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高功率因素led恒流驅動電路的制作方法

文檔序號:8052968閱讀:148來源:國知局
專利名稱:高功率因素led恒流驅動電路的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及電子技術。
背景技術
由于LED具有環(huán)保、節(jié)能、壽命長、高亮度等優(yōu)點被視為21世紀照明光源,為了滿足LED本身特性要求,所以LED恒流驅動電源應允而生;目前在LED恒流驅動電源的應用領域中,可將其分為兩類產品,一為非隔離LED恒流驅動電源,此類電源主要應用于室內的 LED燈管,其余場合基本上很少使用,此類電源的缺點在于其輸入與輸出的電氣性能沒有隔離,所以在安全標準上有所欠缺;另一類為隔離LED恒流驅動電源,此類電源由于輸入與輸出的電氣性能徹底通過變壓器進行隔離,它的使用場合是全方位的,應用于各種LED的驅動,是非隔離電源的升級品;隔離LED驅動電源在設計和使用過程中,都希望得到高功率因數(shù),減少輸入端電流諧波污染,目前常用方法是采用有源校正,即使用專用的功率因數(shù)校正芯片,這種方案的優(yōu)點是可以得到更高的功率因數(shù),缺點是電路的成本升高,專用PFC校正芯片的價格昂貴,增加了電路成本。顯然在LED驅動電源的一般應用領域中,在實現(xiàn)相同功能及性能的情況下,保證電路的穩(wěn)定性,更低的成本,讓性價比得到更高的體現(xiàn),才能讓LED 的推廣及應用更加廣闊。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是,提供一種能夠,使入端電流形成正弦波,提高功率因數(shù)的LED恒流驅動電路。本發(fā)明解決所述技術問題采用的技術方案是,高功率因素LED恒流驅動電路,包括電源輸入單元、整流濾波單元、變壓器隔離單元和輸出單元,還包括一個設置于整流濾波單元和變壓器隔離單元之間的PFC充電泵單元。進一步的,本發(fā)明還包括EMI濾波單元,位于電源輸入單元和整流濾波單元之間;PWM恒流控制單元,和整流濾波單元連接,還通過開關單元連接到變壓器隔離單元;電流采樣單元,和PWM恒流控制單元連接;電壓反饋單元,設置于變壓器隔離單元和PWM恒流控制單元之間;開關單元,與PWM恒流控制單元、變壓器隔離單元和電流采樣單元連接。更進一步的,所述PFC充電泵單元包括第二電感L2、第四電容C4和第一二極管 Dl,第二電感L2和第一二極管Dl串聯(lián)于整流濾波單元和變壓器隔離單元之間,第二電感L2 和第一二極管Dl的連接點通過第四電容C4接開關單元的輸入端,第一二極管Dl的負極通過變壓器隔離單元的初級繞組接開關單元的輸入端;開關單元的輸出端接電流采用單元, 開關單元的控制端接PWM恒流控制單元。所述PWM恒流控制單元包括控制IC,控制IC的Vcc端接電壓反饋單元接,Vin端
3接第二電感L2和第一二極管Dl的連接點,Vin端還通過第十電容ClO接地,COMP端通過電壓反饋單元的第八電阻R8接地,COMP端還通過第九電容C9接地,CS端通過第七電容R7 接地,Output端通過第四電阻R4接開關單元的控制端,開關單元為MOS管。本發(fā)明的有益效果是,利用EMI濾波單元有效的抑制恒流電源的電磁干擾,從而使電源符合GB17743-2007的輻射電磁騷擾及騷擾電壓標準;利用PFC充電泵單元提高了恒流電源的功率因數(shù)使PF >0.8,有效的降低了電流諧波,使電源符合GB17625. 1的電磁兼容性標準;提高了轉換效率,Π >78%,轉換效率提高,降低了元器件溫升,從而提高了使用壽命;恒定電流輸出,線性調整率小于士 3%,負載調整率小于士 3%,從而使LED工作更穩(wěn)定;在相同實現(xiàn)功率因數(shù)的情況下,降低了成本,使得LED應用的推廣更加廣泛。


圖1為本發(fā)明新型實現(xiàn)高功率因數(shù)的簡化原理圖。圖2為現(xiàn)有RCD吸收電路的簡化原理圖。圖3為本發(fā)明新型高功率因素LED恒流驅動電源的結構圖。圖4為本發(fā)明新型高功率因素LED恒流驅動電源的電路圖。圖中芯片可采用愛瓦特公司IW1692芯片。
具體實施例方式本發(fā)明提出一種新型無源單級高功率因數(shù)校正電路充電泵高功率因數(shù)校正,該電路的特點是利用電容充電泵升壓原理,使直流濾波電容上電壓高于輸入交流電壓的峰值,在功率開關器件切換過程中,利用負載電流和入端電流的差值對充電泵電容充放電,使入端電流形成正弦波,提高了功率因數(shù),簡化了電路結構,提高了電路穩(wěn)定性,降低了電路成本。本發(fā)明包括下述部分1、電源輸入端。2、與電源輸入端相連的EMI濾波單元。3、與EMI濾波單元相連的整流濾波單元。4、與整流濾波單元相連的PFC充電泵單元,并連接至變壓器隔離單元。5、與整流濾波單元相連的PWM恒流控制單元發(fā)生控制信號連接至開關單元,開關單元根據(jù)其導通和關斷控制對變壓器進行儲存和釋放能量的轉換。6、與變壓器隔離單元相連的輸出單元,并連接至LED負載。7、一個與開關單元和PWM恒流控制單元連接的電流采樣單元,電流采樣單元采集變壓器原邊的電流信號并送至PWM恒流控制單元;PWM恒流控制單元根據(jù)所述電流信號輸出矩形脈沖開關信號,控制所述開關單元周期性導通和關斷,實現(xiàn)電流大小的輸出。8、一個與變壓器隔離單元和PWM恒流控制單元連接的電壓反饋單元,所訴電壓反饋單元是采集變壓器輔助繞組兩端的誤差信號,送至PWM恒流控制單元由芯片內部進行計數(shù)對比,實現(xiàn)電流的恒定輸出。參見圖1 3。假定交流輸入電壓為230V,在MOS管Ql導通時,漏極電壓從600V左右跳降到零,
4變壓器Tl的初級電感開始充電,初級電流線性上升;導通的同時,漏極電壓的降低也會通過第四電容C4傳送到第二電感L2和第一二極管Dl之間的連接點上,所以此點的電壓從 400V降到接近200V。由于有交流電壓的存在,流過扼流圈(第二電感I^)的電流會逐步上升,并向第四電容C4充電;當變壓器和扼流圈的充電階段完成后,MOS管Ql轉換為截止,漏極電流為零,而漏極電壓和第四電容C4上的電壓會急劇上升,直到第四電容C4的電壓與第五電容C5的電壓相等約為400V。此后漏極電壓改為緩慢爬升,而第四電容C4和第五電容 C5的電壓則維持在400V不變,與此同時,第二電感L2(它最初是向第四電容C4充電)上的電流改為經過第一二極管Dl流進第五電容C5中,這使得蘊含在第二電感L2中的能量轉移到了第五電容C5中,利用這個原理,就使輸入電流從較低的第四電容C4處流向較高的第五電容C5處。 第二電感L2的作用是避免MOS管導通后有交流整流后產生的大幅度脈沖電流向第四電容C4充電;第一二極管Dl阻斷第五電容C5(濾波電容)和第四電容C4(充電電容), 由于有阻斷的作用所以使得第二電感L2上的波形接近正弦波;第四電容C4是利用低電壓向第五電容C5充電的電容,第四電容C4的選值是在nF IOnF之間,第五電容C5的選值微法級別電容,根據(jù)電源功率選擇,第二電感L2的選值是在毫亨級別。
與現(xiàn)有技術相比(如圖2),利用PFC充電泵電路取代了以前的RCD吸收電路,由于 PFC充電泵電路不僅具有PFC功能,可使電源功率因數(shù)達到0. 8以上,而且兼有吸收緩沖功能,因此不再需要RCD吸收電路,而且由于沒有了 RCD吸收電路中的電阻成分,所以不含有功率消耗,從而提高了整機的工作效率。
權利要求
1.高功率因素LED恒流驅動電路,包括電源輸入單元、整流濾波單元、變壓器隔離單元和輸出單元,其特征在于,還包括一個設置于整流濾波單元和變壓器隔離單元之間的PFC 充電泵單元。
2.如權利要求1所述的高功率因素LED恒流驅動電路,其特征在于,還包括 EMI濾波單元,位于電源輸入單元和整流濾波單元之間;PWM恒流控制單元,和整流濾波單元連接,還通過開關單元連接到變壓器隔離單元;電流采樣單元,和PWM恒流控制單元連接;電壓反饋單元,設置于變壓器隔離單元和PWM恒流控制單元之間;開關單元,與PWM恒流控制單元、變壓器隔離單元和電流采樣單元連接。
3.如權利要求2所述的高功率因素LED恒流驅動電路,其特征在于,所述PFC充電泵單元包括第二電感(L2)、第四電容(C4)和第一二極管(Dl),第二電感(U)和第一二極管 (Dl)串聯(lián)于整流濾波單元和變壓器隔離單元之間,第二電感(U)和第一二極管(Dl)的連接點通過第四電容(C4)接開關單元的輸入端,第一二極管(Dl)的負極通過變壓器隔離單元的初級繞組接開關單元的輸入端;開關單元的輸出端接電流采用單元,開關單元的控制端接PWM恒流控制單元。
4.如權利要求3所述的高功率因素LED恒流驅動電路,其特征在于,所述PWM恒流控制單元包括控制IC,控制IC的Vcc端接電壓反饋單元接,Vin端接第二電感(U)和第一二極管(Dl)的連接點,Vin端還通過第十電容(ClO)接地,COMP端通過電壓反饋單元的第八電阻(R8)接地,COMP端還通過第九電容(C9)接地,CS端通過第七電容(R7)接地,Output 端通過第四電阻(R4)接開關單元的控制端,開關單元為MOS管。
全文摘要
高功率因素LED恒流驅動電路,涉及電子技術。本發(fā)明包括電源輸入單元、整流濾波單元、變壓器隔離單元和輸出單元,其特征在于,還包括一個設置于整流濾波單元和變壓器隔離單元之間的PFC充電泵單元。本發(fā)明轉換效率提高,降低了元器件溫升,從而提高了使用壽命。
文檔編號H05B37/02GK102438377SQ201110430328
公開日2012年5月2日 申請日期2011年12月20日 優(yōu)先權日2011年12月20日
發(fā)明者于廷江, 李文昌, 溫強, 袁進, 黃國輝 申請人:成都成電硅??萍脊煞萦邢薰?br>
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