石墨底板和多晶硅錠爐的硅溢流檢測裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種石墨底板和多晶硅錠爐的硅溢流檢測裝置，用于承載多晶硅鑄錠爐中的坩堝，所述石墨底板開設環(huán)形槽和溢流通道；所述溢流通道連通于所述環(huán)形槽與所述石墨底板的邊緣之間，當所述坩堝中漏出的硅液滴入所述環(huán)形槽時，所述溢流通道用于使所述硅液流到所述石墨底板的邊緣處，并滴落到溢流線。本實用新型提供的石墨底板通過在石墨底板上開設環(huán)形槽，同時，坩堝的底部的邊緣位于環(huán)形槽的槽寬之間，使得承載于所述石墨底板上坩堝一旦破裂，硅液就會溢流至所述環(huán)形槽中，進而滴至所述溢流線，從而能夠及時檢測到硅液溢流，減少損失及降低生產安全事故發(fā)生的概率。
【專利說明】石墨底板和多晶硅錠爐的硅溢流檢測裝置

【技術領域】
[0001 ] 本實用新型涉及多晶娃領域，尤其涉及一種用于石墨底板和多晶娃淀爐的娃溢流檢測裝置。

【背景技術】
[0002]坩堝在鑄錠(高溫)時破裂或變形，高溫硅液在坩堝破裂或變形后溢出坩堝體外，滲透隔熱層底部的隔熱板，溢出的硅液將下爐腔中的溢流報警線熔斷，觸發(fā)硅液溢流報警器報警。
[0003]現(xiàn)有技術中的流出坩堝外部的硅液往往因為突破石墨護板的阻攔而不能滴落或者延緩滴落至溢流線上，使得硅液溢流檢測裝置較晚察覺到硅液的溢流，產生更大的損失，甚至引發(fā)生產安全事故。
實用新型內容
[0004]本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種能夠及時檢測到硅液溢流的石墨底板和多晶硅錠爐的硅溢流檢測裝置。
[0005]為了解決上述技術問題，本實用新型的實施例提供了一種石墨底板，用于承載多晶硅鑄錠爐中的坩堝，所述石墨底板開設環(huán)形槽和溢流通道；所述溢流通道連通于所述環(huán)形槽與所述石墨底板的邊緣之間，當所述坩堝中漏出的硅液滴入所述環(huán)形槽時，所述溢流通道用于使所述硅液流到所述石墨底板的邊緣處，并滴落到溢流線。
[0006]其中，所述環(huán)形槽的槽寬為10?15mm。
[0007]其中，所述環(huán)形槽包括底面，所述底面正對所述環(huán)形槽的開口，所述底面為沿著所述硅液的流動方向傾斜的斜面，所述坩堝中漏出的硅液沿著所述底面的傾斜方向流至所述溢流通道。
[0008]其中,所述底面的橫截面為圓弧形。
[0009]其中，所述環(huán)形槽的縱截面為回形，所述底面具有兩個頂點和兩個底點，兩個所述頂點和兩個所述底點分別設置于所述環(huán)形槽的四個邊角上，其中一個所述頂點分別與兩個所述底點形成兩個引流通道，所述引流通道通過其高度差使所述底面上的硅液流入所述溢流通道。
[0010]其中，所述溢流通道的數(shù)量為兩個，兩個所述溢流通道分別連通至所述底面的兩個所述底點。
[0011]本實用新型還提供了一種多晶硅錠爐的硅溢流檢測裝置，包括爐腔、設置于所述爐腔中的所述的石墨底板、纟甘禍、石墨固定塊、隔熱塊和溢流線，
[0012]所述坩堝承載于所述石墨底板上，所述坩堝的底部的邊緣位于所述環(huán)形槽的槽寬之間，
[0013]所述石墨固定塊承載所述石墨底板，所述隔熱塊設于所述石墨固定塊的下方，所述隔熱塊開設溢流孔，所述溢流孔正對所述溢流通道，所述溢流線位于所述隔熱塊的下方，且正對所述溢流孔。
[0014]其中，所述多晶硅錠爐的硅溢流檢測裝置還包括巖棉，所述巖棉鋪設于所述爐腔的底部上。
[0015]本實用新型提供的石墨底板通過在石墨底板上開設環(huán)形槽，同時，坩堝的底部的邊緣位于環(huán)形槽的槽寬之間，使得承載于所述石墨底板上坩堝一旦破裂，硅液就會溢流至所述環(huán)形槽中，進而滴至所述溢流線，從而能夠及時檢測到硅液溢流，減少損失及降低生產安全事故發(fā)生的概率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1是本實用新型實施例提供的石墨底板的示意圖；
[0018]圖2是承載有樹禍的石墨底板的不意圖；
[0019]圖3是圖1中的石墨底板沿著1-1線的剖視圖；
[0020]圖4是圖1中的石墨底板沿著I1-1I線的剖視圖。

【具體實施方式】
[0021]下面將結合本實用新型實施方式中的附圖，對本實用新型實施方式中的技術方案進行清楚、完整地描述。
[0022]請參閱圖1至圖2,本實用新型實施方式提供的一種石墨底板100和多晶娃鑄淀爐的硅溢流檢測裝置(未圖示)，所述多晶硅鑄錠爐的硅溢流檢測裝置包括爐腔、設置于所述爐腔中的所述的石墨底板100、坩堝200、石墨固定塊、隔熱塊和溢流線，所述坩堝200承載于所述石墨底板100上，所述坩堝200的底部的邊緣位于所述環(huán)形槽2的槽寬LI之間，所述石墨固定塊承載所述石墨底板100,所述隔熱塊設于所述石墨固定塊的下方，所述隔熱塊開設溢流孔，所述溢流孔正對所述溢流通道3，所述溢流線位于所述隔熱塊的下方，且正對所述溢流孔。其中，所述石墨底板100開設環(huán)形槽2和溢流通道3 ;所述溢流通道3連通于所述環(huán)形槽2與所述石墨底板100的邊緣之間，當所述坩堝200中漏出的硅液300滴入所述環(huán)形槽2時，所述溢流通道3用于使所述硅液300流到所述石墨底板100的邊緣處，并滴落到溢流線。
[0023]通過在石墨底板100上開設環(huán)形槽2，同時，坩堝200的底部的邊緣位于環(huán)形槽2的槽寬LI之間，使得承載于所述石墨底板100上坩堝200 —旦破裂，硅液300就會溢流至所述環(huán)形槽2中，再流入所述溢流通道3，進而滴至所述溢流線，從而能夠及時檢測到硅液300溢流，減少損失及降低生產安全事故發(fā)生的概率。
[0024]在本實施例中，所述石墨固定塊固設于所述爐腔的內壁上，所述石墨底板100承載于所述石墨固定塊上，所述坩堝200置于所述石墨底板100上，并且，所述隔熱塊設于所述石墨固定塊的下方，與所述石墨固定塊之間沿著豎直方向設有間距，所述溢流線位于所述隔熱塊的下方。
[0025]具體的，所述石墨底板100為矩形塊，所述石墨底板100包括承載面I，所述環(huán)形槽2開設于所述承載面I上。所述坩堝200的材質為石英砂，適用于多晶硅鑄錠爐中的坩堝200。所述坩堝200的底部的邊緣剛好位于所述環(huán)形槽2的槽寬LI之間。當所述坩堝200中的硅液300漏出時，會第一時間將所述硅液300滴至環(huán)形槽2中，進而再流入所述溢流通道3中，并滴落到所述溢流線上，觸發(fā)警報，第一時間減少損失。當然，在其它實施例中，所述坩堝200的材質還可以為其它。
[0026]請參閱圖3，為了更進一步的改進，所述環(huán)形槽2的槽寬LI為10?15mm。
[0027]通過多晶硅的大量鑄錠的經驗，將所述環(huán)形槽2的槽寬LI限定為10?15mm之間，使得所述硅液300于所述環(huán)形槽2中流動時不會因為所述環(huán)形槽2的槽寬LI過大或者過小，進而使得所述硅液300粘稠流不動或者流速很緩慢。
[0028]在本實施例中，所述環(huán)形槽2的槽寬LI優(yōu)選為12mm。當然，在其它實施例中，所述環(huán)形槽2的槽寬LI還可以為1mm或者15mm。
[0029]為了進一步的改進，所述環(huán)形槽2包括底面21，所述底面21正對所述環(huán)形槽2的開口，所述底面21為沿著所述硅液300的流動方向傾斜的斜面，所述坩堝200中漏出的硅液300沿著所述底面21的傾斜方向流至所述溢流通道3。
[0030]通過將所述環(huán)形槽2的底面21加工為沿著所述硅液300流動方向傾斜的斜面，使得所述硅液300能夠更快速的從所述環(huán)形槽2中流入所述溢流通道3中，第一時間滴落到所述溢流線上，，觸發(fā)警報，第一時間減少損失。
[0031]在本實施例中,所述底面21的橫截面為圓弧形。所述底面21為圓弧形,更利于所述硅液300的流動。當然，在其它實施例中，所述底面21的橫截面還可以為型。
[0032]請參閱圖4，為了更進一步的改進，所述環(huán)形槽2的縱截面為回形，所述底面21具有兩個頂點211和兩個底點212，兩個所述頂點211和兩個所述底點212分別設置于所述環(huán)形槽2的四個邊角上，其中一個所述頂點211分別與兩個所述底點212形成兩個引流通道213，所述引流通道213通過其高度差使所述底面21上的硅液300流入所述溢流通道3。
[0033]通過將所述環(huán)形槽2形成兩個引流通道213，再與所述溢流通道3相配合，將所述硅液300分成了兩道，加快了所述硅液300于所述環(huán)形槽2中的流速。
[0034]在本實施例中，所述引流通道213 —共有4個，分別為環(huán)形槽2的4個邊，利于加工，所述頂點211與所述底點212的高度差為8_。當所述引流通道213上硅液300流至所述底點212時，所述硅液300繼續(xù)流入所述溢流通道3中。當然，在其它實施例中，所述環(huán)形槽2的縱截面還可以為圓形或者其它形狀。
[0035]為了更進一步的改進，所述溢流通道3的數(shù)量為兩個，兩個所述溢流通道3分別連通至所述底面21的兩個所述底點212。
[0036]在本實施例中，所述溢流通道3相應的為兩個，分別連通于兩個所述底點212處，即兩個所述溢流通道3在所述環(huán)形槽2中的同一條對角線上。對所述硅液300進行分流。
[0037]為了更進一步的改進，所述多晶硅錠爐的硅溢流檢測裝置還包括巖棉，所述巖棉鋪設于所述爐腔的底部上。
[0038]在本實施例中，通過設置巖棉，使得溢出的硅液300不會腐蝕所述爐腔，延長所述鑄錠爐的使用壽命。
[0039]當所述石墨底板100開始使用時:需首先將所述巖棉鋪設于所述爐腔的底部上，再將所述石墨固定塊固設于所述爐腔的內壁上，所述石墨底板100承載于所述石墨固定塊上，所述坩堝200置于所述石墨底板100上，并且，所述坩堝200的底部的邊緣位于所述石墨底板100的環(huán)形槽2的槽寬LI之間，所述隔熱塊設于所述石墨固定塊的下方，與所述石墨固定塊之間沿著豎直方向設有間距，所述溢流線位于所述隔熱塊的下方；當所述坩堝200裂開時，所述坩堝200中的硅液300會滴落至所述環(huán)形槽2中，由于所述環(huán)形槽2的底面21為沿著所述硅液300流動方向傾斜的斜面，故所述坩堝200中的硅液300會快速的從所述引流通道213的頂點211流至所述引流通道213的底點212，并在所述底點212處流入所述溢流通道3中，所述溢流通道3進而將所述硅液300第一時間滴落至所述溢流線上，觸發(fā)報警器，減少所述硅液300溢流帶來的損失，并且保證多晶硅鑄錠的安全。
[0040]本實用新型提供的石墨底板100通過在石墨底板100上開設環(huán)形槽2，同時，坩堝200的底部的邊緣位于環(huán)形槽2的槽寬LI之間，使得承載于所述石墨底板100上坩堝200一旦破裂，硅液300就會溢流至所述環(huán)形槽2中，再流入所述溢流通道3，進而滴至所述溢流線，從而能夠及時檢測到硅液300溢流，減少損失及降低生產安全事故發(fā)生的概率。
[0041]以上所述是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本實用新型的保護范圍。
【權利要求】
1.一種石墨底板，用于承載多晶硅鑄錠爐中的坩堝，其特征在于，所述石墨底板開設環(huán)形槽和溢流通道；所述溢流通道連通于所述環(huán)形槽與所述石墨底板的邊緣之間，當所述坩堝中漏出的硅液滴入所述環(huán)形槽時，所述溢流通道用于使所述硅液流到所述石墨底板的邊緣處，并滴落到溢流線。
2.如權利要求1所述的石墨底板，其特征在于，所述環(huán)形槽的槽寬為10?15mm。
3.如權利要求2所述的石墨底板，其特征在于，所述環(huán)形槽包括底面，所述底面正對所述環(huán)形槽的開口，所述底面為沿著所述硅液的流動方向傾斜的斜面，所述坩堝中漏出的硅液沿著所述底面的傾斜方向流至所述溢流通道。
4.如權利要求3所述的石墨底板，其特征在于，所述底面的橫截面為圓弧形。
5.如權利要求4所述的石墨底板，其特征在于，所述環(huán)形槽的縱截面為回形，所述底面具有兩個頂點和兩個底點，兩個所述頂點和兩個所述底點分別設置于所述環(huán)形槽的四個邊角上，其中一個所述頂點分別與兩個所述底點形成兩個引流通道，所述引流通道通過其高度差使所述底面上的硅液流入所述溢流通道。
6.如權利要求5所述的石墨底板，其特征在于，所述溢流通道的數(shù)量為兩個，兩個所述溢流通道分別連通至所述底面的兩個所述底點。
7.一種多晶硅錠爐的硅溢流檢測裝置，其特征在于，包括爐腔、設置于所述爐腔中的如權利要求1?6任意一項所述的石墨底板、坩堝、石墨固定塊、隔熱塊和溢流線， 所述坩堝承載于所述石墨底板上，所述坩堝的底部的邊緣位于所述環(huán)形槽的槽寬之間， 所述石墨固定塊承載所述石墨底板，所述隔熱塊設于所述石墨固定塊的下方，所述隔熱塊開設溢流孔，所述溢流孔正對所述溢流通道，所述溢流線位于所述隔熱塊的下方，且正對所述溢流孔。
8.如權利要求7所述的多晶硅錠爐的硅溢流檢測裝置，其特征在于，所述多晶硅錠爐的硅溢流檢測裝置還包括巖棉，所述巖棉鋪設于所述爐腔的底部上。
【文檔編號】C30B29/06GK204097598SQ201420529050
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年9月15日 優(yōu)先權日:2014年9月15日
【發(fā)明者】敖志青, 胡萍 申請人:江西賽維Ldk太陽能高科技有限公司