薄型、空間高效的電路屏蔽的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄型的空間高效的電路屏蔽。該屏蔽包括設(shè)置在集成電路上方和下方的頂部金屬層和底部金屬層。在一個實施例中，該屏蔽可包括被布置為環(huán)繞集成電路的邊緣并且將頂部金屬層和底部金屬層耦合在一起的邊緣電鍍層。在另一個實施例中，該屏蔽可包括被布置為環(huán)繞集成電路的邊緣并且將頂部金屬層和底部金屬層耦合在一起的通孔。在另一個實施例中，無源器件可鄰近集成電路設(shè)置在屏蔽內(nèi)。
【專利說明】
薄型、空間高效的電路屏蔽

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]所描述的實施例整體涉及屏蔽電氣部件，并且更具體地涉及薄型、空間高效的電氣屏蔽。

【背景技術(shù)】
[0002]電磁干擾(EMI)信號可不利地影響電氣設(shè)備的性能和功能。一些電氣設(shè)備可能對來自其他設(shè)備的輻射EMI信號敏感。例如，低噪聲放大器可向輸入信號提供相當(dāng)大的增益；然而，該放大器的性能可能因放大器輸入上的干擾EMI信號的存在而受到負(fù)面影響。EMI信號可能失真或以其他方式導(dǎo)致敏感輸入?yún)^(qū)段中的錯誤，并且因此放大器的輸出可能變得失真。為了防止電氣設(shè)備接收到非預(yù)期的EMI輻射，政府機構(gòu)通常對所發(fā)射的電磁干擾的強度進(jìn)行管控。
[0003]用于控制EMI信號的發(fā)射和接收這兩者的一種常用設(shè)備是用于覆蓋電氣部件的金屬屏蔽。該屏蔽防止敏感電氣部件接收到雜散的EMI信號并且還可限制EMI信號的輻射。屏蔽是通過為EMI信號提供低阻抗通路來發(fā)揮作用的。屏蔽通常由金屬諸如鋼構(gòu)造而成，或者在一些情況下，可由諸如塑料之類的絕緣體上的導(dǎo)電涂料構(gòu)造而成。
[0004]正如所述的，傳統(tǒng)屏蔽具體實施覆蓋一個或多個電氣部件。遺憾的是，傳統(tǒng)屏蔽具體實施可能增加在支撐基板諸如印刷電路板(PCB)上所用的面積。增加的面積可至少部分地歸因于在屏蔽與受保護的部件之間通常使用的氣隙。該氣隙可使屏蔽在支撐基板上的組裝和安裝變得容易。隨著產(chǎn)品設(shè)計被迫使變得更小，相關(guān)模塊諸如印刷電路板的面積也被迫使變得更小。因此，希望減小為支撐屏蔽具體實施所需的面積，尤其是在支撐基板諸如PCB 上。
[0005]因此，所希望的是在支撐基板上使用的用于使干擾電信號衰減的空間高效的屏蔽組件。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]通過參考以下結(jié)合附圖所作的描述可以最佳地理解所述實施例及其優(yōu)點。這些附圖絕不會限制本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離所述實施例的實質(zhì)和范圍的情況下可對所述實施例作出的在形式和細(xì)節(jié)方面的任何改變。
[0007]圖1為一種小外形屏蔽系統(tǒng)的一個實施例的簡化圖。
[0008]圖2為一種小外形屏蔽系統(tǒng)的另一個實施例的簡化圖。
[0009]圖3為一種小外形屏蔽系統(tǒng)的另一個實施例的簡化圖。
[0010]圖4為一種小外形屏蔽系統(tǒng)的再一個實施例的簡化圖。
[0011]圖5為一種小外形屏蔽系統(tǒng)的另一個實施例的簡化圖。
[0012]圖6為一種小外形屏蔽系統(tǒng)的另一個實施例的簡化圖。
[0013]圖7為用于形成一種薄型、空間高效的EMI屏蔽的方法步驟的流程圖。
[0014]圖8為支撐柔性電路的一種薄型屏蔽系統(tǒng)的圖示。
[0015]圖9A、9B和9C示出了一種薄型屏蔽組件的兩個視圖。
[0016]圖10示出了一種薄型屏蔽組件的另一個實施例。
[0017]圖11為用于形成屏蔽系統(tǒng)的方法步驟的流程圖。

【具體實施方式】
[0018]本部分描述了根據(jù)本專利申請的方法和裝置的代表性應(yīng)用。提供這些實例僅僅是為了添加情境并且有助于理解所述實施例。因此，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言將顯而易見的是，可在沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一些或全部的情況下實踐所述實施例。在其他情況下，為了避免不必要地使所述實施例費解，未詳細(xì)描述熟知的工藝步驟。其他應(yīng)用也是可能的，因此以下實例不應(yīng)被認(rèn)為是限制性的。
[0019]在以下【具體實施方式】中，參考了形成說明書一部分的附圖，在附圖中以舉例說明的方式示出了根據(jù)所述實施例的具體實施例。雖然這些實施例被描述得足夠詳細(xì)，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`所述實施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，這些實例不是限制性的；從而可使用其他實施例，并且可在不脫離所述實施例的實質(zhì)和范圍的情況下做出改變。
[0020]屏蔽技術(shù)被廣泛地實踐以控制不需要的電磁干擾(EMI)的影響。屏蔽不僅可用于防止敏感部件吸收不需要的EMI，而且還可用于防止EMI信號的不期望的發(fā)射。然而，傳統(tǒng)屏蔽技術(shù)可為體積龐大的，并且可由于需要安裝基板諸如印刷電路板上的過多面積而強加設(shè)計約束。
[0021]公開了一種薄型、空間高效的集成屏蔽解決方案。在一個實施例中，集成電路由在集成電路周圍形成屏蔽的頂部金屬層和底部金屬層以及邊緣電鍍層圍繞。在一個實施例中，屏蔽可耦合至與集成電路共享的信號。在另一個實施例中，屏蔽可與集成電路隔離。例如，屏蔽可耦合至與耦合至集成電路的信號相分離的信號。在某些實施例中，該分離的信號為接地信號。在另一個實施例中，邊緣電鍍層可用通孔進(jìn)行替換，該通孔既耦合頂部金屬層和底部金屬層又充當(dāng)邊緣屏蔽。在另一個實施例中，無源器件可與集成電路一起被包括在屏蔽內(nèi)。
[0022]圖1為根據(jù)本說明書的一種小外形屏蔽系統(tǒng)100的一個實施例的簡化圖。屏蔽系統(tǒng)100可包括集成電路102和基板110?；?10可為印刷電路板、柔性電路或其他技術(shù)上可行的材料。在一個實施例中，集成電路102可嵌入到合適的基體104諸如樹脂、玻璃纖維、環(huán)氧樹脂或其他絕緣材料內(nèi)。在一個實施例中，集成電路102可為球柵陣列、CSP、PLCC或其他可行的集成電路封裝。
[0023]集成電路102，或者集成電路102與基體104的組合，可用屏蔽來有效地盤繞。在一個實施例中，屏蔽101可包括屏蔽頂部120、屏蔽底部122和屏蔽邊緣電鍍層124。屏蔽101可由薄金屬箔諸如銅、鋁、鋼或其他合適的材料形成。通過將屏蔽101直接附接至集成電路102 (或集成電路102與基體104的組合)，可在基板110上節(jié)省相當(dāng)大的面積，因為屏蔽101與集成電路102的組合無需要求比單獨的集成電路102大得多的表面積。在一些實施例中，屏蔽101可由金屬箔形成，該金屬箔僅幾微米厚。例如，箔的厚度可在10微米至100微米的范圍內(nèi)。不同的箔厚度可使不同的EMI頻率衰減。在一個實施例中，可選擇箔厚度以減少特定目標(biāo)頻率。在另一個實施例中，可選擇箔厚度以增加或降低EMI衰減的量。
[0024]集成電路102信號可通過端子130、激光通孔132和凸塊134進(jìn)行耦合。在一個實施例中，激光通孔132在形成屏蔽101之前形成。即，將屏蔽101形成為在其中具有對應(yīng)于激光通孔132的位置的開口。在一個實施例中，凸塊134可為球塊、焊料球或允許將信號耦合至焊盤106的其他合適的特征。在一個實施例中，屏蔽101可耦合至與集成電路102共享的一個或多個凸塊134。這樣，當(dāng)凸塊134接地時，于是屏蔽101也接地。這種布置可降低或消除對支持屏蔽信號耦合所需的專用焊盤的需要。在一個實施例中，屏蔽101可用作其他部件諸如柔性電路的接觸點或支撐點。例如，當(dāng)屏蔽101接地時，于是單獨的柔性電路可將柔性電路接地信號耦合至屏蔽101。
[0025]圖2為根據(jù)本說明書的一種小外形屏蔽系統(tǒng)200的另一個實施例的簡化圖。類似于圖1，該實施例在安裝在基板110上的基體104內(nèi)包括集成電路102。屏蔽頂部120和屏蔽底部122可設(shè)置在基體104的上方和下方并與基體104接觸。通孔202可將屏蔽頂部120耦合至屏蔽底部122。通孔202可圍繞集成電路102的周邊被放置并替換對邊緣電鍍層124的需要。因此，屏蔽201可包括屏蔽頂部120、屏蔽底部122和通孔202。屏蔽201可如圖1中所述而耦合至凸塊134以將屏蔽201連接至已被集成電路102使用的接地信號。在一個實施例中，類似于印刷電路板設(shè)計，基體104可支撐兩個或更多個子層。通孔202可垂直堆疊以通過基體104內(nèi)的子層將屏蔽頂部120耦合至屏蔽底部122。
[0026]圖3為根據(jù)本說明書的一種小外形屏蔽系統(tǒng)300的另一個實施例的簡化圖。屏蔽系統(tǒng)300包括如上文在圖2中所述的集成電路102和基板110。屏蔽301可包括屏蔽頂部120、屏蔽底部122和邊緣電鍍層124。在該實施例中，屏蔽301可相對于可耦合至集成電路102的其他信號而被隔離。如圖所示，屏蔽301可耦合至專用凸塊302。繼而，凸塊302可通過基板110上的焊盤304而耦合至信號。這種信號傳輸布置使得屏蔽301能夠耦合至相對于集成電路102隔離的信號。例如，集成電路可使用局部參考電壓(諸如模擬接地)，而屏蔽301可耦合至另一信號(諸如數(shù)字接地)。
[0027]圖4為根據(jù)本說明書的一種小外形屏蔽系統(tǒng)400的再一個實施例的簡化圖。屏蔽系統(tǒng)400可包括如上所述的集成電路102和基板110。屏蔽頂部120和屏蔽底部122再次設(shè)置在集成電路102的上方和下方。在該實施例中，不是使用邊緣電鍍層124，而是使用通孔202來將屏蔽頂部120耦合至屏蔽底部122。因此，屏蔽401可包括屏蔽頂部120、屏蔽底部122和通孔202。如在圖3中所述，屏蔽401可相對于可耦合至集成電路102的其他信號而被隔離。因此，屏蔽401可稱合至相對于集成電路102隔離的信號。
[0028]圖5為根據(jù)本說明書的一種小外形屏蔽系統(tǒng)500的另一個實施例的簡化圖。屏蔽系統(tǒng)500包括集成電路102和基板110。屏蔽501可包括屏蔽頂部120、屏蔽底部122和邊緣電鍍層124。在該實施例中，可相對于集成電路102的尺寸增大由屏蔽501所包圍的體積。體積的增大可對也可嵌入到基體104中的一個或多個無源器件502進(jìn)行支撐。無源器件可以是電阻器、電容器、電感器等。在一個實施例中，信號可耦合在集成電路102與無源器件502之間。例如，無源器件502可以是可耦合至集成電路102的總線終端電阻器。在一個實施例中，屏蔽501可與去往或來自如圖3中所述的集成電路102的其他信號相隔離。在另一個實施例中，屏蔽501可耦合至可與集成電路102共享的凸塊134。
[0029]圖6為根據(jù)本說明書的一種小外形屏蔽系統(tǒng)600的另一個實施例的簡化圖。屏蔽601可包括屏蔽頂部120、屏蔽底部122和通孔202。可增大由屏蔽601所包圍的體積和基體104的體積以允許一個或多個無源器件502與集成電路102 —起被嵌入。在一個實施例中，屏蔽601可與去往或來自集成電路202的其他信號相隔離。在另一個實施例中，屏蔽601可耦合至去往或來自集成電路102的至少一個信號。在一個實施例中，信號可耦合在無源器件502與集成電路102之間。
[0030]圖7為用于形成一種薄型、空間高效的EMI屏蔽的方法步驟700的流程圖。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會知道，以任何順序執(zhí)行以下步驟的任何系統(tǒng)都在所公開的方法步驟的范圍內(nèi)。該方法始于步驟702，在該步驟中獲得集成電路102。在一個實施例中，集成電路102可包括焊料凸塊。在其他實施例中，集成電路102可包括焊料球或其他類似的特征。在步驟704中，獲得EMI屏蔽的金屬部件。在一個實施例中，金屬部件可包括屏蔽頂部120和屏蔽底部122，并且可獲得邊緣電鍍層124。在步驟706中，將金屬部件附接至集成電路102。在一個實施例中，集成電路102可嵌入到基體104內(nèi)；因此，金屬部件可被附接至基體104。在步驟708中，可將金屬部件耦合在一起以形成EMI屏蔽，并且該方法結(jié)束。
[0031]圖8為支撐柔性電路的一種薄型屏蔽系統(tǒng)800的圖示。屏蔽801可包括屏蔽頂部120、屏蔽底部122和邊緣電鍍層124。屏蔽801可耦合至凸塊134。凸塊134可通過焊盤106稱合至信號,從而將屏蔽801稱合至焊盤106上的信號。在一個實施例中，焊盤106上的信號可為接地信號，因此屏蔽801可耦合至該接地信號。柔性電路803可被配置為將至少一個信號耦合至屏蔽801。在一個實施例中，柔性電路803可設(shè)置在屏蔽801上并且與屏蔽801直接接觸。在一個實施例中，柔性電路803可用導(dǎo)電粘合劑附接至屏蔽801，從而將柔性電路803內(nèi)的暴露的跡線或?qū)Ь€耦合至屏蔽801。在一個實施例中，當(dāng)屏蔽801耦合至地時，柔性電路803中的一個或多個信號也可被耦合至地。例如，柔性電路可包括可通過屏蔽801耦合至地的接地平面。
[0032]圖9A和9B示出了一種薄型屏蔽組件900的兩個視圖。圖9A通過頂視圖示出了組件900。在該實施例中，集成電路102嵌入到基體104中以形成薄型屏蔽系統(tǒng)914。然而，基體104的初始尺寸可大于屏蔽系統(tǒng)914的成品尺寸。屏蔽系統(tǒng)914可包括由屏蔽901圍繞的嵌入式集成電路102，屏蔽901可包括邊緣電鍍層912、屏蔽頂部120和屏蔽底部(未示出)。在一個實施例中，基體104可充當(dāng)集成電路102和屏蔽901的載體。如此被配置的基體104可實現(xiàn)屏蔽系統(tǒng)914更容易的組裝、加工以及制造。
[0033]在一個實施例中，屏蔽頂部120可接收阻焊層。尤其是在屏蔽系統(tǒng)914可通過流動焊接技術(shù)或回流焊接技術(shù)附接至電路板時，阻焊層可抵抗焊料。在另一個實施例中，屏蔽頂部120的至少一部分可沒有阻焊層以允許附接散熱片、散熱管或其他導(dǎo)熱解決方案。在一個實施例中，基體104可在區(qū)域950中在集成電路102上被最小化，以幫助增加來自集成電路102的熱轉(zhuǎn)移。
[0034]圖9A還示出了用于將信號耦合至集成電路102和屏蔽901的焊盤934。焊盤934可通過激光通孔936將信號耦合至集成電路102。在一個實施例中，屏蔽系統(tǒng)914可包括30個焊盤。其他實施例可根據(jù)支撐集成電路102的需要而包括更多或更少的凸塊。需注意，屏蔽底部122可存在于焊盤934之間以增強屏蔽901性能?；w104可包括布線區(qū)域910。布線區(qū)域910可使邊緣電鍍層912能夠在屏蔽系統(tǒng)914仍安裝于基體104 (充當(dāng)載體)中的同時得到施加。布線區(qū)域910可由布線器、激光鉆機或用任何其他技術(shù)上可行的方法來形成。邊緣電鍍層912可通過布線區(qū)域910而施加，并且可以將屏蔽頂部120和屏蔽底部122耦合以形成屏蔽901。在一個實施例中，為了將屏蔽系統(tǒng)914與基體104的多余部分分離，可圍繞屏蔽系統(tǒng)914的周邊劃線。在另一個實施例中，可用激光或任何其他類似的方法來將屏蔽系統(tǒng)914與基體914的多余部分分離。
[0035]圖9B示出了組件900的側(cè)視圖。集成電路102被嵌入到基體104中并由屏蔽901有效地圍繞。如圖所示，屏蔽901可包括屏蔽頂部120、屏蔽底部122和通過布線區(qū)域910施加的邊緣電鍍層912。焊盤934可將信號耦合至集成電路102。圖9B還示出了超出屏蔽901的基體104的多余部分。例如，在將屏蔽系統(tǒng)914安裝到電路板上之前，可將基體104的這些部分移除。其他實施例可包括不同的集成電路102高度和不同的屏蔽系統(tǒng)914高度。在一個實施例中，屏蔽914可與集成電路102共享信號，諸如接地信號。早前結(jié)合圖1描述了這種布置。在另一個實施例中，屏蔽914可與由集成電路102所使用的信號隔離，并且可耦合至獨立信號諸如機殼接地。早前結(jié)合圖3描述了這種布置。
[0036]圖9C示出了在移除基體104的多余部分之后圖9A和圖9b的組件900的側(cè)視圖?？墒褂萌魏魏线m的方法來移除基體104的多余部分。在一個實施例中，使用布線器來將基體104的多余部分布線遠(yuǎn)離屏蔽系統(tǒng)914。在另一個實施例中，靠近屏蔽系統(tǒng)914對基體104的多余部分劃痕，隨后將其折斷。在其他實施例中，使用激光切割設(shè)備來切除基體104的多余部分。例如，在移除基體104的多余部分之后，可將屏蔽系統(tǒng)914安裝到電路板940上。電路板940可為印刷電路板、柔性電路或其他合適的結(jié)構(gòu)。焊料球942可與焊盤934對齊，使得信號可從電路板940耦合至集成電路102。
[0037]圖10示出了一種薄型屏蔽組件1000的另一個實施例。在該實施例中，屏蔽系統(tǒng)1014可包括嵌入到基體104中的集成電路102。與圖9中的屏蔽系統(tǒng)914相比，屏蔽系統(tǒng)1014的拐角可以45度切倒角1006。倒角1006可有助于增加可在屏蔽系統(tǒng)1014旁邊安裝在電路板上的其他部件的數(shù)量。倒角1006可作為稍后的步驟在將集成電路102嵌入到基體104中之后并且在形成屏蔽901并附接屏蔽901之后被形成。在一個實施例中，倒角1006可由布線器形成。在另一個實施例中，倒角1006可通過對基體104刻痕以實現(xiàn)輕松的分離來形成。在另一個實施例中，倒角1006可由激光切割設(shè)備形成。
[0038]焊盤934在屏蔽系統(tǒng)1014的遠(yuǎn)側(cè)上(如在圖9A中)并且在此處用虛線示出。例如，針腳Al指示器1008可施加至屏蔽系統(tǒng)1014的近側(cè)(并且在焊盤Al上方)并且可有助于將屏蔽系統(tǒng)1014取向以便正確地組裝到電路板上。
[0039]圖11為用于形成屏蔽系統(tǒng)914的方法步驟1100的流程圖。方法始于步驟1102，在該步驟中獲得集成電路102。在步驟1104中，將集成電路102嵌入到基體104中。在一個實施例中，基體104可大于屏蔽系統(tǒng)914的成品尺寸。步驟1104可包括將布線區(qū)域910形成進(jìn)基體104中。在步驟1105中，可形成屏蔽901以圍繞集成電路102。在一個實施例中，屏蔽901可包括屏蔽頂部120、屏蔽底部122和通過布線區(qū)域910施加的邊緣電鍍層912。在步驟1106中，可將焊盤934附接至基體104以將信號耦合至集成電路102。在一個實施例中，可形成激光通孔以有助于將信號從集成電路102耦合至焊盤934。在步驟1108中，可優(yōu)選地將阻焊層施加到屏蔽頂部120。在一個實施例中，可使屏蔽頂部120的部分不具有阻焊層，以使得能夠附接散熱片、散熱管或其他類似的導(dǎo)熱設(shè)備。在步驟1110中，可將多余基體104移除。在一個實施例中，多余基體104可為基體104的延伸超出屏蔽系統(tǒng)914的成品尺寸的部分。
[0040]在上述描述中，為了進(jìn)行解釋，使用了特定的命名以提供對所述實施例的徹底理解。然而，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言顯而易見的是，實踐所述實施例并不需要這些具體細(xì)節(jié)。因此，對特定實施例的上述描述是出于舉例說明和描述的目的而呈現(xiàn)的。這些描述并非旨在是詳盡的，也不旨在將所述實施例限制為所公開的精確形式。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言顯而易見的是，根據(jù)上述教導(dǎo)內(nèi)容可作出許多修改和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種小外形屏蔽設(shè)備，包括: 集成電路組件，所述集成電路組件包括: 集成電路，所述集成電路包括多個導(dǎo)電接觸焊盤，和 基體，所述基體由絕緣材料形成并且被配置為完全封裝所述集成電路；和 適形的電磁干擾(EMI)屏蔽，所述適形的電磁干擾(EMI)屏蔽由直接圍繞所述集成電路組件的至少頂部部分和底部部分盤繞的柔性導(dǎo)體形成，并且被配置為適形于所述集成電路組件的所述頂部部分和所述底部部分的形狀使得包括所述適形的EMI屏蔽和所述集成電路組件的被盤繞的集成電路組件與單獨的所述集成電路組件基本上同樣大小，其中所述適形的EMI屏蔽電耦合至所述多個導(dǎo)電接觸焊盤中的至少一個接地的導(dǎo)電接觸焊盤，從而消除對支持屏蔽信號耦合的專用接觸焊盤的需要。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小外形屏蔽設(shè)備，還包括: 至少一個形成于所述基體中的通孔，所述至少一個通孔將所述多個導(dǎo)電接觸焊盤中的至少一個連接至所述集成電路組件的外部； 在所述集成電路組件的所述外部處的外部接觸焊盤，所述外部接觸焊盤經(jīng)由對應(yīng)的通孔與所述多個導(dǎo)電接觸焊盤中的所述至少一個連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的小外形屏蔽設(shè)備，其中所述至少一個通孔通過激光形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的小外形屏蔽設(shè)備，還包括將所述適形的EMI屏蔽的所述頂部部分和所述底部部分彼此耦合的導(dǎo)電邊緣電鍍層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小外形屏蔽設(shè)備，還包括所述基體中的圍繞所述集成電路的周邊的金屬填充的通孔，所述金屬填充的通孔將所述適形的EMI屏蔽的所述頂部部分和所述底部部分彼此耦合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小外形屏蔽設(shè)備，其中所述適形的EMI屏蔽與所述集成電路電率禹合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小外形屏蔽設(shè)備，其中所述適形的EMI屏蔽與所述集成電路電隔離。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小外形屏蔽設(shè)備，還包括與所述適形的EMI屏蔽一起嵌入所述基體中的至少一個無源器件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小外形屏蔽設(shè)備，其中所述至少一個無源器件為電阻器、電容器或電感器中的一者。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小外形屏蔽設(shè)備，其中所述基體延伸超出包括所述適形的EMI屏蔽和所述集成電路組件的所述被盤繞的集成電路組件。
11.一種形成小外形屏蔽設(shè)備的方法，包括: 將集成電路嵌入到基體中，所述集成電路在其上具有多個導(dǎo)電接觸焊盤并且所述基體由絕緣材料構(gòu)成； 對應(yīng)于所述多個導(dǎo)電接觸焊盤，在所述基體中形成多個通孔，使得所述多個通孔允許電氣連通至和電氣連通自所述集成電路；以及 通過圍繞所述嵌入式集成電路的至少頂部部分和底部部分盤繞柔性導(dǎo)體來創(chuàng)建適形的EMI屏蔽，其中所述適形的EMI屏蔽電耦合至所述多個導(dǎo)電接觸焊盤中的至少一個接地的導(dǎo)電接觸焊盤。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括形成將所述適形的EMI屏蔽的所述頂部部分和所述底部部分彼此耦合的導(dǎo)電邊緣電鍍層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述基體中圍繞所述集成電路的周邊形成金屬填充的通孔，所述金屬填充的通孔將所述適形的EMI屏蔽的所述頂部部分和所述底部部分彼此耦合。
14.根據(jù)權(quán)利要求11-13所述的方法，其中所述適形的EMI屏蔽與所述集成電路電耦口 ο
15.根據(jù)權(quán)利要求11-13所述的方法，其中所述適形的EMI屏蔽與所述集成電路電隔離。
16.根據(jù)權(quán)利要求11-15所述的方法，還包括將至少一個無源器件與所述適形的EMI屏蔽一起嵌入到所述基體中。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述至少一個無源器件為電阻器、電容器或電感器中的一者。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述基體延伸超出包括所述適形的EMI屏蔽和所述集成電路組件的被盤繞的集成電路組件。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括將所述多個通孔中的至少一個電耦合至電子組件上的多個觸點中的至少一個。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述電子組件為印刷電路板或柔性電路中的一者。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述適形的EMI屏蔽被形成為其中具有開口，所述開口對應(yīng)于多個通孔的位置。
22.—種小外形屏蔽系統(tǒng),包括: 集成電路組件，所述集成電路組件包括具有多個導(dǎo)電接觸焊盤的集成電路和由絕緣材料形成并且被配置為完全封裝所述集成電路的基體； 適形的EMI屏蔽，所述適形的EMI屏蔽由直接圍繞所述集成電路組件的至少頂部部分和底部部分盤繞的柔性導(dǎo)體形成，并且被配置為適形于所述集成電路組件的所述頂部部分和所述底部部分的形狀，其中所述適形的EMI屏蔽電耦合至所述多個導(dǎo)電接觸焊盤中的至少一個接地的導(dǎo)電接觸焊盤； 在所述基體中的多個導(dǎo)電通孔，所述多個導(dǎo)電通孔與所述多個導(dǎo)電接觸焊盤耦合并且對應(yīng)于所述多個導(dǎo)電接觸焊盤，使得所述多個通孔允許連通至和連通自所述集成電路；電子組件，所述電子組件包括多個觸點和基板，其中所述多個導(dǎo)電通孔中的至少一個耦合至所述多個觸點中的至少一個；和 導(dǎo)電邊緣電鍍層，所述導(dǎo)電邊緣電鍍層將所述適形的EMI屏蔽的所述頂部部分和所述底部部分彼此耦合。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的小外形屏蔽系統(tǒng)，還包括所述基體中的圍繞所述集成電路的周邊的金屬填充的通孔，所述金屬填充的通孔將所述適形的EMI屏蔽的所述頂部部分和所述底部部分彼此耦合。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的小外形屏蔽系統(tǒng)，其中所述電子組件為印刷電路板或柔性電路中的一者。
【文檔編號】H05K9/00GK104137245SQ201380010490
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2013年2月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月23日
【發(fā)明者】S·X·阿諾德, S·P·穆林斯, J·M·托馬, R·錢德拉塞卡爾 申請人:蘋果公司