多晶硅高效硅錠引晶板的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種多晶硅高效硅錠引晶板，解決了現(xiàn)有的硅晶體自發(fā)形核引晶板容易導(dǎo)致非均勻形核和晶核品質(zhì)低的問題。包括硅純度大于99.99999%的引晶板芯（1），引晶板芯（1）是邊長為125毫米或邊長為156毫米的正方形，在引晶板芯（1）的外表面上粘合有碳化硅碎粒或氮化硅碎粒的粘合包覆層（2），粘合包覆層（2）中的碳化硅碎粒或氮化硅碎粒的粒徑小于或等于0.003毫米。將選取的碳化硅碎粒與純水及粘合劑一起放入到攪拌器中攪拌15-20分鐘，制成密度大于2.33克/每立方厘米的碳化硅碎粒糊狀懸浮液體，將引晶板芯（1）放入到懸浮液體進(jìn)行包覆，然后烘燒冷卻。特別適用于在坩堝中生產(chǎn)多晶硅高效硅錠的生產(chǎn)過程中。
【專利說明】多晶娃局效娃徒引晶板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種多晶硅高效硅錠的引晶板，特別涉及一種在高效坩堝中所使用的多晶硅高效硅錠的引晶板及其制備方法，適用于光伏行業(yè)鑄錠工藝環(huán)節(jié)。

【背景技術(shù)】
[0002]多晶硅鑄錠工藝環(huán)節(jié)處于光伏行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的前端，對后續(xù)硅片、電池片等生產(chǎn)環(huán)節(jié)起著決定性的作用。多晶硅鑄錠一般是采用定向凝固的方法，通過電加熱將裝載于石英坩堝中的硅料熔化，再利用一定的工藝方法從坩堝底部開始形核、長晶，最終形成滿足要求的多晶硅錠。目前，高效硅錠的形核方法主要有兩種，第一種方法是利用鋪設(shè)在坩堝底部的未熔化的硅料來形核，即用硅晶體自發(fā)形核引晶顆粒來形核，在坩堝底部鋪設(shè)的未熔化硅料高度的確定是依賴于人工操作，存在一致性差的缺點，硅錠得料率低，成本高；第二種方法是利用坩堝底部的異形結(jié)構(gòu)來形核，坩堝底部異形結(jié)構(gòu)容易導(dǎo)致底部粘堝，并存在回用料后續(xù)處理難的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了一種多晶娃聞效娃淀引晶板，解決了現(xiàn)有的娃晶體自發(fā)形核引晶顆粒容易導(dǎo)致非均勻形核和晶核品質(zhì)低的技術(shù)問題。
[0004]本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案解決以上技術(shù)問題的:
[0005]一種多晶娃聞效娃淀引晶板，包括娃純度大于99.99999%的弓I晶板芯，弓丨晶板芯為邊長為125毫米的正方形板芯或邊長為156毫米的正方形板芯，在引晶板芯的外表面上粘合有碳化娃碎?；虻匏榱５恼澈习矊樱澈习矊又械奶蓟匏榱；虻匏榱５牧叫∮诨虻扔?.003毫米。
[0006]引晶板芯的體積與粘合包覆層的體積的比為1:2-1:5。
[0007]一種多晶硅高效硅錠引晶板的制備方法，包括以下步驟:
[0008]第一步、選取硅純度大于99.99999%的邊長為125毫米或邊長為156毫米的的引晶板芯；
[0009]第二步、選取粒徑小于或等于0.003毫米的碳化硅碎粒；
[0010]第三步、選取電阻率大于18ΜΩ.Cm的純水和金屬含量低于30ppma的粘合劑；
[0011]第四步、將第二步選取的碳化娃碎粒與第三步選取的純水及粘合劑一起放入到攪拌器中攪拌15-20分鐘，制成密度大于2.33克/每立方厘米的碳化硅碎粒糊狀懸浮液體；
[0012]第五步、將第一步選取的引晶板芯放入到第四步得到的碳化硅碎粒糊狀懸浮液體中浸泡2-5分鐘；
[0013]第六步、將第五步浸泡好的并包覆有碳化硅碎粒糊狀懸浮液層的引晶板芯置于氬氣氣氛中，烘燒使其溫度達(dá)到150-200°C，并保持10-30分鐘；然后使其在氬氣氣氛中自然冷卻到室溫；
[0014]第七步、選取引晶板芯的體積與粘合包覆層的體積的比為1:2-1:5的成品，得到多晶娃聞效娃淀引晶板。
[0015]—種多晶娃聞效娃淀引晶板的制備方法，包括以下步驟:
[0016]第一步、選取硅純度大于99.99999%的邊長為125毫米或邊長為156毫米的的引晶板芯；
[0017]第二步、選取粒徑小于或等于0.003毫米的氮化硅碎粒；
[0018]第三步、選取電阻率大于18ΜΩ.cm的純水和金屬含量低于30ppma的粘合劑；
[0019]第四步、將第二步選取的氮化娃碎粒與第三步選取的純水及粘合劑一起放入到攪拌器中攪拌15-20分鐘，制成密度大于2.33克/每立方厘米的氮化硅碎粒糊狀懸浮液體；
[0020]第五步、將第一步選取的引晶板芯放入到第四步得到的氮化硅碎粒糊狀懸浮液體中浸泡2-5分鐘；
[0021]第六步、將第五步浸泡好的并包覆有氮化硅碎粒糊狀懸浮液層的引晶板芯置于氬氣氣氛中，烘燒使其溫度達(dá)到150-200°C，并保持10-30分鐘；然后使其在氬氣氣氛中自然冷卻到室溫；
[0022]第七步、選取引晶板芯的體積與粘合包覆層的體積的比為1:2-1:5的成品，得到多晶娃聞效娃淀引晶板。
[0023]本發(fā)明的引晶板為硅晶體非自發(fā)形核提供可控的形核中心，并引導(dǎo)硅晶體的非均勻形核，達(dá)到產(chǎn)生均勻性好和一致性高的高品質(zhì)晶核的作用，為后續(xù)高品質(zhì)電池片的生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明:
[0026]—種多晶娃聞效娃淀引晶顆粒，包括娃純度大于99.99999%的引晶板芯1，引晶板芯I是邊長為125毫米的正方形板芯或邊長為156毫米的正方形板芯，在引晶板芯I的外表面上粘合有碳化硅碎?；虻杷榱５恼澈习矊?，粘合包覆層2中的碳化硅碎?；虻杷榱５牧叫∮诨虻扔?.003毫米。
[0027]引晶板芯I的體積與粘合包覆層2的體積的比為1:2-1:5。也可設(shè)置多層粘合包覆層。
[0028]一種多晶硅高效硅錠引晶板的制備方法，包括以下步驟:
[0029]第一步、選取硅純度大于99.99999%的邊長為125毫米或邊長為156毫米的的引晶板芯I ;
[0030]第二步、選取粒徑小于或等于0.003毫米的碳化硅碎粒；
[0031]第三步、選取電阻率大于18ΜΩ.cm的純水和金屬含量低于30ppma的粘合劑；
[0032]第四步、將第二步選取的碳化娃碎粒與第三步選取的純水及粘合劑一起放入到攪拌器中攪拌15-20分鐘，制成密度大于2.33克/每立方厘米的碳化硅碎粒糊狀懸浮液體；
[0033]第五步、將第一步選取的引晶板芯I放入到第四步得到的碳化硅碎粒糊狀懸浮液體中浸泡2-5分鐘；
[0034]第六步、將第五步浸泡好的并包覆有碳化硅碎粒糊狀懸浮液層的引晶板芯I置于氬氣氣氛中，烘燒使其溫度達(dá)到150-200°C，并保持10-30分鐘；然后使其在氬氣氣氛中自然冷卻到室溫；
[0035]第七步、選取引晶板芯I的體積與粘合包覆層2的體積的比為1:2-1:5的成品，得到多晶娃聞效娃淀引晶板。
[0036]一種多晶硅高效硅錠引晶板的制備方法，包括以下步驟:
[0037]第一步、選取硅純度大于99.99999%的邊長為125毫米或邊長為156毫米的的引晶板芯I ;
[0038]第二步、選取粒徑小于或等于0.003毫米的氮化硅碎粒；
[0039]第三步、選取電阻率大于18ΜΩ.cm的純水和金屬含量低于30ppma的粘合劑；
[0040]第四步、將第二步選取的氮化娃碎粒與第三步選取的純水及粘合劑一起放入到攪拌器中攪拌15-20分鐘，制成密度大于2.33克/每立方厘米的氮化硅碎粒糊狀懸浮液體；
[0041]第五步、將第一步選取的引晶板芯I放入到第四步得到的氮化硅碎粒糊狀懸浮液體中浸泡2-5分鐘；
[0042]第六步、將第五步浸泡好的并包覆有氮化硅碎粒糊狀懸浮液層的引晶顆粒芯I置于氬氣氣氛中，烘燒使其溫度達(dá)到150-200°C，并保持10-30分鐘；然后使其在氬氣氣氛中自然冷卻到室溫；
[0043]第七步、選取引晶板芯I的體積與粘合包覆層2的體積的比為1:2-1:5的成品，得到多晶娃聞效娃淀引晶板。
[0044]本發(fā)明所涉及的粘合包覆層2中的碳化硅碎?；虻杷榱５牧叫∮诨虻扔?.003毫米，也可以選用其他的與晶體硅晶格常數(shù)相同或相近，并且熔點高于1430攝氏度，密度大于2.33克/立方厘米的顆粒。本發(fā)明所涉及的粘合劑最好用與晶體硅晶格常數(shù)相同或相近的粘合劑，該粘合劑的金屬含量要低于30ppma。本發(fā)明所涉及的粘合包覆層不限于2層。
[0045]本發(fā)明的引晶板有著與硅材料相近的物理特性；該引晶板可有效的降低形核所需的形核功，極大增強了非均勻形核的能力；該引晶板為硅晶體非自發(fā)形核提供可控的形核中心。本發(fā)明解決了目前，當(dāng)前全熔高效硅錠生長初期引晶材料嵌入硅晶體，導(dǎo)致后期裂錠的問題；解決了當(dāng)前半熔高效硅錠長晶初期籽晶熔化程度不易控制，且后期得料率低的問題；本發(fā)明降低了形核條件，促進(jìn)了非自發(fā)形核的方式，解決了形核過程中由于熱場、坩堝等因素造成的形核不可控的問題。
【權(quán)利要求】
1.一種多晶硅高效硅錠引晶板，包括硅純度大于99.99999%的引晶板芯(1)，其特征在于，引晶板芯(I)是邊長為125毫米的正方形板芯或邊長為156毫米的正方形板芯，在引晶板芯(I)的外表面上粘合有碳化硅碎?；虻杷榱５恼澈习矊?2)，粘合包覆層(2)中的碳化硅碎粒或氮化硅碎粒的粒徑小于或等于0.003毫米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅高效硅錠弓I晶板，其特征在于，弓I晶板芯(I)的體積與粘合包覆層(2)的體積的比為1:2-1:5。
【文檔編號】C30B28/06GK204111923SQ201420515808
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月10日
【發(fā)明者】張軍彥, 韓婷婷, 楊靜, 薛巍, 馮文彪, 張明 申請人:山西中電科新能源技術(shù)有限公司