一種多晶硅坩堝涂層保護(hù)烘干存放室的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供一種多晶硅坩堝涂層保護(hù)烘干存放室，其包括硅錠冷卻室和坩堝存放室，所述硅錠冷卻室和坩堝存放室之間通過(guò)若干傳熱風(fēng)機(jī)連接，所述坩堝存放室內(nèi)放置有若干坩堝放置臺(tái)，所述坩堝存放室的墻壁上設(shè)置有除濕機(jī)。所述硅錠冷卻室和坩堝存放室內(nèi)部都設(shè)置有溫度感應(yīng)器和濕度感應(yīng)器，并且都設(shè)置有進(jìn)門(mén)和出門(mén)。本實(shí)用新型的有益效果是：由于采用上述技術(shù)方案，坩堝存放室達(dá)到一定的溫度和濕度，使坩堝與涂層結(jié)合更加致密，減少粘堝現(xiàn)象，降低硅錠中的雜質(zhì)，進(jìn)而提高硅錠利用率。由于坩堝存放室是封閉的空間，減少灰塵和其他雜質(zhì)進(jìn)入坩堝內(nèi)部，進(jìn)而減少硅錠中的雜質(zhì)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種多晶硅坩堝涂層保護(hù)烘干存放室
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種多晶硅坩堝涂層保護(hù)烘干存放室。
【背景技術(shù)】
[0002]在生產(chǎn)晶體硅太陽(yáng)能電池時(shí)，會(huì)經(jīng)過(guò)鑄錠工藝，將硅料融化鑄成硅錠，而盛放硅料至加熱融化的是坩堝，坩堝內(nèi)表面噴涂一層氮化硅溶液，使得表面形成一層保護(hù)層，從而在硅料融化過(guò)程中防止硅料向坩堝滲透，防止坩堝中的雜質(zhì)滲透到硅錠中，減少粘堝，保證硅錠利用率。目前涂層的烘干采用坩堝洪箱或者旋轉(zhuǎn)加熱器，通過(guò)電能轉(zhuǎn)化為熱能，對(duì)涂層進(jìn)行除濕，達(dá)到涂層烘干的目的。但其電能損耗很大，造成極大的浪費(fèi)；由于烘烤完的坩堝是放在普通的環(huán)境下，當(dāng)濕度相對(duì)較大的情況下儲(chǔ)存坩堝會(huì)造成涂層與坩堝的致密程度下降，造成粘堝現(xiàn)象，降低了硅錠的利用率；并且由于儲(chǔ)存的環(huán)境不是密閉的，灰塵和替他雜質(zhì)會(huì)進(jìn)入坩堝內(nèi)部，增加硅錠中的雜質(zhì)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的是提供一種有效烘干坩堝涂層、節(jié)能環(huán)保的多晶硅坩堝涂層保護(hù)烘干存放室。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種多晶硅坩堝涂層保護(hù)烘干存放室，其包括硅錠冷卻室和坩堝存放室，所述硅錠冷卻室和坩堝存放室之間通過(guò)若干傳熱風(fēng)機(jī)連接，所述坩堝存放室內(nèi)放置有若干坩堝放置臺(tái)，所述坩堝存放室的墻壁上設(shè)置有除濕機(jī)。
[0005]優(yōu)選地，所述硅錠冷卻室和坩堝存放室內(nèi)部都設(shè)置有溫度感應(yīng)器和濕度感應(yīng)器，并且都設(shè)置有進(jìn)門(mén)和出門(mén)。
[0006]優(yōu)選地，所述硅錠冷卻室和坩堝存放室的墻壁由保溫材料制成。
[0007]優(yōu)選地，所述坩堝存放室的進(jìn)門(mén)和出門(mén)都為上下推拉門(mén)。
[0008]本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:
[0009]由于采用上述技術(shù)方案，采用出爐的硅錠余熱代替坩堝烘箱或者旋轉(zhuǎn)加熱器釋放的能量，從而達(dá)到烘烤坩堝涂層的目的，而且節(jié)約坩堝烘箱或旋轉(zhuǎn)加熱器的能源消耗，達(dá)到了節(jié)能環(huán)保，避免能源浪費(fèi)。利用除濕機(jī)去除干燥室的濕氣，使坩堝存放室達(dá)到一定的溫度和濕度，達(dá)到坩堝涂層除濕的作用，使坩堝與涂層結(jié)合更加致密，減少粘堝現(xiàn)象，降低硅錠中的雜質(zhì)，進(jìn)而提聞娃淀利用率。由于樹(shù)禍存放室是封閉的空間，減少灰塵和其他雜質(zhì)進(jìn)入坩堝內(nèi)部，進(jìn)而減少硅錠中的雜質(zhì)。具有烘干、除濕、儲(chǔ)存坩堝、降低硅錠雜質(zhì)的作用。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。[0011]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施方式中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施方式僅僅是本實(shí)用新型一部分表現(xiàn)形式，而不是全部的實(shí)施方式?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施方式，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0013]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的況下做類(lèi)似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開(kāi)的【具體實(shí)施方式】的限制。
[0014]其次，本實(shí)用新型結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本實(shí)用新型實(shí)施方式時(shí)，為便于說(shuō)明，表示裝置件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及高度的三維空間尺寸。
[0015]如圖1所示，本實(shí)用新型包括墻壁由保溫材料制成的硅錠冷卻室I和坩堝存放室2，保溫材料制成的墻壁可以避免熱量散發(fā)所造成的能量損失，所述硅錠冷卻室I和坩堝存放室2之間通過(guò)若干傳熱風(fēng)機(jī)3連接，所述坩堝存放室2內(nèi)放置有若干坩堝放置臺(tái)4，所述坩堝存放室2的墻壁上設(shè)置有除濕機(jī)5。所述硅錠冷卻室I和坩堝存放室2內(nèi)部都設(shè)置有溫度感應(yīng)器和濕度感應(yīng)器，并且都設(shè)置有上下推拉門(mén)的進(jìn)口和出口。
[0016]使用時(shí)，把剛出爐的硅錠(400°C左右)放置在所述硅錠冷卻室I中，所述傳熱風(fēng)機(jī)3將所述硅錠冷卻室I的熱量傳送到所述坩堝存放室2，在所述硅錠冷卻室I的溫度降低的同時(shí)，使所述坩堝存放室2的溫度達(dá)到60-150°C，利用除濕機(jī)保證其濕度為40%以下；將剛噴涂完的坩堝放置在所述坩堝放置臺(tái)4上，經(jīng)過(guò)在所述坩堝存放室2內(nèi)部?jī)蓚€(gè)小時(shí)以上的存放，可以增加涂層致密性，然后就可以進(jìn)行下一道工序。
[0017]所述坩堝存放室2還具有長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)帶有涂層坩堝的功能，避免了由于在普通環(huán)境中存放坩堝，濕度對(duì)其涂層所造成的影響，使其涂層致密度降低。坩堝存放在一個(gè)封閉的環(huán)境中，也可以減少了外界灰塵和其他雜質(zhì)對(duì)涂層的影響。
[0018]本實(shí)用新型減少粘堝幾率，降低硅錠中的雜質(zhì)，進(jìn)而提高硅錠利用率。具有烘干、除濕、儲(chǔ)存坩堝、降低硅錠雜質(zhì)的作用。
[0019]以上實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但所述內(nèi)容僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式，不能被認(rèn)為用于限定本實(shí)用新型的實(shí)施范圍。凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)范圍所作的均等變化與改進(jìn)等，均應(yīng)仍歸屬于本實(shí)用新型的專(zhuān)利涵蓋范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種多晶硅坩堝涂層保護(hù)烘干存放室，其特征在于:包括硅錠冷卻室(I)和坩堝存放室(2)，所述硅錠冷卻室(I)和坩堝存放室(2)之間通過(guò)若干傳熱風(fēng)機(jī)(3)連接，所述坩堝存放室(2)內(nèi)放置有若干坩堝放置臺(tái)(4)，所述坩堝存放室(2)的墻壁上設(shè)置有除濕機(jī)(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅坩堝涂層保護(hù)烘干存放室，其特征在于:所述硅錠冷卻室(I)和坩堝存放室(2)內(nèi)部都設(shè)置有溫度感應(yīng)器和濕度感應(yīng)器，并且都設(shè)置有進(jìn)門(mén)和出門(mén)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅坩堝涂層保護(hù)烘干存放室，其特征在于:所述硅錠冷卻室(I)和坩堝存放室(2 )的墻壁由保溫材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅坩堝涂層保護(hù)烘干存放室，其特征在于:所述坩堝存放室(2)的進(jìn)門(mén)和出門(mén)都為上下推拉門(mén)。
【文檔編號(hào)】C30B28/06GK203715790SQ201320881880
【公開(kāi)日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2013年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月24日
【發(fā)明者】康偉, 任建華, 王躍棟, 于學(xué)松, 魏馳遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:天津英利新能源有限公司