電磁加熱裝置及其加熱控制方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種電磁加熱裝置及其加熱控制方法，其中電磁加熱裝置包括：諧振加熱模塊，其包括多個加熱線圈、諧振電容和多個可控開關(guān)，每個加熱線圈與每個可控開關(guān)一一對應(yīng)串聯(lián)；IGBT模塊；控制多個可控開關(guān)開通和關(guān)斷的第一控制器和控制IGBT模塊的第二控制器；中央處理器，中央處理器與第一控制器和第二控制器分別相連，中央處理器在輸出第一控制信號時或在輸出第一控制信號前，輸出第二控制信號至第二控制器以關(guān)斷IGBT模塊中的IGBT，其中，第一控制器根據(jù)第一控制信號以控制多個加熱線圈進行切換加熱。本發(fā)明通過控制IGBT關(guān)斷達到延長可控開關(guān)兩端的電壓過零時間，實現(xiàn)快速準確分時控制各加熱線圈工作，并且電路可靠性高。
【專利說明】電磁加熱裝置及其加熱控制方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電磁加熱【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種電磁加熱裝置以及一種電磁加熱裝置的加熱控制方法。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的電磁加熱領(lǐng)域中，分時加熱技術(shù)應(yīng)用越來越多?，F(xiàn)有的分時加熱技術(shù)的一般實現(xiàn)方式是通過開關(guān)來快速分時控制線圈工作，即實現(xiàn)一組諧振電路分時給兩個或兩個以上的線圈供電。目前使用最多的開關(guān)是繼電器，但由于繼電器的開通速度和使用壽命等因素的影響，導(dǎo)致分時控制的實現(xiàn)效果不是很理想。尤其是在加熱線圈切換過程中，電磁加熱的頻率過高會使控制分時的開關(guān)的電壓過零時間太短，從而導(dǎo)致開關(guān)無法有效關(guān)斷的現(xiàn)象，造成無法正?？焖俜謺r控制各線圈加熱。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的旨在至少解決上述的技術(shù)缺陷之一。
[0004]為此，本發(fā)明的一個目的在于提出一種電磁加熱裝置，該電磁加熱裝置通過控制IGBT關(guān)斷達到延長可控開關(guān)兩端的電壓過零時間，實現(xiàn)快速準確分時控制各加熱線圈加熱，并且電路可靠性高。
[0005]本發(fā)明的另一個目的還在于提出一種電磁加熱裝置的加熱控制方法。
[0006]為達到上述目的，本發(fā)明一方面的實施例提出的一種電磁加熱裝置，包括:諧振加熱模塊，所述諧振加熱模塊包括多個加熱線圈、諧振電容和多個可控開關(guān)，每個加熱線圈與每個可控開關(guān)一一對應(yīng)串聯(lián)；IGBT模塊，所述IGBT模塊與所述諧振加熱模塊相連；控制所述多個可控開關(guān)開通和關(guān)斷的第一控制器和控制所述IGBT模塊的第二控制器，所述第一控制器與每個可控開關(guān)相連，所述第二控制器與所述IGBT模塊相連；中央處理器，所述中央處理器與所述第一控制器和第二控制器分別相連，所述中央處理器在輸出第一控制信號時或在輸出第一控制信號前，輸出第二控制信號至所述第二控制器以關(guān)斷所述IGBT模塊中的IGBT，其中，所述第一控制器根據(jù)所述第一控制信號以控制所述多個加熱線圈進行切換加熱。
[0007]根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁加熱裝置，通過控制IGBT關(guān)斷，從而短時停止電磁加熱裝置的主諧振電路工作，達到延長可控開關(guān)兩端的電壓過零時間，從而解決可控開關(guān)在切換加熱過程因電磁加熱頻率過高而無法關(guān)斷的問題，實現(xiàn)快速準確分時控制各加熱線圈加熱，并且電路的可靠性還高。
[0008]在本發(fā)明的一個實施例中，所述IGBT模塊包括兩個IGBT。
[0009]在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一控制器為一個，所述多個可控開關(guān)的控制端均連接于同一個第一控制器。
[0010]在本發(fā)明的另一個實施例中，所述第一控制器為多個，每個第一控制器與每個可控開關(guān)的控制端--對應(yīng)相連。[0011 ] 在本發(fā)明的一個具體示例中，所述可控開關(guān)可以為雙向可控硅。
[0012]其中，所述的電磁加熱裝置還包括散熱片，所述雙向可控硅通過緊固件安裝在所述散熱片的底部，便于雙向可控硅進行散熱，有效地降低雙向可控硅的溫度。
[0013]為達到上述目的，本發(fā)明另一方面的實施例還提出了一種電磁加熱裝置的加熱控制方法，其中，所述電磁加熱裝置包括多個加熱線圈、多個可控開關(guān)和IGBT，所述方法包括如下步驟:當需要所述多個加熱線圈進行切換加熱時，控制所述IGBT關(guān)斷，控制所述多個可控開關(guān)以實現(xiàn)所述多個加熱線圈進行切換；在預(yù)設(shè)時間后，控制所述IGBT開通，所述多個加熱線圈進行相應(yīng)工作。
[0014]根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁加熱裝置的加熱控制方法，在多個加熱線圈進行切換加熱過程中，通過控制IGBT關(guān)斷，從而短時停止電磁加熱裝置的主諧振電路工作，達到延長可控開關(guān)兩端的電壓過零時間，從而解決可控開關(guān)在切換加熱過程因電磁加熱頻率過高而無法關(guān)斷的問題，實現(xiàn)快速準確分時控制各加熱線圈加熱，并且控制方法簡單可靠。
[0015]在本發(fā)明的一個實施例中，所述控制所述IGBT關(guān)斷和控制所述多個可控開關(guān)同時執(zhí)行。
[0016]在本發(fā)明的另一個實施例中，所述控制所述IGBT關(guān)斷在控制所述多個可控開關(guān)之前執(zhí)行。
[0017]在本發(fā)明的一個實施例中，所述預(yù)設(shè)時間根據(jù)所述多個加熱線圈中進行加熱工作的加熱線圈的工作頻率設(shè)定。
[0018]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點從下面結(jié)合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0020]圖1為根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁加熱裝置的電路示意圖；
[0021]圖2為根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的電磁加熱裝置的電路示意圖；
[0022]圖3為根據(jù)本發(fā)明一個具體實施例的雙頭電磁灶的電路示意圖；
[0023]圖4為根據(jù)本發(fā)明一個實施例的電磁加熱裝置中可控開關(guān)的安裝位置的示意圖；以及
[0024]圖5為根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁加熱裝置的加熱控制方法的流程圖。
[0025]附圖標記:
[0026]諧振加熱模塊10、第一控制器20、第二控制器30和中央處理器40，多個加熱線圈L1?Ln、諧振電容C1和C2和多個可控開關(guān)K1?Kn、吸收電容C3和C4。

【具體實施方式】
[0027]下面詳細描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。
[0028]下文的公開提供了許多不同的實施例或例子用來實現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡化本發(fā)明的公開，下文中對特定例子的部件和設(shè)置進行描述。當然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此夕卜，本發(fā)明提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識到其他工藝的可應(yīng)用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的結(jié)構(gòu)可以包括第一和第二特征形成為直接接觸的實施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之間的實施例，這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。
[0029]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是機械連接或電連接，也可以是兩個元件內(nèi)部的連通，可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語的具體含義。
[0030]參照下面的描述和附圖，將清楚本發(fā)明的實施例的這些和其他方面。在這些描述和附圖中，具體公開了本發(fā)明的實施例中的一些特定實施方式，來表示實施本發(fā)明的實施例的原理的一些方式，但是應(yīng)當理解，本發(fā)明的實施例的范圍不受此限制。相反，本發(fā)明的實施例包括落入所附加權(quán)利要求書的精神和內(nèi)涵范圍內(nèi)的所有變化、修改和等同物。
[0031]下面參照附圖來描述根據(jù)本發(fā)明實施例提出的電磁加熱裝置以及電磁加熱裝置的加熱控制方法。
[0032]圖1為根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁加熱裝置的電路示意圖。如圖1所示，該電磁加熱裝置包括諧振加熱模塊10、IGBT (Insulated Gate BipolarTransistor,絕緣柵雙極型晶體管)模塊80、第一控制器20、第二控制器30和中央處理器40。
[0033]其中，諧振加熱模塊10包括多個加熱線圈L1?Ln、諧振電容C1和C2以及多個可控開關(guān)K1?Kn，并且每個加熱線圈與每個可控開關(guān)一一對應(yīng)串聯(lián)，η為大于1的整數(shù)。
[0034]在本發(fā)明的一個實施例中，如圖1所示，諧振加熱模塊10還包括吸收電容C3和C4，其中，加熱線圈L1、吸收電容C3、諧振電容C1和可控開關(guān)Κ1依次串聯(lián)在一起，形成一個回路，加熱線圈Ln、吸收電容C4、諧振電容C2和可控開關(guān)Kn依次串聯(lián)在一起，形成另一個回路。具體而言，吸收電容C3的一端與諧振電容C1的一端相連，且吸收電容C3和諧振電容C1之間具有第一節(jié)點J1 ;吸收電容C3的另一端與加熱線圈L1的一端相連，加熱線圈L1的另一端與可控開關(guān)K1的一端相連，且吸收電容C3和加熱線圈L1之間具有第二節(jié)點J2 ；可控開關(guān)K1的另一端與諧振電容C1的另一端相連，可控開關(guān)K1的控制端與第一控制器20相連。并且，每個加熱線圈與對應(yīng)的可控開關(guān)串聯(lián)后相互之間并聯(lián)。
[0035]在本發(fā)明的實施例中，IGBT模塊80與諧振加熱模塊10相連，第一控制器20與諧振加熱模塊10中的每個可控開關(guān)的控制端相連，第二控制器30與IGBT模塊80相連，第一控制器20用于控制每個可控開關(guān)的開通和關(guān)斷，第二控制器30用于控制IGBT模塊80中IGBT的開通和關(guān)斷。中央處理器40與第一控制器20和第二控制器30分別相連，中央處理器40在輸出第一控制信號時或在輸出第一控制信號前，輸出第二控制信號至第二控制器30以關(guān)斷IGBT模塊80中的IGBT，其中，第一控制器20根據(jù)所述第一控制信號以控制多個加熱線圈進行切換加熱。
[0036]也就是說，第一控制器20和第二控制器30分別依據(jù)中央處理器40發(fā)送來的控制信息來進行相應(yīng)控制多個可控開關(guān)和IGBT的通斷。
[0037]在本發(fā)明的一個具體實施例中，如圖1所示，IGBT模塊80包括兩個IGBT。第一節(jié)點J1與第一 IGBT1的C極相連，第二節(jié)點J2與第一 IGBT1的E極相連，第二 IGBT2的C極與第一 IGBT1的E極相連，第二 IGBT2的E極與C2和C4之間的節(jié)點相連后接地，第一 IGBT1的G極和第二 IGBT2的G極分別與第二控制器30相連。
[0038]在本發(fā)明的一個實施例中，如圖1所示，第一控制器20可以為一個，多個可控開關(guān)的控制端均連接于同一個第一控制器。
[0039]或者，在本發(fā)明的另一個實施例中，如圖2所示，第一控制器20為多個，每個第一控制器與每個可控開關(guān)的控制端一一對應(yīng)相連。
[0040]其中，具體地，可控開關(guān)11可以為雙向可控硅。
[0041]在本發(fā)明的一個實施例中，如圖3所示，該電磁加熱裝置可以為雙頭電磁灶。其中，該雙頭電磁灶的主諧振電路由諧振加熱模塊10的吸收電容C3、諧振電容C1、加熱線圈L1以及IGBT1、IGBT2和吸收電容C4、諧振電容C2、加熱線圈L2組成。當需要進行加熱線圈切換工作時，中央處理器40發(fā)出第二控制信號給第二控制器30，使其控制IGBT1和IGBT2關(guān)斷，從而使得主諧振電路不工作，達到延長雙向可控硅兩陽極Al、A2的過零電壓時間，第一控制器20根據(jù)中央處理器40發(fā)送來的第一控制信號控制雙向可控硅1開通、雙向可控硅2關(guān)斷(或雙向可控硅2開通，雙向可控硅1關(guān)斷)。
[0042]并在一段時間T后(該時間T與進行諧振加熱的加熱線圈的工作頻率有關(guān)，即根據(jù)不同的工作頻率，τ不同)，中央處理器40發(fā)出第三控制信號給第二控制器30，使其控制IGBT1和IGBT2進入工作狀態(tài)，從而加熱線圈L1 (或加熱線圈L2)進行工作。也就是說，在加熱線圈切換完成預(yù)設(shè)時間T后，中央處理器40還控制第二控制器30以控制IGBT開通。其中，預(yù)設(shè)時間T根據(jù)進行諧振加熱的加熱線圈的工作頻率設(shè)定。
[0043]根據(jù)預(yù)設(shè)的分時加熱模式，當加熱線圈L1 (或加熱線圈L2)的工作時間達到時，中央處理器40發(fā)出第二控制信號給第二控制器30，使其控制IGBT1和IGBT2關(guān)斷，然后第一控制器20根據(jù)中央處理器40發(fā)送來的第一控制信號控制雙向可控娃2開通、雙向可控娃1關(guān)斷(或雙向可控硅1開通，雙向可控硅2關(guān)斷)，并在一段時間T后，中央處理器40發(fā)出第三控制信號給第二控制器30，使其控制IGBT1和IGBT2進入工作狀態(tài)，從而切換到加熱線圈L2 (或加熱線圈L1)工作。當加熱線圈L2 (或加熱線圈L1)的工作時間達到時，該雙頭電磁灶再重復(fù)該分時加熱過程，即加熱線圈L1和加熱線圈L2輪流工作。
[0044]在本發(fā)明的一個實施例中，如圖4所示，上述的電磁加熱裝置還包括散熱片50，雙向可控硅例如可控開關(guān)K1可通過緊固件60例如螺釘安裝在散熱片50的底部，便于雙向可控硅進行散熱，有效地降低雙向可控硅的溫度。其中，散熱片50可安裝在電路板70上，并且，IGBT、第一控制器20、第二控制器30和中央處理器40可以設(shè)置在電路板70上。
[0045]根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁加熱裝置，通過控制IGBT關(guān)斷，從而短時停止電磁加熱裝置的主諧振電路工作，達到延長可控開關(guān)兩端的電壓過零時間，從而解決可控開關(guān)在切換加熱過程因電磁加熱頻率過高而無法關(guān)斷的問題，實現(xiàn)快速準確分時控制各加熱線圈加熱，并且電路的可靠性還高。
[0046]圖5為根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁加熱裝置的加熱控制方法的流程圖。其中，電磁加熱裝置包括多個加熱線圈、多個可控開關(guān)和IGBT。如圖5所示，該電磁加熱裝置的加熱控制方法包括如下步驟:
[0047]S1，當需要多個加熱線圈進行切換加熱時，控制IGBT關(guān)斷，控制多個可控開關(guān)以實現(xiàn)多個加熱線圈進行切換。
[0048]S2，在預(yù)設(shè)時間后，控制IGBT開通，多個加熱線圈進行相應(yīng)工作。
[0049]其中，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，控制IGBT關(guān)斷和控制多個可控開關(guān)可以同時執(zhí)行。
[0050]在本發(fā)明的另一個實施例中，控制IGBT關(guān)斷也可以在控制多個可控開關(guān)之前執(zhí)行。
[0051]在本發(fā)明的一個實施例中，預(yù)設(shè)時間根據(jù)多個加熱線圈中進行加熱工作的加熱線圈的工作頻率設(shè)定。
[0052]根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁加熱裝置的加熱控制方法，在多個加熱線圈進行切換加熱過程中，通過控制IGBT關(guān)斷，從而短時停止電磁加熱裝置的主諧振電路工作，達到延長可控開關(guān)兩端的電壓過零時間，從而解決可控開關(guān)在切換加熱過程因電磁加熱頻率過高而無法關(guān)斷的問題，實現(xiàn)快速準確分時控制各加熱線圈加熱，并且控制方法簡單可靠。
[0053]流程圖中或在此以其他方式描述的任何過程或方法描述可以被理解為，表示包括一個或更多個用于實現(xiàn)特定邏輯功能或過程的步驟的可執(zhí)行指令的代碼的模塊、片段或部分，并且本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的范圍包括另外的實現(xiàn)，其中可以不按所示出或討論的順序，包括根據(jù)所涉及的功能按基本同時的方式或按相反的順序，來執(zhí)行功能，這應(yīng)被本發(fā)明的實施例所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員所理解。
[0054]在流程圖中表示或在此以其他方式描述的邏輯和/或步驟，例如，可以被認為是用于實現(xiàn)邏輯功能的可執(zhí)行指令的定序列表，可以具體實現(xiàn)在任何計算機可讀介質(zhì)中，以供指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備(如基于計算機的系統(tǒng)、包括處理器的系統(tǒng)或其他可以從指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備取指令并執(zhí)行指令的系統(tǒng))使用，或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用。就本說明書而言，"計算機可讀介質(zhì)"可以是任何可以包含、存儲、通信、傳播或傳輸程序以供指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用的裝置。計算機可讀介質(zhì)的更具體的示例(非窮盡性列表)包括以下:具有一個或多個布線的電連接部(電子裝置)，便攜式計算機盤盒(磁裝置)，隨機存取存儲器(RAM)，只讀存儲器(R0M)，可擦除可編輯只讀存儲器(EPR0M或閃速存儲器)，光纖裝置，以及便攜式光盤只讀存儲器(⑶ROM)。另外，計算機可讀介質(zhì)甚至可以是可在其上打印所述程序的紙或其他合適的介質(zhì)，因為可以例如通過對紙或其他介質(zhì)進行光學(xué)掃描，接著進行編輯、解譯或必要時以其他合適方式進行處理來以電子方式獲得所述程序，然后將其存儲在計算機存儲器中。
[0055]應(yīng)當理解，本發(fā)明的各部分可以用硬件、軟件、固件或它們的組合來實現(xiàn)。在上述實施方式中，多個步驟或方法可以用存儲在存儲器中且由合適的指令執(zhí)行系統(tǒng)執(zhí)行的軟件或固件來實現(xiàn)。例如，如果用硬件來實現(xiàn)，和在另一實施方式中一樣，可用本領(lǐng)域公知的下列技術(shù)中的任一項或他們的組合來實現(xiàn):具有用于對數(shù)據(jù)信號實現(xiàn)邏輯功能的邏輯門電路的離散邏輯電路，具有合適的組合邏輯門電路的專用集成電路，可編程門陣列(PGA)，現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)等。
[0056]本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例方法攜帶的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機可讀存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，包括方法實施例的步驟之一或其組合。
[0057]此外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理模塊中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個模塊中。上述集成的模塊既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實現(xiàn)。所述集成的模塊如果以軟件功能模塊的形式實現(xiàn)并作為獨立的產(chǎn)品銷售或使用時，也可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質(zhì)中。
[0058]上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。
[0059]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0060]盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同限定。
【權(quán)利要求】
1.一種電磁加熱裝置，其特征在于，包括: 諧振加熱模塊，所述諧振加熱模塊包括多個加熱線圈、諧振電容和多個可控開關(guān)，每個加熱線圈與每個可控開關(guān)一一對應(yīng)串聯(lián)； IGBT模塊，所述IGBT模塊與所述諧振加熱模塊相連； 控制所述多個可控開關(guān)開通和關(guān)斷的第一控制器和控制所述IGBT模塊的第二控制器，所述第一控制器與每個可控開關(guān)相連，所述第二控制器與所述IGBT模塊相連； 中央處理器，所述中央處理器與所述第一控制器和第二控制器分別相連，所述中央處理器在輸出第一控制信號時或在輸出第一控制信號前，輸出第二控制信號至所述第二控制器以關(guān)斷所述IGBT模塊中的IGBT，其中，所述第一控制器根據(jù)所述第一控制信號以控制所述多個加熱線圈進行切換加熱。
2.如權(quán)利要求1所述的電磁加熱裝置，其特征在于，所述IGBT模塊包括兩個IGBT。
3.如權(quán)利要求1所述的電磁加熱裝置，其特征在于，所述第一控制器為一個，所述多個可控開關(guān)的控制端均連接于同一個第一控制器。
4.如權(quán)利要求1所述的電磁加熱裝置，其特征在于，所述第一控制器為多個，每個第一控制器與每個可控開關(guān)的控制端一一對應(yīng)相連。
5.如權(quán)利要求1-4任一所述的電磁加熱裝置，其特征在于，所述可控開關(guān)為雙向可控硅。
6.如權(quán)利要求5所述的電磁加熱裝置，其特征在于，還包括散熱片，所述雙向可控硅通過緊固件安裝在所述散熱片的底部。
7.一種電磁加熱裝置的加熱控制方法，其特征在于，所述電磁加熱裝置包括多個加熱線圈、多個可控開關(guān)和IGBT，所述方法包括如下步驟: 當需要所述多個加熱線圈進行切換加熱時，控制所述IGBT關(guān)斷，控制所述多個可控開關(guān)以實現(xiàn)所述多個加熱線圈進行切換； 在預(yù)設(shè)時間后，控制所述IGBT開通，所述多個加熱線圈進行相應(yīng)工作。
8.如權(quán)利要求7所述的加熱控制方法，其特征在于，所述控制所述IGBT關(guān)斷和控制所述多個可控開關(guān)同時執(zhí)行。
9.如權(quán)利要求7所述的加熱控制方法，其特征在于，所述控制所述IGBT關(guān)斷在控制所述多個可控開關(guān)之前執(zhí)行。
10.如權(quán)利要求7所述的加熱控制方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時間根據(jù)所述多個加熱線圈中進行加熱工作的加熱線圈的工作頻率設(shè)定。
【文檔編號】H05B6/06GK104284463SQ201310275881
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2013年7月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月1日
【發(fā)明者】張耀, 程艷, 林娜 申請人:美的集團股份有限公司, 廣東美的廚房電器制造有限公司