多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其包括：爐體，包括收容腔；隔熱籠，收容于所述收容腔內(nèi)，包括頂保溫板、底保溫板和側(cè)保溫板，所述側(cè)保溫板包括相對(duì)設(shè)置的上開口端和下開口端，所述頂保溫板收容于所述上開口端內(nèi)，并固定連接所述爐體頂端，所述底保溫板相對(duì)所述頂保溫板設(shè)置并固定連接所述爐體底端；石墨導(dǎo)熱塊，收容于所述隔熱籠內(nèi)，與所述底保溫板固定連接，所述石墨導(dǎo)熱塊周緣固定連接一隔熱條，所述隔熱條用于將所述隔熱籠內(nèi)側(cè)區(qū)分為高溫腔和散熱腔；加熱器，收容于所述隔熱籠內(nèi)，位于所述高溫腔，并設(shè)置于所述坩堝外側(cè)。
【專利說明】多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種光伏行業(yè)晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié) 構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002] 普通多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，在晶體生長(zhǎng)過程中，在初始階段是微凹型的界面，隨著 晶體高度的不斷增加，固液界面發(fā)生變化，由微凹型界面變成微凸界面，晶體高度越往上增 力口，界面越來越凸。這種界面不利于晶體生長(zhǎng)，在生長(zhǎng)過程容易導(dǎo)致位錯(cuò)繁殖生長(zhǎng)，晶體位 錯(cuò)密度變大。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0003] 本實(shí)用新型的目的在于提供一種提高多晶轉(zhuǎn)換效率的多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)。
[0004] 為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其
[0005] 包括：
[0006] 爐體，包括開口相對(duì)設(shè)置的上爐體和下爐體，所述上爐體和下爐體之間形成收容 腔；
[0007] 隔熱籠，收容于所述收容腔內(nèi)，所述隔熱籠包括頂保溫板、底保溫板和側(cè)保溫板， 所述側(cè)保溫板包括相對(duì)設(shè)置的上開口端和下開口端，所述上爐體的頂端滑動(dòng)裝設(shè)有滑桿， 所述滑桿一端與所述上開口端固定連接且所述頂保溫板相對(duì)上開口端位置固定于所述上 爐體的頂端，所述底保溫板相對(duì)上開口端位置固定于所述下爐體的底端，當(dāng)所述滑桿滑動(dòng) 時(shí)，所述側(cè)保溫板沿堅(jiān)直方向相對(duì)所述上爐體頂端上下滑動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)所述頂保溫板封蓋所 述上開口端，所述底保溫板封蓋所述下開口端；
[0008] 石墨導(dǎo)熱塊，收容于所述隔熱籠內(nèi)并與所述底保溫板固定連接，所述石墨導(dǎo)熱塊 周緣固定連接有隔熱條，所述隔熱條用于將所述隔熱籠內(nèi)側(cè)區(qū)分為高溫腔和散熱腔，所述 高溫腔位于所述石墨導(dǎo)熱塊與所述上開口端之間，所述散熱腔位于所述石墨導(dǎo)熱塊與所述 下開口端之間；
[0009] 加熱器，收容于所述隔熱籠內(nèi)，固定連接所述頂保溫板，位于所述高溫腔內(nèi)，并設(shè) 置于所述坩堝外側(cè)。
[0010] 其中，所述下開口端內(nèi)側(cè)壁沿堅(jiān)直方向延伸至所述上開口端，當(dāng)所述隔熱籠內(nèi)需 要散熱時(shí)，所述底保溫板遠(yuǎn)離所述散熱腔，所述散熱腔內(nèi)側(cè)從所述下開口端散發(fā)熱量。
[0011] 其中，所述石墨導(dǎo)熱塊周緣向所述隔熱籠內(nèi)壁延伸一卡片，所述隔熱條靠近所述 石墨導(dǎo)熱塊一端設(shè)置插槽，所述卡片插入所述插槽內(nèi)。
[0012] 其中，所述隔熱條材質(zhì)為炭氈。
[0013] 其中，所述石墨導(dǎo)熱塊上放置坩堝，所述坩堝用于盛放多晶硅原料，所述坩堝材質(zhì) 為石英。
[0014] 其中，所述上爐體頂端設(shè)置有吊柱，所述吊柱沿堅(jiān)直方向延伸，所述吊柱穿過所述 頂保溫板，并固定連接所述頂保溫板，所述加熱器固定連接于所述吊柱穿過所述頂保溫板 一端，所述加熱器靠近所述上爐體一側(cè)設(shè)置電極，所述電極穿過所述頂保溫板延伸至所述 上爐體外側(cè)，所述電極用于電連接外置電源。
[0015] 其中，所述吊柱內(nèi)設(shè)置通氣孔，所述通氣孔沿所述吊柱長(zhǎng)度方向從所述爐體外側(cè) 延伸至所述坩堝內(nèi)。
[0016] 其中，所述加熱器包括加熱板和加熱塊，所述加熱板固定于所述吊柱上，并相對(duì)所 述坩堝開口端設(shè)置，所述加熱塊固定于所述加熱板周緣，位于所述坩堝周側(cè)和所述隔熱籠 內(nèi)壁之間。
[0017] 其中，所述坩堝開口端設(shè)置有蓋板，所述蓋板封蓋所述坩堝開口端，所述蓋板遠(yuǎn)離 所述坩堝一側(cè)固定連接于所述吊柱。
[0018] 其中，所述下爐體底端與所述石墨導(dǎo)熱塊之間固定連接兩根支撐柱，所述兩根支 撐柱穿過所述底保溫板。
[0019] 本實(shí)用新型提供的多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)通過所述隔熱條固定連接所述石墨導(dǎo)熱 塊，環(huán)繞于所述石墨導(dǎo)熱塊周緣，所述隔熱條用于將所述隔熱籠內(nèi)側(cè)區(qū)分為高溫腔和散熱 腔，使得所述隔熱籠內(nèi)集中受熱，并且能夠均勻散熱。實(shí)現(xiàn)了獲得更平的固液界面結(jié)構(gòu)，使 得硅晶位錯(cuò)密度低，多晶轉(zhuǎn)換效率更高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020] 為了更清楚地說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式中所需要使用的附 圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施方式，對(duì)于 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他 的附圖。
[0021] 圖1是多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022] 下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施方式中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施方式中的技術(shù)方案 進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0023] 請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的一種多晶硅鑄錠結(jié)構(gòu)100,所述多晶硅鑄 錠結(jié)構(gòu)100包括爐體10、隔熱籠20、石墨導(dǎo)熱塊30、坩堝40和加熱器50。所述爐體10可 以是方形盒體，可以是球形盒體，還可以是圓柱形盒體，本實(shí)施方式中，所述爐體10為圓柱 形盒體。所述隔熱籠20、石墨導(dǎo)熱塊30、坩堝40和加熱器50均收容于所述爐體10內(nèi)，所 述石墨導(dǎo)熱塊30收容于所述隔熱籠20內(nèi)，所述坩堝40放置于所述石墨導(dǎo)熱塊30上，所述 加熱器50收容于所述隔熱籠20內(nèi)并對(duì)所述坩堝40加熱。所述石墨導(dǎo)熱塊30上的隔熱條 將所述隔熱籠內(nèi)側(cè)區(qū)分為高溫腔和散熱腔，以便在所述多晶硅原料進(jìn)行晶塊成型時(shí)，實(shí)現(xiàn) 在保溫階段需要集中受熱，在長(zhǎng)晶階段需要集中散熱，更利于所述多晶硅原料成型為晶塊。
[0024] 所述爐體10包括相對(duì)設(shè)置的上爐體11和下爐體12。所述上爐體11和所述下爐 體12之間形成收容腔10a。所述收容腔10a內(nèi)收容所述隔熱籠20。具體的，所述下爐體12 呈圓桶狀，所述下爐體12固定于固定架上（未圖示）。所述下爐體12開口端堅(jiān)直朝上。本 實(shí)施方式中，所述下爐體12遠(yuǎn)離所述上爐體11的內(nèi)側(cè)底端固定連接兩根支撐柱12a。所述 兩根支撐柱12a沿堅(jiān)直方向延伸，所述兩根支撐柱12a穿過所述隔熱籠20,并支撐所述石墨 導(dǎo)熱塊30。當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，還可以是所述下爐體底端設(shè)置一根支撐柱支撐所述石 墨導(dǎo)熱塊。所述上爐體11呈圓桶狀，所述上爐體11開口端朝向所述下爐體12,所述上爐體 11開口端固定連接所述爐體12開口端，本實(shí)施方中，所述上爐體11和爐體12開口端設(shè)置 相對(duì)應(yīng)的螺釘孔，所述上爐體11和下爐體12螺釘連接，當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，上爐體和 下爐體還可以是卡合連接。所述上爐體11遠(yuǎn)離所述下爐體12的內(nèi)側(cè)頂端設(shè)置一吊柱11a 和兩根滑桿lib。具體的，所述吊柱11a沿堅(jiān)直方向延伸，所述吊柱11a-端固定于所述上 爐體11頂端，另一端11a穿過所述隔熱籠20,并固定連接所述隔熱籠20。所述吊柱11a內(nèi) 設(shè)置通氣孔ll〇a，使得所述隔熱籠20內(nèi)坩堝40的蒸汽排出爐體10外。所述通氣孔110a 沿所述吊柱11a長(zhǎng)度方向從所述爐體10外側(cè)延伸至所述坩堝40內(nèi)。所述兩根滑桿lib沿 堅(jiān)直方向延伸，所述兩根滑桿lib-端固定連接所述隔熱籠20,另一端滑動(dòng)設(shè)置于所述上 爐體11頂端。
[0025] 所述隔熱籠20包括頂保溫板21、底保溫板22和側(cè)保溫板23。所述側(cè)保溫板23固 定連接所述滑桿11b，所述頂保溫板21固定連接所述吊柱11a，所述底保溫板22固定連接 所述支撐柱12a。具體的，所述隔熱籠20呈方形盒體，當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，所述隔熱籠 還可以是呈圓柱形盒體。本實(shí)施例中，所述側(cè)保溫板23呈筒狀，且所述側(cè)保溫板23內(nèi)側(cè)收 容所述石墨導(dǎo)熱塊30和所述坩堝40,所述側(cè)保溫板23包括相對(duì)設(shè)置的上開口端231和下 口端232。所述上開口端231端面焊接所述兩根滑桿lib遠(yuǎn)離所述上爐體11 一端，使得所 述兩根滑桿lib可以帶動(dòng)所述側(cè)保溫板23相對(duì)所述上爐體11頂端沿堅(jiān)直方向滑動(dòng)。所述 下開口端232內(nèi)側(cè)壁沿堅(jiān)直方向延伸至所述上開口端231處，當(dāng)所述隔熱籠20需要對(duì)所述 坩堝40散熱時(shí)，所述隔熱籠20內(nèi)側(cè)熱量從所述下開口端232散發(fā)，由于所述下開口端232 內(nèi)口徑?jīng)]有階梯設(shè)置，所以使得所述隔熱籠20上的下開口端232對(duì)所述坩堝40的散熱區(qū) 域加大。
[0026] 所述頂保溫板21為方形板件，所述頂保溫板21設(shè)置于所述上開口端231內(nèi)，并且 當(dāng)所述隔熱籠20需要對(duì)所述坩堝40保溫時(shí)，所述頂保溫板21封蓋所述上開口端231 ;當(dāng) 所述隔熱籠20需要散熱時(shí)，所述頂保溫板21收容于所述隔熱籠20內(nèi)。具體的，所述吊柱 11a穿過所述頂保溫板21，并固定連接所述頂保溫板21，使得所述頂保溫板21與所述上開 口端231相對(duì)設(shè)置，用以封蓋所述上開口端232。
[0027] 所述底保溫板22為方形板件。所述底保溫板22固定連接所述下爐體12底端，所 述支撐柱12a穿過所述底保溫板22。當(dāng)所述隔熱籠20內(nèi)需要保溫時(shí)，所述底保溫板22封 蓋所述下開口端232 ;當(dāng)所述隔熱籠20內(nèi)需要散熱時(shí)，所述底保溫板22位于所述隔熱籠20 外側(cè)，并遠(yuǎn)離所述下開口端232。本實(shí)施方式中，所述底保溫板22周緣設(shè)置臺(tái)階，所述臺(tái)階 與所述下開口端232的端面和內(nèi)側(cè)面相配合，當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，還可以是所述底保 溫板收容于所述下開口端內(nèi)，所述底保溫板周緣與所述下開口端內(nèi)側(cè)面間隙配合。當(dāng)所述 隔熱籠20內(nèi)需要散熱時(shí)，所述側(cè)保溫板23沿堅(jiān)直方向上升，所述底保溫板22位于所述下 開口端232外側(cè)，所述側(cè)保溫板23內(nèi)熱量從所述下開口端232散出。從而使得所述隔熱籠 20內(nèi)的坩堝40中心散熱和邊緣散熱達(dá)到均勻。
[0028] 所述石墨導(dǎo)熱塊30收容于所述隔熱籠20,所述坩堝40放置于所述石墨導(dǎo)熱塊30 遠(yuǎn)離所述底保溫板22 -側(cè)，方便所述坩堝40在需要散熱時(shí)，更好的傳導(dǎo)熱量。具體的，所 述石墨導(dǎo)熱塊30為矩形塊，所述石墨導(dǎo)熱塊30橫截面水平設(shè)置。所述石墨導(dǎo)熱塊30靠近 所述底保溫板22 -側(cè)固定連接所述兩根支撐柱12a，即所述石墨導(dǎo)熱塊30與所述下爐體 12底端之間固定連接所述兩根支撐柱12a。所述石墨導(dǎo)熱塊30周緣設(shè)置臺(tái)階，所述臺(tái)階固 定連接一隔熱條31，所述隔熱條31遠(yuǎn)離所述石墨導(dǎo)熱塊30 -端與所述側(cè)保溫板23內(nèi)側(cè)間 隙配合，使得所述隔熱條31將所述隔熱籠20內(nèi)側(cè)區(qū)分為高溫腔31a和散熱腔31b。所述高 溫腔31a位于所述石墨導(dǎo)熱塊30與所述上開口端231之間，所述散熱腔31b位于所述石墨 導(dǎo)熱塊30與所述下開口端232之間。當(dāng)所述多晶硅原料進(jìn)行晶塊成型時(shí)，保溫階段需要集 中受熱，即所述隔熱籠20內(nèi)需要保溫，所述頂板保溫板21封蓋所述上開口端231，使得所述 高溫腔31a形成密閉空間，能夠?qū)λ鲔釄?0集中加熱，使得所述多晶硅原料均勻受熱熔 化。而在長(zhǎng)晶階段需要集中散熱時(shí)，所述隔熱籠20內(nèi)需要集中散熱，所述底保溫板22遠(yuǎn)離 所述散熱腔31b，使得所述散熱腔31b內(nèi)側(cè)熱量從所述下開口端232散發(fā)。
[0029] 本實(shí)施方式中，所述隔熱條31為矩形環(huán)狀板件。所述隔熱條31靠近所述石墨導(dǎo) 熱塊30 -端設(shè)置插槽，所述插槽內(nèi)插有卡片，所述卡片螺釘連接于所述石墨導(dǎo)熱塊30周緣 的臺(tái)階上。當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，還可以是所述石墨導(dǎo)熱塊周緣設(shè)置插槽，所述隔熱條 插入所述插槽內(nèi)。本實(shí)施方式中，所述隔熱條材質(zhì)為炭氈，當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，所述隔 熱條材質(zhì)還可以是聚酰胺。
[0030] 所述坩堝40放置于所述石墨導(dǎo)熱塊30上，收容于所述高溫腔31a內(nèi)。本實(shí)施方 式中，所述坩堝40材質(zhì)為石英材質(zhì)，當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，所述坩堝材質(zhì)還可以是碳化 硅材質(zhì)。所述坩堝40內(nèi)用于放置多晶硅原料，當(dāng)對(duì)所述坩堝40加熱時(shí)，所述多晶硅原料熔 化，當(dāng)對(duì)所述坩堝緩慢40散熱時(shí)，所述多晶硅溶液慢慢形成晶塊，且固液界面緩慢上升，最 終形成硅塊。本實(shí)施方式中，為了使得所述坩堝40受熱均勻，所述坩堝40外側(cè)貼設(shè)石墨層， 使得所述坩堝40表面受熱量一致。當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，還可以是在所述坩堝外側(cè)設(shè) 置石墨坩堝。所述坩堝40開口端設(shè)置一蓋板40a，防止雜質(zhì)進(jìn)入所述坩堝40。同時(shí)，所述 蓋40a遠(yuǎn)離所述坩堝40 -側(cè)粘接所述吊柱11a穿過所述頂保溫板21 -端，使得所述吊柱 11a內(nèi)通氣孔110a延伸至所述坩堝40內(nèi)，當(dāng)坩堝40內(nèi)加熱時(shí)，蒸汽從所述通氣孔排至爐體 10外側(cè)。
[0031] 所述加熱器50收容于所述隔熱籠20內(nèi)，位于并且固定連接所述頂保溫板21，同時(shí) 位于所述高溫腔31a內(nèi)，使得所述高溫腔31a持續(xù)保持高溫。具體的，所述加熱器50包括 加熱板51和加熱塊52。所述加熱板52套設(shè)于所述吊柱11a穿過所述頂保溫板21 -端。 所述加熱板52相對(duì)所述坩堝40開口端設(shè)置。所述加熱塊52固定于所述加熱板周緣，并位 于所述坩堝40周側(cè)。所述加熱板51對(duì)所述坩堝40開口端加熱，所述加熱塊52對(duì)所述坩 堝40周側(cè)加熱。所述加熱器50靠近所述上爐體11 一側(cè)設(shè)置電極53,所述電極53穿過所 述頂保溫板21并延伸至所述上爐體11外側(cè)，所述電極53用于電連接外置電源。
[0032] 本實(shí)用新型提供的多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)通過所述隔熱條固定連接所述石墨導(dǎo)熱 塊，環(huán)繞于所述石墨導(dǎo)熱塊周緣，所述隔熱條用于將所述隔熱籠內(nèi)側(cè)區(qū)分為高溫腔和散熱 腔，使得所述坩堝集中受熱，并且能夠均勻散熱。實(shí)現(xiàn)了獲得更平的固液界面結(jié)構(gòu)，使得硅 晶位錯(cuò)密度低，多晶轉(zhuǎn)換效率更高。
[0033] 以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù) 人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn) 飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種多晶娃鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包括： 爐體，包括開口相對(duì)設(shè)置的上爐體和下爐體，所述上爐體和下爐體之間形成收容腔； 隔熱籠，收容于所述收容腔內(nèi)，所述隔熱籠包括頂保溫板、底保溫板和側(cè)保溫板，所述 側(cè)保溫板包括相對(duì)設(shè)置的上開口端和下開口端，所述上爐體的頂端滑動(dòng)裝設(shè)有滑桿，所述 滑桿一端與所述上開口端固定連接且所述頂保溫板相對(duì)上開口端位置固定于所述上爐體 的頂端，所述底保溫板相對(duì)上開口端位置固定于所述下爐體的底端，當(dāng)所述滑桿滑動(dòng)時(shí)，所 述側(cè)保溫板沿堅(jiān)直方向相對(duì)所述上爐體頂端上下滑動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)所述頂保溫板封蓋所述上開 口端，所述底保溫板封蓋所述下開口端； 石墨導(dǎo)熱塊，收容于所述隔熱籠內(nèi)并與所述底保溫板固定連接，所述石墨導(dǎo)熱塊周緣 固定連接有隔熱條，所述隔熱條遠(yuǎn)離所述石墨導(dǎo)熱塊一端與所述側(cè)保溫板內(nèi)側(cè)間隙配合， 所述隔熱條用于將所述隔熱籠內(nèi)側(cè)區(qū)分為高溫腔和散熱腔，所述高溫腔位于所述石墨導(dǎo)熱 塊與所述上開口端之間，所述散熱腔位于所述石墨導(dǎo)熱塊與所述下開口端之間； 加熱器，收容于所述隔熱籠內(nèi)，固定連接所述頂保溫板，位于所述高溫腔內(nèi)，并設(shè)置于 坩堝外側(cè)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述下開口端內(nèi)側(cè)壁沿 堅(jiān)直方向延伸至所述上開口端，當(dāng)所述隔熱籠內(nèi)需要散熱時(shí)，所述底保溫板遠(yuǎn)離所述散熱 腔，所述散熱腔內(nèi)側(cè)從所述下開口端散發(fā)熱量。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述石墨導(dǎo)熱塊周緣向 所述隔熱籠內(nèi)壁延伸一卡片，所述隔熱條靠近所述石墨導(dǎo)熱塊一端設(shè)置插槽，所述卡片插 入所述插槽內(nèi)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔熱條材質(zhì)為炭氈。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述石墨導(dǎo)熱塊上放置 坩堝，所述坩堝用于盛放多晶硅原料，所述坩堝材質(zhì)為石英。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上爐體頂端設(shè)置有 吊柱，所述吊柱沿堅(jiān)直方向延伸，所述吊柱穿過所述頂保溫板，并固定連接所述頂保溫板， 所述加熱器固定連接于所述吊柱穿過所述頂保溫板一端，所述加熱器靠近所述上爐體一側(cè) 設(shè)置電極，所述電極穿過所述頂保溫板延伸至所述上爐體外側(cè)，所述電極用于電連接外置 電源。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述吊柱內(nèi)設(shè)置通氣孔， 所述通氣孔沿所述吊柱長(zhǎng)度方向從所述爐體外側(cè)延伸至所述坩堝內(nèi)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述加熱器包括加熱板 和加熱塊，所述加熱板固定于所述吊柱上，并相對(duì)所述坩堝開口端設(shè)置，所述加熱塊固定于 所述加熱板周緣，位于所述坩堝周側(cè)和所述隔熱籠內(nèi)壁之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述坩堝開口端設(shè)置有 蓋板，所述蓋板封蓋所述坩堝開口端，所述蓋板遠(yuǎn)離所述坩堝一側(cè)固定連接于所述吊柱。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述下爐體底端與所述 石墨導(dǎo)熱塊之間固定連接兩根支撐柱，所述兩根支撐柱穿過所述底保溫板。
【文檔編號(hào)】C30B29/06GK203999908SQ201420158038
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年4月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月2日
【發(fā)明者】何亮, 李松林, 胡動(dòng)力, 周成, 雷琦, 陳紅榮 申請(qǐng)人:江西賽維Ldk太陽能高科技有限公司