Led高頻抗干擾驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】LED高頻抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，包括與控制器連接的限流控制電路和與限流控制電路連接的MOS管負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路；所述的限流控制電路包括三極管Q2、三極管Q1、電阻R1、電阻R2和電阻R3。本實(shí)用新型的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了在LED供電電壓變化時(shí)，使流經(jīng)LED的電流保持不變，保證LED亮度的恒定；同時(shí)，本實(shí)用新型能在驅(qū)動(dòng)電壓結(jié)束時(shí)產(chǎn)生負(fù)壓快速關(guān)斷MOS管，在高頻率LED燈開合、關(guān)閉的環(huán)境下，提高電路整體的使用壽命。
【專利說明】LED高頻抗干擾驅(qū)動(dòng)電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種LED控制電路，具體為L(zhǎng)ED聞?lì)l抗干擾驅(qū)動(dòng)電路。

【背景技術(shù)】
[0002]LED燈在現(xiàn)代消費(fèi)電子產(chǎn)品中是不可缺少的一種器件，LED產(chǎn)品的突出作用在于其顯示功能。例如，設(shè)備工作狀態(tài)的顯示(顏色不同代表的工作狀態(tài)不同)，設(shè)備上電狀態(tài)顯示等等。LED的使用非常簡(jiǎn)單，但是如何保證在電源不穩(wěn)定的情況下，保持LED的亮度恒定是亟待解決的問題。隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展，功率場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)成為了 LED開關(guān)電源中最常用的器件，由于其開關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小、易并聯(lián)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于高頻、中小功率的場(chǎng)合。目前，電壓源驅(qū)動(dòng)的開關(guān)頻率已經(jīng)超過1MHz，但是開關(guān)頻率過高會(huì)導(dǎo)致一系列問題，其中阻礙電壓源驅(qū)動(dòng)開關(guān)頻率提高的主要瓶頸就是開關(guān)器件導(dǎo)通和關(guān)斷過程的損耗、門極驅(qū)動(dòng)的損耗和開關(guān)器件輸出電容的損耗，相比于傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路，高頻負(fù)壓驅(qū)動(dòng)能夠在開關(guān)斷開的過程中以小于零的負(fù)壓快速關(guān)斷MOS管，降低高頻的電路損耗，提高驅(qū)動(dòng)電路的抗干擾性，解決開關(guān)頻率過高帶來的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種LED高頻抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，解決LED控制電路恒流和MOS管開關(guān)頻率過高帶來的諸多電路問題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0005]LED高頻抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，包括與控制器連接的限流控制電路和與限流控制電路連接的MOS管負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路；所述的限流控制電路包括三極管Q2、三極管Q1、電阻R1、電阻R2和電阻R3 ;控制器的控制接口通過電阻Rl和三極管Q2的基極相連，三極管Q2的發(fā)射極和三極管Ql基極連接，三級(jí)管Ql的基極和電阻R3的一端連接，三極管Ql的集電極和三極管Q2的基極相連，三極管Ql的集電極和電阻R2的一端相連，電阻R3的另一端和三極管Q2的基極相連形成回路，電阻R2的另一端和三極管Ql的發(fā)射極相連并接地；所述的MOS管負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路包括:穩(wěn)壓電路、負(fù)壓電路、保護(hù)電路和MOS管VT，所述的穩(wěn)壓電路由穩(wěn)壓二極管VDl和限流電阻R4組成，所述穩(wěn)壓二極管VDl的負(fù)極與驅(qū)動(dòng)電壓VDD相連，所述限流電阻R4接在VDl正極與所述MOS管VT源極的兩端；所述的負(fù)壓電路由二極管VD3、穩(wěn)壓管VD5、三極管Q3、電容Cl以及柵極輸入電阻R5組成，所述二極管VD3的正極與限流控制電路中三極管Q2的集電極連接，二極管VD3的負(fù)極同時(shí)與所述電容Cl的正極和所述穩(wěn)壓管VD5的負(fù)極相連，所述穩(wěn)壓管VD5的正極與電容Cl的負(fù)極相連，所述PNP型三極管Q3的基極與二極管VD3的正極相連，三極管Q3的集電極與電容Cl的正極相連，三極管Q3的發(fā)射極與所述MOS管VT的源極相連；所述的柵極輸入電阻R5接在電容Cl負(fù)極與MOS管VT柵極的兩端；所述的保護(hù)電路由二極管VD4、保護(hù)電阻R5和濾波電容C3組成，所述的二極管VD4的正極與MOS管VT的柵極相連，二極管VD4的負(fù)極與電容Cl的正極相連，所述保護(hù)電阻R5接在MOS管VT的柵極與門極之間，所述的濾波電容C3與電阻R6并聯(lián)。
[0006]進(jìn)一步的，所述的控制器為PLC控制芯片。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了在LED供電電壓變化時(shí)，使流經(jīng)LED的電流保持不變，保證LED亮度的恒定；同時(shí)，本實(shí)用新型能在驅(qū)動(dòng)電壓結(jié)束時(shí)產(chǎn)生負(fù)壓快速關(guān)斷MOS管，在聞?lì)l率LED燈開合、關(guān)閉的環(huán)境下，提聞電路整體的使用壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖。

【具體實(shí)施方式】
[0009]為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0010]如圖1所示的LED高頻抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，包括與控制器連接的限流控制電路和與限流控制電路連接的MOS管負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路；所述的限流控制電路包括三極管Q2、三極管Ql、電阻R1、電阻R2和電阻R3 ;控制器的控制接口通過電阻Rl和三極管Q2的基極相連，三極管Q2的發(fā)射極和三極管Ql基極連接，三級(jí)管Ql的基極和電阻R3的一端連接，三極管Ql的集電極和三極管Q2的基極相連，三極管Ql的集電極和電阻R2的一端相連，電阻R3的另一端和三極管Q2的基極相連形成回路，電阻R2的另一端和三極管Ql的發(fā)射極相連并接地；所述的MOS管負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路包括:穩(wěn)壓電路、負(fù)壓電路、保護(hù)電路和MOS管VT，所述的穩(wěn)壓電路由穩(wěn)壓二極管VDl和限流電阻R4組成，所述穩(wěn)壓二極管VDl的負(fù)極與驅(qū)動(dòng)電壓VDD相連，所述限流電阻R4接在VDl正極與所述MOS管VT源極的兩端；所述的負(fù)壓電路由二極管VD3、穩(wěn)壓管VD5、三極管Q3、電容Cl以及柵極輸入電阻R5組成，所述二極管VD3的正極與限流控制電路中三極管Q2的集電極連接，二極管VD3的負(fù)極同時(shí)與所述電容Cl的正極和所述穩(wěn)壓管VD5的負(fù)極相連，所述穩(wěn)壓管VD5的正極與電容Cl的負(fù)極相連，所述PNP型三極管Q3的基極與二極管VD3的正極相連，三極管Q3的集電極與電容Cl的正極相連，三極管Q3的發(fā)射極與所述MOS管VT的源極相連；所述的柵極輸入電阻R5接在電容Cl負(fù)極與MOS管VT柵極的兩端；所述的保護(hù)電路由二極管VD4、保護(hù)電阻R5和濾波電容C3組成，所述的二極管VD4的正極與MOS管VT的柵極相連，二極管VD4的負(fù)極與電容Cl的正極相連，所述保護(hù)電阻R5接在MOS管VT的柵極與門極之間，所述的濾波電容C3與電阻R6并聯(lián)；所述的控制器為PLC控制芯片。
[0011]本實(shí)用新型工作時(shí)，通過控制器通拉高控制接口的電平，控制MOS管VT點(diǎn)亮與MOS管VT連接的LED燈組，當(dāng)控制器輸出高電平時(shí)，三極管Ql和Q2都工作在放大區(qū)，Ql導(dǎo)通，此時(shí)有電流流過LED燈組，所以LED燈組被點(diǎn)亮。當(dāng)電源電壓變化時(shí)，Ql發(fā)射極電壓會(huì)變化，Ql發(fā)射極的電壓變化必然引起Q2工作狀態(tài)的變化。Q2工作狀態(tài)的變化，又會(huì)引起R2上電壓的變化，R2上電壓的變化又導(dǎo)致Ql工作狀態(tài)的變化。如此就構(gòu)成了一個(gè)閉環(huán)反饋回路，這個(gè)反饋回路的結(jié)果使LED燈組上的電流趨向于穩(wěn)定。
[0012]MOS管負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路的工作過程為:當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓為零時(shí)，負(fù)壓產(chǎn)生電路在MOS管VT的門極與柵極之間產(chǎn)生負(fù)電壓，二極管VD3可以防止電流反向流動(dòng)，電容Cl利用電荷泵原理在正極電壓突變?yōu)榱銜r(shí)產(chǎn)生負(fù)壓，并聯(lián)穩(wěn)壓二極管VD5保證電容兩端電壓穩(wěn)定，PNP型三極管Q3用來為產(chǎn)生負(fù)壓提供通道，電阻R5保證電荷泵的放電時(shí)間；保護(hù)電路中的電阻R6連接在MOS管VT的柵極和源極之間，防止靜電擊穿，小電容C3起濾波作用，減少驅(qū)動(dòng)脈沖前后沿的畸變現(xiàn)象，二極管VD4的作用是給MOS管VT柵極寄生輸入電容提供低阻抗放電通道，加速輸入電容放電，從而加速M(fèi)OS管VT的關(guān)斷。
[0013]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.LED高頻抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括與控制器連接的限流控制電路和與限流控制電路連接的MOS管負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路；所述的限流控制電路包括三極管Q2、三極管Ql、電阻R1、電阻R2和電阻R3 ;控制器的控制接口通過電阻Rl和三極管Q2的基極相連，三極管Q2的發(fā)射極和三極管Ql基極連接，三級(jí)管Ql的基極和電阻R3的一端連接，三極管Ql的集電極和三極管Q2的基極相連，三極管Ql的集電極和電阻R2的一端相連，電阻R3的另一端和三極管Q2的基極相連形成回路，電阻R2的另一端和三極管Ql的發(fā)射極相連并接地；所述的MOS管負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路包括:穩(wěn)壓電路、負(fù)壓電路、保護(hù)電路和MOS管VT，所述的穩(wěn)壓電路由穩(wěn)壓二極管VDl和限流電阻R4組成，所述穩(wěn)壓二極管VDl的負(fù)極與驅(qū)動(dòng)電壓VDD相連，所述限流電阻R4接在VDl正極與所述MOS管VT源極的兩端；所述的負(fù)壓電路由二極管VD3、穩(wěn)壓管VD5、三極管Q3、電容Cl以及柵極輸入電阻R5組成，所述二極管VD3的正極與限流控制電路中三極管Q2的集電極連接，二極管VD3的負(fù)極同時(shí)與所述電容Cl的正極和所述穩(wěn)壓管VD5的負(fù)極相連，所述穩(wěn)壓管VD5的正極與電容Cl的負(fù)極相連，所述PNP型三極管Q3的基極與二極管VD3的正極相連，三極管Q3的集電極與電容Cl的正極相連，三極管Q3的發(fā)射極與所述MOS管VT的源極相連；所述的柵極輸入電阻R5接在電容Cl負(fù)極與MOS管VT柵極的兩端；所述的保護(hù)電路由二極管VD4、保護(hù)電阻R5和濾波電容C3組成，所述的二極管VD4的正極與MOS管VT的柵極相連，二極管VD4的負(fù)極與電容Cl的正極相連，所述保護(hù)電阻R5接在MOS管VT的柵極與門極之間，所述的濾波電容C3與電阻R6并聯(lián)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED高頻抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述的控制器為PLC控制芯片。
【文檔編號(hào)】H05B37/02GK204090245SQ201420524666
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年9月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月12日
【發(fā)明者】陳杏芬 申請(qǐng)人:陳杏芬