二自舉電容器(C3)。
專利摘要
移位寄存器電路的每一級包括連接到前一級的輸出端的第一輸入端(R
文檔編號G11C19/18GK1993726SQ20058002599
公開日2007年7月4日 申請日期2005年7月28日
發(fā)明者S·C·迪恩 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan