一種降低直拉單晶斷尾的單晶爐的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種降低直拉單晶斷尾的單晶爐，包括導(dǎo)流筒；所述導(dǎo)流筒的下沿開有一個或多個觀察槽。在收尾階段，通過觀察槽，操作人員可以從單晶爐的觀察窗對石英堝內(nèi)的剩余硅料量進行明確判斷，準確把握收尾操作的開始時間，既提高了收尾成功率，又提高了單晶產(chǎn)量和單晶成品率。
【專利說明】一種降低直拉單晶斷尾的單晶爐
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種單晶爐，具體涉及一種有效降低直拉單晶斷尾的單晶爐。
【背景技術(shù)】
[0002]通常的單晶爐在直拉單晶生長等徑過程結(jié)束時，進入收尾工序，經(jīng)常會遇到兩種情況:一種是收尾操作開始時剩余硅料較多，收尾工序結(jié)束后，剩余硅料也較多，因此減少了單晶生長長度及硅料利用率，造成單晶成品率降低，致使生產(chǎn)成本升高；另一種是收尾過程尚未結(jié)束，剩余硅料太少，不足以完成收尾長度的要求，從而導(dǎo)致收尾失敗，出現(xiàn)斷尾現(xiàn)象，此種情況單晶損失很大，因為收斷尾后接觸面溫度仍高于850度，此時位錯會向上移動大約一個直徑長度。判斷收尾操作開始的時間點不好把握，成為困擾直拉單晶行業(yè)的一個重要問題。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠準確判斷收尾操作開始的時間點的降低直拉單晶斷尾的單晶爐。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型所采取的技術(shù)方案是:一種降低直拉單晶斷尾的單晶爐，包括導(dǎo)流筒；所述導(dǎo)流筒的下沿開有一個或多個觀察槽。
[0005]其中，所述導(dǎo)流筒包括內(nèi)筒和外筒；外筒的下沿設(shè)有內(nèi)翻邊，內(nèi)筒的底部與內(nèi)翻邊的頂部聯(lián)接；所述觀察槽設(shè)在外筒的下沿和內(nèi)翻邊上。
[0006]其中，所述觀察槽的高度為15至35毫米。
[0007]其中，所述觀察槽為2至5個，并且沿著導(dǎo)流筒的下沿圓周均勻分布。
[0008]其中，所述觀察槽為拱形、方形或弧形。
[0009]采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:本實用新型能夠保證最佳的單晶生長長度，提升了直拉單晶的成品率，降低了斷尾操作出現(xiàn)的幾率，減少了收尾失敗的單晶損失，保證了成品率。本實用新型簡單有效，不增加生產(chǎn)成本，易于實用和推廣。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本實用新型導(dǎo)流筒的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖中:1、內(nèi)筒，2、外筒，3、觀察槽。
【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細的說明。
[0013]本實用新型為一種降低直拉單晶斷尾的單晶爐，包括導(dǎo)流筒；導(dǎo)流筒的下沿開有一個或多個觀察槽3 ;觀察槽3為拱形、方形或弧形，觀察槽3的高度為15至35毫米；觀察槽3為2至5個，并且沿著導(dǎo)流筒的下沿圓周均勻分布。
[0014]如圖1所示，本實用新型的導(dǎo)流筒包括內(nèi)筒I和外筒2 ;外筒2的下沿設(shè)有內(nèi)翻邊，內(nèi)筒I的底部與內(nèi)翻邊的頂部聯(lián)接；所述觀察槽3設(shè)在外筒2的下沿和內(nèi)翻邊上。
[0015]收尾階段，通過觀察槽3，操作人員可以從單晶爐的觀察窗對石英堝內(nèi)的剩余硅料量進行明確判斷，準確把握收尾操作的開始時間，既提高了收尾成功率，又提高了單晶產(chǎn)量和單晶成品率。
【權(quán)利要求】
1.一種降低直拉單晶斷尾的單晶爐，包括導(dǎo)流筒；其特征在于:所述導(dǎo)流筒的下沿開有一個或多個觀察槽(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低直拉單晶斷尾的單晶爐，其特征在于:所述導(dǎo)流筒包括內(nèi)筒(I)和外筒(2);外筒(2)的下沿設(shè)有內(nèi)翻邊，內(nèi)筒(I)的底部與內(nèi)翻邊的頂部聯(lián)接；所述觀察槽(3)設(shè)在外筒(2)的下沿和內(nèi)翻邊上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種降低直拉單晶斷尾的單晶爐，其特征在于:所述觀察槽(3)的高度為15至35毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低直拉單晶斷尾的單晶爐，其特征在于:所述觀察槽(3)為2至5個，并且沿著導(dǎo)流筒的下沿圓周均勻分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低直拉單晶斷尾的單晶爐，其特征在于:所述觀察槽(3)為拱形、方形或弧形。
【文檔編號】C30B15/22GK203639602SQ201320524471
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月26日
【發(fā)明者】楊立輝, 高廣林, 劉翠鎖, 李嵩, 王怡然 申請人:河北寧晉松宮半導(dǎo)體有限公司