局部蝕刻裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開一種局部蝕刻裝置，其適于對物體進(jìn)行局部蝕刻。局部蝕刻裝置包括局部蝕刻槽以及噴灑單元。局部蝕刻槽適于容置物體，并具有蝕刻有效區(qū)。噴灑單元可移動地設(shè)置于蝕刻有效區(qū)，并位于物體的上方。噴灑單元包括多個噴嘴，以對物體噴灑蝕刻液。各噴嘴具有控制閥，各控制閥獨立控制對應(yīng)的噴嘴，且各該噴嘴沿傾斜方向設(shè)置并與垂直方向夾有銳角。
【專利說明】局部蝕刻裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種蝕刻裝置，且特別是涉及一種局部蝕刻裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子技術(shù)的高度發(fā)展，電路板的線路精度及密度越來越高，使得電路板的制造技術(shù)也必須不斷提升。為了在電路板上進(jìn)行電鍍以形成導(dǎo)體層，可通過電鍍夾頭夾持電路板的上緣,并移動電鍍夾頭將整個電路板浸入電鍍液槽內(nèi)，以在電路板表面上形成導(dǎo)體層。
[0003]然而，由于發(fā)生在電路板的下緣的尖端效應(yīng)，由電鍍所形成的導(dǎo)體層在電路板下緣的部分的厚度將大于導(dǎo)體層在電路板的其他區(qū)域的部分的厚度。而目前的濕式蝕刻設(shè)備為對電路板整批進(jìn)行全面性地蝕刻，無法針對蝕刻范圍進(jìn)行高精度控制以對電路板進(jìn)行選擇性加工。因此，若電路板的導(dǎo)體層厚度不均，將會影響后續(xù)蝕刻制作工藝的合格率。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型的目的在于提供一種局部蝕刻裝置，其可改善經(jīng)由電鍍所形成的導(dǎo)體層的厚度不均的問題，以提升制作工藝合格率。
[0005]為達(dá)上述目的，本實用新型提供一種局部蝕刻裝置，其適于對物體進(jìn)行局部蝕刻。局部蝕刻裝置包括局部蝕刻槽以及噴灑單元。局部蝕刻槽用于容置物體，并具有蝕刻有效區(qū)。噴灑單元可移動地設(shè)置于蝕刻有效區(qū)，并位于物體的上方。噴灑單元包括多個噴嘴，以對物體噴灑蝕刻液。各噴嘴具有控制閥，各控制閥獨立控制對應(yīng)的噴嘴，且各該噴嘴沿傾斜方向設(shè)置并與垂直方向夾有第一銳角。
[0006]在本實用新型的一實施例中，上述的第一銳角的角度介于8度至45度之間。
[0007]在本實用新型的一實施例中，上述的噴嘴彼此間的間距介于0.5英吋(inch)至2英吋(inch)之間。
[0008]在本實用新型的一實施例中，上述的各控制閥獨立控制對應(yīng)的噴嘴的開啟、關(guān)閉、噴灑蝕刻液的流量或壓力。
[0009]在本實用新型的一實施例中，上述的噴灑單元的移動方向平行于物體的上表面以及相對物體上下移動。
[0010]在本實用新型的一實施例中，上述的局部蝕刻裝置還包括至少一氣幕單元，平行于噴灑單元設(shè)置以提供氣幕，其中各噴嘴沿傾斜方向偏向噴灑單元的一側(cè)，而氣幕單元設(shè)置于相對于所述側(cè)的另一側(cè)。
[0011]在本實用新型的一實施例中，上述的氣幕單元的出氣方向與垂直方向夾有第二銳角。
[0012]在本實用新型的一實施例中，上述的第二銳角的角度介于8度至45度之間。
[0013]在本實用新型的一實施例中，上述的局部蝕刻裝置還包括傳送單元，其傳送行進(jìn)方向為進(jìn)入局部蝕刻槽內(nèi)。[0014]在本實用新型的一實施例中，上述的局部蝕刻裝置還包括定位單元，耦接傳送單元，用以控制傳送單元將物體傳送至局部蝕刻槽內(nèi)的定位。
[0015]在本實用新型的一實施例中，上述的物體為電路板。
[0016]本實用新型的優(yōu)點在于，本實用新型的局部蝕刻裝置通過可移動的噴灑單元來控制蝕刻液的噴灑位置和噴灑范圍，并于噴灑單元上密集設(shè)置多個具有控制閥的噴嘴，各控制閥獨立控制對應(yīng)噴嘴的開啟、關(guān)閉以及其蝕刻液的噴灑流量或壓力。如此，即可精準(zhǔn)地控制局部蝕刻裝置的蝕刻區(qū)域以及蝕刻深度，以針對因電鍍的尖端效應(yīng)而造成導(dǎo)電層局部厚度較厚的部分進(jìn)行精確的局部蝕刻，因而能提升蝕刻合格率以及產(chǎn)品合格率。
[0017]為讓本實用新型的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1是依照本實用新型的一實施例的一種局部蝕刻裝置的俯視示意圖；
[0019]圖2是圖1的局部蝕刻裝置的局部放大示意圖；
[0020]圖3是圖1的局部蝕刻裝置進(jìn)行蝕刻的示意圖；
[0021]圖4是依照本實用新型的一實施例的電鍍蝕刻系統(tǒng)的方塊圖。
[0022]符號說明
[0023]10:電鍍蝕刻系統(tǒng)
[0024]100:局部蝕刻裝置
[0025]110:局部蝕刻槽
[0026]112:蝕刻有效區(qū)
[0027]120:噴灑單元
[0028]122:噴嘴
[0029]124:控制閥
[0030]130:氣幕單元
[0031]140:傳送單元
[0032]150:定位單元
[0033]200、200a、200b:電路板
[0034]210:厚膜區(qū)
[0035]300:電鍍槽
[0036]400:蝕刻槽
[0037]Dl:傾斜方向
[0038]D2:出氣方向
[0039]D3:傳送行進(jìn)方向
[0040]Pl:垂直方向
[0041]θ1:第一銳角
[0042]Θ 2:第二銳角
【具體實施方式】[0043]圖1是依照本實用新型的一實施例的一種局部蝕刻裝置的俯視示意圖。圖2是圖1的局部蝕刻裝置的區(qū)域A的局部放大示意圖。請同時參照圖1及圖2，本實施例的局部蝕刻裝置100適于對物體的待蝕刻區(qū)進(jìn)行局部蝕刻。在本實施例中，物體例如為電路板200，且其表面具有導(dǎo)電層。然而，在通過電鍍以形成前述導(dǎo)電層的過程中，由于受到尖端效應(yīng)(point effect)的影響，電路板200的尖端處(例如為電路板的下緣)的電場強度大于電路板的平坦處的電場強度，使得電路板200的鍍膜厚度分布不均勻而具有厚膜區(qū)210，厚膜區(qū)210例如位于電路板的下緣處，且其厚度大于導(dǎo)電層在電路板200的其他區(qū)域的部分的厚度。局部蝕刻裝置100即適于對此電路板200的厚膜區(qū)210進(jìn)行局部蝕刻，以使局部蝕刻后的電路板200，其導(dǎo)電層的整體厚度大致相同。
[0044]承上述，本實施例的局部蝕刻裝置100包括局部蝕刻槽110以及噴灑單元120。局部蝕刻槽110適于容置物體，并具有蝕刻有效區(qū)112。在本實施例中，局部蝕刻槽110適于容置待蝕刻的電路板200，且電路板200的厚膜區(qū)210位于局部蝕刻槽110的蝕刻有效區(qū)112。噴灑單元120可移動地設(shè)置于蝕刻有效區(qū)112，并位于電路板200的上方。噴灑單元120包括多個噴嘴122，且噴嘴122密集分布，以對電路板200的厚膜區(qū)210噴灑蝕刻液。在此，局部蝕刻槽Iio的蝕刻有效區(qū)112即為噴嘴122的蝕刻液噴灑范圍。具體來說，噴嘴122彼此間的間距例如介于0.5英吋(inch)至2英吋(inch)之間。在本實施例中,局部蝕刻裝置100還可包括至少一氣幕單元130 (繪示為兩個)。氣幕單元130例如平行噴灑單元120設(shè)置，并用以提供氣流向下的氣幕(air knife)，防止噴嘴122噴灑的蝕刻液逆流。
[0045]圖3是圖1的局部蝕刻裝置進(jìn)行蝕刻的示意圖。請參照圖2及圖3，詳細(xì)而言，各噴嘴122還具有控制閥124。各控制閥124獨立控制對應(yīng)的噴嘴122的開啟及關(guān)閉等功能，以及控制其蝕刻液的噴灑流量或噴灑壓力等，以依據(jù)導(dǎo)電層在厚膜區(qū)210的不同厚度來控制其對應(yīng)的蝕刻深度。此外，噴灑單元120還可平行電路板200的上表面移動，也就是說，噴灑單元120的移動方向平行于電路板200的上表面，以調(diào)整噴灑單元120噴灑蝕刻液的位置，使蝕刻有效區(qū)112可對應(yīng)電路板200的厚膜區(qū)210。并且，噴灑單元120還可相對電路板200上下移動，以調(diào)整噴灑單元120噴灑蝕刻液的范圍。具體來說，當(dāng)噴灑單元120相對電路板200往上移動時，其蝕刻液的噴灑范圍較廣，而當(dāng)噴灑單元120相對電路板200往下移動時，其蝕刻液的噴灑范圍較窄。如此，通過可上、下、左、右移動的噴灑單元120來控制蝕刻液的噴灑位置和噴灑范圍，再通過各自獨立的控制閥124來控制各噴嘴122的開啟、關(guān)閉以及其蝕刻液的噴灑流量或壓力，即可精準(zhǔn)地控制局部蝕刻裝置100的蝕刻區(qū)域以及蝕刻深度。
[0046]詳細(xì)而言，各噴嘴122如圖3所示沿傾斜方向Dl設(shè)置并與垂直方向Pl夾有第一銳角Q1，而第一銳角Θ 角度例如介于8度至45度之間。因此，各噴嘴122沿傾斜方向Dl偏向噴灑單元120的一側(cè)而朝向厚膜區(qū)210，氣幕單元130則設(shè)置于相對于所述側(cè)的另一側(cè)。具體而言，如圖3所示，噴嘴122沿傾斜方向Dl偏向噴灑單元120的一側(cè)以朝向厚膜區(qū)210，而氣幕單元130則設(shè)置于噴灑單元120相對于該側(cè)的相對側(cè)，以提供氣幕，防止噴嘴122往該側(cè)噴灑的蝕刻液往該相對側(cè)逆流。此外，氣幕單元130的出氣方向D2與垂直方向Pl夾有第二銳角Θ 2，以確保噴灑單元120針對厚膜區(qū)210進(jìn)行局部蝕刻，而第二銳角Θ 2的角度例如介于8度至45度之間。
[0047]在本實施例中，局部蝕刻裝置100還可如圖1所示包括傳送單元140以及定位單元150。傳送單元140的傳送行進(jìn)方向D3為進(jìn)入局部蝕刻槽100內(nèi)，以沿傳送行進(jìn)方向D3傳送電路板200至局部蝕刻槽110內(nèi)，而定位單元150則耦接傳送單元140，并用以控制傳送單元140將電路板200傳送至局部蝕刻槽110內(nèi)的定位。舉例來說，當(dāng)電路板200被傳送至其側(cè)緣距離局部蝕刻槽110的側(cè)壁一預(yù)設(shè)距離時，定位單元150例如通過光學(xué)或是機械定位的方式感測到電路板200傳送至定位而停止傳送單元140繼續(xù)沿行進(jìn)方向D3傳送電路板200。如此，即可控制電路板200被傳送至正確的位置，使電路板200的厚膜區(qū)210對位于局部蝕刻槽110的蝕刻有效區(qū)112。
[0048]圖4是依照本實用新型的一實施例的電鍍蝕刻系統(tǒng)的方塊圖。上述的局部蝕刻裝置100可應(yīng)用于圖4所示的電鍍蝕刻系統(tǒng)10，其包括電鍍槽300、前述的局部蝕刻裝置100以及蝕刻槽400，彼此依序排列。傳送單元(例如為圖1所示的傳送單元140)傳送電路板200a先進(jìn)入電鍍槽300，以通過電鍍形成導(dǎo)電層于電路板200a的表面上，再將電路板傳送至局部蝕刻裝置100，以針對因尖端效應(yīng)所造成的厚膜區(qū)進(jìn)行局部蝕刻，使導(dǎo)電層的整體厚度均勻一致。接著，可例如通過曝光顯影等制作工藝于電路板上形成圖案化光致抗蝕劑，再將電路板傳送至蝕刻槽400，以對電路板進(jìn)行全面性的蝕刻而形成具有圖案化線路層的電路板200b。
[0049]綜上所述，本實用新型的局部蝕刻裝置通過可移動的噴灑單元來控制蝕刻液的噴灑位置和噴灑范圍，并于噴灑單元上密集設(shè)置多個具有控制閥的噴嘴，各控制閥獨立控制對應(yīng)噴嘴的開啟、關(guān)閉以及其蝕刻液的噴灑流量或壓力。如此，即可精準(zhǔn)地控制局部蝕刻裝置的蝕刻區(qū)域以及蝕刻深度，以針對因電鍍的尖端效應(yīng)而造成導(dǎo)電層局部厚度較厚的部分進(jìn)行精確的局部蝕刻，因而能提升蝕刻合格率以及產(chǎn)品合格率。
【權(quán)利要求】
1.一種局部蝕刻裝置，適于對物體進(jìn)行局部蝕刻，其特征在于，該局部蝕刻裝置包括: 局部蝕刻槽，用于容置該物體，并具有蝕刻有效區(qū)；以及 噴灑單元，可移動地設(shè)置于該蝕刻有效區(qū)，并位于該物體的上方，該噴灑單元包括多個噴嘴，以對該物體噴灑蝕刻液，各該噴嘴具有控制閥，各該控制閥獨立控制對應(yīng)的噴嘴，且各該噴嘴沿傾斜方向設(shè)置并與垂直方向夾有第一銳角。
2.如權(quán)利要求1所述的局部蝕刻裝置，其特征在于，該第一銳角的角度介于8度至45度之間。
3.如權(quán)利要求1所述的局部蝕刻裝置，其特征在于，該些噴嘴彼此間的間距介于0.5英吋至2英吋之間。
4.如權(quán)利要求1所述的局部蝕刻裝置，其特征在于，各該控制閥獨立控制對應(yīng)的噴嘴的開啟、關(guān)閉、噴灑該蝕刻液的流量或壓力。
5.如權(quán)利要求1所述的局部蝕刻裝置，其特征在于，該噴灑單元的移動方向平行于該物體的上表面以及相對該物體上下移動。
6.如權(quán)利要求1所述的局部蝕刻裝置，其特征在于，該局部蝕刻裝置還包括至少一氣幕單元，平行于該噴灑單元設(shè)置以提供氣幕，其中各該噴嘴沿該傾斜方向偏向該噴灑單元的一側(cè)，而該氣幕單元設(shè)置于相對于該側(cè)的另一側(cè)。
7.如權(quán)利要求1所述的局部蝕刻裝置，其特征在于，該氣幕單元的出氣方向與垂直方向夾有第二銳角。
8.如權(quán)利要求7所述的局部蝕刻裝置，其特征在于，該第二銳角的角度介于8度至45度之間。
9.如權(quán)利要求1所述的局部蝕刻裝置，其特征在于，該局部蝕刻裝置還包括傳送單元，其傳送行進(jìn)方向為進(jìn)入該局部蝕刻槽內(nèi)。
10.如權(quán)利要求8所述的局部蝕刻裝置，其特征在于，該局部蝕刻裝置還包括定位單元，耦接該傳送單元，用以控制該傳送單元將該物體傳送至該局部蝕刻槽內(nèi)的定位。
【文檔編號】H05K3/06GK203482505SQ201320416395
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年7月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月12日
【發(fā)明者】曾子章, 劉文芳, 張啟民 申請人:欣興電子股份有限公司