電路模塊及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠提高屏蔽形狀的設(shè)計靈活性、保護受到激光束照射的基板上的布線、確保布線層與屏蔽之間的電連接的電路模塊。本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電路模塊(100)具備布線基板(2)、多個電子部件(3)、封裝層(4)和導(dǎo)電屏蔽(5)。布線基板(2)具有包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的安裝面(2a)，以及沿著安裝面(2a)的第一區(qū)域和第二區(qū)域的邊界形成的、最表層用Au或Ag構(gòu)成的導(dǎo)體圖案(10)。封裝層(4)覆蓋多個電子部件(3)，用絕緣材料構(gòu)成，且具有沿上述邊界形成的槽部(41)，其深度能夠露出上述導(dǎo)體圖案的最表層的至少一部分。導(dǎo)電屏蔽(5)具有覆蓋封裝層(4)的外表面的第一屏蔽部(51)，以及設(shè)置在槽部(41)上的、與導(dǎo)體圖案(10)電連接的第二屏蔽部(52)。
【專利說明】電路模塊及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具有電磁屏蔽功能的電路模塊及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在基板上安裝有多個電子部件、被裝載在各種電子設(shè)備上的電路模塊為人們所知。一般在這樣的電路模塊中，采用如下結(jié)構(gòu):具有防止電磁波向模塊外部泄漏以及來自外部的電磁波侵入的電磁屏蔽功能。
[0003]進一步，隨著安裝在電路模塊內(nèi)的電子部件的多樣化、高性能化，也提出了各種用于防止這些多個電子部件之間的電磁干擾的方法。例如，在專利文獻I中記載了如下電路模塊:在基板上的兩個電子部件之間形成貫穿模具樹脂層到達電路基板的縫隙，在狹縫內(nèi)填充有導(dǎo)電樹脂。另外，在專利文獻2中，記載了如下模塊:通過安裝在電路基板上的多個導(dǎo)體部件而形成，或者，在形成在模具樹脂的槽中填充導(dǎo)體膏或?qū)w涂料形成電路塊之間的屏蔽導(dǎo)體壁。
[0004]專利文獻1:日本特開2010-225620號公報
[0005]專利文獻2:日本特開2012-019091號公報
[0006]然而，對于專利文獻I所記載的結(jié)構(gòu)，由于采用切割法形成了貫穿模具樹脂層的縫隙，因此，狹縫的形狀被限定為直線形，而不能形成彎曲的或者產(chǎn)生分支的縫隙。內(nèi)部屏蔽的形狀受到了限制，則部件的安裝布局也受到限制。進一步，由于在切割法中，不能高精度地控制縫隙的深度，因此縫隙的底部和縫隙正下方的布線層的電接觸就變得困難。
[0007]另一方面，在專利文獻2所記載的結(jié)構(gòu)中，由于通過安裝在電路基板上的多個導(dǎo)體部件來構(gòu)成屏蔽導(dǎo)體壁，因此不能抑制由于部件數(shù)量以及安裝工時的增加所導(dǎo)致的生產(chǎn)成本的上升。
[0008]而且，在專利文獻2中記載了通過激光加工模具樹脂來形成用于填充導(dǎo)體膏或?qū)w涂料的槽。在此方法中，通過調(diào)整激光束的強度來形成上述槽，但是，無法避免激光束強度過高對基板上的布線所造成的破壞，無法保證激光束強度過低而使得模具樹脂的加工效率低下的生產(chǎn)率，存在難以設(shè)置最適合的激光強度的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]鑒于如上所述的情況，本發(fā)明的目的是提供一種能夠提高屏蔽形狀的設(shè)計靈活性，保護被激光束照射的基板上的布線，確保布線層和屏蔽之間的電連接的電路模塊及其制造方法。
[0010]為了達成上述目的，本發(fā)明的一個方式所涉及的電路模塊具備布線基板、多個電子部件、封裝層和導(dǎo)電屏蔽。
[0011]上述布線基板具有包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的安裝面，以及沿著上述安裝面的第一區(qū)域和第二區(qū)域的邊界形成的、最表層用Au或Ag構(gòu)成的導(dǎo)體圖案。
[0012]上述多個電子部件被安裝在上述第一區(qū)域和上述第二區(qū)域上。
[0013]上述封裝層覆蓋上述多個電子部件，用絕緣材料構(gòu)成，具有沿著上述邊界形成的槽部，其深度能夠露出上述導(dǎo)體圖案的最表層的至少一部分。
[0014]上述導(dǎo)電屏蔽具有覆蓋上述封裝層的外表面的第一屏蔽部，以及設(shè)置在上述槽部上的、與上述導(dǎo)體圖案電連接的第二屏蔽部。
[0015]另外，本發(fā)明的一個方式所涉及的電路模塊的制造方法包含:準備布線基板，形成沿著安裝面上的第一區(qū)域和第二區(qū)域的邊界形成的、與安裝面相對側(cè)的端子面電連接的導(dǎo)體圖案。
[0016]在上述導(dǎo)體圖案的表面上形成Au或Ag層。
[0017]在上述第一區(qū)域和上述第二區(qū)域上安裝多個電子部件。
[0018]在上述安裝面上形成覆蓋上述多個電子部件、用絕緣材料構(gòu)成的封裝層。
[0019]通過在上述封裝層的表面上用激光束照射，在上述封裝層上沿著上述邊界形成槽部，其深度能夠露出上述導(dǎo)體圖案的最表層的至少一部分。
[0020]在上述槽部內(nèi)填充導(dǎo)電樹脂，通過用導(dǎo)電樹脂覆蓋上述封裝層的外表面來形成導(dǎo)電屏蔽。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是本發(fā)明的實施方式所涉及的電路模塊的平面圖。
[0022]圖2是沿圖1的[A]_[A]線方向的剖面圖。
[0023]圖3是上述電路模塊的主要部分的放大剖面圖。
[0024]圖4是上述電路模塊的制造方法的說明圖。
[0025]圖5是上述電路模塊的制造方法的說明圖，(A)是示出電子部件的配置工序的平面圖，(B)是其主要部分的剖面圖。
[0026]圖6是上述電路模塊的制造方法的說明圖，(A)是示出封裝層的形成工序的平面圖，(B)是其主要部分的剖面圖。
[0027]圖7是上述電路模塊的制造方法的說明圖，㈧是示出半切工序的平面圖，⑶是其主要部分的剖面圖。
[0028]圖8是上述電路模塊的制造方法的說明圖，(A)是示出槽部的形成工序的平面圖，(B)是其主要部分的剖面圖。
[0029]圖9是上述電路模塊的制造方法的說明圖，(A)是示出導(dǎo)電屏蔽的形成工序的平面圖，(B)是其主要部分的剖面圖。
[0030]圖10上述電路模塊的制造方法的說明圖，(A)是示出單片化工序的平面圖，⑶是其主要部分的剖面圖。
[0031]附圖符號的說明
[0032]2:布線基板;3(31?33):電子部件；4:封裝層；5:導(dǎo)電屏蔽；6:保護層；10:導(dǎo)體圖案；11:第一金屬層;12:第二金屬層；13:第三金屬層；41:槽部；51:第一屏蔽部；52:第二屏蔽部；100:電路模塊。

【具體實施方式】
[0033]本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電路模塊具備布線基板、多個電子部件、封裝層和導(dǎo)電屏蔽。
[0034]上述布線基板具有包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的安裝面，以及沿著上述安裝面的第一區(qū)域和第二區(qū)域的邊界形成的、最表層用Au或Ag構(gòu)成的導(dǎo)體圖案。
[0035]上述多個電子部件被安裝在上述第一區(qū)域和上述第二區(qū)域上。
[0036]上述封裝層覆蓋上述多個電子部件，并用絕緣材料構(gòu)成，具有沿著上述邊界形成的槽部，其深度能夠露出上述導(dǎo)體圖案的最表層的至少一部分。
[0037]上述導(dǎo)電屏蔽具有覆蓋上述封裝層的外表面的第一屏蔽部，以及設(shè)置在上述槽部上的、與上述導(dǎo)體圖案電連接的第二屏蔽部。
[0038]由于上述導(dǎo)體圖案的最表層用Au(金)或Ag(銀)構(gòu)成，因此相比Cu等其他金屬，對例如Nd = YAG激光(波長為1064nm)等的激光束具有高反射率特性。因此，在使用上述激光束形成樹脂層的槽部時，能夠有效地保護導(dǎo)體圖案，防止由激光束的照射對導(dǎo)體圖案造成的燒損或切斷。據(jù)此，在確保導(dǎo)體圖案和設(shè)置在槽部的第二屏蔽部的電連接的同時，能夠形成任意形狀的槽部以提高屏蔽形狀的設(shè)計靈活性。
[0039]上述布線基板進一步可以具有配置在上述安裝面相對側(cè)的、且與上述導(dǎo)體圖案電連接的端子面。
[0040]據(jù)此，由于能夠?qū)?dǎo)體圖案介由電子設(shè)備的控制基板連接到接地電位，因此能夠提高第二屏蔽部的屏蔽特性。
[0041]上述布線基板上可以具有覆蓋安裝面的絕緣的保護層，其具有露出導(dǎo)體圖案的最表層的至少一部分的開口部。
[0042]據(jù)此，能夠容易地在導(dǎo)體圖案的表面上形成Au或Ag層。進一步，能夠通過上述保護層提高封裝層與安裝面的密著性。
[0043]上述導(dǎo)體圖案可以用由Au或Ag構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)來形成，也可以用兩種以上的金屬的層疊體構(gòu)成。典型的，導(dǎo)體圖案包含用Cu(銅)構(gòu)成的第一金屬層，以及形成在上述第一金屬層的表面上的、用Au或Ag構(gòu)成的第二金屬層。據(jù)此，在能夠形成比較低廉的布線基板的同時，也能夠在必要區(qū)域有選擇地形成Au或Ag層。
[0044]上述導(dǎo)體圖案可以在上述第一金屬層和上述第二金屬層之間配置第三金屬層，其用比Cu的熔點高的金屬材料構(gòu)成。
[0045]據(jù)此，可以提高導(dǎo)體圖案的耐熱性，即使在由于激光束的照射燒損上述第二金屬層的情況下，上述第三金屬層也能夠保護上述第一金屬層。
[0046]第二屏蔽部可以為填充至上述槽部內(nèi)的導(dǎo)電樹脂的硬化物，也可以是沉積在上述槽部的內(nèi)壁上的鍍膜或濺射膜。
[0047]作為激光束，可以采用氣體激光、固體激光、半導(dǎo)體激光等作為加工用的激光的各種激光束，由于Au或Ag相比其他金屬具有高反射率特性和低吸收率特性，因此優(yōu)選為波長(例如500nm以上)激光束，典型的，可以采用Nd: YAG激光、Nd: YVO4激光、CO2激光等。據(jù)此，在確實地保護導(dǎo)體圖案的同時，能夠形成任意形狀的槽部。進一步，通過使用相對長波長的激光束能夠降低上述各金屬層對激光束的吸收，減少由于激光束的照射對上述各金屬層造成的破壞。
[0048]本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電路模塊的制造方法包含:準備布線基板，在包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的安裝面上形成沿著上述安裝面上的第一區(qū)域和第二區(qū)域的邊界形成的、與安裝面相對側(cè)的端子面電連接的導(dǎo)體圖案。
[0049]在上述導(dǎo)體圖案的表面上形成Au或Ag層。
[0050]在上述第一區(qū)域和上述第二區(qū)域上安裝多個電子部件。
[0051]在上述安裝面上形成覆蓋上述多個電子部件、用絕緣材料構(gòu)成的封裝層。
[0052]通過在上述封裝層的表面上用激光束照射，在上述封裝層上沿著上述邊界形成槽部，其深度能夠露出上述導(dǎo)體圖案的最表層的至少一部分。
[0053]在上述槽部內(nèi)填充導(dǎo)電樹脂，通過用導(dǎo)電樹脂覆蓋上述封裝層的外表面來形成導(dǎo)電屏蔽。
[0054]在形成上述Au或Ag層的工序中，例如可以在上述安裝面上形成絕緣的保護層，其具有露出上述導(dǎo)體圖案的最表層的至少一部分的開口部，并將上述保護層作為掩膜以形成Au或Ag層。
[0055]據(jù)此，能夠容易地在導(dǎo)體圖案的表面上形成Au或Ag層。進而，通過上述保護層能夠提高封裝層與安裝面的密著性。
[0056]在形成上述槽部的工序中，例如可以在上述封裝層的表面上通過照射Nd-YAG激光束來形成槽部。據(jù)此，在確實地保護導(dǎo)體圖案的同時，能夠形成任意形狀的槽部，進而，通過使用相對長波長的激光束能夠降低上述各金屬層對激光束的吸收，減少由于激光束的照射對上述各金屬造成的破壞。
[0057]根據(jù)上述電路模塊的制造方法，由于采用激光加工法形成槽部，相比用例如切割法形成槽部的情況，能夠形成任意形狀的槽部。據(jù)此，能夠提高屏蔽形狀的設(shè)計靈活性。另夕卜，由于在溝槽的形成區(qū)域的最表層上設(shè)置了 Au或Ag層，因此能夠保護形成在布線基板及其表面上的導(dǎo)體圖案免受激光束照射的損害。
[0058]以下，一邊參考附圖，一邊來說明本發(fā)明的實施方式。
[0059]圖1?3是示出本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電路模塊的圖，圖1是俯視圖，圖2是沿圖1的[A]-[A]線方向的剖面圖，以及圖3是圖2的放大剖面圖。
[0060]另外，在各個圖中，X、Y以及Z的各軸表示相互正交的三軸方向，其中，Z軸方向?qū)?yīng)電路模塊的厚度方向。而且，為了容易理解，各部分的結(jié)構(gòu)被夸大顯示，在各個圖中，部件的大小及部件間的大小比例不一定對應(yīng)。
[0061](電路模塊的結(jié)構(gòu))
[0062]本實施方式所涉及的電路模塊100具有布線基板2、多個電子部件3 (31?33)、封裝層4和導(dǎo)電屏蔽5。
[0063]電路模塊100整體被構(gòu)成為大致長方體形狀。大小未被特別限定，例如可以為沿著X軸方向以及Y軸方向的、邊長分別為1mm?50mm的形狀,在本實施方式中為每邊為大約35mm的大致正方形。而且，厚度也未被特別限定，例如為Imm?3mm,在本實施例中為大約 2mm。
[0064]對于電路模塊100，在布線基板2上配置多個電子部件3，形成覆蓋這些電子部件的封裝層4以及導(dǎo)電屏蔽5。以下，對電路模塊100的各部分結(jié)構(gòu)進行說明。
[0065](布線基板)
[0066]布線基板2，例如具有與電路模塊100整體的尺寸相同的大致正方形的安裝面2a以及在其相反側(cè)的端子面2b，并用厚度為例如約0.4mm的玻璃環(huán)氧類多層布線基板構(gòu)成。構(gòu)成布線基板2的絕緣層的材料不限于上述玻璃環(huán)氧類材料，也可以采用例如絕緣陶瓷材料等。
[0067]布線基板2的布線層，典型的用Cu等導(dǎo)電材料構(gòu)成，并分別配置在布線基板2的表面、里面以及內(nèi)層部。通過將上述布線層分別被圖案化為規(guī)定形狀，分別構(gòu)成了配置在安裝面2a上的上層布線圖案23a、配置在端子面2b上的下層布線圖案23b，以及，配置在它們之間的內(nèi)層布線圖案23c。上層布線圖案23a包含用于安裝電子部件3的焊盤部，及與第二屏蔽部52 (導(dǎo)電屏蔽5)連接的導(dǎo)體圖案10。下層布線圖案23b包含外部連接端子，其與安裝有電路模塊100的電子設(shè)備的控制基板(圖示省略)連接。上述布線層的各層分別介由通孔(via)導(dǎo)體23v相互電連接。
[0068]另外，上述布線層包含與接地(GND)電位連接的第一 GND端子24a以及第二 GND端子24b。第一 GND端子24a與形成在布線基板2的上面周緣部的段差部2c鄰接配置，并與配置在段差部2c上的第一屏蔽部51 (導(dǎo)電屏蔽5)的內(nèi)面連接。第一 GND端子24a可以形成為上層布線圖案23a的一部分，也可以形成為內(nèi)層布線圖案23c的一部分。
[0069]第二 GND端子24b介由內(nèi)層布線圖案23c與第一 GND端子24a連接。第二 GND端子24b形成為下層布線圖案23b的一部分，并與上述控制基板的接地布線連接。
[0070]安裝面2a被第二屏蔽部52(導(dǎo)電屏蔽5)區(qū)劃為多個區(qū)域，在本實施方式中具有第一區(qū)域2A、第二區(qū)域2B和第三區(qū)域2C。雖然，在圖示的例子中，第一至第三區(qū)域2A?2C被形成為各自大小、形狀不同的矩形形狀，但是還可以形成為三角形形狀或五角形及五角以上的其他多角形形狀，進一步也可以形成為圓形形狀、橢圓形形狀的任意幾何形狀。另夕卜，在安裝面2a上區(qū)劃的區(qū)域數(shù)量不限于上述三個，可以為2個或4個以上。
[0071]導(dǎo)體圖案10具有下層的第一金屬層11、最表層的第二金屬層12和配置在其間的第三金屬層，且導(dǎo)體圖案10沿著上述安裝面2a上的各個區(qū)域的邊界形成，與屏蔽部52電連接。
[0072]第一金屬層11構(gòu)成上層布線圖案23a的一部分,典型的用Cu構(gòu)成。第一金屬層11的厚度未被特別限制，可以具有例如ΙΟμπι?15 μ m的厚度。第一金屬層11介由通孔導(dǎo)體23v以及內(nèi)層布線部23c與端子面2b上的第二 GND端子24b連接。
[0073]第二金屬層12用Au或Ag構(gòu)成，在本實施方式中用Au構(gòu)成。第二金屬層12的厚度未被特別限制，形成的厚度能夠保護第一金屬層11免受后述槽部41的加工用激光所造成的損傷，例如為I μ m?10 μ m。
[0074]第三金屬層13用具有比第一金屬層11的熔點高的金屬材料構(gòu)成，例如在第一金屬層11是Cu時，可以例舉有Ni (鎳)、Ti (鈦)、Cr (鉻)等。第三金屬層13的厚度也未被特別限定，例如為Iym?10 μ m。第三金屬層13在提高導(dǎo)體圖案10的耐熱性的同時，具有在第二金屬層12被上述加工用激光照射后燒損的情況下，保護受到激光束照射的第一金屬層11的功能。另外，第三金屬層13可以根據(jù)需要而省略。
[0075]第二金屬層12以及第三金屬層13可以用通過將絕緣的保護層6 (參照圖3)作為掩膜而形成的鍍膜或濺射膜構(gòu)成，其中，保護層6具有露出第一金屬層11的至少一部分的開口部。
[0076](電子部件)
[0077]多個電子部件3分別被安裝在安裝面2a上的第一、第二以及第三區(qū)域2A?2C上。典型的，作為多個電子部件3可以包含集成電路(IC)、電容器、電感、電阻、晶體振蕩器、雙工器、過濾器、功率放大器等各種部件。
[0078]在這些部件中，包含工作時向周圍產(chǎn)生電磁波的部件，及易受到該電磁波影響的部件。典型的，這些部件被安裝在通過第二屏蔽部52(導(dǎo)電屏蔽5)隔開的相互不同的區(qū)域上。以下，將安裝在第一區(qū)域2A上的一個或多個電子部件3也稱作電子部件31，將安裝在第二區(qū)域2B上的一個或多個電子部件3也稱作電子部件32。以及，將安裝在第三區(qū)域2C上的一個或多個電子部件3也稱作電子部件33。
[0079]典型的，多個電子部件3通過焊錫、粘合劑、各向異性粘結(jié)片、接合線等被分別安裝在安裝面2a上。
[0080](封裝層)
[0081]封裝層4覆蓋多個電子部件31、32，形成在安裝面2a上，用絕緣材料構(gòu)成。封裝層4被第二屏蔽部52分割在第一區(qū)域2A側(cè)、第二區(qū)域2B側(cè)和第三區(qū)域2C側(cè)。在實施方式中，封裝層4用例如添加了二氧化硅、氧化鋁的環(huán)氧樹脂等絕緣材料構(gòu)成。封裝層4的形成方法未被特別限定，例如通過模具成型法來形成。
[0082]封裝層4具有沿著第一區(qū)域2A、第二區(qū)域2B和第三區(qū)域2C的邊界形成的槽部41。槽部41從封裝層4的上面沿著Z軸方向以規(guī)定深度而形成。雖然在本實施方式中，槽部41，典型的，其底面以到達配置在安裝面2a上的導(dǎo)體圖案10的第二金屬層12的深度而形成，但是以上述底面的至少一部分到達第二金屬層12的深度而形成即可。
[0083]槽部41的形成方法未被特別限定，在本實施方式中通過激光加工技術(shù)來形成槽部41。加工用激光未被特別限定，在本實施方式中，使用Nd:YAG激光(波長為1064nm)。
[0084](導(dǎo)電屏蔽)
[0085]導(dǎo)電屏蔽5具有第一屏蔽部51和第二屏蔽部52。第一屏蔽部51被構(gòu)成為覆蓋封裝層4的外表面(包含封裝層4的上面以及側(cè)面的表面，下同)，發(fā)揮作為電路模塊100的外裝屏蔽的功能。第二屏蔽部52被設(shè)置在封裝層4的槽部41上，發(fā)揮作為電路模塊100的內(nèi)裝屏蔽的功能。
[0086]導(dǎo)電屏蔽5由填充至封裝層4的外表面以及槽部41的內(nèi)部的導(dǎo)電樹脂材料的硬化物構(gòu)成，更具體地，采用例如添加了 Ag、Cu等的導(dǎo)電粒子的環(huán)氧樹脂?；蛘撸瑢?dǎo)電屏蔽5可以為沉積在封裝層4的外表面以及槽部41的內(nèi)壁上的鍍膜或濺射膜。
[0087]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，第一屏蔽部51以及第二屏蔽部52能夠在同一工序中形成。而且，第一屏蔽部51和第二屏蔽部52能夠形成為一體。
[0088](電路模塊的制造方法)
[0089]下面，對本實施方式的電路模塊100的制造方法進行說明。
[0090]圖4?10為電路模塊100的制造方法的說明圖。而且，在圖5?10的各個圖中，(A)是俯視圖，(B)是從X軸方向看的主要部分的剖面圖。本實施方式所涉及的電路模塊的制造方法具有集合基板的準備工序、電子部件的安裝工序、封裝層的形成工序、半切工序、槽部的形成工序、導(dǎo)電屏蔽的形成工序和裁斷工序。以下對各個工序進行說明。
[0091](集合基板的準備工序)
[0092]圖4是示意性地示出集合基板25的結(jié)構(gòu)的俯視圖。集合基板25用排版了多塊布線基板2的大面積基板構(gòu)成。圖4中示出了區(qū)劃多個布線基板2的分離線L。此分離線L可以是虛擬的線，也可以是在集合基板25上通過實際印刷等描繪的線。
[0093]另外，在圖示的例子中，雖然顯示的是將一塊集合基板25上切成四塊布線基板2，但是切出的布線基板2的塊數(shù)未被特別限定。例如，作為集合基板25，在使用四邊約為150mm的大致正方形構(gòu)成的基板時，在X軸方向以及Y軸方向上分別排列四個、共計16個四邊約35mm的布線基板2。而且,作為集合基板25,典型的,可以采用每邊為大約10mm?200mm的矩形形狀的基板。
[0094]在集合基板25上，經(jīng)過后述的各個工序直到形成導(dǎo)電屏蔽5，在最后的裁斷工序中通過沿分離線L裁斷(全切)，從一塊集合基板25中制作出多個電路模塊100。而且，雖然未圖示，但在集合基板25的內(nèi)部，在構(gòu)成布線基板2的各個區(qū)域中，形成了規(guī)定的布線圖案。
[0095]在布線基板2上的各個區(qū)域的邊界上，形成由第一金屬層11、第二金屬層12和第三金屬層13構(gòu)成的導(dǎo)體圖案10。導(dǎo)體圖案10的第二金屬層12以及第三金屬層13的形成方法未被特別限定，可以采用電鍍法或濺射法等真空成膜方法。
[0096]在本實施方式中，導(dǎo)體圖案10的第二金屬層12以及第三金屬層13是通過將如圖3所示的絕緣的保護層6用作掩膜來形成的。首先，在布線基板2的安裝面2a上，涂布覆蓋第一金屬層11(上層布線圖案23a)的抗蝕刻材料，通過將抗蝕刻材料圖案化為規(guī)定形狀以形成保護層6。接著，將保護層6作為掩膜，在第一金屬層11的表面上，通過電解電鍍法等按順序形成第三金屬層13以及第二金屬層12。
[0097](電子部件的安裝工序)
[0098]圖5(A)、(B)是電子部件3(31?33)的安裝工序的說明圖，示出了在集合基板25 (布線基板2)上的電子部件31?33的配置形態(tài)。
[0099]在本工序中，多個電子部件31?33被分別安裝在各安裝面2a上的第一區(qū)域2A、第二區(qū)域2B和第三區(qū)域2C上。作為電子部件31?33的安裝方法，例如可以采用回流焊方式。具體地，首先，通過絲網(wǎng)印刷法等將焊料膏涂布在安裝面2a上的規(guī)定的焊盤部上，其次，介由焊料膏將多個電子部件31?33分別裝載在規(guī)定的焊盤部上。之后，將裝載了電子部件31?33的集合基板25裝入至回流焊爐中，通過對焊料膏進行回流焊，將各電子部件31?33電性、機械性地接合到安裝面2a上。
[0100](封裝層的形成工序)
[0101]圖6(A)、(B)為封裝層4的形成工序的說明圖，示出了封裝層4在安裝面2a上形成的形態(tài)。
[0102]封裝層4覆蓋多個電子部件31?33，形成在集合基板25的安裝面2a上。封裝層4的形成方法未被特別限定，可以采用例如使用模型的模具成型法、不使用模型的灌封成型法等。而且，在通過旋涂法、絲網(wǎng)印刷法將液態(tài)或膏狀的封裝樹脂材料涂布在安裝面2a上之后，可以施行熱處理以使封裝樹脂材料硬化。
[0103](半切工序)
[0104]圖7(A)、(B)是半切工序的說明圖。在本工序中，例如通過切片機沿著分離線L，形成切槽C，其深度為從封裝層4的上面到達集合基板25的內(nèi)部。切槽C形成了集合基板25 (布線基板2)的段差部2c。切槽C的深度未被特別限定，但是要以能夠截斷集合基板25上的GND端子24a的深度來形成切槽C。
[0105](槽部的形成工序)
[0106]圖8(A)、⑶是槽部41的形成工序的說明圖。槽部41沿著各個安裝面2a上的區(qū)域2A?2C之間的邊界形成。也就是說，槽部41具有沿著第一區(qū)域2A和第二、第三區(qū)域2B、2C的邊界形成的第一槽部41a，以及沿著第二區(qū)域2B和第三區(qū)域2C的邊界形成的第二槽部41b。
[0107]使用Nd-YAG激光形成槽部41。激光束可以是連續(xù)波也可以是脈沖波。激光光束從封裝層4的上面一側(cè)照射到第二屏蔽部52的設(shè)置區(qū)域。激光束所照射區(qū)域的樹脂材料，通過部分地熔化或蒸發(fā)而被除去。激光束，例如在封裝層4的上面以一定功率以及速度來掃描，據(jù)此形成大致均勻深度的槽部41。掃描次數(shù)不限于一次，可以重復(fù)多次。
[0108]槽部41的寬度未被特別限定，但是該寬度越小則構(gòu)成第二屏蔽部52的導(dǎo)電樹脂的可填充性就越低，該寬度越大則電子部件3的安裝區(qū)域就越狹窄且不能應(yīng)對模塊的小型化。本實施方式中，將槽部41的寬度設(shè)定在0.05mm?0.3mm的大小。
[0109]形成的槽部41，典型地，其深度形成為槽部41的底部到達安裝面2a的附近的深度。在本實施方式中，形成的槽部41的深度為到達導(dǎo)體圖案10的第二金屬層12的深度。據(jù)此，在封裝層4上沿著各區(qū)域2A?2C的邊界形成槽部41，其深度為能夠露出導(dǎo)體圖案10的第二金屬層12。此時，用對激光束的反射率比較高、吸收率比較低的Au或Ag構(gòu)成的第二金屬層12反射到達槽部41的底部的激光束。據(jù)此，可以有效地保護配置在第二金屬層12下部的第一金屬層11。
[0110]槽部41的形成次序未被特別限定，可以在第一槽部41a形成之后形成第二槽部41b，也可以在第二槽部41b形成之后形成第一槽部41a。而且，槽部41可以在半切工序之前被形成。
[0111](導(dǎo)電屏蔽的形成工序)
[0112]圖9(A)、⑶是導(dǎo)電屏蔽5的形成工序的說明圖。導(dǎo)電屏蔽5形成在封裝層4上。據(jù)此，形成了覆蓋封裝層4的外表面的第一屏蔽部51，以及設(shè)置在槽部41上的第二屏蔽部52。
[0113]在本實施方式中，通過將導(dǎo)電樹脂或?qū)щ娡苛贤坎蓟蛱畛湓诜庋b層4的表面上來形成導(dǎo)電屏蔽5。形成方法未被特別限定，可以采用例如使用模型的模具成型法、不使用模具的灌封成型法等。而且，在通過旋涂法、絲網(wǎng)印刷法將液態(tài)或膏狀的封裝樹脂材料涂布在封裝層4上之后，可以施以熱處理使封裝樹脂材料硬化。而且，為了提高槽部41的導(dǎo)電樹脂的填充效率，該工序可以在真空環(huán)境中實施。
[0114]第二屏蔽部52被填充至槽部41內(nèi)。據(jù)此，第二屏蔽部52與在槽部41的底面露出的導(dǎo)體圖案10的第二金屬層12接合。在本實施方式中，由于第一屏蔽部51和第二屏蔽部52分別用同一材料構(gòu)成，因此，能夠確保第一屏蔽部51和第二屏蔽部52之間的電導(dǎo)通和兩個屏蔽部51、52之間所期望的接合強度。
[0115]構(gòu)成第一屏蔽部51的導(dǎo)電樹脂，通過也被填充至形成在封裝層4的切槽C中，與面臨切槽C的基板2上的GND端子24a接合。據(jù)此，使得第一屏蔽部51和GND端子24a相互電氣性、機械性地連接。
[0116]可以采用電鍍法或者濺射法等的真空成膜方法來形成導(dǎo)電屏蔽5。在前者的情況下，通過將集合基板25浸潰在電鍍浴中，使得電鍍膜沉積在封裝層4的外表面以及槽部41的內(nèi)壁面上，進而形成導(dǎo)電屏蔽5。在后者的情況下，將集合基板25裝入真空室中，通過濺射由導(dǎo)電材料制成的靶子在封裝層4的外表面以及槽部41的內(nèi)壁面上沉積濺射膜，進而形成導(dǎo)電屏蔽5。在此情況下，沒有必要在槽部41的內(nèi)部填充電鍍膜或濺射膜。
[0117](裁斷工序)
[0118]圖10(A)、(B)是裁斷工序的說明圖。在本工序中，通過沿著分離線L對集合基板25進行全切，使得多個電路模塊100單片化。在進行分離時，可以使用例如切片機等。在本實施方式中，由于在切槽C內(nèi)部也填充著導(dǎo)電屏蔽5，因此在沿著分離線L進行分離時，布線基板2和導(dǎo)電屏蔽5(第一屏蔽部51)具有相同的裁斷面。據(jù)此，制作成了電路模塊100，其具備覆蓋封裝層4的表面(上面以及側(cè)面)和布線基板2的側(cè)面的一部分的導(dǎo)電屏蔽5。
[0119](本實施方式的作用)
[0120]根據(jù)以上各個工序，制造出了電路模塊100。根據(jù)本實施方式所涉及的電路模塊的制造方法，能夠制造出具備導(dǎo)電屏蔽5的電路模塊100，該導(dǎo)電屏蔽5具有防止向模塊外部泄漏電磁波以及防止來自外部的電磁波的侵入的第一屏蔽部51，以及防止模塊內(nèi)部的多個電子部件之間的電磁干擾的第二屏蔽部52。
[0121]而且，根據(jù)本實施方式，由于采用激光加工法來形成用來設(shè)置第二屏蔽部52的封裝層4的槽部41，因此，與用切割法形成該槽部的情況相比，能夠形成任意形狀(例如，屈曲形狀、鋸齒形狀、彎曲形狀等)的槽部41。據(jù)此，提高了第二屏蔽部52的設(shè)計靈活性。
[0122]而且，一般而言，在通過激光切割在封裝層上形成槽時，極難調(diào)整出不損傷存在于槽底部的布線圖案、準確無誤地僅對樹脂進行加工的最合適的激光功率。而且，由于在槽底部殘留有污點(樹脂或填料的殘渣)，需要通過后續(xù)工序進行除污處理。通常，除污處理可以采用通過干蝕刻的物理性去除方法或使用強堿性藥液等的化學(xué)性去除方法，槽的縱橫比(寬度/深度)越大處理上就越困難。因此，即使在槽內(nèi)填充導(dǎo)電樹脂，也會阻礙到與其正下方的布線圖案的電連接，因此會出現(xiàn)不能確保良好的屏蔽性能的情況。
[0123]于是，在本實施方式中，將第二屏蔽部52引導(dǎo)至GND端子的導(dǎo)體圖案10的最表層用對激光束的反射率比較高的Au或Ag層(第二金屬層12)構(gòu)成。因此，即使在激光功率過大的情況下也能夠防止導(dǎo)體圖案10的燒損，在能夠減輕激光功率的管理控制負擔(dān)的同時，能夠提升操作性、生產(chǎn)率。另外，即使在槽底部不殘留污點的過度條件下進行加工，也能夠保護受到激光照射的第一金屬層11。進一步，即使是在第二金屬層12燒損的情況下，通過第三金屬層13能夠保護第一金屬層11。據(jù)此，在能夠確保設(shè)置在槽部41上的第二屏蔽部52和第一金屬層11之間電導(dǎo)通的同時，能夠不使激光束燒斷第一金屬層11、穩(wěn)定且容易地形成槽部41。
[0124]進而，由于在本實施方式中通過激光加工法形成槽部41，因此與用切割法來形成溝槽的情況相比，可以得到高精度的深度。另外，由于作為導(dǎo)體圖案10的最表層的第二金屬層12是用對激光束具有高反射率特性的Au或Ag構(gòu)成，因此能夠有效地保護第一金屬層11免受激光破壞，進一步，即使在由于激光照射而使第二金屬層12被切削掉時，通過比第一金屬層11具有更強耐熱性的第三金屬層13，也能夠保護第一金屬層11。如上所述，根據(jù)本實施方式，由于能夠在槽部41的正下方形成導(dǎo)體圖案10，因此，能夠提供一種布線設(shè)計靈活性高的電路模塊100。
[0125]以上，對有關(guān)本發(fā)明的實施方式進行了說明，但本發(fā)明并非限于上述實施方式，基于本發(fā)明精神的各種變化均屬于本發(fā)明。
[0126]例如，在本實施方式中，雖然說明了布線基板2用印刷布線基板構(gòu)成的例子，但是并不限定于此，例如可以用硅襯底基板等的半導(dǎo)體基板構(gòu)成布線基板。另外，電子部件3可以為 MEMS(Micro Electro Mechanical System)部件等的各種驅(qū)動器。
【權(quán)利要求】
1.一種電路模塊,具備: 布線基板，其具有包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的安裝面，以及沿著所述安裝面上的第一區(qū)域和第二區(qū)域的邊界形成的、最表層用Au或Ag構(gòu)成的導(dǎo)體圖案； 安裝在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的多個電子部件； 覆蓋所述多個電子部件的絕緣的封裝層，其具有沿著所述邊界形成的槽部，其深度能夠露出所述導(dǎo)體圖案的最表層的至少一部分； 導(dǎo)電屏蔽，其具有覆蓋所述封裝層的外表面的第一屏蔽部，以及設(shè)置在所述槽部上的、與所述導(dǎo)體圖案電連接的第二屏蔽部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路模塊，其特征在于， 所述布線基板進一步具有在所述安裝面相對側(cè)的端子面，所述導(dǎo)體圖案與所述端子面電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路模塊，其特征在于， 所述布線基板進一步具有覆蓋所述安裝面的絕緣的保護層，所述保護層具有露出所述導(dǎo)體圖案的最表層的至少一部分的開口部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項所述的電路模塊，其特征在于， 所述導(dǎo)體圖案包含用Cu構(gòu)成的第一金屬層，以及形成在所述第一金屬層的表面上的、用Au或Ag構(gòu)成的第二金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路模塊，其特征在于， 所述導(dǎo)體圖案進一步具有配置在所述第一金屬層和所述第二金屬層之間的第三金屬層，所述第三金屬層用比Cu的熔點高的金屬材料構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項所述的電路模塊,其特征在于， 所述第二屏蔽部為填充至所述槽部內(nèi)的導(dǎo)電樹脂的硬化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項所述的電路模塊,其特征在于， 所述第二屏蔽部為沉積在所述槽部的內(nèi)壁上的鍍膜或濺射膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1?7中任一項所述的電路模塊，其特征在于， 所述槽部通過激光加工形成。
9.一種電路模塊的制造方法，包括: 準備布線基板，在包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的安裝面上形成沿著所述安裝面上的第一區(qū)域和第二區(qū)域的邊界形成的、與安裝面相對側(cè)的端子面電連接的導(dǎo)體圖案； 在所述導(dǎo)體圖案的表面上形成Au或Ag層； 在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域上安裝多個電子部件； 在所述安裝面上形成覆蓋所述多個電子部件的、用絕緣材料構(gòu)成的封裝層； 通過在所述封裝層的表面上照射激光束，在所述封裝層上沿著所述邊界形成槽部，其深度能夠露出所述導(dǎo)體圖案的最表層的至少一部分； 在所述槽部內(nèi)填充導(dǎo)電樹脂，通過用導(dǎo)電樹脂覆蓋所述封裝層的外表面來形成導(dǎo)電屏蔽。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路模塊的制造方法，其特征在于，形成所述Au或Ag層的工序包含: 在所述安裝面上形成絕緣的保護層，其具有露出所述導(dǎo)體圖案的最表層的至少一部分的開口部； 將所述保護層作為掩膜以形成Au或Ag層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的電路模塊的制造方法，其特征在于， 通過在所述封裝層的表面上照射Nd-YAG激光束來形成所述槽部。
【文檔編號】H05K9/00GK104378962SQ201410391851
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年8月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月12日
【發(fā)明者】北崎健三, 島村雅哉, 麥谷英兒, 甲斐岳彥 申請人:太陽誘電株式會社