專利名稱：一種判斷硅塊質(zhì)量的方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域，尤其涉及一種判斷硅塊質(zhì)量的方法及裝置。
背景技術(shù)：
目前鑄造多晶硅錠的檢測中，硅塊的少子壽命檢測是很重要的環(huán)節(jié)，少子壽命的大小通常表征了硅塊的電學(xué)性能，少子壽命低的硅塊切割成硅片后，制造的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率較低，難以滿足用戶的使用需求。目前生產(chǎn)流程中的檢測方式主要通過檢測少子壽命平均值來判斷硅塊的質(zhì)量，并通過設(shè)定的少子壽命平均值區(qū)間來判斷硅塊頭尾所需去除的長度。而對硅塊去除頭部和尾部的不適宜切片區(qū)域后，并沒有較好的方法對可切片區(qū)域的質(zhì)量進(jìn)行表征。而且，采用現(xiàn)有技術(shù)中利用硅塊的平均少子壽命來表征硅塊的質(zhì)量并不準(zhǔn)確，仍有可能導(dǎo)致一些質(zhì)量較差的硅塊流向切片的流程。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種判斷硅塊質(zhì)量的方法及裝置?？梢愿鼫?zhǔn)確地判斷硅塊的整體質(zhì)量，有效地減少低效硅片的產(chǎn)出。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種判斷硅塊質(zhì)量的方法，包括掃描娃塊得到所述娃塊的全少子壽命分布圖；分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例；根據(jù)所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例判斷所述硅塊的質(zhì)量。其中，在所述掃描硅塊得到所述硅塊的全少子壽命分布圖的步驟之前，還包括對所述硅塊表面進(jìn)行化學(xué)鈍化處理。其中，所述分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例的步驟包括調(diào)整所述全少子壽命分布圖為灰度圖，其中，所示灰度圖不同區(qū)域的灰度值與少子的壽命值—對應(yīng)；計算所述灰度圖中不同灰度值圖案所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)不同灰度值圖案的比例，得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例。其中，所述分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例的步驟包括從所述全少子壽命分布圖中讀取全少子壽命分布的二維數(shù)據(jù)；根據(jù)所述二維數(shù)據(jù)計算得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例。
其中，所述根據(jù)所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例判斷所述硅塊的質(zhì)量的步驟包括判斷從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)，所述低少子壽命所占的比例是否小于比例閾值K ;若是，則所述硅塊中的此區(qū)間為好質(zhì)量區(qū)間，保留所述好質(zhì)量區(qū)間等待切片；若否，則所述硅塊中的此區(qū)間為差質(zhì)量區(qū)間，去除所述差質(zhì)量區(qū)間。相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種判斷硅塊質(zhì)量的裝置，包括掃描模塊，用于掃描娃塊得到所述娃塊的全少子壽 命分布圖；分析模塊，用于分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例；判斷模塊，用于根據(jù)所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例判斷所述硅塊的質(zhì)量。其中，所述掃描模塊掃描所述硅塊時采用高精度逐行掃描。其中，所述掃描模塊進(jìn)一步用于調(diào)整所述全少子壽命分布圖為灰度圖，其中，所示灰度圖不同區(qū)域的灰度值與少子的壽命值一一對應(yīng)，所述分析模塊進(jìn)一步用于計算所述灰度圖中不同灰度值圖案所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)不同灰度值圖案的比例，得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例。其中，所述分析模塊還用于從所述全少子壽命分布圖中讀取全少子壽命分布的二維數(shù)據(jù)，根據(jù)所述二維數(shù)據(jù)計算得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例。其中，所述判斷模塊進(jìn)一步用于判斷從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)，所述低少子壽命所占的比例是否小于比例閾值K ;若是，則所述硅塊中的此區(qū)間為好質(zhì)量區(qū)間，保留所述好質(zhì)量區(qū)間等待切片；若否，則所述硅塊中的此區(qū)間為差質(zhì)量區(qū)間，去除所述差質(zhì)量區(qū)間。實施本發(fā)明實施例，具有如下有益效果根據(jù)所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例來判斷硅塊的質(zhì)量，取代以往的根據(jù)平均少子壽命來判斷的方法，判斷結(jié)果更加準(zhǔn)確，且填補了對可切片區(qū)域質(zhì)量表征的空白，有效地減少了低效硅片的產(chǎn)出；通過對全少子壽命分布圖的灰度圖或二維數(shù)據(jù)進(jìn)行分析計算得到硅塊中低少子壽命所占的比例及所處的區(qū)域，為硅塊質(zhì)量的準(zhǔn)確判斷提供了依據(jù)，且為后續(xù)的切片流程指明了準(zhǔn)確的切片位置；通過對不同工藝生產(chǎn)或處理的硅塊進(jìn)行檢測，根據(jù)最后得到的不同硅塊的質(zhì)量結(jié)果進(jìn)行對比，為硅塊生產(chǎn)的工藝優(yōu)化提供了方向，有利于后續(xù)生產(chǎn)流程中，提高硅塊的整體質(zhì)量。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I是本發(fā)明判斷硅塊質(zhì)量的方法的第一實施例流程示意圖；圖2是本發(fā)明判斷硅塊質(zhì)量的方法的第二實施例流程示意圖；圖3是本發(fā)明判斷硅塊質(zhì)量的方法的第三實施例流程示意圖；圖4是本發(fā)明判斷硅塊質(zhì)量的方法的第四實施例流程示意圖；圖5是本發(fā)明實施例判斷硅塊質(zhì)量的裝置的組成示意圖；圖6是采用本發(fā)明第三實施例所述方法掃描硅塊a得到的全少子壽命分布·
圖7是采用本發(fā)明第三實施例所述方法掃描硅塊b得到的全少子壽命分布圖；圖8是圖6所示全少子壽命分布圖處理后得到的硅塊a的灰度圖；圖9是圖7所示全少子壽命分布圖處理后得到的硅塊b的灰度圖；圖10是圖8所示灰度圖處理后得到的硅塊a從頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例趨勢圖；圖11是圖9所示灰度圖處理后得到的硅塊b從頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例趨勢圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。請參照圖1，為本發(fā)明判斷硅塊質(zhì)量的方法的第一實施例流程示意圖。所述判斷硅塊質(zhì)量的方法包括以下步驟S101，掃描硅塊得到所述硅塊的全少子壽命分布圖。其中，所述硅塊為多晶硅塊或類單晶硅塊。S102，分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例。S103，根據(jù)所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例判斷所述硅塊的質(zhì)量。采用本實施例所述方法來判斷硅塊的質(zhì)量，即根據(jù)所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例進(jìn)行判斷，取代以往的根據(jù)平均少子壽命來判斷的方法，判斷結(jié)果更加準(zhǔn)確，且填補了對可切片區(qū)域質(zhì)量表征的空白，有效地減少了低效硅片的產(chǎn)出。請參照圖2，為本發(fā)明判斷硅塊質(zhì)量的方法的第二實施例流程示意圖。所述判斷硅塊質(zhì)量的方法包括以下步驟S201，對所述硅塊表面進(jìn)行化學(xué)鈍化處理。避免所述硅塊在后續(xù)的檢測過程中被氧化腐蝕以影響最終的檢測結(jié)果。S202，掃描硅塊得到所述硅塊的全少子壽命分布圖。S203，分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例。
S204，根據(jù)所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例判斷所述硅塊的質(zhì)量。請參照圖3，為本發(fā)明判斷硅塊質(zhì)量的方法的第三實施例流程示意圖。所述判斷硅塊質(zhì)量的方法包括以下步驟S301，對所述硅塊表面進(jìn)行化學(xué)鈍化處理。S302,掃描硅塊得到所述硅塊的全少子壽命分布圖。S303，調(diào)整所述全少子壽命分布圖為灰度圖。其中,所示灰度圖不同區(qū)域的灰度值與少子的壽命值--對應(yīng)。S304,計算所述灰度圖中不同灰度值圖案所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)不同灰度值圖案的比例，得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊 頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例。S305,判斷從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)，所述低少子壽命所占的比例是否小于比例閾值K。若是，則執(zhí)行步驟S306，否則執(zhí)行步驟S307。其中，所述比例閾值K的具體數(shù)值因企業(yè)或產(chǎn)品的不同而有所變化。如所述硅塊最后成型的產(chǎn)品用于軍事或其他要求較嚴(yán)格的場合時，所述比例閾值K的具體數(shù)值可以設(shè)定為80%或者更高，如所述硅塊最后成型的產(chǎn)品用于民用或商用時，所述比例閾值K的具體數(shù)值則設(shè)定為40%-60%之間的某一數(shù)值即可。S306，所述硅塊中的此區(qū)間為好質(zhì)量區(qū)間，保留所述好質(zhì)量區(qū)間等待切片。S307，所述硅塊中的此區(qū)間為差質(zhì)量區(qū)間，去除所述差質(zhì)量區(qū)間。在本實施例中，通過計算不同灰度值圖案所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)不同灰度值圖案的比例，得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例，進(jìn)而確定低少子壽命所占的比例及所處的區(qū)域，為硅塊質(zhì)量的準(zhǔn)確判斷提供了依據(jù)，且為后續(xù)的切片流程指明了準(zhǔn)確的切片位置。請參照圖4，為本發(fā)明判斷硅塊質(zhì)量的方法的第四實施例流程示意圖。所述判斷硅塊質(zhì)量的方法包括以下步驟S401，對所述硅塊表面進(jìn)行化學(xué)鈍化處理。S402,掃描硅塊得到所述硅塊的全少子壽命分布圖。S403，從所述全少子壽命分布圖中讀取全少子壽命分布的二維數(shù)據(jù)。S404，根據(jù)所述二維數(shù)據(jù)計算得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例。S405,判斷從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)，所述低少子壽命所占的比例是否小于比例閾值K。若是，則執(zhí)行步驟S406，否則執(zhí)行步驟S407。S406，所述硅塊中的此區(qū)間為好質(zhì)量區(qū)間，保留所述好質(zhì)量區(qū)間等待切片。S407，所述硅塊中的此區(qū)間為差質(zhì)量區(qū)間，去除所述差質(zhì)量區(qū)間。在本實施例中，通過從所述全少子壽命分布圖中讀取全少子壽命分布的二維數(shù)據(jù)，計算得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例，進(jìn)而確定低少子壽命所占的比例及所處的區(qū)域，與第三實施例相比，本實施所述方法通過對具體二維數(shù)據(jù)的分析得到與第三實施例相同的結(jié)果，方法有所不同，目的與結(jié)果相同，同樣為硅塊質(zhì)量的準(zhǔn)確判斷提供了依據(jù)，且為后續(xù)的切片流程指明了準(zhǔn)確的切片位置。請參照圖5，為本發(fā)明實施例判斷硅塊質(zhì)量的裝置的組成示意圖。所述判斷硅塊質(zhì)量的裝置包括掃描模塊100、分析模塊200及判斷模塊300。所述掃描模塊100用于掃描硅塊得到所述硅塊的全少子壽命分布圖；所述分析模塊用于分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例；所述判斷模塊用于根據(jù)所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例判斷所述硅塊的質(zhì)量。請一并參照圖6、圖7、圖8及圖9，圖6為采用本發(fā)明第三實施例所述方法掃描硅塊a得到的全少子壽命分布圖，圖7為采用本發(fā)明第三實施例所述方法掃描硅塊b得到的全少子壽命分布圖，圖8為圖6所示全少子壽命分布圖處理后得到的硅塊 a的灰度圖，圖9為圖7所示全少子壽命分布圖處理后得到的硅塊b的灰度圖。其中，所述硅塊a與所述硅塊b來自硅錠的同一位置，但是采用不同鑄錠工藝處理。利用所述掃描模塊100掃描所述硅塊a及硅塊b分別得到圖6及圖7所示的全少子壽命分布圖。按照現(xiàn)有技術(shù)中的方法可以檢測得到所述硅塊a的平均少子壽命為4. 631微秒，所述硅塊b的平均少子為4. 188微秒，從圖6及圖7可以直觀的看出所述硅塊a的低少子壽命區(qū)域明顯少于所述硅塊b，但是并不能確定所述硅塊a及硅塊b可切片區(qū)域的準(zhǔn)確質(zhì)量及可切片區(qū)域中的好質(zhì)量區(qū)域。按現(xiàn)有紅區(qū)標(biāo)準(zhǔn)確定頭尾去除高度并調(diào)整圖6及圖7所示圖像的灰度后分別得到圖8及圖9所示的灰度圖，其中，不同區(qū)域的灰度值與少子的壽命值一一對應(yīng)。通過圖8及圖9可看出所述硅塊a及硅塊b的可切片長度大致相同。通過所述分析模塊200分別計算圖8和圖9所示灰度圖中不同灰度值圖案所占的比例及從所述硅塊a或硅塊b頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)不同灰度值圖案的比例，得到所述硅塊a或硅塊b中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊a或硅塊b頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例。請一并參照圖10及圖11，圖10為圖8所示灰度圖處理后得到的硅塊a從頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例趨勢圖，圖11為圖9所示灰度圖處理后得到的硅塊b從頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例趨勢圖。其中，圖10及圖11的橫坐標(biāo)為硅塊從頭部到尾部的數(shù)據(jù)點，所述數(shù)據(jù)點與硅塊從頭部到尾部的各個區(qū)間一一對應(yīng)，縱坐標(biāo)為所述硅塊對應(yīng)數(shù)據(jù)點的低少子壽命所占的比例值。此處，設(shè)定所述比例閾值K的具體數(shù)值為50%，當(dāng)所述低少子壽命所占的比例小于50%時，此區(qū)間的硅塊切片后制造的電池效率較高，能夠滿足用戶需求，當(dāng)所述低少子壽命所占的比例不小于50%時，此區(qū)間的硅塊切片后制造的電池效率較低，無法滿足用戶需求。根據(jù)50%的界限值結(jié)合圖10及圖11，可以得到以下表格
權(quán)利要求
1.一種判斷硅塊質(zhì)量的方法，其特征在于，包括 掃描娃塊得到所述娃塊的全少子壽命分布圖； 分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例； 根據(jù)所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例判斷所述硅塊的質(zhì)量。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在所述掃描硅塊得到所述硅塊的全少子壽命分布圖的步驟之前，還包括 對所述硅塊表面進(jìn)行化學(xué)鈍化處理。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例的步驟包括 調(diào)整所述全少子壽命分布圖為灰度圖，其中，所示灰度圖不同區(qū)域的灰度值與少子的壽命值對應(yīng)； 計算所述灰度圖中不同灰度值圖案所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)不同灰度值圖案的比例，得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例的步驟包括 從所述全少子壽命分布圖中讀取全少子壽命分布的二維數(shù)據(jù)； 根據(jù)所述二維數(shù)據(jù)計算得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例。
5.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例判斷所述硅塊的質(zhì)量的步驟包括 判斷從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)，所述低少子壽命所占的比例是否小于比例閾值K ； 若是，則所述硅塊中的此區(qū)間為好質(zhì)量區(qū)間，保留所述好質(zhì)量區(qū)間等待切片； 若否，則所述硅塊中的此區(qū)間為差質(zhì)量區(qū)間，去除所述差質(zhì)量區(qū)間。
6.一種判斷硅塊質(zhì)量的裝置，其特征在于，包括 掃描模塊，用于掃描硅塊得到所述硅塊的全少子壽命分布圖； 分析模塊，用于分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例； 判斷模塊，用于根據(jù)所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例判斷所述硅塊的質(zhì)量。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述掃描模塊掃描所述硅塊時采用高精度逐行掃描。
8.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述掃描模塊進(jìn)一步用于調(diào)整所述全少子壽命分布圖為灰度圖，其中，所示灰度圖不同區(qū)域的灰度值與少子的壽命值一一對應(yīng)，所述分析模塊進(jìn)一步用于計算所述灰度圖中不同灰度值圖案所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)不同灰度值圖案的比例，得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例。
9.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述分析模塊還用于從所述全少子壽命分布圖中讀取全少子壽命分布的二維數(shù)據(jù)，根據(jù)所述二維數(shù)據(jù)計算得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例。
10.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述判斷模塊進(jìn)一步用于判斷從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)，所述低少子壽命所占的比例是否小于比例閾值K ；若是，則所述硅塊中的此區(qū)間為好質(zhì)量區(qū)間，保留所述好質(zhì)量區(qū)間等待切片； 若否，則所述硅塊中的此區(qū)間為差質(zhì)量區(qū)間，去除所述差質(zhì)量區(qū)間。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種判斷硅塊質(zhì)量的方法，包括掃描硅塊得到所述硅塊的全少子壽命分布圖；分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例；根據(jù)所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區(qū)間內(nèi)低少子壽命的比例判斷所述硅塊的質(zhì)量。本發(fā)明實施例還公開了一種判斷硅塊質(zhì)量的裝置。采用本發(fā)明，可以更準(zhǔn)確地判斷硅塊的整體質(zhì)量，有效地減少低效硅片的產(chǎn)出。
文檔編號C30B28/06GK102759695SQ20121023755
公開日2012年10月31日 申請日期2012年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月10日
發(fā)明者何亮, 劉俊, 張濤, 胡動力, 雷琦, 魯義銘 申請人:江西賽維Ldk太陽能高科技有限公司