高頻電路模塊的制作方法
高頻電路模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種安裝密度高的高頻電路模塊。高頻電路模塊(100)具有：進行高頻信號的發(fā)送處理及接收處理的RFIC(160)；放大來自該RFIC(160)的發(fā)送信號的功率放大器IC(155)；和將從功率放大器IC(155)向天線輸出的發(fā)送信號與從天線向RFIC(160)輸入的接收信號分離的雙工器(110、120)，RFIC(160)及功率放大器IC(155)的某一方或雙方埋設在電路基板(200)內，并且，雙工器(110、120)配置在RFIC(160)與功率放大器IC(155)之間。
【專利說明】高頻電路模塊
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及在電路基板上安裝有高頻1C、功率放大器1C、雙工器(duplexer)的高頻電路模塊，尤其涉及各部件的配置構造。
【背景技術】
[0002]近年來，以所謂的稱作智能手機的多功能移動電話為代表，實現(xiàn)了移動電話的多功能化及小型化。在這樣的移動電話中，高頻電路模塊搭載在母板(mother board)上,該高頻電路模塊在電路基板上安裝有收發(fā)高頻信號所需要的各種部件(例如參照專利文獻I)。專利文獻I所記載的高頻電路模塊在電路基板上搭載有:進行高頻信號的發(fā)送處理及接收處理的高頻1C、將發(fā)送信號功率放大的功率放大器1C、發(fā)送濾波器、接收濾波器、高頻開關等。功率放大器IC的輸出信號按順序經(jīng)由發(fā)送用匹配(matching)電路、發(fā)送濾波器、高頻開關而從天線發(fā)送。另一方面，來自天線的接收信號按順序經(jīng)由高頻開關、接收濾波器、接收用匹配電路而輸入到高頻1C。在此，從高頻IC至高頻開關為止發(fā)送信號所通過的信號線和從高頻開關至高頻IC為止接收信號所通過的信號線以相互不交叉且不接近的方式形成在電路基板上。另外，在專利文獻2中記載有如下多模式高頻電路:通過在處理W-CDMA的RF發(fā)送信號的電路系統(tǒng)與處理W-CDMA的RF接收信號的接收電路的最短距離之間配置與W-CDMA的工作無關的電路即GSM方式的電路系統(tǒng)，能夠減少W-CDMA的發(fā)送電路與接收電路的信號干涉。
[0003]現(xiàn)有技術文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻1:日本特開2005-198051號公報
[0006]專利文獻2:日本特開2006-340257號公報
【發(fā)明內容】
[0007]但是，在現(xiàn)有技術中，應對于近年來的更小型化、更高密度化的要求而存在極限。在專利文獻I所記載的結構中，由于功率放大器IC緊鄰高頻IC配置，所以伴隨著小型化、高密度化而導致接收信號用的信號線通過功率放大器IC附近。由此，存在功率放大器IC所產(chǎn)生的噪聲或泄漏信號混入高頻IC的接收電路的問題。在專利文獻2所記載的結構中，當確認作為第I通信方式的W-CDMA的信息塊時，雖然與功率放大器IC相當?shù)腤-PA-1C121遠離高頻IC310，但由于雙工器100遠離高頻IC310，所以存在如下問題:在通過了雙工器100的接收信號中，功率放大器IC所產(chǎn)生的噪聲或泄漏信號等混入高頻IC的接收電路。
[0008]本發(fā)明是鑒于上述情況而研發(fā)的，其目的在于提供一種安裝密度高的高頻電路模塊。
[0009]為了實現(xiàn)上述目的，本申請發(fā)明的高頻電路模塊的特征在于，具有:絕緣體層和導體層交替層疊而成的電路基板；安裝于電路基板、進行高頻信號的發(fā)送處理及接收處理的高頻IC ;安裝于電路基板、放大來自高頻IC的發(fā)送信號的功率放大器IC ;和將從功率放大器IC向天線輸出的發(fā)送信號與從天線向高頻IC輸入的接收信號分離的雙工器，高頻IC及功率放大器IC的某一方或雙方埋設在電路基板內，并且，當從上表面透視觀察電路基板時雙工器配置在高頻IC與功率放大器IC之間。
[0010]根據(jù)本發(fā)明，用于從雙工器向高頻IC輸入接收信號的信號線不位于功率放大器IC附近。另外，能夠縮短用于從雙工器向高頻IC輸入接收信號的信號線的長度。由此，容易防止噪聲向高頻IC的接收電路的混入并容易實現(xiàn)小型化、高密度化。此外，從高頻IC輸出的發(fā)送信號通過雙工器附近而輸入到功率放大器1C。但是，由于該發(fā)送信號為功率放大前的信號，所以對雙工器和其他電路等的影響極小。另一方面，由于功率放大器IC和雙工器接近，所以能夠縮短對功率放大后的發(fā)送信號進行傳輸?shù)男盘柧€的長度。也就是說，將通過功率放大器IC而放大的信號傳輸?shù)诫p工器的信號線能夠比對從高頻IC輸出的放大前的信號進行傳輸?shù)男盘柧€短。由此，能夠減小功率損失和輻射噪聲。此外，雙工器可以安裝在電路基板上也可以埋設在電路基板內。
[0011]作為本發(fā)明的優(yōu)選方式的一例，能夠列舉具有以下特征的例子:在電路基板底面上形成有接地電極，功率放大器IC埋設在電路基板內，功率放大器IC的散熱用電極經(jīng)由過孔導體與電路基板底面的接地電極連接。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠縮小功率放大器IC的散熱用電極與形成于電路基板底面的接地電極之間的距離，所以提高了散熱效率。
[0012]另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選方式的一例，能夠列舉具有以下特征的例子:上述電路基板包含作為導體層的芯層，該芯層與其他導體層相比厚度大且發(fā)揮接地功能，上述高頻IC及功率放大器IC的某一方或雙方配置在形成于上述芯層的貫穿孔或凹部內。根據(jù)本發(fā)明，通過芯層提高了高頻IC及功率放大器IC的密封性及散熱性。
[0013]發(fā)明效果
[0014]如上所述，根據(jù)本發(fā)明，用于從雙工器向高頻IC輸入接收信號的信號線不位于功率放大器IC附近。另外，能夠縮短用于從雙工器向高頻IC輸入接收信號的信號線的長度。由此，容易防止噪聲向聞頻IC的接收電路的混入并容易實現(xiàn)小型化、聞密度化。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015]圖1是高頻電路模塊的概略電路圖。
[0016]圖2是第I實施方式的高頻電路模塊的俯視圖。
[0017]圖3是第I實施方式的高頻電路模塊的仰視圖。
[0018]圖4是第I實施方式的高頻電路模塊的剖視圖。
[0019]圖5是第I實施方式的其他例子的高頻電路模塊的俯視圖。
[0020]圖6是第2實施方式的高頻電路模塊的俯視圖。
[0021]圖7是第2實施方式的高頻電路模塊的仰視圖。
[0022]圖8是第2實施方式的高頻電路模塊的剖視圖。
[0023]附圖標記說明
[0024]10...天線，100、300...高頻電路模塊，101...高頻開關，110、120...雙工器，
112.122...發(fā)送濾波器，114、124...接收濾波器，155...功率放大器1C，160...RFIC，200、
400...電路基板，201、401...接合區(qū)，205、405...端子電極，206、406...接地電極，210、410...芯層，211、411...貫穿孔，225、226、235...接地導體層，243、244、442、443...過孔 導體
【具體實施方式】
[0025](第I實施方式)
[0026]參照【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的第I實施方式的高頻電路模塊。圖1示出高頻電路模塊的概略電路圖。此外，在本實施方式中，為了簡化說明，僅主要說明與本發(fā)明的要旨相關的結構。
[0027]本實施方式的高頻電路模塊100使用于與兩個頻帶對應的移動電話。如圖1所示，高頻電路模塊100具有:高頻開關101、第I?第2雙工器110、120、發(fā)送用的高頻功率放大器 151、152、和 RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit:射頻集成電路)160。此夕卜，在實際的電路結構中，按頻帶具有匹配電路和發(fā)送信號用的帶通濾波器等，但為了簡化說明，在本實施方式中將其省略。
[0028]高頻開關101用于切換第I?第2雙工器110、120與一個外部天線10的連接。
[0029]各雙工器110、120分別具有發(fā)送濾波器112、122和接收濾波器114、124。作為發(fā)送濾波器112、122及接收濾波器114、124，能夠使用表面彈性波(SAW =Surface AcousticWave)濾波器和體彈性波(BAW:Bulk Acoustic Wave)濾波器等各種濾波器。在本實施方式中，使用SAW濾波器。發(fā)送濾波器112、122經(jīng)由高頻功率放大器151、152與RFIC160的發(fā)送端口連接。接收濾波器114、124與RFIC160的接收端口連接。高頻功率放大器151和152封裝在一個功率放大器IC155中。RFIC160進行高頻信號的調制解調處理和多路復用處理等發(fā)送處理及接收處理。
[0030]接下來，參照圖2至圖4說明高頻電路模塊100的構造。圖2是高頻電路模塊的俯視圖，圖3是高頻電路模塊的仰視圖，圖4是圖2中的A線箭頭方向剖視圖。
[0031]如圖2所示，高頻電路模塊100在電路基板200的上表面安裝有RFIC160、第I雙工器110、功率放大器IC155、和高頻開關101。第I雙工器110的第I發(fā)送濾波器112和第I接收濾波器114收納在表面安裝用的一個封裝中。另一方面，第2雙工器120埋設在電路基板200內。在此，第2雙工器120的構成要素(發(fā)送濾波器、接收濾波器等)分別呈單獨埋設在電路基板200內的形態(tài)。S卩，第2雙工器120與第I雙工器110不同，不為收納于封裝的形態(tài)。
[0032]電路基板200為將絕緣體層和導體層交替層疊而成的多層基板。如圖4所示，電路基板200具有:導電性良好且比較厚的金屬制的作為導體層的芯層210 ;在該芯層210的一個主面(上表面)上形成的多個絕緣體層221及導體層222 ;和在芯層210的另一主面(下表面)上形成的多個絕緣體層231及導體層232。絕緣體層221、231及導體層222、232通過積層法而形成在芯層210的兩個主面上。在此，位于芯層210與電路基板200的一個主面(上表面)之間的導體層222中的兩層、以及位于芯層210與電路基板200的另一主面(下表面)之間的導體層232中的一層，為被賦予基準電位(接地)的接地導體層225、226、235。接地導體層225、235為最接近芯層210的導體層222、232，分別經(jīng)由過孔導體241與芯層210連接。因此，芯層210也作為接地導體而發(fā)揮功能。另外，在兩個接地導體層225、226之間夾設有導體層222，能夠使形成在該導體層222上的布線作為帶狀線(stripline)而發(fā)揮功能。在電路基板200的一個主面(上表面)上形成有安裝部件用的導電性的接合區(qū)201和布線202。另外，在電路基板200的另一主面(下表面)的周緣部形成有多個端子電極205。另外，在電路基板200的主面(下表面)且在比上述端子電極205的形成區(qū)域靠內側的區(qū)域，形成有面積比上述端子電極205大的多個接地電極206。在接合區(qū)201上錫焊有RFIC160、第I雙工器110、功率放大器IC155。
[0033]在芯層210上形成有收納部件用的貫穿孔211。在該貫穿孔211中配置有構成第2雙工器120的第2發(fā)送濾波器122及第2接收濾波器124。因此，芯層210優(yōu)選厚度大于所內置的部件的高度。在本實施方式中，通過金屬板、更具體而言通過銅制或銅合金制的金屬板來形成芯層210。在貫穿孔211內且在貫穿孔211與收納部件的間隙中，與絕緣體層221或231 —體地充填有樹脂等絕緣體。在第2發(fā)送濾波器122及第2接收濾波器124的上表面形成有端子電極122a、124a。端子電極122a、124a經(jīng)由過孔導體242與導體層222連接。 [0034]本發(fā)明的高頻電路模塊100的特征在于，如圖2所示，第I雙工器110及第2雙工器120 (即，第2發(fā)送濾波器122和第2接收濾波器124)配置在RFIC160與功率放大器IC155之間。由此，能夠縮短對從第I雙工器110及第2雙工器120向RFIC160輸入的接收信號進行傳輸?shù)男盘柧€170的長度，并且能夠將噪聲向該信號線170的混入抑制得極小。在圖2的例子中，從第I雙工器110輸出的接收信號經(jīng)由形成在電路基板200的上表面上的信號線170而輸入到RFIC160。另一方面，從RFIC160輸出的發(fā)送信號經(jīng)由電路基板200的內層、更具體而言經(jīng)由形成在夾設于兩個接地導體層225、226之間的導體層222上的信號線180而輸入到功率放大器IC155。從功率放大器IC輸出的放大后的發(fā)送信號經(jīng)由形成在電路基板200的上表面上的信號線185而輸入到第I雙工器110。在此，要注意以下方面:對通過功率放大器IC而放大的信號進行傳輸?shù)男盘柧€185比對從RFIC160輸出的放大前的信號進行傳輸?shù)男盘柧€180短。此外，為了簡化說明，在圖2中省略了相對于第2雙工器120進行輸入輸出的信號線。
[0035]另外，本發(fā)明的高頻電路模塊100的其他特征在于，如圖2及圖3所示，功率放大器IC155安裝在電路基板200的周緣部。如圖3所示，功率放大器IC155安裝在功率放大器IC155的沿電路基板200的厚度方向投影而成的投影區(qū)域與上述端子電極205的形成區(qū)域重合的位置。另外，如圖4所示，功率放大器IC155的接地端子155a安裝在電路基板200的接合區(qū)201上，該接合區(qū)201經(jīng)由多個散熱用的過孔導體243與芯層210連接。另外，芯層210經(jīng)由多個散熱用的過孔導體244與下表面的接地電極206連接。通過這樣的構造，功率放大器IC155所產(chǎn)生的熱通過過孔導體243向電路基板200的厚度方向傳導，并沿芯層210向左右方向傳導。芯層210的熱通過過孔導體244向接地電極206傳導，從而向安裝部位的母電路基板散熱。
[0036]根據(jù)這樣的高頻電路模塊100，由于雙工器110、120配置在1^1(:160與功率放大器IC155之間，所以用于從雙工器110、120向RFIC160輸入接收信號的信號線不位于功率放大器IC155附近。另外，能夠縮短用于從雙工器110、120向RFIC160輸入接收信號的信號線的長度。由此，容易防止噪聲向RFIC160的接收電路的混入并容易實現(xiàn)小型化、高密度化。此外，從RFIC160輸出的發(fā)送信號通過雙工器110、120附近而輸入到功率放大器1(:155。但是，由于該發(fā)送信號為功率放大前的信號，所以對雙工器110、120和其他電路等的影響極小。另一方面，由于功率放大器IC155和雙工器110、120相鄰，所以能夠縮短對功率放大后的發(fā)送信號進行傳輸?shù)男盘柧€的長度。由此，能夠減小功率損失和輻射噪聲。
[0037]另外，在本實施方式的高頻電路模塊100中，即使將功率放大器IC155配置在電路基板200的周緣部，也能夠將該功率放大器IC所產(chǎn)生的熱經(jīng)由散熱用的過孔導體243、244及芯層210向母電路基板散熱。因此，能夠將RFIC160配置在比電路基板的周緣部靠內側的位置。由此，尤其容易進行RFIC160附近的部件配置和電路圖案的設計，而且能夠縮短布線長度，因此在高頻特性方面也很優(yōu)異。
[0038]此外,在上述第I實施方式中，從RFIC160輸出的發(fā)送信號經(jīng)由形成在電路基板200的內層中的信號線180而輸入到功率放大器IC155，但如圖5所示，也可以經(jīng)由形成在電路基板200上的信號線181而輸入到功率放大器IC155。
[0039](第2實施方式)
[0040]參照【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的第2實施方式的高頻電路模塊。本實施方式的高頻電路模塊與第I實施方式的不同點在于，RFIC及功率放大器IC的安裝方式不同。由于其他方面例如高頻電路模塊的概略電路圖與第I實施方式相同，所以在此主要詳細說明不同點。
[0041]參照圖6至圖8說明第2實施方式的高頻電路模塊300的構造。圖6是高頻電路模塊的俯視圖，圖7是高頻電路模塊的仰視圖，圖8是圖6中的A線箭頭方向剖視圖。
[0042]如圖6所不，聞頻電路|旲塊300在電路基板400的上表面安裝有聞頻開關101和第I雙工器110。第I雙工器110是其第I發(fā)送濾波器112和第I接收濾波器114收納在一個封裝中而成的獨立部件。另一方面，第2雙工器120、RFIC160和功率放大器IC155埋設在電路基板400內。在此，第2雙工器120是其第2發(fā)送濾波器122和第2接收濾波器124收納在表面安裝用的一個封裝中而成的獨立部件。
[0043]電路基板400為將絕緣體層和導體層交替層疊而成的多層基板。如圖8所示，電路基板400具有:導電性良好且比較厚的金屬制的作為導體層的芯層410 ;在該芯層410的一個主面(上表面)上形成的多個絕緣體層421及導體層422 ;和在芯層410的另一主面(下表面)上形成的多個絕緣體層431及導體層432。絕緣體層421、431及導體層422、432通過積層法而形成在芯層410的兩個主面上。在此，芯層410作為被賦予基準電位(接地)的接地導體而發(fā)揮功能。在電路基板400的一個主面(上表面)上形成有安裝部件用的導電性的接合區(qū)401和布線402。另外，在電路基板400的另一主面(下表面)的周緣部形成有多個端子電極405。另外，在電路基板400的主面(下表面)且在比上述端子電極405的形成區(qū)域靠內側的區(qū)域，形成有面積比上述端子電極405大的多個接地電極406。在接合區(qū)401上錫焊有高頻開關101、第I雙工器110。
[0044]在芯層410上形成有收納部件用的貫穿孔411。在該貫穿孔411中配置有RFIC160、第2雙工器120、功率放大器IC155。因此，芯層410優(yōu)選厚度大于所內置的電子部件的高度且彎曲強度較大。另外，芯層410由導電性材料構成，在電方面被賦予基準電位(接地)。因此，廣義地說，能夠將芯層410理解成多層電路基板400的導體層。在本實施方式中，通過金屬板、更具體而言通過銅制或銅合金制的金屬板來形成芯層410。在貫穿孔411內且在貫穿孔411與收納部件的間隙中，與絕緣體層421或431 —體地填充有樹脂等絕緣體。在RFIC160、第2雙工器120、功率放大器IC155的下表面形成有端子電極160a、120a、155a。端子電極160a、120a、155a經(jīng)由過孔導體442與導體層432連接。
[0045]與第I實施方式同樣地，本發(fā)明的高頻電路模塊300的特征在于，如圖6及圖7所示，第I雙工器110及第2雙工器120配置在RFIC160與功率放大器IC155之間。由此，能夠縮短對從第I雙工器110及第2雙工器120向RFIC160輸入的接收信號進行傳輸?shù)男盘柧€170的長度，并且能夠將噪聲向該信號線170的混入抑制得極小。在圖6的例子中，從第I雙工器110輸出的接收信號經(jīng)由形成在電路基板400的內層中的信號線170而輸入到RFIC160。另一方面，從RFIC160輸出的發(fā)送信號經(jīng)由形成在電路基板400的內層中的信號線180而輸入到功率放大器IC155。從功率放大器IC155輸出的放大后的發(fā)送信號經(jīng)由形成在電路基板400的內層中的信號線185而輸入到第I雙工器110。在此，要注意以下方面:對通過功率放大器IC而放大的信號進行傳輸?shù)男盘柧€185比對從RFIC160輸出的放大前的信號進行傳輸?shù)男盘柧€180短。此外，為了簡化說明，在圖6中省略了相對于第2雙工器120進行輸入輸出的信號線。
[0046]另外，在本實施方式中，如圖6及圖7所示，RFIC160配置在RFIC160的至少一部分與將高頻開關101沿電路基板400的厚度方向投影而成的區(qū)域重合這樣的位置。另外，第I雙工器110配置在第I雙工器110的至少一部分與將第2雙工器120沿電路基板400的厚度方向投影而成的區(qū)域重合這樣的位置。像這樣，由于以部件彼此重合的方式配置，所以在基板厚度方向的投影區(qū)域提高了安裝密度，由此能夠實現(xiàn)小型化。另外，由于能夠縮短連接高頻開關101、各雙工器110、120、功率放大器IC155、RFIC160之間的各種信號線的距離，所以抑制了信號損失和噪聲侵入等。
[0047]如圖7所示，功率放大器IC155安裝在功率放大器IC155的沿電路基板400的厚度方向投影而成的投影區(qū)域與上述接地電極406的形成區(qū)域重合的位置。另外，如圖8所示，兼作功率放大器IC15 5的散熱用電極的接地端子155b經(jīng)由多個散熱用的過孔導體443與電路基板400的下表面的接地電極406連接。通過這樣的構造，功率放大器IC155所產(chǎn)生的熱通過過孔導體443向接地電極406傳導，從而向安裝部位的母電路基板散熱。
[0048]根據(jù)這樣的高頻電路模塊300，由于雙工器110、120配置在1^1(:160與功率放大器IC155之間，所以用于從雙工器110、120向RFIC160輸入接收信號的信號線不位于功率放大器IC155附近。另外，能夠縮短用于從雙工器110、120向RFIC160輸入接收信號的信號線的長度。由此，容易防止噪聲向RFIC160的接收電路的混入并容易實現(xiàn)小型化、高密度化。此外，從RFIC160輸出的發(fā)送信號通過雙工器110、120附近而輸入到功率放大器1(:155。但是，由于該發(fā)送信號為功率放大前的信號，所以對雙工器110、120和其他電路等的影響極小。另一方面，由于功率放大器IC155和雙工器110、120相鄰，所以能夠縮短對功率放大后的發(fā)送信號進行傳輸?shù)男盘柧€的長度。由此，能夠減小功率損失和輻射噪聲。
[0049]另外，在本實施方式的高頻電路模塊300中，由于功率放大器IC155埋設在電路基板400中，所以能夠縮小功率放大器IC155的散熱用電極155b與電路基板400的接地電極406的距離。由此，提高了功率放大器IC155的散熱效率。
[0050]以上詳細說明了本發(fā)明的實施方式，但本發(fā)明不限定于此。例如，在上述第I實施方式中，將RFIC160及功率放大器IC155雙方安裝在電路基板200上，在第2實施方式中，將RFIC160及功率放大器IC155雙方埋設在電路基板400內，但是，也可以是將RFIC160安裝在電路基板上并將功率放大器IC155埋設在電路基板內的方式，還可以是將RFIC160埋設在電路基板內并將功率放大器IC155安裝在電路基板上的方式。此外，各方式中，將雙工器110、120和聞頻開關101安裝在電路基板上或埋設在電路基板內均可。[0051]另外，上述各實施方式中的RFIC160、功率放大器IC155、雙工器110、120之間的布線的安裝構造只是示出本申請發(fā)明的一例，能夠根據(jù)高頻電路模塊的規(guī)格等而任意地將布線形成在電路基板上或形成在內層。
[0052]另外，在上述第I實施方式中，作為將第2雙工器120埋設于電路基板200的方式，分別埋設作為獨立部件的濾波器122、124，另一方面，在第2實施方式中，第2雙工器120作為濾波器122、124被封裝而成的獨立部件埋設于電路基板400，因此，雙工器110、120的安裝方式不限。
[0053]另外，在上述各實施方式中，使用一個內置有兩個高頻功率放大器151、152的功率放大器IC155，但不限定內置在功率放大器IC155中的放大器的電路數(shù)量和功率放大器IC155本身的個數(shù)。作為安裝有圖1的電路的其他例子，能夠列舉分別與高頻功率放大器151、152對應地將兩個功率放大器IC安裝在電路基板200上的例子。該情況下，可以將這兩個功率放大器IC安裝在電路基板200的上表面，也可以將這兩個功率放大器IC埋設在電路基板200內。而且，還可以將一方的功率放大器IC安裝在電路基板200的上表面，并將另一方的功率放大器IC埋設在電路基板200內。
[0054]另外，在上述各實施方式中，在芯層210、410中形成貫穿孔211、411，并在該貫穿孔211、411中配置濾波器、RFIC、功率放大器IC等電子部件，但也可以在芯層210、410上形成凹部而不是貫穿孔211、411，并在該凹部中配置各電子部件。
[0055]另外，在上述各實施方式中，作為芯層210、410的材質例示了銅或銅合金，但也可以是其他金屬或合金、樹脂等材質。另外，芯層210、410有無導電性均可。而且，在上述實施方式中，作為電路基板200、400例示了具有比較厚的芯層210、410的電路基板，但也可以是不具有芯層210、410的多層電路基板。
[0056]另外，在上述各實施方式中，各種部件在安裝狀態(tài)下在電路基板200、400的上表面露出，但也可以以覆蓋電路基板200、400的上表面的整面或一部分的方式安裝殼體或通過樹脂等進行封固。
【權利要求】
1.一種聞頻電路|旲塊，其特征在于，具有: 絕緣體層和導體層交替層疊而成的電路基板； 安裝于電路基板、進行高頻信號的發(fā)送處理及接收處理的高頻IC ； 安裝于電路基板、放大來自高頻IC的發(fā)送信號的功率放大器IC ;和 將從功率放大器IC向天線輸出的發(fā)送信號與從天線向高頻IC輸入的接收信號分離的雙工器， 高頻IC及功率放大器IC的某一方或雙方埋設在電路基板內，并且，當從上表面透視觀察電路基板時雙工器配置在高頻IC與功率放大器IC之間。
2.如權利要求1所述的高頻電路模塊，其特征在于， 將通過功率放大器IC放大的發(fā)送信號傳輸?shù)诫p工器的信號線的布線長度，短于將從高頻IC輸出的放大前的發(fā)送信號傳輸?shù)焦β史糯笃鱅C的信號線的布線長度。
3.如權利要求1或2所述的高頻電路模塊，其特征在于， 雙工器安裝在電路基板上。
4.如權利要求1或2所述的高頻電路模塊，其特征在于， 雙工器埋設在電路基板內。
5.如權利要求1或2所述的高頻電路模塊，其特征在于， 在電路基板底面上形成有接地電極， 功率放大器IC埋設在電路基板內，功率放大器IC的散熱用電極經(jīng)由過孔導體與電路基板底面的接地電極連接。
6.如權利要求1或2所述的高頻電路模塊，其特征在于， 所述電路基板包含作為導體層的芯層，所述芯層與其他導體層相比厚度大且發(fā)揮接地功能，所述高頻IC及功率放大器IC的某一方或雙方配置在形成于所述芯層的貫穿孔或凹部內。
【文檔編號】H05K1/18GK103635021SQ201310376792
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年8月21日 優(yōu)先權日:2012年8月21日
【發(fā)明者】中村浩, 五十嵐智宏 申請人:太陽誘電株式會社
【專利摘要】本發(fā)明提供一種安裝密度高的高頻電路模塊。高頻電路模塊(100)具有：進行高頻信號的發(fā)送處理及接收處理的RFIC(160)；放大來自該RFIC(160)的發(fā)送信號的功率放大器IC(155)；和將從功率放大器IC(155)向天線輸出的發(fā)送信號與從天線向RFIC(160)輸入的接收信號分離的雙工器(110、120)，RFIC(160)及功率放大器IC(155)的某一方或雙方埋設在電路基板(200)內，并且，雙工器(110、120)配置在RFIC(160)與功率放大器IC(155)之間。
【專利說明】高頻電路模塊
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及在電路基板上安裝有高頻1C、功率放大器1C、雙工器(duplexer)的高頻電路模塊，尤其涉及各部件的配置構造。
【背景技術】
[0002]近年來，以所謂的稱作智能手機的多功能移動電話為代表，實現(xiàn)了移動電話的多功能化及小型化。在這樣的移動電話中，高頻電路模塊搭載在母板(mother board)上,該高頻電路模塊在電路基板上安裝有收發(fā)高頻信號所需要的各種部件(例如參照專利文獻I)。專利文獻I所記載的高頻電路模塊在電路基板上搭載有:進行高頻信號的發(fā)送處理及接收處理的高頻1C、將發(fā)送信號功率放大的功率放大器1C、發(fā)送濾波器、接收濾波器、高頻開關等。功率放大器IC的輸出信號按順序經(jīng)由發(fā)送用匹配(matching)電路、發(fā)送濾波器、高頻開關而從天線發(fā)送。另一方面，來自天線的接收信號按順序經(jīng)由高頻開關、接收濾波器、接收用匹配電路而輸入到高頻1C。在此，從高頻IC至高頻開關為止發(fā)送信號所通過的信號線和從高頻開關至高頻IC為止接收信號所通過的信號線以相互不交叉且不接近的方式形成在電路基板上。另外，在專利文獻2中記載有如下多模式高頻電路:通過在處理W-CDMA的RF發(fā)送信號的電路系統(tǒng)與處理W-CDMA的RF接收信號的接收電路的最短距離之間配置與W-CDMA的工作無關的電路即GSM方式的電路系統(tǒng)，能夠減少W-CDMA的發(fā)送電路與接收電路的信號干涉。
[0003]現(xiàn)有技術文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻1:日本特開2005-198051號公報
[0006]專利文獻2:日本特開2006-340257號公報
【發(fā)明內容】
[0007]但是，在現(xiàn)有技術中，應對于近年來的更小型化、更高密度化的要求而存在極限。在專利文獻I所記載的結構中，由于功率放大器IC緊鄰高頻IC配置，所以伴隨著小型化、高密度化而導致接收信號用的信號線通過功率放大器IC附近。由此，存在功率放大器IC所產(chǎn)生的噪聲或泄漏信號混入高頻IC的接收電路的問題。在專利文獻2所記載的結構中，當確認作為第I通信方式的W-CDMA的信息塊時，雖然與功率放大器IC相當?shù)腤-PA-1C121遠離高頻IC310，但由于雙工器100遠離高頻IC310，所以存在如下問題:在通過了雙工器100的接收信號中，功率放大器IC所產(chǎn)生的噪聲或泄漏信號等混入高頻IC的接收電路。
[0008]本發(fā)明是鑒于上述情況而研發(fā)的，其目的在于提供一種安裝密度高的高頻電路模塊。
[0009]為了實現(xiàn)上述目的，本申請發(fā)明的高頻電路模塊的特征在于，具有:絕緣體層和導體層交替層疊而成的電路基板；安裝于電路基板、進行高頻信號的發(fā)送處理及接收處理的高頻IC ;安裝于電路基板、放大來自高頻IC的發(fā)送信號的功率放大器IC ;和將從功率放大器IC向天線輸出的發(fā)送信號與從天線向高頻IC輸入的接收信號分離的雙工器，高頻IC及功率放大器IC的某一方或雙方埋設在電路基板內，并且，當從上表面透視觀察電路基板時雙工器配置在高頻IC與功率放大器IC之間。
[0010]根據(jù)本發(fā)明，用于從雙工器向高頻IC輸入接收信號的信號線不位于功率放大器IC附近。另外，能夠縮短用于從雙工器向高頻IC輸入接收信號的信號線的長度。由此，容易防止噪聲向高頻IC的接收電路的混入并容易實現(xiàn)小型化、高密度化。此外，從高頻IC輸出的發(fā)送信號通過雙工器附近而輸入到功率放大器1C。但是，由于該發(fā)送信號為功率放大前的信號，所以對雙工器和其他電路等的影響極小。另一方面，由于功率放大器IC和雙工器接近，所以能夠縮短對功率放大后的發(fā)送信號進行傳輸?shù)男盘柧€的長度。也就是說，將通過功率放大器IC而放大的信號傳輸?shù)诫p工器的信號線能夠比對從高頻IC輸出的放大前的信號進行傳輸?shù)男盘柧€短。由此，能夠減小功率損失和輻射噪聲。此外，雙工器可以安裝在電路基板上也可以埋設在電路基板內。
[0011]作為本發(fā)明的優(yōu)選方式的一例，能夠列舉具有以下特征的例子:在電路基板底面上形成有接地電極，功率放大器IC埋設在電路基板內，功率放大器IC的散熱用電極經(jīng)由過孔導體與電路基板底面的接地電極連接。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠縮小功率放大器IC的散熱用電極與形成于電路基板底面的接地電極之間的距離，所以提高了散熱效率。
[0012]另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選方式的一例，能夠列舉具有以下特征的例子:上述電路基板包含作為導體層的芯層，該芯層與其他導體層相比厚度大且發(fā)揮接地功能，上述高頻IC及功率放大器IC的某一方或雙方配置在形成于上述芯層的貫穿孔或凹部內。根據(jù)本發(fā)明，通過芯層提高了高頻IC及功率放大器IC的密封性及散熱性。
[0013]發(fā)明效果
[0014]如上所述，根據(jù)本發(fā)明，用于從雙工器向高頻IC輸入接收信號的信號線不位于功率放大器IC附近。另外，能夠縮短用于從雙工器向高頻IC輸入接收信號的信號線的長度。由此，容易防止噪聲向聞頻IC的接收電路的混入并容易實現(xiàn)小型化、聞密度化。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015]圖1是高頻電路模塊的概略電路圖。
[0016]圖2是第I實施方式的高頻電路模塊的俯視圖。
[0017]圖3是第I實施方式的高頻電路模塊的仰視圖。
[0018]圖4是第I實施方式的高頻電路模塊的剖視圖。
[0019]圖5是第I實施方式的其他例子的高頻電路模塊的俯視圖。
[0020]圖6是第2實施方式的高頻電路模塊的俯視圖。
[0021]圖7是第2實施方式的高頻電路模塊的仰視圖。
[0022]圖8是第2實施方式的高頻電路模塊的剖視圖。
[0023]附圖標記說明
[0024]10...天線，100、300...高頻電路模塊，101...高頻開關，110、120...雙工器，
112.122...發(fā)送濾波器，114、124...接收濾波器，155...功率放大器1C，160...RFIC，200、
400...電路基板，201、401...接合區(qū)，205、405...端子電極，206、406...接地電極，210、410...芯層，211、411...貫穿孔，225、226、235...接地導體層，243、244、442、443...過孔 導體
【具體實施方式】
[0025](第I實施方式)
[0026]參照【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的第I實施方式的高頻電路模塊。圖1示出高頻電路模塊的概略電路圖。此外，在本實施方式中，為了簡化說明，僅主要說明與本發(fā)明的要旨相關的結構。
[0027]本實施方式的高頻電路模塊100使用于與兩個頻帶對應的移動電話。如圖1所示，高頻電路模塊100具有:高頻開關101、第I?第2雙工器110、120、發(fā)送用的高頻功率放大器 151、152、和 RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit:射頻集成電路)160。此夕卜，在實際的電路結構中，按頻帶具有匹配電路和發(fā)送信號用的帶通濾波器等，但為了簡化說明，在本實施方式中將其省略。
[0028]高頻開關101用于切換第I?第2雙工器110、120與一個外部天線10的連接。
[0029]各雙工器110、120分別具有發(fā)送濾波器112、122和接收濾波器114、124。作為發(fā)送濾波器112、122及接收濾波器114、124，能夠使用表面彈性波(SAW =Surface AcousticWave)濾波器和體彈性波(BAW:Bulk Acoustic Wave)濾波器等各種濾波器。在本實施方式中，使用SAW濾波器。發(fā)送濾波器112、122經(jīng)由高頻功率放大器151、152與RFIC160的發(fā)送端口連接。接收濾波器114、124與RFIC160的接收端口連接。高頻功率放大器151和152封裝在一個功率放大器IC155中。RFIC160進行高頻信號的調制解調處理和多路復用處理等發(fā)送處理及接收處理。
[0030]接下來，參照圖2至圖4說明高頻電路模塊100的構造。圖2是高頻電路模塊的俯視圖，圖3是高頻電路模塊的仰視圖，圖4是圖2中的A線箭頭方向剖視圖。
[0031]如圖2所示，高頻電路模塊100在電路基板200的上表面安裝有RFIC160、第I雙工器110、功率放大器IC155、和高頻開關101。第I雙工器110的第I發(fā)送濾波器112和第I接收濾波器114收納在表面安裝用的一個封裝中。另一方面，第2雙工器120埋設在電路基板200內。在此，第2雙工器120的構成要素(發(fā)送濾波器、接收濾波器等)分別呈單獨埋設在電路基板200內的形態(tài)。S卩，第2雙工器120與第I雙工器110不同，不為收納于封裝的形態(tài)。
[0032]電路基板200為將絕緣體層和導體層交替層疊而成的多層基板。如圖4所示，電路基板200具有:導電性良好且比較厚的金屬制的作為導體層的芯層210 ;在該芯層210的一個主面(上表面)上形成的多個絕緣體層221及導體層222 ;和在芯層210的另一主面(下表面)上形成的多個絕緣體層231及導體層232。絕緣體層221、231及導體層222、232通過積層法而形成在芯層210的兩個主面上。在此，位于芯層210與電路基板200的一個主面(上表面)之間的導體層222中的兩層、以及位于芯層210與電路基板200的另一主面(下表面)之間的導體層232中的一層，為被賦予基準電位(接地)的接地導體層225、226、235。接地導體層225、235為最接近芯層210的導體層222、232，分別經(jīng)由過孔導體241與芯層210連接。因此，芯層210也作為接地導體而發(fā)揮功能。另外，在兩個接地導體層225、226之間夾設有導體層222，能夠使形成在該導體層222上的布線作為帶狀線(stripline)而發(fā)揮功能。在電路基板200的一個主面(上表面)上形成有安裝部件用的導電性的接合區(qū)201和布線202。另外，在電路基板200的另一主面(下表面)的周緣部形成有多個端子電極205。另外，在電路基板200的主面(下表面)且在比上述端子電極205的形成區(qū)域靠內側的區(qū)域，形成有面積比上述端子電極205大的多個接地電極206。在接合區(qū)201上錫焊有RFIC160、第I雙工器110、功率放大器IC155。
[0033]在芯層210上形成有收納部件用的貫穿孔211。在該貫穿孔211中配置有構成第2雙工器120的第2發(fā)送濾波器122及第2接收濾波器124。因此，芯層210優(yōu)選厚度大于所內置的部件的高度。在本實施方式中，通過金屬板、更具體而言通過銅制或銅合金制的金屬板來形成芯層210。在貫穿孔211內且在貫穿孔211與收納部件的間隙中，與絕緣體層221或231 —體地充填有樹脂等絕緣體。在第2發(fā)送濾波器122及第2接收濾波器124的上表面形成有端子電極122a、124a。端子電極122a、124a經(jīng)由過孔導體242與導體層222連接。 [0034]本發(fā)明的高頻電路模塊100的特征在于，如圖2所示，第I雙工器110及第2雙工器120 (即，第2發(fā)送濾波器122和第2接收濾波器124)配置在RFIC160與功率放大器IC155之間。由此，能夠縮短對從第I雙工器110及第2雙工器120向RFIC160輸入的接收信號進行傳輸?shù)男盘柧€170的長度，并且能夠將噪聲向該信號線170的混入抑制得極小。在圖2的例子中，從第I雙工器110輸出的接收信號經(jīng)由形成在電路基板200的上表面上的信號線170而輸入到RFIC160。另一方面，從RFIC160輸出的發(fā)送信號經(jīng)由電路基板200的內層、更具體而言經(jīng)由形成在夾設于兩個接地導體層225、226之間的導體層222上的信號線180而輸入到功率放大器IC155。從功率放大器IC輸出的放大后的發(fā)送信號經(jīng)由形成在電路基板200的上表面上的信號線185而輸入到第I雙工器110。在此，要注意以下方面:對通過功率放大器IC而放大的信號進行傳輸?shù)男盘柧€185比對從RFIC160輸出的放大前的信號進行傳輸?shù)男盘柧€180短。此外，為了簡化說明，在圖2中省略了相對于第2雙工器120進行輸入輸出的信號線。
[0035]另外，本發(fā)明的高頻電路模塊100的其他特征在于，如圖2及圖3所示，功率放大器IC155安裝在電路基板200的周緣部。如圖3所示，功率放大器IC155安裝在功率放大器IC155的沿電路基板200的厚度方向投影而成的投影區(qū)域與上述端子電極205的形成區(qū)域重合的位置。另外，如圖4所示，功率放大器IC155的接地端子155a安裝在電路基板200的接合區(qū)201上，該接合區(qū)201經(jīng)由多個散熱用的過孔導體243與芯層210連接。另外，芯層210經(jīng)由多個散熱用的過孔導體244與下表面的接地電極206連接。通過這樣的構造，功率放大器IC155所產(chǎn)生的熱通過過孔導體243向電路基板200的厚度方向傳導，并沿芯層210向左右方向傳導。芯層210的熱通過過孔導體244向接地電極206傳導，從而向安裝部位的母電路基板散熱。
[0036]根據(jù)這樣的高頻電路模塊100，由于雙工器110、120配置在1^1(:160與功率放大器IC155之間，所以用于從雙工器110、120向RFIC160輸入接收信號的信號線不位于功率放大器IC155附近。另外，能夠縮短用于從雙工器110、120向RFIC160輸入接收信號的信號線的長度。由此，容易防止噪聲向RFIC160的接收電路的混入并容易實現(xiàn)小型化、高密度化。此外，從RFIC160輸出的發(fā)送信號通過雙工器110、120附近而輸入到功率放大器1(:155。但是，由于該發(fā)送信號為功率放大前的信號，所以對雙工器110、120和其他電路等的影響極小。另一方面，由于功率放大器IC155和雙工器110、120相鄰，所以能夠縮短對功率放大后的發(fā)送信號進行傳輸?shù)男盘柧€的長度。由此，能夠減小功率損失和輻射噪聲。
[0037]另外，在本實施方式的高頻電路模塊100中，即使將功率放大器IC155配置在電路基板200的周緣部，也能夠將該功率放大器IC所產(chǎn)生的熱經(jīng)由散熱用的過孔導體243、244及芯層210向母電路基板散熱。因此，能夠將RFIC160配置在比電路基板的周緣部靠內側的位置。由此，尤其容易進行RFIC160附近的部件配置和電路圖案的設計，而且能夠縮短布線長度，因此在高頻特性方面也很優(yōu)異。
[0038]此外,在上述第I實施方式中，從RFIC160輸出的發(fā)送信號經(jīng)由形成在電路基板200的內層中的信號線180而輸入到功率放大器IC155，但如圖5所示，也可以經(jīng)由形成在電路基板200上的信號線181而輸入到功率放大器IC155。
[0039](第2實施方式)
[0040]參照【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的第2實施方式的高頻電路模塊。本實施方式的高頻電路模塊與第I實施方式的不同點在于，RFIC及功率放大器IC的安裝方式不同。由于其他方面例如高頻電路模塊的概略電路圖與第I實施方式相同，所以在此主要詳細說明不同點。
[0041]參照圖6至圖8說明第2實施方式的高頻電路模塊300的構造。圖6是高頻電路模塊的俯視圖，圖7是高頻電路模塊的仰視圖，圖8是圖6中的A線箭頭方向剖視圖。
[0042]如圖6所不，聞頻電路|旲塊300在電路基板400的上表面安裝有聞頻開關101和第I雙工器110。第I雙工器110是其第I發(fā)送濾波器112和第I接收濾波器114收納在一個封裝中而成的獨立部件。另一方面，第2雙工器120、RFIC160和功率放大器IC155埋設在電路基板400內。在此，第2雙工器120是其第2發(fā)送濾波器122和第2接收濾波器124收納在表面安裝用的一個封裝中而成的獨立部件。
[0043]電路基板400為將絕緣體層和導體層交替層疊而成的多層基板。如圖8所示，電路基板400具有:導電性良好且比較厚的金屬制的作為導體層的芯層410 ;在該芯層410的一個主面(上表面)上形成的多個絕緣體層421及導體層422 ;和在芯層410的另一主面(下表面)上形成的多個絕緣體層431及導體層432。絕緣體層421、431及導體層422、432通過積層法而形成在芯層410的兩個主面上。在此，芯層410作為被賦予基準電位(接地)的接地導體而發(fā)揮功能。在電路基板400的一個主面(上表面)上形成有安裝部件用的導電性的接合區(qū)401和布線402。另外，在電路基板400的另一主面(下表面)的周緣部形成有多個端子電極405。另外，在電路基板400的主面(下表面)且在比上述端子電極405的形成區(qū)域靠內側的區(qū)域，形成有面積比上述端子電極405大的多個接地電極406。在接合區(qū)401上錫焊有高頻開關101、第I雙工器110。
[0044]在芯層410上形成有收納部件用的貫穿孔411。在該貫穿孔411中配置有RFIC160、第2雙工器120、功率放大器IC155。因此，芯層410優(yōu)選厚度大于所內置的電子部件的高度且彎曲強度較大。另外，芯層410由導電性材料構成，在電方面被賦予基準電位(接地)。因此，廣義地說，能夠將芯層410理解成多層電路基板400的導體層。在本實施方式中，通過金屬板、更具體而言通過銅制或銅合金制的金屬板來形成芯層410。在貫穿孔411內且在貫穿孔411與收納部件的間隙中，與絕緣體層421或431 —體地填充有樹脂等絕緣體。在RFIC160、第2雙工器120、功率放大器IC155的下表面形成有端子電極160a、120a、155a。端子電極160a、120a、155a經(jīng)由過孔導體442與導體層432連接。
[0045]與第I實施方式同樣地，本發(fā)明的高頻電路模塊300的特征在于，如圖6及圖7所示，第I雙工器110及第2雙工器120配置在RFIC160與功率放大器IC155之間。由此，能夠縮短對從第I雙工器110及第2雙工器120向RFIC160輸入的接收信號進行傳輸?shù)男盘柧€170的長度，并且能夠將噪聲向該信號線170的混入抑制得極小。在圖6的例子中，從第I雙工器110輸出的接收信號經(jīng)由形成在電路基板400的內層中的信號線170而輸入到RFIC160。另一方面，從RFIC160輸出的發(fā)送信號經(jīng)由形成在電路基板400的內層中的信號線180而輸入到功率放大器IC155。從功率放大器IC155輸出的放大后的發(fā)送信號經(jīng)由形成在電路基板400的內層中的信號線185而輸入到第I雙工器110。在此，要注意以下方面:對通過功率放大器IC而放大的信號進行傳輸?shù)男盘柧€185比對從RFIC160輸出的放大前的信號進行傳輸?shù)男盘柧€180短。此外，為了簡化說明，在圖6中省略了相對于第2雙工器120進行輸入輸出的信號線。
[0046]另外，在本實施方式中，如圖6及圖7所示，RFIC160配置在RFIC160的至少一部分與將高頻開關101沿電路基板400的厚度方向投影而成的區(qū)域重合這樣的位置。另外，第I雙工器110配置在第I雙工器110的至少一部分與將第2雙工器120沿電路基板400的厚度方向投影而成的區(qū)域重合這樣的位置。像這樣，由于以部件彼此重合的方式配置，所以在基板厚度方向的投影區(qū)域提高了安裝密度，由此能夠實現(xiàn)小型化。另外，由于能夠縮短連接高頻開關101、各雙工器110、120、功率放大器IC155、RFIC160之間的各種信號線的距離，所以抑制了信號損失和噪聲侵入等。
[0047]如圖7所示，功率放大器IC155安裝在功率放大器IC155的沿電路基板400的厚度方向投影而成的投影區(qū)域與上述接地電極406的形成區(qū)域重合的位置。另外，如圖8所示，兼作功率放大器IC15 5的散熱用電極的接地端子155b經(jīng)由多個散熱用的過孔導體443與電路基板400的下表面的接地電極406連接。通過這樣的構造，功率放大器IC155所產(chǎn)生的熱通過過孔導體443向接地電極406傳導，從而向安裝部位的母電路基板散熱。
[0048]根據(jù)這樣的高頻電路模塊300，由于雙工器110、120配置在1^1(:160與功率放大器IC155之間，所以用于從雙工器110、120向RFIC160輸入接收信號的信號線不位于功率放大器IC155附近。另外，能夠縮短用于從雙工器110、120向RFIC160輸入接收信號的信號線的長度。由此，容易防止噪聲向RFIC160的接收電路的混入并容易實現(xiàn)小型化、高密度化。此外，從RFIC160輸出的發(fā)送信號通過雙工器110、120附近而輸入到功率放大器1(:155。但是，由于該發(fā)送信號為功率放大前的信號，所以對雙工器110、120和其他電路等的影響極小。另一方面，由于功率放大器IC155和雙工器110、120相鄰，所以能夠縮短對功率放大后的發(fā)送信號進行傳輸?shù)男盘柧€的長度。由此，能夠減小功率損失和輻射噪聲。
[0049]另外，在本實施方式的高頻電路模塊300中，由于功率放大器IC155埋設在電路基板400中，所以能夠縮小功率放大器IC155的散熱用電極155b與電路基板400的接地電極406的距離。由此，提高了功率放大器IC155的散熱效率。
[0050]以上詳細說明了本發(fā)明的實施方式，但本發(fā)明不限定于此。例如，在上述第I實施方式中，將RFIC160及功率放大器IC155雙方安裝在電路基板200上，在第2實施方式中，將RFIC160及功率放大器IC155雙方埋設在電路基板400內，但是，也可以是將RFIC160安裝在電路基板上并將功率放大器IC155埋設在電路基板內的方式，還可以是將RFIC160埋設在電路基板內并將功率放大器IC155安裝在電路基板上的方式。此外，各方式中，將雙工器110、120和聞頻開關101安裝在電路基板上或埋設在電路基板內均可。[0051]另外，上述各實施方式中的RFIC160、功率放大器IC155、雙工器110、120之間的布線的安裝構造只是示出本申請發(fā)明的一例，能夠根據(jù)高頻電路模塊的規(guī)格等而任意地將布線形成在電路基板上或形成在內層。
[0052]另外，在上述第I實施方式中，作為將第2雙工器120埋設于電路基板200的方式，分別埋設作為獨立部件的濾波器122、124，另一方面，在第2實施方式中，第2雙工器120作為濾波器122、124被封裝而成的獨立部件埋設于電路基板400，因此，雙工器110、120的安裝方式不限。
[0053]另外，在上述各實施方式中，使用一個內置有兩個高頻功率放大器151、152的功率放大器IC155，但不限定內置在功率放大器IC155中的放大器的電路數(shù)量和功率放大器IC155本身的個數(shù)。作為安裝有圖1的電路的其他例子，能夠列舉分別與高頻功率放大器151、152對應地將兩個功率放大器IC安裝在電路基板200上的例子。該情況下，可以將這兩個功率放大器IC安裝在電路基板200的上表面，也可以將這兩個功率放大器IC埋設在電路基板200內。而且，還可以將一方的功率放大器IC安裝在電路基板200的上表面，并將另一方的功率放大器IC埋設在電路基板200內。
[0054]另外，在上述各實施方式中，在芯層210、410中形成貫穿孔211、411，并在該貫穿孔211、411中配置濾波器、RFIC、功率放大器IC等電子部件，但也可以在芯層210、410上形成凹部而不是貫穿孔211、411，并在該凹部中配置各電子部件。
[0055]另外，在上述各實施方式中，作為芯層210、410的材質例示了銅或銅合金，但也可以是其他金屬或合金、樹脂等材質。另外，芯層210、410有無導電性均可。而且，在上述實施方式中，作為電路基板200、400例示了具有比較厚的芯層210、410的電路基板，但也可以是不具有芯層210、410的多層電路基板。
[0056]另外，在上述各實施方式中，各種部件在安裝狀態(tài)下在電路基板200、400的上表面露出，但也可以以覆蓋電路基板200、400的上表面的整面或一部分的方式安裝殼體或通過樹脂等進行封固。
【權利要求】
1.一種聞頻電路|旲塊，其特征在于，具有: 絕緣體層和導體層交替層疊而成的電路基板； 安裝于電路基板、進行高頻信號的發(fā)送處理及接收處理的高頻IC ； 安裝于電路基板、放大來自高頻IC的發(fā)送信號的功率放大器IC ;和 將從功率放大器IC向天線輸出的發(fā)送信號與從天線向高頻IC輸入的接收信號分離的雙工器， 高頻IC及功率放大器IC的某一方或雙方埋設在電路基板內，并且，當從上表面透視觀察電路基板時雙工器配置在高頻IC與功率放大器IC之間。
2.如權利要求1所述的高頻電路模塊，其特征在于， 將通過功率放大器IC放大的發(fā)送信號傳輸?shù)诫p工器的信號線的布線長度，短于將從高頻IC輸出的放大前的發(fā)送信號傳輸?shù)焦β史糯笃鱅C的信號線的布線長度。
3.如權利要求1或2所述的高頻電路模塊，其特征在于， 雙工器安裝在電路基板上。
4.如權利要求1或2所述的高頻電路模塊，其特征在于， 雙工器埋設在電路基板內。
5.如權利要求1或2所述的高頻電路模塊，其特征在于， 在電路基板底面上形成有接地電極， 功率放大器IC埋設在電路基板內，功率放大器IC的散熱用電極經(jīng)由過孔導體與電路基板底面的接地電極連接。
6.如權利要求1或2所述的高頻電路模塊，其特征在于， 所述電路基板包含作為導體層的芯層，所述芯層與其他導體層相比厚度大且發(fā)揮接地功能，所述高頻IC及功率放大器IC的某一方或雙方配置在形成于所述芯層的貫穿孔或凹部內。
【文檔編號】H05K1/18GK103635021SQ201310376792
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年8月21日 優(yōu)先權日:2012年8月21日
【發(fā)明者】中村浩, 五十嵐智宏 申請人:太陽誘電株式會社
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