專利名稱：一種高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路。
背景技術(shù)：
眾所周知，高壓氣體放電燈(High intensity Discharge, HID)是萊、鈉、金、氣燈的統(tǒng)稱，即汞燈、鈉燈、金鹵燈、氙燈。其中，陶瓷金鹵燈因其發(fā)光效率高，顯色性好，壽命長等優(yōu)勢在HID燈族中脫引而出，已在照明領(lǐng)域中得到廣泛的應(yīng)用。和一切HID燈鎮(zhèn)流器的發(fā)展趨勢一樣，陶瓷金鹵燈電子鎮(zhèn)流器正逐步取代傳統(tǒng)使用的電感鎮(zhèn)流器。然而，由于電子鎮(zhèn)流器在10KHz-250KHz的工作頻段之間存在‘聲共振’問題，所以，為了避開‘聲共振’的頻率窗口，HID電子鎮(zhèn)流器又有‘低頻方波電子鎮(zhèn)流器’和‘高頻電子鎮(zhèn)流器’之分。采用‘低頻方波電子鎮(zhèn)流器’，工作頻率 大多數(shù)被設(shè)定栽400HKZ之下，它可以解決‘聲共振’和恒功率運行問題，但它采用三級變換電路，逆變器為全橋結(jié)構(gòu)，電路復(fù)雜，體積大，成本高，容易產(chǎn)生音頻噪音，效率相對較低，方波激勵對燈管的壽命也有不利。若采用超出‘聲共振’窗口上限的高頻正弦波激勵，不單可以有效地避免‘聲共振’的發(fā)生，避免音頻噪音，而且可以提高光效，消除頻閃，減少無源元器件的體積，減低成本。顯然，這種形式的高頻電子鎮(zhèn)流器，其工作頻率應(yīng)該在數(shù)百KHz以上。

實用新型內(nèi)容本實用新型提出一種高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路，解決了現(xiàn)有技術(shù)中有效地避免“聲共振”的發(fā)生，避免音頻噪音，電路復(fù)雜，體積大，成本高的問題。本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的本實用新型公開了一種高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路，包括可變頻率振蕩器，與所述的可變頻率振蕩器相連的變壓器耦合電路，與所述的變壓器耦合電路相連的諧振匹配電路，所述的諧振匹配電路與高壓氣體放電燈相連，所述的可變頻率振蕩器外接調(diào)控頻率電路，所述的調(diào)控頻率電路由電阻及與所述的電阻串接的可調(diào)電位器組成，所述的調(diào)控頻率電路一端輸入所述的可變頻率振蕩器，另一端接地。在本實用新所述的高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路中，所述的高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路還包括濾波電路，連接于所述的諧振匹配電路及所述的高壓氣體放電燈之間，用于對所述的諧振匹配電路進行濾波。在本實用新所述的高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路中，所述的變壓器耦合電路具有初級線圈以及與之耦合的兩個次級線圈，所述的可變頻率振蕩器產(chǎn)生的振蕩電壓通過變壓器的初級線圈稱合到兩個次級線圈。在本實用新所述的高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路中，所述的諧振匹配電路由兩組功率場效應(yīng)管MOSFET源極串接而成，第一組功率場效應(yīng)管MOSFET的漏極均與所述的初級線圈相連，柵極均與所述的可變頻率振蕩器相連，第二組功率場效應(yīng)管MOSFET的柵極均與次級線圈相連，漏極均接地。實施本實用新型的一種高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路，具有以下有益的技術(shù)效果遠離了 ‘聲共振’窗口、而且無頻閃、效率高、電路簡單、造價低、工作可靠。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I是本實用新型一種高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路功能模塊示意圖；圖2是本實用新型一種高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路連接示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。請參閱圖I及圖2，本實用新型的較佳實施例，一種高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路，包括可變頻率振蕩器1，與可變頻率振蕩器I相連的變壓器耦合電路2，與變壓器耦合電路2相連的諧振匹配電路3，諧振匹配電路3與高壓氣體放電燈6相連，可變頻率振蕩器I外接調(diào)控頻率電路5，調(diào)控頻率電路5由電阻及與電阻串接的可調(diào)電位器組成，調(diào)控頻率電路5一端輸入可變頻率振蕩器1，另一端接地。在本實用新型的另一實施例中，本實用新型的高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路還包括濾波電路4，連接于諧振匹配電路3及高壓氣體放電燈6之間，用于對諧振匹配電路3進行濾波。其中，變壓器耦合電路2具有初級線圈以及與之耦合的兩個次級線圈，可變頻率振蕩器I產(chǎn)生的振蕩電壓通過變壓器的初級線圈耦合到兩個次級線圈。諧振匹配電路3由兩組功率場效應(yīng)管MOSFET源極串接而成，第一組功率場效應(yīng)管MOSFET的漏極均與初級線圈相連，柵極均與可變頻率振蕩器相連，第二組功率場效應(yīng)管MOSFET的柵極均與次級線圈相連，漏極均接地?？勺冾l率振蕩器I可用集成電路,型號為MC33067來實現(xiàn)，它是一種高性能的諧振型集成IC控制器，該IC的特點是‘可變頻率振蕩器具有可控死區(qū)，準(zhǔn)確再觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)定時器’，具有溫度補償基準(zhǔn)，準(zhǔn)確輸出鉗位的高增益帶寬誤差放大器，控制觸發(fā)器兩個高電流圖騰柱輸出，非常適合于驅(qū)動功率M0SFET，MC33067是一種性能極佳的航空電源管理1C，為摩托羅拉公司所生產(chǎn)，其工作頻率可在數(shù)百KHz-2MHz以上變化，通常用于寬輸入范圍的降壓、穩(wěn)壓、大電流電源管理控制，將MC33067的外圍元件和引腳適當(dāng)處理，就可以改造成恒頻輸出，用作HID高頻電子鎮(zhèn)流器的可變頻率振蕩器1，這種‘移花接木’的設(shè)計方案，既可達到優(yōu)良的設(shè)計要求，也使成本降低，將‘可變頻率振蕩器具有可控死區(qū)’改造成‘恒頻率振蕩器具有可控死區(qū)’。為此，只需要將IC的第5腳(電壓基準(zhǔn))接至第7腳(誤差放大器)，第3腳獨立輸出，并通過串接一個3K Ω和可調(diào)電位器4. 7K Ω對地(調(diào)控頻率電路5)，第6腳、第8腳各通過一個IOK Ω以上的電阻與第6腳相接接。這樣，就構(gòu)成一個MOSFET管的驅(qū)動1C，它具有可編程的工作頻率，適當(dāng)調(diào)整第3腳的可調(diào)電位器，就可以很方便地改變工作頻率。圖2中，IC的12、14腳分別接于二個緩沖級的輸入端，緩沖級由V2、V3、組成，其輸出構(gòu)成圖騰柱，驅(qū)動半橋上下臂V4和V5。上下臂的中點輸出方波信號，經(jīng)過匹配、濾波網(wǎng)絡(luò)，變成高頻正弦波，點燃一個容性負(fù)載的HID燈管，其電功率可高至250W。作為典型的例子，圖2的電路可成功應(yīng)用于飛利浦210W/930CDM-TMW陶瓷金鹵燈，是一種新型、高效、性能優(yōu)越的HID高頻電子鎮(zhèn)流器。如果電功率小于150W，緩沖級V2-V3可以不用，直接由IC驅(qū)動半橋。圖2 中，第 I 腳的 R15 = 2. 7ΚΩ，C18 = 330pf ;第 3 腳的 R16 = 3ΚΩ+2. 2ΚΩ 可調(diào)電阻，作為頻率微調(diào)之用。而第16腳的R20 = 2. 7KQ，C19 = IOOPf，改變R20可以調(diào)節(jié)‘死時間’的大小，使半橋MOSFET管V4、V5的開關(guān)噪音最低，發(fā)熱最小。C18、C19需用NPO 材料的貼片電容，R15、R16、R20需用金屬氧化膜電阻，以確保小的溫度系數(shù)。本發(fā)明用MC33067改造的IC驅(qū)動HID高頻電子鎮(zhèn)流器配飛利浦210W陶瓷金鹵燈實測數(shù)據(jù)如下Vin = 220v, Iin = I. 066A，功率因數(shù)=O. 993，直流輸出 Vdd = +400v,燈啟動時頻率f0 = 741KHz，工作頻率fl = 703. 5KHz，啟動電功率=52W,穩(wěn)態(tài)電功率=232W.工作狀態(tài)良好，連續(xù)點燃48小時不發(fā)生故障，熱燈重啟動時間為6-8分鐘。電路輸出為高頻正弦波，與低頻方波電子鎮(zhèn)流器實測對比，光效每瓦高出大約6. 5-7Lum/w。這樣的結(jié)果十分令人滿意。實施本實用新型的一種高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路，具有以下有益的技術(shù)效果遠離了“聲共振”窗口、而且無頻閃、效率高、電路簡單、造價低、工作可靠。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路，包括可變頻率振蕩器，與所述的可變頻率振蕩器相連的變壓器耦合電路，與所述的變壓器耦合電路相連的諧振匹配電路，所述的諧振匹配電路與高壓氣體放電燈相連，其特征在于，所述的可變頻率振蕩器外接調(diào)控頻率電路，所述的調(diào)控頻率電路由電阻及與所述的電阻串接的可調(diào)電位器組成，所述的調(diào)控頻率電路一端輸入所述的可變頻率振蕩器，另一端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路，其特征在于，所述的高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路還包括濾波電路，連接于所述的諧振匹配電路及所述的高壓氣體放電燈之間，用于對所述的諧振匹配電路進行濾波。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路，其特征在于，所述的變壓器耦合電路具有初級線圈以及與之耦合的兩個次級線圈，所述的可變頻率振蕩器產(chǎn)生的振蕩電壓通過變壓器的初級線圈耦合到兩個次級線圏。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路，其特征在于，所述的諧振匹配電路由兩組功率場效應(yīng)管MOSFET源極串接而成，第一組功率場效應(yīng)管MOSFET的漏極均與所述的初級線圈相連，柵極均與所述的可變頻率振蕩器相連，第二組功率場效應(yīng)管MOSFET的柵極均與次級線圈相連，漏極均接地。
專利摘要本實用新型提出了一種高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路，包括可變頻率振蕩器，與所述的可變頻率振蕩器相連的變壓器耦合電路，與所述的變壓器耦合電路相連的諧振匹配電路，所述的諧振匹配電路與高壓氣體放電燈相連，所述的可變頻率振蕩器外接調(diào)控頻率電路，所述的調(diào)控頻率電路由電阻及與所述的電阻串接的可調(diào)電位器組成，所述的調(diào)控頻率電路一端輸入所述的可變頻率振蕩器，另一端接地。本實用新型一種高頻電子鎮(zhèn)流器控制電路遠離了“聲共振”窗口、而且無頻閃、效率高、電路簡單、造價低、工作可靠。
文檔編號H05B41/282GK202617483SQ20122019556
公開日2012年12月19日 申請日期2012年5月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月2日
發(fā)明者謝立山 申請人:深圳市格林萊電子技術(shù)有限公司