專利名稱:用于激光致等離子體euv光源的氣體管理系統(tǒng)的制作方法
用于激光致等離子體EUV光源的氣體管理系統(tǒng)
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求2007年8月31日提交的題為“GAS MANAGEMENT SYSTEM FOR ALASER-PRODUCED-PLASMA EUV LIGHT SOURCE (激光致等離子體EUV光源的氣體管理系統(tǒng))”的美國專利申請S/N. 11/897，644的優(yōu)先權(quán)，并且還涉及提交于2006年2月21日的題為“LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE (激光致等離子體EUV光源)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/358,992(委托案號為2005-0081-01)、提交于2007年7月13 日的題為 “LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE HAVING A DROPLET STREAMPRODUCED USING A MODULATED DISTURBANCE WAVE (具有使用經(jīng)調(diào)制的干擾波產(chǎn)生的微滴流的激光致等離子體EUV光源)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/827，803 (委托案號 2007-0030-01)、提交于 2007 年 4 月 10 日的題為 “LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHTSOURCE (激光致等離子體EUV光源)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/786，145 (委托案號 2007-0010-02)、作為 2003 年 4 月 8 日提交的題為 “EXTREME ULTRAVIOLET LIGHTSOURCE (遠紫外光源)”的美國專利申請S/N. 10/409, 254 (委托案號2002-0030-01)的延續(xù)的提交于2005年4月14日的題為“EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT SOURCE(遠紫外光源)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/107，535 (委托案號2002-0030-08)、提交于2006年 2 月 21 日的題為 “LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE WITH PRE-PULSE (具有前脈沖的激光致等離子體EUV光源)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/358，988 (委托案號 2005-0085-01)、提交于 2005 年 2 月 25 日的題為 “METHOD AND APPARATUS FOR EUVPLASMA SOURCE TARGET DELIVERY(EUV等離子體源靶傳遞的方法和裝置)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/067，124(委托案號2004-0008-01)、提交于2005年6月29日的題為“LPP EUV PLASMA SOURCE MATERIAL TARGET DELIVERY SYSTEM (LPP EUV 等離子體源材料靶傳遞系統(tǒng))”的共同待審美國專利申請S/N. 11/174，443 (委托案號2005-0003-01)、題為“SOURCE MATERIAL DISPENSER FOR EUV LIGHT SOURCE (EUV 光源的源材料配給器)”的共同待審美國專利申請(委托案號2005-0102-01)、提交于2006年2月21日的題為“LASERPRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE (激光致等離子體EUV光源)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/358,992(委托案號2005-0081-01)、提交于2005年6月29日的題為“LPPEUV LIGHT SOURCE DRIVE LASER SYSTEM (LPP EUV光源驅(qū)動激光系統(tǒng))”的共同待審美國專利申請S/N. 11/174,299(委托案號2005-0044-01)、提交于2006年4月17日的題為“ALTERNATIVE FUELS FOR EUV LIGHT SOURCE (EUV光源的選擇性燃料)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/406, 216 (委托案號2006-0003-01)、提交于2006年10月13日的題為“DRIVELASER DELIVERY SYSTEMS FOR EUV LIGHT SOURCE (EUV 光源的驅(qū)動激光傳遞系統(tǒng))”的共同待審美國專利申請S/N. 11/580，414(委托案號2006-0025-01)、提交于2006年12月22日的題為“LASER PRODUCED PLASMA EUV IGHT SOURCE (激光致等離子體EUV光源)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/644，153 (委托案號2006-006-01)、提交于2006年8月16日的題為“EUV OPTICS (EUV光學器件)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/505，177 (委托案號
2006-0027-01)、提交于 2006 年 6 月 14 日的題為“DRIVE LASER FOR EUV LIGHT SOURCE (EUV光源的驅(qū)動激光器)”的共同待審美國專利申請S/N. /452，501 (委托案號2006-0001-01)、在2005年8月 9 日授予Webb 等人的題為“LONG DELAY AND HIGH TIS PULSE STRTCHER(長延時和高TIS脈沖展寬器)”的共同待審美國專利No. 6，928，093、提交于2006年3月31日的題為“CONFOCAL PULSE STRETCHER(共焦脈沖展寬器)”的美國申請No. 11/394，512 (委托案號 2004-0144-01)、提交于 2005 年 5 月 26 日的題為 “SYSTEMS AND METHODSFORIMPLE MENTING AN INTERACTION BETWEEN A LASER SHAPED AS A LINE BEAM AND A FILMDEPOSITED ON A SUBSTRATE(在形成為直線光束的激光器和位于襯底上的薄膜之間實現(xiàn)相互作用的系統(tǒng)和方法)”的美國申請No. 11/138，001 (委托案號2004-0128-01)、以及2002年5月7日提交而現(xiàn)在是美國專利6，693，939且題為“LASER LITHOGRAPHY LIGHT SOURCEWITH BEAM DELIVERY(具有光束傳遞的激光平板印刷光源)”的美國申請No. 10/141，216、在 2003 年 9 月 23 日授予 Knowles 等人的題為 “VERY NARROW BAND, TWO CHAMBER, HIGHREP RATE GAS DISCHARGE LASER SYSTEM(極窄波段、雙腔室、高REP比氣體排放激光器系統(tǒng))”的美國專利No. 6,625, 191 (美國申請No. 10/012，002，委托案號2001-0090-01)、2003 年 4 月 15 日授予 Ness 等人的題為“INJECTION SEEDED LASER WITH PRECISE TIMINGCONTROL(具有精確時間控制的注入種子激光器)”的美國專利No. 6，549，551 (美國申請No. 09/848，043，委托案號2001-0020-01)、以及在2003年5月20日授予Myers等人的題為 “VERY NAROff BAND, TWO CHAMBER, HIGH REP RATE GAS DISCHARGE LASER SYSTEM(極窄波段、雙腔室、高REP比氣體排放激光器系統(tǒng))”的美國專利No. 6，567，450 (美國申請09/943，343，委托案號 2001-0084-01)、提交于 2006 年 8 月 25 日的題為“SOURCE MATERIALCOLLECTION UNIT FOR A LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE(激光致等離子體EUV光源的源材料聚集單元)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/509，925 (委托案號2005-0086-01)，這些文獻的全部內(nèi)容援引包含于此。
領(lǐng)域
本公開涉及遠紫外(“EUV”)光源，它提供來自等離子體的EUV光，所述等離子體源自靶材料并被聚集和引導至中間區(qū)域以在EUV光源腔室外例如由平版印刷掃描器/步進器利用。
背景
遠紫外光——例如波長在50nm左右或更小(有時也稱其為軟x射線)并包括大約13. 5nm波長光的電磁輻射——可用于平版印刷工藝以在例如硅晶片的襯底中產(chǎn)生極小的特征結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)生EUV光的方法包括但不一定局限于，將具有例如氙、鋰或錫中的至少一種元素的材料轉(zhuǎn)換成等離子體狀態(tài)，在EUV范圍內(nèi)具有一條或多條發(fā)射譜線。在通常叫作激光致等離子體(LPP)的一種這樣的方法中，所要求的等離子體可通過用激光束照射例如具有要求的線放射元素的材料微滴、材料流或材料簇團的靶材料而產(chǎn)生。
一種具體的LPP技術(shù)涉及用一個或多個高能脈沖照射靶材料微滴。就此而言，CO2激光器作為在LPP過程中產(chǎn)生高能脈沖的驅(qū)動激光器具有某些優(yōu)勢。對于例如熔融錫微滴的某些靶材料來說尤為如此。例如，一個優(yōu)勢可包括產(chǎn)生相對高轉(zhuǎn)換效率(例如輸出EUV帶內(nèi)功率和驅(qū)動激光器輸入功率之比)的能力。
在更理論性的方面，LPP光源通過將激光能量沉積入例如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)的源元素，形成幾十eV電子溫度的高度電離等離子體而產(chǎn)生EVU輻射。在這些離子去激發(fā)和重組合過程中產(chǎn)生的能量輻射從等離子體沿所有方向射出。在一種常見配置中，近垂直入射鏡(通常稱其為“聚光鏡”)被設(shè)置成離開等離子體一定距離以將光聚集、引導(并在一些配置中聚焦)至中間位置，例如聚焦點。聚集的光隨后可從中間位置轉(zhuǎn)繼至一組掃描光學器件并最終到達晶片。在一種典型設(shè)置中，EUV光必須在光源中從等離子體至中間位置行進大約1-2米，結(jié)果在某些情形下，將光源腔室中的大氣限制成具有相對低的帶內(nèi)EUV光吸收率的氣體是有利的。
對于設(shè)計成用于大量制造(HVM)環(huán)境中的EUV光源來說(例如每小時曝光100個晶片或更多)，則聚光鏡的壽命可能是影響效率、停工時間并最終影響成本的關(guān)鍵參數(shù)。在工作中，產(chǎn)生作為等離子體副產(chǎn)品的碎屑，這將使聚光鏡表面質(zhì)量降低。這些碎屑可能以高能離子、中性原子和靶材料簇團的形式出現(xiàn)。對于這三種碎屑，對聚光鏡涂層最有害的一般是離子流。通常，對于上述結(jié)構(gòu)，由于多數(shù)靶材料沿背離聚光器表面的方向(即激光束方向)移動，因此碰撞在聚光器上的來自微滴靶的中性原子和簇團量可能很小。在沒有碎屑減緩和/或聚光器清洗技術(shù)時，靶材料和塵粒的沉積以及聚光鏡多層涂層的濺射和入射微粒的注入將使鏡的反射率顯著減小。就此而言，2007年4月10日提交的題為“LASER PRODUCEDPLASMA EUV LIGHT SOURCE (激光致等離子EUV光源)”的共同待審、共同擁有美國專利申請S/N. 11/786，145 (委托案號2007-0010-02)披露了一種設(shè)備，其中例如等于或高于大約100毫托壓力的氫的流動緩沖氣體用于腔室內(nèi)以在離子到達聚光鏡前將等離子體中的離子減慢至低于大約30eV，所述聚光鏡一般位于距離等離子體15cm的位置。
當前設(shè)想需要將大約100W或更大的EUV功率傳遞給掃描器/步進器以實現(xiàn)相當大量的EUV平版印刷制造。為了獲得這樣的輸出功率，可用5-20kW驅(qū)動激光器(例如CO2激光器)來照射例如錫微滴流的源材料。對于在EUV光源腔室內(nèi)傳遞的5-20kW功率來說，計算指出大約此功率的20% -80%可被傳遞至腔室內(nèi)的緩沖氣體。
有鑒于此，申請人披露一種用于激光致等離子體EUV光源的氣體管理系統(tǒng)及其相應使用方法。
概述
在第一方面，本文描述一種設(shè)備，其可包括界定閉環(huán)流體路徑的密封結(jié)構(gòu)；在等離子體場所產(chǎn)生等離子體的系統(tǒng)，該場所與流體路徑流體連通；設(shè)置在密封結(jié)構(gòu)中的氣體；強制氣體通過閉環(huán)流體路徑的泵；從在流體路徑中流動的氣體去除熱量的熱交換器；以及從在流體路徑中流動的氣體中去除至少一部分祀核素(target species)的過濾器。
在這個方面的一種應用中，等離子體可包括錫，且過濾器可去除從包含氫化錫、氧化錫、溴化錫及其組合的化合物組中選擇的化合物。
在這個方面的一個實施例中，密封結(jié)構(gòu)可形成有入口和出口，且該設(shè)備可進一步包括連接于入口的氣源以及連接于出口以調(diào)節(jié)離開密封結(jié)構(gòu)的氣體的調(diào)節(jié)裝置，所述調(diào)節(jié)裝置選自包括氣體稀釋機構(gòu)、洗滌器或其組合的一組調(diào)節(jié)裝置。
在這個方面的一種實現(xiàn)中，密封結(jié)構(gòu)可包括與導向管流體連通的容腔，所述導向管位于容腔的外部。
在另一方面，本文描述一種設(shè)備，其可包括形成有通孔的EUV反射光學器件；界定穿過通孔的閉環(huán)流體路徑的密封結(jié)構(gòu)；在等離子體場所產(chǎn)生等離子體的系統(tǒng)，所述場所與流體路徑流體連通；設(shè)置在密封結(jié)構(gòu)中的氣體；以及強制氣體通過閉環(huán)流體路徑的泵。
在這個方面的一種實現(xiàn)中，密封結(jié)構(gòu)可包括與導向管流體連通的容腔，所述導向管位于容腔的外部。
在這個方面的一個實施例中，設(shè)備還可包括在容腔中建立第一和第二隔室的氣體流動約束構(gòu)件；所述閉環(huán)流體路徑從第一隔室延伸通過形成在光學器件中的通孔至第二隔室，并且在一具體實施例中，光學器件可形成有邊緣，所述容腔可形成有容腔壁并且所述約束構(gòu)件可設(shè)置在聚光器邊緣和容腔壁之間以約束其間的流動。
在這個方面的一種配置中，氣體可在到達泵之前通過溫控多通道結(jié)構(gòu)。在另一方面，本文中描述一種設(shè)備，其可包括密封結(jié)構(gòu)；在密封結(jié)構(gòu)中的等離子體場所產(chǎn)生形成EUV輻射的等離子體并釋放至少5kW功率進入腔室的系統(tǒng)，在密封結(jié)構(gòu)中至少一個位置以高于100毫托的壓力設(shè)置于腔室內(nèi)的氣體；以及使氣體在密封結(jié)構(gòu)中循環(huán)的閉環(huán)循環(huán)系統(tǒng)，所述循環(huán)系統(tǒng)包括使氣體每次通過環(huán)路時冷卻的至少一個熱交換器。
在這個方面的一種實現(xiàn)中，氣體可以大于50標準升/分鐘的平均流速流過閉環(huán)循環(huán)系統(tǒng)。
在這個方面的一個實施例中，密封結(jié)構(gòu)可包括容腔且熱交換器可位于容腔內(nèi)。
在這個方面的一種配置中，熱交換器可以是溫控多通道結(jié)構(gòu)。
在本方面的一個實施例中，閉環(huán)循環(huán)系統(tǒng)可在系統(tǒng)中維持低于1000攝氏度的平均氣體溫度。
在另一方面，本文描述一種設(shè)備，其可包括密封結(jié)構(gòu)；在密封結(jié)構(gòu)的等離子體場所產(chǎn)生等離子體的系統(tǒng)，所述等離子體形成EUV輻射和離開等離子體的離子；與該場所相隔距離d的光學器件；設(shè)置在等離子體和光學器件之間的氣體，該氣體建立足以在距離d上作用以在離子到達光學器件前使離子能量減至低于IOOeV的氣體數(shù)量密度；以及使氣體在密封結(jié)構(gòu)中循環(huán)的閉環(huán)循環(huán)系統(tǒng)，所述循環(huán)系統(tǒng)包括從流過環(huán)路的氣體去除熱量的至少一個熱交換器。
在這個方面的一種實現(xiàn)中，光學器件可將EUV輻射引導至中間位置，且該設(shè)備可進一步包括設(shè)置在等離子體場所和中間位置之間的多通道結(jié)構(gòu)。
在這個方面的一個實施例中，氣體可包括體積大于50%的氫。
在這個方面的一種配置中，氣體可包括從包括HBr、HI、Br2、Cl2、HCl或其組合的一組腐蝕氣體中選取的腐蝕氣體。
在這個方面的一種配置中，氣體可建立足以在距離d上作用以在離子到達光學器件前使離子能量減至低于30eV的氣體數(shù)量密度η。
在這個方面的一種配置中，該系統(tǒng)可包括提供微滴的微滴發(fā)生器，所述微滴包括錫；以及照射微滴以產(chǎn)生等離子體的激光器，所述激光器包括含CO2的增益介質(zhì)。
附圖簡述
圖I示出激光致等離子體EUV光源的簡化示意圖；
圖2Α示出使用SRM軟件的計算曲線圖，其示出離子在200mm的距離d內(nèi)在50毫托的氬氣中顯著發(fā)散但不停止前進；
圖2B示出使用SRM軟件的計算曲線圖，其示出離子在大約170mm的距離d內(nèi)在400毫托的氫氣中發(fā)散范圍較小(相比圖2A)并有效地停止前進。
圖3示出離子在三種不同的氫氣壓力下在距離等離子體16. 5cm的位置停止前進的測量曲線圖；
圖4A示出在距離等離子體16. 5cm的位置處的最大觀察能量相對于具有圖3的曲線150所示的最初離子能量的離子的氫氣壓力的曲線圖；
圖4B示出作為氫氣壓力函數(shù)的在經(jīng)過145cm距離d之后的帶內(nèi)EUV信號；以及作 為氫氣壓力函數(shù)的離子流，該離子流在距離等離子體16. 5cm的位置計算為/ I (E) dE ；
圖4C示出針對使用SRIM仿真軟件計算得到的各種最初離子能量的作為氣體壓力(對于氫氣和氦氣)函數(shù)的離子射程(cm)的曲線圖；
圖5示出簡化的EUV光源的剖視圖，該圖示出EUV光源氣體管理系統(tǒng)的一個實施例；
圖5A示出圖5所示EUV光源的側(cè)視圖；
圖5B示出沿圖5的剖切線5B-5B觀察到的圖5所示多通道結(jié)構(gòu)的剖視圖，其示出具有同軸的、圓錐形風環(huán)的多通道結(jié)構(gòu)；
圖5C示出沿圖5的剖切線5B-5B觀察到的圖5所示多通道結(jié)構(gòu)的剖視圖，其示出具有收斂的、平板式風環(huán)的多通道結(jié)構(gòu)；
圖6示出具有徑向風環(huán)的多通道結(jié)構(gòu)的代替性實施例；
圖7示出沿圖6的剖切線7-7觀察到的圖6的多通道結(jié)構(gòu)的剖視圖；
圖8示出簡化的EUV光源的剖視圖，其示出具有通過輻射區(qū)并基本垂直于橢圓形聚光鏡的軸的氣體流的EUV光源氣體管理系統(tǒng)的另一實施例；
圖9示出簡化的EUV光源的剖視圖，其示出具有在等離子體腔室內(nèi)形成渦流的氣體流的EUV光源氣體管理系統(tǒng)的另一實施例；

圖10示出簡化的EUV光源的剖視圖，其示出具有延伸通過聚光鏡內(nèi)的中央孔的護罩以及約束在聚光鏡和腔室壁之間流動的流動約束構(gòu)件的EUV光源氣體管理系統(tǒng)的另一實施例；
圖11示出簡化的EUV光源的剖視圖，其示出具有延伸通過聚光鏡內(nèi)的中央孔的護罩以及約束在護罩和腔室壁之間流動的流動約束構(gòu)件的EUV光源氣體管理系統(tǒng)的另一實施例；
圖IlA示出形成有多個通孔以使氣體通過的聚光鏡；
圖IlB示出具有沿其反射表面行進以將氣體釋放到聚光鏡表面上的導管的聚光鏡；以及
圖12示出簡化的EUV光源的剖視圖，其示出具有等離子體輻射模塊、兩個泵/傳熱模塊以及掃描器接口模塊的EUV光源氣體管理系統(tǒng)的另一實施例。
詳細說明
最先參見圖1，圖中示出根據(jù)實施例一個方面的例如激光致等離子體EUV光源20的EUV光源的示意圖。如圖I所示并在下文中進一步詳細說明的那樣，LPP光源20可包括用于產(chǎn)生一串光脈沖并將光脈沖傳入腔室26的系統(tǒng)22。對于源20，光脈沖可沿一條或多條光束路徑從系統(tǒng)22行進并進入腔室26以照射輻射區(qū)28處的一個或多個靶。
用于圖I所示設(shè)備22的合用激光器可包括脈沖激光設(shè)備，例如工作在例如IOkW或更高的相對較高功率和例如50kHz或更高的高脈沖重復率的例如通過DC或RF激勵在
9.3 μ m、9. 6 μ m或10. 6 μ m下產(chǎn)生輻射的脈沖氣體放電C02激光設(shè)備。在一種具體實現(xiàn)中，激光器可具有MOPA配置，這種配置具有多級軸向流RF泵抽CO2放大并具有由低能和高重復率(例如能夠勝任50kHz操作)的Q切換主振蕩器(MO)發(fā)起的種子脈沖。從MO開始，隨后可在進入LPP腔室之前對激光脈沖進行放大、整形和/或聚焦。連續(xù)泵抽的CO 2放大器可用于系統(tǒng)22。例如，具有一個振蕩器和三個放大器的合用CO2激光設(shè)備(0-PA1PA2PA3配置)公開于 2005 年6 月 29 日提交的題為 “LPP EUV LIGHT SOURCE DRIVE LASER SYSTEM (LPPEUV光源驅(qū)動激光器系統(tǒng))”的共同待審美國專利申請S/N. 11/174, 299中(委托案號2005-0044-01)，其全部內(nèi)容援引包含于此。
根據(jù)特定應用，其它形式的激光器也可適用，例如工作在高功率和高脈沖重復率下的準分子或分子氟激光器。其實例包括例如具有纖維形或盤形有源介質(zhì)的固態(tài)激光器、MOPA配置的準分子激光器系統(tǒng)，例如美國專利No. 6，625，191,6, 549，551和6，567，450中所示的，可采用這樣一種準分子激光器，其具有一個或多個腔室，例如一個振蕩器腔室以及一個或多個放大腔室(這些放大腔室是并聯(lián)或串聯(lián))；主振蕩器/功率振蕩器(MOPO)配置；功率振蕩器/功率放大器(POPA)配置；或營造出一個或多個準分子或分子氟放大器或振蕩器腔室的固態(tài)激光器。其它的設(shè)計也是可行的。
如圖I進一步所示，EVU光源20也可包括靶材料傳遞系統(tǒng)90，例如將進入腔室26內(nèi)部的靶材料微滴傳至輻射區(qū)28，在那里微滴將與一個或多個光脈沖相互作用，例如與零個、一個或多個前脈沖相互作用，并隨后與一個或多個主脈沖相互作用以最終形成等離子并產(chǎn)生EUV射線。靶材料可包括但不一定局限于，包括錫、鋰、氙或其組合的材料。例如錫、鋰、氙等EUV放射元素可以液態(tài)微滴和/或包含在液態(tài)微滴中的固態(tài)微粒形式，或離散、半連續(xù)和/或連續(xù)量地將EUV放射元素傳至輻射區(qū)28的任何其它形式出現(xiàn)。例如，元素錫可作為純錫、作為例如SnBr4、SnBr2, SnH4的錫化合物、作為例如錫鎵合金、錫銦合金、錫銦鎵合金或其組合形式的錫合金。根據(jù)所使用的材料，可在包括室溫或接近室溫的各個溫度下(例如錫合金SnBr4)或在高于室溫的溫度下(例如純錫)或在低于室溫的溫度下(例如SnH4)將靶材料提供至輻射區(qū)28，并且在一些場合中靶材料可以是相對易揮發(fā)的，例如SnBr40關(guān)于將這些材料用于LPP EUV源的更多細節(jié)給出在2006年4月17日提交的題為“ALTERNATIVE FUELS FOR EUV LIGHT SOURCE (EUV光源的選擇性燃料)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/406,216中(委托案號2006-0003-01)，其內(nèi)容援引包含于此。
繼續(xù)參見圖1，EUV光源20也可包括光學器件30，該光學器件30具有例如在例如SiC、多晶硅Si、單晶Si等襯底上有交替的鑰層和硅層的分梯度多層涂層的截頭橢圓形式的聚光鏡。圖I示出光學器件30可形成有通孔以使系統(tǒng)22所產(chǎn)生的光脈沖通過光學器件30到達輻射區(qū)28。如圖所示，光學器件30可以是例如橢圓鏡，這種鏡具有在輻射區(qū)28內(nèi)或附近的第一焦點以及在所謂中間區(qū)40的第二焦點，在中間區(qū)40，EUV光可從EUV光源20輸出并輸入至利用EUV光的設(shè)備，例如集成電路平版印刷工具(圖I中未示出)。另外如圖所示，光學器件30可設(shè)置成使光學器件30上最靠近的工作點離開輻射區(qū)28 —距離d。將領(lǐng)會，可使用其它光學器件來代替橢圓形鏡以將光聚集和引導至中間位置以隨后傳遞給利用EUV光的設(shè)備，例如該光學器件可以是拋物線形的或可配置成將具有環(huán)形橫截面的光束傳遞至中間位置，參見例如2006年8月16日提交的題為“EUV OPTICS(EUV光學器件)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/505，177 (委托案號2006-0027-01)，其內(nèi)容援引包含于此。
對于設(shè)備20來說，可使用溫度控制系統(tǒng)將光學器件20保持在預選擇的工作溫度范圍內(nèi)。該溫度控制系統(tǒng)可包括加熱例如設(shè)置在聚光鏡襯底背側(cè)上的一個或多個歐姆加熱器和/或冷卻例如形成在聚光鏡襯底中以使例如水或液態(tài)鎵的熱交換流體流過的一個或多個冷卻通道。
在本文中使用的術(shù)語“光學器件”及其衍生物包括但不一定局限于反射和/或透過和/或作用入射光的器件,并包括但不局限于透鏡、窗、濾光器、楔形鏡、棱鏡、棱柵、光柵、標準具、散射器、傳輸光纖、檢測器和其它儀表器件、孔腔、光闌(stop)和包括多層鏡、近垂直入射鏡、切線入射鏡、鏡面反射器和散射反射器的鏡。此外，本文中的術(shù)語“光學器件”及其衍生物不意味著局限于單單在例如EUV輸出光波長、輻射激光波長、適于計量學的波長或任何其它特定波長或波長帶上的一個或多個特定波長范圍內(nèi)操作或在該范圍內(nèi)更優(yōu)越的器件。繼續(xù)參見圖1，EUV光源20還可包括EUV控制器60，該EUV控制器60還可包括驅(qū)動激光器控制系統(tǒng)65，用以觸發(fā)系統(tǒng)22中的一個或多個燈和/或激光設(shè)備從而產(chǎn)生用以傳入腔室26內(nèi)和/或用以控制光束傳遞的光脈沖，例如可通過致動器移動的光學器件，以調(diào)節(jié)光束聚焦、光束偏轉(zhuǎn)、光束形狀等。用于脈沖整形、聚焦、偏轉(zhuǎn)和/或調(diào)整脈沖焦度的合用光束傳遞系統(tǒng)記載于2006年2月21日提交的題為“LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHTSOURCE (激光致等離子體EUV光源)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/358,992中(委托案號2005-0081-01)，其內(nèi)容援引包含于此。如本文所述，一個或多個光束傳遞系統(tǒng)光學器件可與腔室26流體連通。脈沖成形可包括使用例如脈沖展寬器和/或脈沖修整來調(diào)整脈沖持續(xù)時間。
EUV光源20還可包括微滴位置檢測系統(tǒng)，該系統(tǒng)可包括一個或多個微滴成像器70，該微滴成像器70提供指示一個或多個微滴例如相對于輻射區(qū)28的位置的輸出。成像器70可將該輸出提供給微滴位置檢測反饋系統(tǒng)62，微滴位置檢測反饋系統(tǒng)62可例如計算微滴位置和軌跡，籍此可在逐微滴基礎(chǔ)上或以平均值計算微滴誤差。隨后可將微滴誤差作為輸入提供給控制器60，控制器60可例如將位置、方向和/或時序校正信號提供給系統(tǒng)22以控制源時序電路和/或控制光束位置和整形系統(tǒng)，從而例如改變傳遞至腔室26中的輻射區(qū)28的光脈沖的位置和/或焦度。另外對EUV光源20來說，靶材料傳遞系統(tǒng)90可具有可響應于來自控制器60的信號(該信號在一些實現(xiàn)中可包括上述的微滴誤差或由此得出的某個量)工作的控制系統(tǒng)，從而例如修正釋放點、釋放時序和/或微滴調(diào)制以校正到達要求輻射區(qū)28的微滴中的誤差。
對EUV光源20來說，微滴傳遞機構(gòu)可包括例如微滴配給器，其要么形成(I)離開該配給器的一股或多股微滴流，要么形成(2)離開配給器并隨后由于表面張力斷裂成多個微滴的一股或多股連續(xù)流。在任一情形下，可生成微滴并將其傳遞給輻射區(qū)28以使一個或多個微滴可同時停留在輻射區(qū)28中，從而允許一個或多個微滴同時通過初始脈沖(例如前脈沖)受到輻射，從而形成適于暴露給一個或多個后繼激光脈沖(例如主脈沖)的擴大靶以產(chǎn)生EUV放射。在一個實施例中，多孔配給器可用來形成“噴淋頭”效應。一般來說，對EUV光源20而言，微滴配給器可以是調(diào)制或非調(diào)制的并可包括一個或若干個孔，靶材料通過該孔以形成一股或多股微滴流。關(guān)于上述配給器的更多細節(jié)及其相對優(yōu)勢可在2006年2月 21 日提交的題為 “LASERPRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE WITH PRE-PULSE (具有前脈沖的激光致等離子體EUV光源)”共同待審美國專利申請S/N. 11/358，988 (委托案號2005-0085-01)、2005 年 2 月 25 日提交的題為 “METHOD AND APPARATUS FOR EUV PLASMASOURCE TARGET DELIVERY (EUV等離子體源靶傳遞的方法和裝置)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/067，124 (委托案號2004-0008-01)、以及2005年6月29日提交的題為“LPPEUV PLASMA SOURCE MATERIAL TARGET DELIVERY SYSTEM (LPP EUV 等離子體源材料靶傳遞系統(tǒng))”的共同待審美國專利申請S/N. 11/174，443 (委托案號2005-0003-01) ,2007年7月13 日提交的題為“LASER PR·ODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE HAVING A DROPLET STREAMPRODUCED USING A MODULATED DISTURBANCE WAVE (具有使用經(jīng)調(diào)制的干擾波產(chǎn)生的微滴流的激光致等離子體EUV光源)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/827，803 (委托案號
2007-0030-01)中找到，這些文獻的內(nèi)容援弓I包含于此。
EUV光源20可包括用以測量由源20產(chǎn)生的EUV光的各種特性的一個或多個EUV計量儀器(未示出)。這些特性可包括例如強度(例如總強度或特定頻帶中的強度)、頻譜帶寬、極化等。對EUV光源20來說，這些儀器可配置成當例如平版印刷掃描器的下游工具聯(lián)機時工作，例如通過例如使用采光鏡對一部分EUV輸出予以采樣、或?qū)Α胺蔷奂?EUV光進行采樣，和/或可在例如平版印刷掃描器的下游工具脫機時工作，例如通過測量EUV光源20的全部EUV輸出。
如上所述，靶在輻射區(qū)28的輻射產(chǎn)生等離子體并形成EUV放射。另外，作為該過程的副產(chǎn)品，可產(chǎn)生一般沿所有方向離開等離子體的離子。一般來說，離開等離子體的離子的初始能量將在一定范圍內(nèi)變化，該范圍受很多因素的影響，包括但不局限于輻射光的波長、能量、強度和脈沖形狀，以及靶材料的成分、大小、形狀和構(gòu)成。上文中還指出，這些離子如果不被消除的話會使例如鏡、激光輸入窗、計量窗、濾光器等附近光學器件劣化。
圖I示出流動氣體可設(shè)置在等離子體(輻射區(qū)28)和光學器件之間，該氣體建立足以在距離d上作用以在離子到達光學器件前將離子能量減小至目標最大能級的氣體數(shù)量密度n(即分子數(shù)/體積)。例如，可提供足以使離子能量減小至大約10-200eV之間、并且在一些情形下低于30eV的目標最大能級的氣體數(shù)量密度。對圖I所示設(shè)備的操作來說，構(gòu)想了在距離d上建立某一目標氣體數(shù)量密度的流動氣體將在EUV發(fā)光期間存在并流動。在選擇適當?shù)臍怏w成分和氣體數(shù)量密度時可考慮的因素包括氣體成分的離子止動能量(例如在大約10-30cm的距離上使離子減慢至大約30eV以下)以及作為數(shù)量密度函數(shù)的氣體EUV吸收率(例如，當EUV光從等離子體向聚光鏡行進并隨后照射在中間區(qū)40時，在大約l-2m距離內(nèi)提供可接受的帶內(nèi)EUV吸收率)。
取決于具體應用，合用的氣體可包括氫，例如大于50 %的氫(氕和/或氘同位素)、氦及其組合。例如，對產(chǎn)生具有最大初始離子能量并具有與等離子體大約15cm距離d的離子的等離子體來說，使離子能量減至低于大約30eV的合用氣體可以是室溫下大約500毫托壓力下的氫氣。對于一些配置而言，可采用在大約500毫托至2000毫托范圍內(nèi)的壓力。SRIM(物質(zhì)中離子的止動和射程)軟件(可從www-srim-org網(wǎng)站獲得)可用來確定使(具有最初離子能量的)離子的能量減低至低于選定能量所需的氣體數(shù)量密度(在給定距離d上作用)。從該數(shù)量密度可計算出該氣體預期的EUV吸收。進一步可以理解，引入到腔室內(nèi)的氣體可與腔室條件、離子和/或等離子體反應以分裂和/或創(chuàng)生離子，例如對清洗/腐蝕和/或離子減速可能有效的原子氫和/或氫離子。
圖I進一步示出光源20可包括氣體管理系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括受調(diào)節(jié)的氣體源100，用以將一種或多種氣體引入腔室26 ;可調(diào)泵102，用來將氣體從腔室26中去除；以及外部導向管104，用來建立閉環(huán)流動路徑。圖I還示出光源20可包括強制氣體流過閉環(huán)流動路徑的泵106、從在流體路徑中流動的氣體去除熱量的熱交換器108以及從流體通道中流動的氣體去除至少一部分靶核素(例如塵粒)的過濾器110。這些塵粒會使光學組件劣化和/或吸收EUV光?？商峁╅y112、調(diào)節(jié)器或類似器件以計量引至泵102或106的氣體量。如圖所示，可提供調(diào)節(jié)裝置114以在氣體釋放前 稀釋和/或凈化氣體。通過這種配置，可將流動氣體設(shè)置在光學器件30和輻射區(qū)28之間?？赏ㄟ^泵102從腔室26去除氣體以響應來自氣體源100的氣體添加而維持腔室26中的恒定氣壓，和/或從腔室26去除塵粒、蒸汽、金屬塵等，和/或在腔室26中建立壓力梯度以在光學器件28和輻射區(qū)28之間維持相對高的壓力并在輻射區(qū)28和中間區(qū)40之間維持較小的、相對低的壓力。另外，泵106、熱交換器108和過濾器110可配合工作以去除熱量并由此控制腔室26中的溫度，控制光學器件30的溫度和/或從腔室26中去除塵粒、蒸汽、金屬塵等和/或在腔室26中提供壓力梯度，例如以在光學器件28和輻射區(qū)28之間維持相對高的壓力并在輻射區(qū)28和中間區(qū)40之間維持較小的、相對低的壓力。
可協(xié)同使用氣體源100和泵102、106的控制以維持選定的氣體壓力/壓力梯度和/或維持經(jīng)過腔室26的選定流速和/或維持選定的氣體成分，例如若干氣體的選定比，例如H2、HBr、He等。典型地，選定的流速尤其取決于腔室的光源功率輸入、氣體混合量、熱交換器108的效率以及其它組件冷卻系統(tǒng)(例如聚光鏡冷卻系統(tǒng))的效率。
作為示例，對于光學器件30設(shè)置在離輻射地點28大約15cm位置的Sn靶和CO2激光系統(tǒng)，可采用大約500mJ的激光脈沖能量和IO-IOOkHz范圍的EUV輸出重復率以及大約200-400slm(標準升/分鐘)或更大的流速。
對于光源20，氣體源100可將若干種氣體(例如H2、He、Ar和HBr)分別或獨立地引入，或這些氣體可作為混合物被引入。另外，盡管圖I示出在一個位置引入氣體，然而要理解也可在多個位置引入氣體、可在多個位置去除氣體和/或?qū)怏w抽出以使其在多個位置循環(huán)。氣體可通過氣罐提供或在本地產(chǎn)生。例如，氣體源100可包括即刻實現(xiàn)的氫/氘發(fā)生器。有若干類型是可獲得的，包括使用質(zhì)子交換膜從水/重水中抽取氫/氘的設(shè)備。這種設(shè)備由Domnick Hunter掛牌和銷售，其產(chǎn)品名為Hydrogen Generator,詳情例如可見www-domnickhunter-com 網(wǎng)站。
根據(jù)所使用的氣體，調(diào)節(jié)裝置114可提供合用化學洗滌器，例如用來洗滌腐蝕氣蒸汽，和/或稀釋氣體源以在釋放入大氣之前稀釋要逸出的氣體。例如，當使用4時(在4-25%的數(shù)量密度下是易爆的)，空氣中例如N2的稀釋氣體可用來在釋放前減小H2的濃度(通常低于4%并且更佳地低于0.4% )。替換地或者加上使用稀釋氣體，可將可能具有鉬催化劑的催化劑轉(zhuǎn)化器用來將氫轉(zhuǎn)化成水。
用于減小離子能量的合用氣體可包括但不局限于氫(氕和氘同位素)、氦及其組合。另外，可引入用于去除沉積在光學器件表面上的塵粒的清洗/腐蝕氣體，例如具有鹵素的氣體。例如，腐蝕氣體可包括HBr、HI、Br2, Cl2, HCl或其組合。作為示例，當將Sn或Sn化合物用作靶材料時，合適的成分可包括50-99%的H2和1-50%的HBr。[0076]圖2A示出使用SRIM軟件的計算曲線圖，其示出具有初始能量IOKeV的離子在200mm的距離d內(nèi)在50毫托的氬氣中顯著發(fā)散但不停止前進。另一方面，圖2B示出使用SRM軟件的計算曲線圖，其示出具有初始能量IOKeV的離子在大約170mm的距離d內(nèi)在400毫托的氫氣中發(fā)散范圍較小(相比圖2A)并有效地停止前進。
圖3示出離子在三種不同的氫氣壓力下停止前進的測量曲線圖。如圖所示，在沒有任何止動氣體(例如氫氣)時，離子能量的分布由曲線150表示，其表示最大初始離子能量大約為3keV。這些離子通過使用優(yōu)選強度的CO2激光脈沖照射Sn平靶以進行帶內(nèi)轉(zhuǎn)換(例如CE 4. 5% )而產(chǎn)生。使用離開輻射區(qū)大約16. 5cm并定位成與輸入激光束軸呈大約45°角地接受離子的法拉第筒(來自Kimball Physics的型號FC-73A)予以測量。曲線152表示，對于初始最大離子能大約為3keV的離子而言，最大離子能量在120毫托的均勻、非流動氫氣中在16. 5cm的距離d上減至大約I. 5keV。曲線154表示對于初始最大離子能大約3keV的離子而言，最大離子能量在210毫托的均勻、非流動氫氣中在16. 5cm的距離d上減至大約O. 9keV。曲線156表示,對初始最大離子能大約為3keV的離子而言,最大離子能量在290毫托的均勻、非流動氫氣下在16. 5cm的距離d上減至大約O. 25keV。圖3還示出對于三種氫氣壓力在2m路徑上計算得到的EUV傳輸率，在120毫托壓力下的氫氣具 有96%的傳輸率,在210毫托壓力下的氫氣具有93%的傳輸率,而在290毫托壓力下的氫氣具有90%的傳輸率。
圖4A示出使用距離輻射區(qū)16. 5cm并與輸入激光束軸相差大約45度角的法拉第筒得到的、具有如圖3的曲線150所示初始離子能量的離子的最大觀察能量相對于氫氣壓力的曲線圖。圖4B作為氫氣壓力的函數(shù)示出在通過145cm距離后的測得歸一化帶內(nèi)EUV信號，并作為氫氣壓力的函數(shù)示出離子流，離子流計算為/ I(E)dE。圖4C作為氣體壓力的函數(shù)示出使用(如上所述)SRIM仿真軟件計算得到的針對各種初始離子能量以及針對氫氣和氦氣的離子射程(cm)的曲線圖。
上述數(shù)據(jù)論述了一種離子減緩技術(shù)，該離子減緩技術(shù)可通過可接受水平的EUV吸收率將離子流(即能量集成的信號)抑制至少四個數(shù)量級。在某些情形中，聚光鏡反射涂層可具有大約500個犧牲層并仍然提供充分的EUV反射性。將O. 2層/百萬脈沖的測得腐蝕速度(在沒有離子緩沖的情形下)和IO4抑制因子(由于上述緩解作用)作為考量，在大量制造環(huán)境下聚光鏡大約I年的工作估計有超過IO12次脈沖的聚光鏡壽命。
根據(jù)具體場合使用如上所述離子止動氣體和/或腐蝕氣體可以單獨使用或與一種或多種其它離子減緩技術(shù)結(jié)合，例如使用箔屏蔽(具有或不具有減緩或偏轉(zhuǎn)氣體)以及使用電場和/或磁場來偏轉(zhuǎn)或減緩離子和/或使用脈沖整形來減少離子流，例如參見提交于2007年4月10日的題為“LASER PRODUCEDPLASMA EUV LIGHT SOURCE (激光致等離子體EUV光源)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/786，145 (委托案號2007-0010-02)，其內(nèi)容援引包含于此。
圖5示出具有腔室26的光源200的氣體管理組件，所述腔室26中設(shè)有帶通孔的光學器件30，例如近正交入射的橢圓形聚光鏡以將EUV光從通過產(chǎn)生EUV輻射的驅(qū)動激光器(未示出)射出靶材料微滴的輻射區(qū)28引向中間區(qū)40以供掃描器202接下來使用。
如圖5所示，該氣體管理系統(tǒng)可包括界定一條或多條閉環(huán)流動路徑的密封結(jié)構(gòu)，該密封結(jié)構(gòu)具有與一個或多個導向管204a、b流體連通的容腔，例如腔室26。盡管圖5和5A示出該氣體管理系統(tǒng)具有四個外部導向管204a-d，然而要理解，可使用四個以上或少至一個的外部導向管。
繼續(xù)參見圖5，可以看出在每個閉環(huán)流動路徑中，氣體被引導通過形成在光學器件30中的通孔并流向輻射區(qū)28。一部分氣體從通孔流過熱交換器206并流入泵208a、b。對于圖5所示的光學器件30，通孔還發(fā)揮使激光光束從激光源(未示出)通向輻射區(qū)28的作用，盡管如下文所述，可使用其它通孔來使氣體流過光學器件30。
對于圖示的源200，熱交換器206可由多個彼此間隔、平行、環(huán)形的金屬板構(gòu)成，每個金屬板在腔室26周緣延伸。這些金屬板中的一個、一些或其全部可形成有一個或多個內(nèi)部通道以使例如水的熱交換流體流過,從而冷卻每塊板。熱交換器206可用來使流過熱交換器206的氣體冷卻和/或使不理想地吸收EUV輻射和/或弄臟光學器件的靶材料蒸汽(例如當錫用作靶材料時為錫蒸汽)冷凝。一旦冷卻，氣體可流過泵208a、b，所述泵208a、b可以是例如渦輪泵或葉根型增壓器，并隨后被引導通過外部導向管至某一位置，在該位置 氣體再次流過形成在光學器件30中的通孔?？梢岳斫猓商峁┮粋€或多個流體調(diào)節(jié)器(未示出)，例如在每個泵附近提供一個調(diào)節(jié)器，以平衡遍及氣體管理系統(tǒng)的流體。
圖5和圖5B還示出來自通孔的一部分氣體可通過多通道結(jié)構(gòu)210在腔室26中流動。如圖所示，多通道結(jié)構(gòu)210可設(shè)置在輻射位置28和中間點40之間并包括多個同軸的、圓錐形風環(huán)212，這些風環(huán)的排列使光從光學器件30行進至中間區(qū)40并設(shè)計成使EUV光朦朧減至最小。另外，可選擇風環(huán)位置以使其對應于例如由于掃描器中的阻塞而無法為掃描器202使用的光路。可提供一個或多個徑向構(gòu)件213以支承同軸的、圓錐形風環(huán)。圖5C示出另一實施例，其中風環(huán)212由如圖所示朝向中間區(qū)40收攏的平板構(gòu)成。如圖所示，可設(shè)置凸緣211以約束腔室26的壁和多通道結(jié)構(gòu)210之間的流動。
圖6和圖7示出多通道結(jié)構(gòu)210的另一種配置，這種結(jié)構(gòu)包括多個徑向取向的風環(huán)212。作為代替，可采用具有同軸圓錐和徑向風環(huán)兩者的多通道結(jié)構(gòu)。對于圖5-7所示的多通道結(jié)構(gòu)210、210、210，一個、一些或全部風環(huán)可形成有內(nèi)部通道以使例如水或液態(tài)鎵的熱交換流體流過，從而冷卻每個風環(huán)。多通道結(jié)構(gòu)210、210、210可用來冷卻流過多通道結(jié)構(gòu)210、210、210的氣體和/或使不理想地吸收EUV輻射的靶材料蒸汽(例如當將錫用作靶材料時為錫蒸汽)冷凝和/或為氣體流動提供顯著的阻滯，由此在腔室26中建立某一壓力梯度，使多通道結(jié)構(gòu)210、210、210上游例如在輻射區(qū)28和光學器件30之間具有相對高的氣體壓力以例如提供離子止動和/或腐蝕功率，以及使多通道結(jié)構(gòu)210、210、210下游例如在多通道結(jié)構(gòu)210、210、210和中間區(qū)40之間具有相對低的氣體壓力以例如使EUV吸收減至最小。
對所示設(shè)備來說，多通道結(jié)構(gòu)210、210、210的位置適于接受來自輻射區(qū)28的源材料。如本文所披露的，根據(jù)具體應用，結(jié)構(gòu)210、210、210可單獨使用或與一種或多種其它碎屑減緩技術(shù)結(jié)合使用，例如使用如上所述的離子減緩氣體、使用箔屏蔽(具有或不具有離子減緩或偏轉(zhuǎn)氣體)、使用電場和/或磁場來使離子偏轉(zhuǎn)或減緩以及使用脈沖整形光束。
可提供光束止動件，它可與多通道結(jié)構(gòu)210、210、210分離、與之相連或形成一體。在設(shè)備工作時，例如微滴的靶材料被一個或多個脈沖輻射以產(chǎn)生等離子體。典型地，所輻射的靶材料沿光束方向移動并展開至很寬的立體角。大部分材料可被多通道結(jié)構(gòu)210、210、210聚集，多通道結(jié)構(gòu)210、210、210也可以是溫控的。例如，用于聚集和引導LPP靶材料的溫控光束止動件在于2006年8月25日提交的題為“SOURCE MATERIAL COLLECTION UNITFOR A LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE (激光致等離子體EUV光源的源材料聚集單元)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/509，925 (委托案號2005-0086-01)中披露和要求保護，其全部內(nèi)容援引包含于此。另外參見提交于2007年4月10日的題為“LASERPRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE (激光致等離子體EUV光源)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/786，145(委托案號2007-0010-02)，其全部內(nèi)容援引包含于此。
靶材料輻射的副產(chǎn)品可包括金屬塵、靶材料蒸汽和微滴或簇團并具有若干形式，例如當采用錫時作為源材料時，例如純錫或例如SnBr4、SnH4、SnBr2等錫化合物，副產(chǎn)品可包括錫和包括氧化物在內(nèi)的錫化合物。例如源自聚光鏡腐蝕的灰塵和其它塵粒也可出現(xiàn)在腔室中。這些副產(chǎn)品尤其損害光學器件并吸收/散射EUV輻射。
作為示例而非限制，多通道結(jié)構(gòu)210、210、210可用來聚集液體和固體(在一些情形下為再熔固體)和/或冷凝蒸汽。對于含Sn的靶材料，多通道結(jié)構(gòu)210、210、210中的一·些或全部工作表面可保持在高于Sn熔點的溫度，例如高于大約230C。在該溫度下，微滴可能附著于多通道結(jié)構(gòu)210、210、210的表面，并在某些情形下因重力而向下流動。凝固的金屬塵可能再熔為熔融材料并同樣向下流動。錫化合物(例如氧化物)也可被液流所俘獲并從腔室內(nèi)去除。多通道結(jié)構(gòu)210、210、210可具有互連通道(未示出)以引導液態(tài)金屬流從表面至可聚集液態(tài)金屬的底部。通道的位置和方向可相對于EUV源取向配置(例如使光源軸可相對于水平方向傾斜大約28度)以確保液體在多通道結(jié)構(gòu)210、210、210上正確的流動。另一方面，在某些應用中，多通道結(jié)構(gòu)210、210、210中的一些或全部工作表面可保持在低于Sn熔點的溫度，例如低于大約230C (對含錫的靶材料來說)。在這些溫度下，促進冷凝且可允許液體和固體在多通道結(jié)構(gòu)210、210、210上聚集。多通道結(jié)構(gòu)210、210、210還可充當冷凝例如腔室中存在的Sn蒸汽的蒸汽的冷講。
圖5示出氣體從多通道結(jié)構(gòu)210大致沿中間區(qū)40的方向流動。圖5還示出離開多通道結(jié)構(gòu)210的一些、一部分或全部氣體可流過熱交換器214并流入泵216a、b。對圖示的源200來說，熱交換器214可由多個間隔的、平行的環(huán)形金屬板構(gòu)成，這些金屬板在腔室26周緣延伸。這些金屬板中的一個、一些或其全部可形成有一個或多個內(nèi)部通道以使例如水的熱交換流體經(jīng)過，從而使每塊板冷卻。熱交換器214可用來使流過熱交換器214的氣體冷卻和/或使可能不理想地吸收EUV輻射的靶材料蒸汽(例如當將錫用作靶材料時為錫蒸汽)冷凝。一旦冷卻，氣體可流過泵216a、b，所述泵216a、b可以是例如渦輪泵或葉根型增壓器，并隨后被引導通過外部導向管204a、b至某一位置，在該位置氣體將再次流過形成在光學器件30中的通孔。要理解，可提供一個或多個流體調(diào)節(jié)器(未示出)，例如在每個泵附近提供一個調(diào)節(jié)器，以平衡遍及氣體管理系統(tǒng)的流體。導向管204a、b中的一個或其兩者可包括可選的過濾器218a、b和/或附加的、可選的熱交換器220a、b。對于光源200，過濾器218a、b可用來從流動路徑中流動的氣體中去除至少一部分靶核素，例如可能使光學組件劣化和/或吸收EUV光的塵粒。例如，當將含錫材料用作源材料以產(chǎn)生等離子體時，例如氫化錫、氧化錫和溴化錫的塵粒會出現(xiàn)在氣體中，這會使光學器件劣化和/或吸收EUV光?？墒褂靡粋€或多個合用的過濾器將這些塵粒去除，例如沸石過濾器、冷阱、化學吸附劑等。熱交換器220a、b可例如由多塊平行金屬板構(gòu)成，它們彼此隔開并且內(nèi)部冷卻，如上所述，并可用來冷卻導向管204a、b中的氣體和/或冷凝并由此從氣體流中去除蒸汽，例如錫蒸汽。[0092]圖5還示出該氣體管理系統(tǒng)可包括受調(diào)節(jié)的氣體源222，用于連續(xù)或以個別量有選擇地將一種或多種氣體引入腔室26，例如用于離子止動(例如H2 (氕和/或氘同位素)和/或氦)和/或用于從腔室26內(nèi)的表面(例如光學器件30的表面)蝕去等離子體產(chǎn)生的碎屑沉積物(例如HBr、HI、Br2、Cl2、HC1、H2或其組合)。要理解，光源222可包括一個或多個流體調(diào)節(jié)器(未示出)。
圖5還示出氣體管理系統(tǒng)可包括例如渦輪泵或葉根型增壓器的可調(diào)泵224以及可選的調(diào)節(jié)裝置226 (例如上面結(jié)合圖I所示調(diào)節(jié)裝置114描述的用來在釋放前稀釋和/或洗滌氣體)，用以有選擇地從腔室26和/或氣體管理系統(tǒng)的其它部分(例如導向管204a、b等)以連續(xù)或個別量的方式去除一部分或全部氣體。在一些情形下，可將熱交換器(未示出)設(shè)置在泵224的上游以保護泵224不受高溫氣體影響。
可通過氣體源222將新鮮氣體加至腔室26和/或通過泵224從腔室26去除氣體 以去除熱量并由此控制腔室26中的溫度，和/或從腔室26去除塵粒、蒸汽、金屬塵等，和/或在腔室26中提供一定壓力梯度以例如在光學器件30和輻射區(qū)28之間維持相對大的壓力并在輻射區(qū)28和中間區(qū)40之間維持較小的、相對低的壓力。
氣體源222以及泵216a、b和224的控制可用來維持腔室的選定區(qū)內(nèi)的選定氣體數(shù)量密度和/或壓力梯度，和/或維持流過腔室26的選定流速和/或維持選定的氣體成分，例如H2、HBr、He等若干氣體的選定比。
圖5進一步示出多個氣體監(jiān)測器228中的一個測量一種或多種氣體特征，所述特征包括但不局限于氣體溫度、壓力、成分(例如He/H2比)、HBR數(shù)量密度等，該監(jiān)測器可設(shè)置在腔室26內(nèi)或設(shè)置成與之流體連通以向氣體管理系統(tǒng)控制器230提供一個或多個指示信號，控制器230則可控制泵、調(diào)節(jié)器等以維持選定的氣體溫度、壓力和/或成分。例如，質(zhì)譜儀殘余氣體監(jiān)測器可用來測量HBR數(shù)量密度。
圖5還示出氣體管理系統(tǒng)可包括用于維持中間區(qū)40或其附近的預選定流(流速和/或流動方向)、溫度、氣體數(shù)量密度和/或塵粒量級的構(gòu)造。具體地說，氣體管理系統(tǒng)可設(shè)計成符合由掃描器制造者等規(guī)定的這些參數(shù)中的一個或多個的規(guī)范。如圖所示，在中間區(qū)40附近的氣體管理可包括將壓力保持在低于掃描器輸入端的壓力，以使氣體從掃描器202流出并流向中間區(qū)40。圖5還示出氣體管理系統(tǒng)可包括提供從中間區(qū)40流向輻射區(qū)28的氣體流的氣體源232，以及如上所述的泵234和可選的調(diào)節(jié)裝置236，用以有選擇地抽空中間區(qū)40。
圖8示出具有界定閉環(huán)流體路徑的密封結(jié)構(gòu)的LPP EUV光源的氣體管理系統(tǒng)的另一實施例，該密封結(jié)構(gòu)具有與導向管204流體連通的容腔，例如腔室26，導向管204位于腔室26外部。如圖所示，流體路徑引導氣體垂直于光學器件30的光軸248流過的輻射區(qū)28并在如上所述例如橢圓形聚光鏡的光學器件30和多通道結(jié)構(gòu)210、210、210之間(如上所述并具有如上所述的流動約束凸緣211)。另外如圖所示，氣體管理系統(tǒng)可包括如上所述的泵208和熱交換器250，該熱交換器250具有多個隔開的金屬板，這些金屬板平行設(shè)置，其中一個或多個金屬板形成有內(nèi)部通道以使冷卻流體流過。在閉環(huán)系統(tǒng)中也可采用如上所述的可選的過濾器(未示出)。
圖9示出具有界定閉環(huán)流體路徑的密封結(jié)構(gòu)的LPP EUV光源的氣體管理系統(tǒng)的另一實施例，其中氣體被引入輻射區(qū)周圍的體積以產(chǎn)生渦流并由此增加氣體混合并將熱量從等離子體傳遞給氣體，并且在某些情形下使滯流區(qū)減至最小。如圖所示，氣體從具有切向部分的一個或多個導向管204a’、b’、c’、d’引入腔室26以在腔室26內(nèi)和輻射區(qū)28附近形成渦流。
圖10示出具有界定閉環(huán)流體路徑的密封結(jié)構(gòu)的LPP EUV光源的氣體管理系統(tǒng)的另一實施例，該密封結(jié)構(gòu)具有與導向管204流體連通的容腔，例如腔室26，導向管204位于腔室26外部。還可以看出可提供如上所述的泵208以使氣體環(huán)流通過該閉環(huán)。圖10進一步示出在腔室26中可設(shè)置例如橢圓形聚光鏡的光學器件30，該光學器件30形成有允許激光束通過并到達輻射區(qū)28的中央通孔。另外可以看到，可將氣體流動約束構(gòu)件280設(shè)置在腔室26中，該氣體流動約束構(gòu)件280從光學器件30邊緣處或附近的位置延伸至腔室26壁處或其附近的位置以在腔室26中建立隔室282、284?？稍诠鈱W器件30/約束構(gòu)件280和/或約束構(gòu)件280/腔室壁之間提供例如l_3mm的間隙以允許光學器件30膨脹/收縮，并同時保持合適的氣體流動約束。對于該設(shè)備，氣體流動約束構(gòu)件280可與光學器件30 —體形成或作為單獨組件形成。通過這種配置，可以看出閉環(huán)流體路徑可從隔室282通過形成在光學器件30中的通孔延伸并進入隔室284。另外如圖所示，該設(shè)備可包括如上所述的多通道結(jié)構(gòu)210、210、210，該結(jié)構(gòu)具有如上所述的流動約束凸緣211。注意還可在閉環(huán)系統(tǒng)中采用如上所述的熱交換器(未示出)和/或過濾器(未示出)。·
圖10還示出可在通孔中設(shè)置護罩300，該護罩300尤其用來減少到達光束傳遞光學器件302a、b的等離子致碎屑量，該護罩300如圖所示地設(shè)置成與腔室26和輻射區(qū)28流體連通。對于圖示的設(shè)備，護罩300可以是具有面向輻射區(qū)的小直徑端的圓錐形。護罩300可與輻射區(qū)相隔一適當距離以防止護罩過熱。光束傳遞光學器件302a、b可耦合于致動器(該致動器可位于或不位于隔室282內(nèi))并可用于脈沖整形、聚焦、轉(zhuǎn)向和/或調(diào)節(jié)傳遞至輻射區(qū)28的脈沖的焦度，并且可用于使激光輸入窗304位于相對于輻射區(qū)28的遠端位置，以使得不建立輻射區(qū)28和窗304之間的視線碎屑路徑，由此減小窗304上的碎屑沉積。盡管示出兩個反射光學器件，然而應當理解可采用兩個以上或少至一個的光學器件。用于脈沖整形、聚焦、轉(zhuǎn)向和/或調(diào)節(jié)脈沖焦度的合用光束傳遞系統(tǒng)披露于2006年2月21日提交的題為“LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE (激光致等離子體EUV光源)”的共同待審美國專利申請S/N. 11/358，992 (委托案號為2005-0081-01)，其內(nèi)容援引包含于此。如本文所披露的，一個或多個光束傳遞系統(tǒng)光學器件可與腔室26流體連通。
圖11示出與圖10所示和如上所述的配置具有一個或多個相同組件的LPP EUV光源的氣體管理系統(tǒng)的另一實施例，其包括界定閉環(huán)流體路徑的密封結(jié)構(gòu)，該密封結(jié)構(gòu)具有與導向管204流體連通的容腔，例如腔室26，導向管204位于腔室26外部；泵208 ;可形成有中央通孔的光學器件30，例如橢圓形聚光鏡；護罩300可位于通孔中；與腔室26和輻射區(qū)28流體連通的光束傳遞光學器件302a、b ；以及設(shè)置在遠端的激光輸入窗304。
對于圖11所示實施例而言，氣體流動約束構(gòu)件280可設(shè)置在腔室26內(nèi)，該構(gòu)件280從護罩300外表面處或附近的位置延伸至腔室26壁或其附近的位置以在容腔中建立隔室282、284。對該設(shè)備而言，氣體流動約束構(gòu)件280可一體地形成有護罩300或可以是單獨構(gòu)件。通過這種配置，可以看到閉環(huán)流體路徑可從隔室282開始延伸通過形成在光學器件30中的通孔并進入隔室284。
圖IlA示出另一種可能，其中光學器件30形成有多個相對小的通孔(其中通孔375a、b、c已被標出)，這允許在閉環(huán)流體路徑中流動的氣體流過光學器件中的孔以到達光學器件和輻射區(qū)28之間的空間。圖IlB示出又一種可能性，其中一個或多個管380位于光學器件30反射表面附近(例如在大約1-2_內(nèi))，每個管形成有多個相對小的孔以將氣體釋放到光學器件30的表面上?？刹捎眠@些結(jié)構(gòu)的任意一種，其中氣體流過或不流過中央通孔(如上所述)。對于這些結(jié)構(gòu)，可選擇管和/或通孔的布置以使其與例如因為掃描器中的阻塞和/或其它結(jié)構(gòu)的堵塞(例如碎屑緩解結(jié)構(gòu)、多通道結(jié)構(gòu)等)而無法為掃描器所使用的光路對應。
圖12示出具有界定閉環(huán)流體路徑的密封結(jié)構(gòu)的LPP EUV光源的氣體管理系統(tǒng)的另一實施例，該密封結(jié)構(gòu)具有與導向管204a’、204b’流體連通的容腔，例如腔室26，導向管204a’、204b’如上所述位于腔室26的外部。如圖所示，腔室26可包括等離子體輻射模塊400、泵/熱交換器模塊402、泵/熱交換器模塊404以及掃描器接口模塊406。對該設(shè)備而言，腔室26可由組裝在一起的分立模塊或一整體形成的單元構(gòu)成。
對于圖示的設(shè)備，光學器件30可設(shè)置在腔室26中，例如形成有中央通孔以使來自激光源(未示出)的激光束通過并抵達輻射區(qū)28的橢圓形聚光鏡。另外如圖所示，光學器件可將來自輻射區(qū)28的光聚焦至中間區(qū)40，從而產(chǎn)生在中間區(qū)40具有頂點的延伸通過腔室26的EUV光的光錐。
圖12進一步示出泵/熱交換器模塊402包括如上所述的泵208a’、b’ ；以及熱交換器214a ;并且泵/熱交換器模塊404包含如上所述的泵208c’、d’以及熱交換器214b。對該設(shè)備而言，熱交換器214a、b可包括多個間隔設(shè)置、平行、環(huán)形的金屬板，這些金屬板延伸在EUV光錐周圍并且每塊金屬板的尺寸被設(shè)計成延伸至靠近或位于EUV光錐邊緣(由橢 圓形光學器件30限定)的內(nèi)環(huán)面邊，如圖所示。一個、一些或全部金屬板可形成有一個或多個內(nèi)部通道以使例如水的熱交換流體通過，從而冷卻每塊金屬板。熱交換器214a、b可用來使流過熱交換器214a、b的氣體冷卻和/或使不理想地吸收EUV輻射的靶材料(例如當將錫用作靶材料時為錫蒸汽)蒸汽冷凝。一旦冷卻，氣體可流過泵208a’ -d’，該泵可以是例如例如渦輪泵或葉根型增壓器，并隨后被引導通過外部導向管204a’、b’至等離子體輻射模塊400中的某些位置。如圖所示，可在熱交換金屬板的外徑和泵之間提供空間以形成真空腔。對于該設(shè)備而言，金屬板可幾乎填滿腔室的整個長度，因此這種結(jié)構(gòu)對氣體流動的阻抗可相當小，不會限制泵的泵抽速度。同時，金屬板的工作面積將很大以提供很高的氣體冷卻效率。
要理解可提供一個或多個流體調(diào)節(jié)器(未示出)，例如在每個泵附近提供一個調(diào)節(jié)器，以平衡遍及氣體管理系統(tǒng)的流體。對該設(shè)備而言，導向管204a’、b’中的一者或兩者可包括可選的過濾器218a、b (如上所述)和/或附加的、可選的熱交換器220a、b (如上所述)。
繼續(xù)參見圖12，可以看出多通道結(jié)構(gòu)210a’沿等離子體輻射模塊400和泵/熱交換器模塊402之間的氣體流動路徑設(shè)置，第二多通道結(jié)構(gòu)210b’沿泵/熱交換器模塊402和泵/熱交換模塊404之間的氣體流動路徑設(shè)置，而第三多通道結(jié)構(gòu)210C’沿泵/熱交換器模塊404和掃描器接口模塊406之間的氣體流動路徑設(shè)置。對于圖示的設(shè)備，每個多通道結(jié)構(gòu)可包括多個同軸的圓錐形風環(huán)(見圖5B)、平板狀風環(huán)(見圖5C)和/或徑向取向的風環(huán)(見圖7)，這些風環(huán)設(shè)置成使光從光學器件30行進至中間區(qū)40并可設(shè)計成使EUV光朦朧減至最小。另外，可選擇風環(huán)位置以使其對應于由于例如掃描器中的阻塞而無法為掃描器202使用的光路。每個多通道結(jié)構(gòu)可設(shè)置在如圖所示形成于各模塊外殼中的開口中，以約束在多通道結(jié)構(gòu)和各模塊外殼之間的流動。
盡管以滿足35U.S.C. § 112所需的詳細程度在本專利申請中描述和解說的具體實施例完全能夠達成一個或多個上述目的進而解決問題、或為了任何其它原因或上述實施例目的，然而本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應當理解，上述實施例僅為本申請廣泛考量的主題事項的示例、解說和表述。在下面權(quán)利要求
書中以單數(shù)形式表達的元素不旨在表示也不應當意指將所要求的元素解釋成“一個且僅一個”，除非明確這樣聲明過，而是表示“一個或多個”。上述實施例任意元素的所有已知或?qū)頌楸绢I(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員所知的結(jié)構(gòu)性和功能性等效物明確地通過引用包含在本文中并旨在由本權(quán)利要求
書所涵蓋。在說明書和/或權(quán)利要求
書中使用并在本申請的說明書和/或權(quán)利要求
書中明確給出含義的任何術(shù)語應具有該含義，不管針對該術(shù)語在任何詞典中或其它慣常使用的含義為何。不打算或不必定使說明書中作為實施例討論的設(shè)備或方法應付或解決本申請中給出的每個問題和所有問題，因為這是由權(quán)利要求
書所涵蓋的。本公開中沒有任何元素、組件或方法步驟打算貢獻給公眾，不管這些 元素、組件或方法步驟是否在權(quán)利要求
書中明確地記載。在所附權(quán)利要求
書中沒有任何權(quán)利要求
元素基于35U. S. C. § 112第六段的條款作出解釋，除非該元素是使用術(shù)語“用于的裝置”明確記載的，或者在方法權(quán)利要求
的場合下將該元素記載為“步驟”而不是“動作”。
權(quán)利要求
1.一種氣體管理系統(tǒng)，包括 界定閉環(huán)流體路徑的密封結(jié)構(gòu)； 在等離子體場所產(chǎn)生等離子體的系統(tǒng)，所述場所與所述流體路徑流體連通； 設(shè)置在所述密封結(jié)構(gòu)中且設(shè)置在所述等離子體場所和光學器件 之間的氣體，所述氣體建立足以在所述等離子場所和所述光學器件之間的距離上作用以在離子到達所述光學器件之前將離子能量減小至目標最大能級的氣體數(shù)量密度； 強制所述氣體流過所述閉環(huán)流體路徑的泵； 從在所述流體路徑中流動的氣體去除熱量的熱交換器；以及 從在所述流體路徑中流動的氣體去除至少一部分靶核素的過濾器。
2.如權(quán)利要求
I所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述等離子體包括錫，并且所述過濾器去除從包含氫化錫、氧化錫、溴化錫的化合物組中選擇的化合物。
3.如權(quán)利要求
I所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述密封結(jié)構(gòu)形成有入口和出口，并且所述氣體管理系統(tǒng)進一步包括連接于所述入口的氣源以及連接于所述出口以調(diào)節(jié)離開所述密封結(jié)構(gòu)的氣體的調(diào)節(jié)裝置，所述調(diào)節(jié)裝置選自包括氣體稀釋機構(gòu)、洗滌器或其組合的一組調(diào)節(jié)裝置。
4.如權(quán)利要求
I所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述密封結(jié)構(gòu)包括容腔，所述容腔與位于所述容腔外部的導向管流體連通。
5.一種氣體管理系統(tǒng)包括 形成有通孔的EUV反射光學器件； 界定穿過所述通孔的閉環(huán)流體路徑的密封結(jié)構(gòu)； 在等離子體場所產(chǎn)生等離子體的系統(tǒng)，所述場所與所述流體路徑流體連通； 設(shè)置在所述密封結(jié)構(gòu)中的氣體；以及 強制所述氣體通過所述閉環(huán)流體路徑的泵。
6.如權(quán)利要求
5所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述密封結(jié)構(gòu)包括容腔，所述容腔與位于容腔的外部的導向管流體連通。
7.如權(quán)利要求
6所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，還包括 在所述容腔中建立第一和第二隔室的氣體流動約束構(gòu)件，所述閉環(huán)流體路徑從所述第一隔室延伸通過形成在所述光學器件中的所述通孔至所述第二隔室。
8.如權(quán)利要求
7所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述光學器件形成有邊緣，所述容腔形成有容腔壁并且所述約束構(gòu)件設(shè)置在所述聚光器邊緣和容腔壁之間以約束其間的流體。
9.如權(quán)利要求
5所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體在到達所述泵之前通過溫控多通道結(jié)構(gòu)。
10.一種氣體管理系統(tǒng)，包括 密封結(jié)構(gòu)； 在所述密封結(jié)構(gòu)中的等離子體場所產(chǎn)生形成EUV輻射的等離子體并將至少5kW功率釋放入腔室的系統(tǒng)； 在所述密封結(jié)構(gòu)中至少一個位置以高于100毫托的壓力設(shè)置于所述腔室內(nèi)且設(shè)置在所述等離子體場所和光學器件之間的氣體，所述氣體建立足以在所述等離子場所和所述光學器件之間的距離上作用以在離子到達所述光學器件之前將離子能量減小至目標最大能級的氣體數(shù)量密度；以及 使氣體在所述密封結(jié)構(gòu)中循環(huán)的閉環(huán)循環(huán)系統(tǒng)，所述循環(huán)系統(tǒng)包括使氣體每次通過該環(huán)路時冷卻的至少一個熱交換器。
11.如權(quán)利要求
10所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體以大于50標準升/分鐘的平均流速流過所述閉環(huán)循環(huán)系統(tǒng)。
12.如權(quán)利要求
10所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述閉環(huán)結(jié)構(gòu)包括容腔且所述熱交換器位于所述容腔內(nèi)。
13.如權(quán)利要求
10所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述熱交換器包括溫控多通道結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求
10所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述閉環(huán)循環(huán)系統(tǒng)維持低于1000攝氏度的平均氣體溫度。
15.一種氣體管理系統(tǒng)，包括 密封結(jié)構(gòu)； 在所述密封結(jié)構(gòu)的等離子體場所產(chǎn)生等離子體的系統(tǒng)，所述等離子體形成EUV輻射和離開所述等離子體的離子； 與所述場所相隔距離d的光學器件； 設(shè)置在所述等離子體場所和光學器件之間的氣體，所述氣體建立足以在距離d上作用以在所述離子到達所述光學器件前使離子能量減至低于IOOeV的氣體數(shù)量密度；以及 使氣體在所述密封結(jié)構(gòu)中循環(huán)的閉環(huán)循環(huán)系統(tǒng)，所述循環(huán)系統(tǒng)包括從流過該環(huán)路的氣體去除熱量的至少一個熱交換器。
16.如權(quán)利要求
15所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述光學器件將EUV輻射引導至中間位置，并且所述氣體管理系統(tǒng)進一步包括設(shè)置在所述等離子體場所和所述中間位置之間的多通道結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求
15所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體包括體積大于50%的氫。
18.如權(quán)利要求
17所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體包括從包括HBr、HI、Br2, C12、HC1或其組合的一組腐蝕氣體中選取的腐蝕氣體。
19.如權(quán)利要求
15所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體建立足以在距離d上作用以在所述離子到達所述光學器件前使離子能量減至低于30eV的氣體數(shù)量密度。
20.如權(quán)利要求
15所述的氣體管理系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括提供微滴的微滴發(fā)生器，所述微滴包括錫；以及照射所述微滴以產(chǎn)生等離子體的激光器，所述激光器包括含CO2的增益介質(zhì)。
專利摘要
本文記載設(shè)備及其相應使用方法，該設(shè)備可包括界定閉環(huán)流體路徑的密封結(jié)構(gòu)以及在等離子體場所產(chǎn)生等離子體的系統(tǒng)，例如激光致等離子體系統(tǒng)，其中等離子體場所可與流體路徑流體連通。對該設(shè)備而言，可將氣體設(shè)置在可包含離子止動緩沖氣和/或腐蝕劑的密封結(jié)構(gòu)中?？商峁┍靡詮娭茪怏w通過閉環(huán)流體路徑?？商峁脑诹黧w路徑中的流動的氣體去除熱量的一個或多個熱交換器。在一些配置中，可使用過濾器從在流體路徑中流動的氣體中去除至少一部分靶核素。
文檔編號G21G4/00GKCN101790764SQ200880105195
公開日2013年1月23日 申請日期2008年8月15日
發(fā)明者A·N·貝卡諾弗, A·I·葉爾紹夫, I·V·福緬科夫, D·C·勃蘭特 申請人:西默股份有限公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan專利引用 (5),