專(zhuān)利名稱(chēng)：配線基板及其制造方法、顯示面板以及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及耐腐蝕性良好的配線基板及其制造方法、顯示面板以及顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，采用液晶、有機(jī)EL(Electro Luminescence 電致發(fā)光)、無(wú)機(jī)EL等顯示介質(zhì)的顯示裝置迅速普及。在這些顯示裝置中，有源矩陣型的顯示裝置由于響應(yīng)速度快，容易進(jìn)行多灰度級(jí)顯示，因此被廣泛使用。有源矩陣型的顯示裝置具備多個(gè)像素矩陣狀排列的有源矩陣基板和與其相對(duì)地配置的相對(duì)基板。有源矩陣基板形成為相對(duì)于相對(duì)基板，面積較大。這些有源矩陣基板與相對(duì)基板由沿著相對(duì)基板的端緣設(shè)置的未圖示的密封劑相互貼合。在這些有源矩陣基板與相對(duì)基板之間，夾持有包括上述各種顯示介質(zhì)的顯示介質(zhì)層。在有源矩陣基板中，在由上述密封劑包圍的單元的內(nèi)部，多個(gè)掃描配線和多個(gè)信號(hào)配線交叉地配置。在這些掃描配線與信號(hào)配線的交叉部附近，分別形成有具有TFTCThin Film Transistor ；薄膜晶體管)的像素部。在上述有源矩陣基板周邊部的從上述相對(duì)基板伸出的區(qū)域，作為連接部形成有從上述單元內(nèi)部的像素部引出的包括金屬配線的引出配線和端子部(端子電極)。在這種顯示裝置中，需要將TFT和驅(qū)動(dòng)用集成電路等外部的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行連接。TFT與外部的驅(qū)動(dòng)電路的連接是通過(guò)將上述端子電極與搭載有驅(qū)動(dòng)用集成電路的 TCP (Tape Carrier lockage 卷帶封裝)等撓性配線基板連接來(lái)進(jìn)行的。上述端子電極與撓性配線基板的連接一般采用ACF(Anisotropic Conductive Film 各向異性導(dǎo)電膜)。然而，一般來(lái)說(shuō)，由于安裝上的制約，在上述有源矩陣基板與相對(duì)基板之間的密封齊U形成區(qū)域和上述連接部的ACF的貼附位置之間有數(shù)mm的距離。因此，該密封劑形成區(qū)域與ACF的貼附位置之間的區(qū)域的金屬配線處于露出狀態(tài)。因此，在該區(qū)域中，水分、異物等容易附著于上述金屬配線，會(huì)產(chǎn)生上述金屬配線被腐蝕的問(wèn)題。因此，作為解決這種問(wèn)題的方法，提出了例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1和專(zhuān)利文獻(xiàn)2記載的手法。圖21是示出專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的有源矩陣基板的連接部的構(gòu)成的截面圖。如圖21所示，在設(shè)于構(gòu)成有源矩陣基板的玻璃基板301的端部的連接部，從顯示部引出了下層金屬配線302。下層金屬配線302被層間絕緣膜303(平坦化膜)覆蓋。形成在層間絕緣膜303上的上層金屬配線305通過(guò)形成于層間絕緣膜303的接觸孔304與下層金屬配線302連接。上層金屬配線305被透明導(dǎo)電膜306完全覆蓋。在透明導(dǎo)電膜306上形成有保護(hù)絕緣膜307。在上述保護(hù)絕緣膜307中，針對(duì)上層金屬配線305的端子部(端子電極)設(shè)有開(kāi)口。該端子部利用ACF310連接著撓性配線基板311的銅箔配線。在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，為了防止形成于透明導(dǎo)電膜306下的金屬配線的腐蝕，除去了未被保護(hù)絕緣膜307或者ACF310保護(hù)的部分的上層金屬配線305。
另外，圖22是示出專(zhuān)利文獻(xiàn)2記載的有源矩陣基板的連接端子部的構(gòu)成的平面圖。如圖22所示，在構(gòu)成有源矩陣基板的玻璃基板401上，掃描配線402從像素部延伸配置，引出到設(shè)于其與相對(duì)基板411之間的密封劑412的外側(cè)。掃描配線402的端部成為用于與包括高分子膜等的外部撓性配線基板420連接的端子電極403 (柵極輸入端子)。在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中，在密封劑412的外側(cè)露出的掃描配線402中形成有狹縫404，由此，處于該露出狀態(tài)的掃描配線402分離為多個(gè)。由此，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中，在掃描配線402浸漬于結(jié)露等的情況下，由狹縫404抑制浸蝕的進(jìn)行?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本公開(kāi)專(zhuān)利公報(bào)“特開(kāi)平8-6059號(hào)公報(bào)(1996年1月12日公開(kāi))”專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本公開(kāi)專(zhuān)利公報(bào)“特開(kāi)平8-82805號(hào)公報(bào)(1996年3月沈日公開(kāi))”

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題然而，上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1是如上所述部分地除去金屬配線的結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)實(shí)現(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的結(jié)構(gòu)時(shí)，在制造時(shí)所需的掩模的個(gè)數(shù)會(huì)增加，制造花費(fèi)的費(fèi)用變高。另外，如專(zhuān)利文獻(xiàn)2那樣，在處于露出狀態(tài)的掃描配線402中形成狹縫404的情況下，能抑制掃描配線402的浸蝕的進(jìn)行。然而，專(zhuān)利文獻(xiàn)2本身不是為了防止浸蝕。因此， 不能根本性地解決上述問(wèn)題。特別是，近年來(lái)，隨著顯示裝置的高精細(xì)化、大畫(huà)面化而謀求金屬配線的低電阻化。因此，近年來(lái)，從此前使用的Cr(鉻)等有耐蝕性的配線材料轉(zhuǎn)而較多使用Al(鋁)、 Cu(銅)等雖為低電阻卻缺少耐蝕性的配線材料。如上所述，連接部和單元內(nèi)部的像素部采用相同的金屬配線。因此，在金屬配線采用Cu等低電阻配線材料的情況下，當(dāng)覆蓋與該金屬配線接觸的層間絕緣膜(平坦化膜)的端面的ITO等透明電極中有缺陷時(shí)，有時(shí)會(huì)從該層間絕緣膜和下層的柵極絕緣膜等絕緣膜的端面部分腐蝕上述金屬配線，會(huì)產(chǎn)生斷線等問(wèn)題。可以認(rèn)為其理由如下。也就是說(shuō)，如上所述包括樹(shù)脂材料的層間絕緣膜(即有機(jī)絕緣膜)不具有無(wú)機(jī)絕緣膜那樣致密的結(jié)構(gòu)，經(jīng)過(guò)干式蝕刻其表面變粗糙。在這樣表面粗糙的層間絕緣膜上形成有ITO等透明導(dǎo)電膜的情況下，不會(huì)形成無(wú)缺陷的透明導(dǎo)電膜，水分等會(huì)從下層的絕緣膜的端面侵入，這是腐蝕的原因。然而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1和專(zhuān)利文獻(xiàn)2中，并未提及這樣層疊透明導(dǎo)電膜的下層(基底)的表面狀態(tài)帶來(lái)的差異。本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的，其目的在于提供能防止如上所述覆蓋有機(jī)絕緣膜的端面的透明導(dǎo)電膜的缺陷引起的金屬電極的腐蝕的配線基板及其制造方法、顯示面板以及顯示裝置。用于解決問(wèn)題的方案為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的配線基板的特征在于，在絕緣性基材上設(shè)有金屬配線；覆蓋金屬配線的無(wú)機(jī)絕緣膜；覆蓋無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜；以及形成在有機(jī)絕緣膜上的導(dǎo)電膜，在上述金屬配線中設(shè)有不隔著無(wú)機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜而直接層疊有上述導(dǎo)電膜的區(qū)域，上述導(dǎo)電膜覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和無(wú)機(jī)絕緣膜的端面而延伸配置于上述區(qū)域，與上述區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面比與上述區(qū)域相對(duì)的無(wú)機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)離上述區(qū)域。例如為了在上述配線基板的與外部設(shè)備的連接部、配線連接部等上述金屬配線中設(shè)置不隔著無(wú)機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜而直接層疊有上述導(dǎo)電膜的區(qū)域，需要對(duì)上述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化，將該有機(jī)絕緣膜作為掩模對(duì)無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行干式蝕刻等的工序。因此，具有上述構(gòu)成的配線基板的有機(jī)絕緣膜的表面在上述導(dǎo)電膜的形成之前會(huì)受損傷。因此，與上述有機(jī)絕緣膜接觸的部分的上述導(dǎo)電膜不能致密地形成，有可能在該部分產(chǎn)生缺陷。然而，根據(jù)上述構(gòu)成，即使在上述導(dǎo)電膜中該導(dǎo)電膜覆蓋有機(jī)絕緣膜的部分產(chǎn)生了缺陷，也會(huì)將該缺陷到其下層的無(wú)機(jī)絕緣膜與上述導(dǎo)電膜接觸的部分之間的距離保持為較大。因此，防止了促進(jìn)腐蝕成分的侵入、迂回進(jìn)入。因此，根據(jù)上述構(gòu)成，即使在上述有機(jī)絕緣膜上的導(dǎo)電膜產(chǎn)生了缺陷，也能防止上述有機(jī)絕緣膜的表面的狀態(tài)引起上述金屬配線的腐蝕和斷線。因此，根據(jù)上述構(gòu)成，能防止覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面的透明導(dǎo)電膜的缺陷引起的金屬電極的腐蝕，能提供耐腐蝕性良好的配線基板。另外，根據(jù)上述構(gòu)成，與上述區(qū)域相對(duì)的無(wú)機(jī)絕緣膜的端面和覆蓋該無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜的端面相互分離。因此，在上述無(wú)機(jī)絕緣膜與有機(jī)絕緣膜之間會(huì)產(chǎn)生臺(tái)階。因此，根據(jù)上述構(gòu)成，能使從上述有機(jī)絕緣膜的表面至上述區(qū)域設(shè)置的上述導(dǎo)電膜跨過(guò)的臺(tái)階分級(jí)。其結(jié)果是能提高上述導(dǎo)電膜的覆蓋性。另外，本發(fā)明的顯示面板具備上述配線基板。本發(fā)明的顯示裝置具備上述顯示面板。由此，能提供能防止覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面的透明導(dǎo)電膜的缺陷引起的金屬電極的腐蝕的耐腐蝕性良好的顯示面板和顯示裝置。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的配線基板的制造方法的特征在于，具備金屬配線形成工序，在絕緣性基材上形成金屬配線；無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述金屬配線的無(wú)機(jī)絕緣膜；有機(jī)絕緣膜形成工序，對(duì)覆蓋上述無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成；無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序，將上述有機(jī)絕緣膜作為掩模對(duì)上述無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化，使上述金屬配線的一部分露出；以及導(dǎo)電膜形成工序，在上述有機(jī)絕緣膜上以覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和無(wú)機(jī)絕緣膜的端面、與露出的金屬配線相接的方式形成導(dǎo)電膜，在上述無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序和有機(jī)絕緣膜形成工序之間具備以下掩模層形成工序在上述無(wú)機(jī)絕緣膜上以與上述金屬配線重疊的方式形成發(fā)揮上述無(wú)機(jī)絕緣膜的圖案化時(shí)的掩模的功能的掩模層，在上述有機(jī)絕緣膜形成工序中，以上述有機(jī)絕緣膜的端面位于上述掩模層上的方式對(duì)上述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成，并且在上述無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序中將上述有機(jī)絕緣膜和掩模層作為掩模對(duì)上述無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化，由此使上述金屬配線露出，相對(duì)于上述金屬配線露出的區(qū)域，使與該區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)于與上述區(qū)域相對(duì)的無(wú)機(jī)絕緣膜的端面。另外，為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的配線基板的制造方法的特征在于，包括金屬配線形成工序，在絕緣性基材上形成金屬配線；無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述金屬配線的無(wú)機(jī)絕緣膜；有機(jī)絕緣膜形成工序，對(duì)覆蓋上述無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成；無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序，將上述有機(jī)絕緣膜作為掩模對(duì)上述無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化，使上述金屬配線的一部分露出；以及導(dǎo)電膜形成工序，在上述有機(jī)絕緣膜上以覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和無(wú)機(jī)絕緣膜的端面、與露出的金屬配線相接的方式形成導(dǎo)電膜，在上述無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序和導(dǎo)電膜形成工序之間具備以下有機(jī)絕緣膜部分除去工序蝕刻(例如灰化或者兼用了有機(jī)絕緣膜形成時(shí)的半曝光的灰化)覆蓋上述無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜，使上述金屬配線露出，相對(duì)于上述金屬配線露出的區(qū)域，使與該區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)于與上述區(qū)域相對(duì)的無(wú)機(jī)絕緣膜的端面。另外，為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的配線基板的制造方法的特征在于，包括第1 金屬配線形成工序，在絕緣性基材上形成第1金屬配線；第1無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述第1金屬配線的第1無(wú)機(jī)絕緣膜；第2金屬配線形成工序，在上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜上形成第2金屬配線；第2無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述第2金屬配線的第2無(wú)機(jī)絕緣膜；有機(jī)絕緣膜形成工序，對(duì)覆蓋上述第2無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成；無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序，將上述有機(jī)絕緣膜作為掩模對(duì)上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化來(lái)形成開(kāi)口部，由此在該開(kāi)口部?jī)?nèi)使上述第1金屬配線和第2金屬配線的一部分露出；以及導(dǎo)電膜形成工序，在上述有機(jī)絕緣膜上以覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和上述第 1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜的端面、與露出的第1金屬配線和第2金屬配線分別相接的方式形成導(dǎo)電膜，在上述無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序和導(dǎo)電膜形成工序之間具備以下有機(jī)絕緣膜部分除去工序蝕刻(例如灰化或者兼用了有機(jī)絕緣膜形成時(shí)的半曝光的灰化)覆蓋上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜，使上述第1金屬配線和第2金屬配線露出，相對(duì)于上述第1金屬配線和第2金屬配線露出的區(qū)域，使與該區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)于與上述區(qū)域相對(duì)的第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜的端面。另外，為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的配線基板的制造方法的特征在于，具備第1 金屬配線形成工序，在絕緣性基材上形成第1金屬配線；第1無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述第1金屬配線的第1無(wú)機(jī)絕緣膜；第2金屬配線形成工序，在上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜上形成第2金屬配線；第2無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述第2金屬配線的第2無(wú)機(jī)絕緣膜；有機(jī)絕緣膜形成工序，對(duì)覆蓋上述第2無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成；無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序，將上述有機(jī)絕緣膜作為掩模對(duì)上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化來(lái)形成開(kāi)口部，由此在該開(kāi)口部?jī)?nèi)使上述第1金屬配線和第2金屬配線的一部分露出；以及導(dǎo)電膜形成工序，在上述有機(jī)絕緣膜上以覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和上述第 1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜的端面、與露出的第1金屬配線和第2金屬配線分別相接的方式形成導(dǎo)電膜，在上述第1金屬配線形成工序和第1無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序之間具備以下掩模層形成工序在上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜上以與上述第1金屬配線重疊的方式形成發(fā)揮上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜的圖案化時(shí)的掩模的功能的掩模層，在上述有機(jī)絕緣膜形成工序中，以上述有機(jī)絕緣膜的端面位于上述掩模層上的方式對(duì)上述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成，并且在上述無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序中將上述有機(jī)絕緣膜和掩模層作為掩模對(duì)上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化，由此使上述第1金屬配線露出，相對(duì)于上述第1金屬配線露出的區(qū)域，使與該區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)于與上述區(qū)域相對(duì)的第1無(wú)機(jī)絕緣膜的端面。
能利用上述各制造方法來(lái)制造上述本發(fā)明的配線基板。此外，如上所述，在上述區(qū)域?yàn)榈?金屬配線層與第2金屬配線層的連接區(qū)域的情況下，在將上述區(qū)域形成于密封劑的內(nèi)部的情況下，與將上述區(qū)域設(shè)于密封劑的外部的情況相比較，腐蝕的可能性變低。因此，在這種情況下，如上所述，也可以是利用掩模層僅防止第1金屬配線層的腐蝕的結(jié)構(gòu)。發(fā)明效果如上所述，本發(fā)明的配線基板及其制造方法、液晶面板以及顯示裝置形成為與金屬配線上不隔著無(wú)機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜而直接層疊有上述導(dǎo)電膜的區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面比與上述區(qū)域相對(duì)的無(wú)機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)離上述區(qū)域。因此，在上述導(dǎo)電膜中，即使在該導(dǎo)電膜覆蓋有機(jī)絕緣膜的部分產(chǎn)生了缺陷，該缺陷到其下層的無(wú)機(jī)絕緣膜與上述導(dǎo)電膜接觸的部分之間的距離也會(huì)保持較大。因此，防止了促進(jìn)腐蝕成分的侵入、迂回進(jìn)入。因此，根據(jù)本發(fā)明，即使在上述有機(jī)絕緣膜上的導(dǎo)電膜中產(chǎn)生了缺陷，也能防止上述有機(jī)絕緣膜的表面的狀態(tài)引起上述金屬配線的腐蝕和斷線。


圖1(a)是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有源矩陣基板中的掃描配線連接部附近的概要構(gòu)成的平面圖，(b)是(a)示出的有源矩陣基板的A-A線向視截面圖。圖2是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的液晶顯示裝置的主要部分的概要構(gòu)成的框圖。圖3是示出圖2所示的液晶顯示裝置中的液晶面板的概要構(gòu)成的立體圖。圖4是示出圖3所示的液晶面板中的有源矩陣基板中的主要部分的配線結(jié)構(gòu)的平面圖。圖5是用于說(shuō)明圖1 (a)、(b)所示的有源矩陣基板中的促進(jìn)腐蝕成分的侵入防止效果的端子電極附近的截面圖。圖6(a) (e)是按工序順序示出圖1所示的有源矩陣基板的制造工序的上述有源矩陣基板的截面圖。圖7(a) (C)是按工序順序示出相對(duì)基板的制造工序的截面圖。圖8是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的有源矩陣基板中的掃描配線連接部的概要構(gòu)成的平面圖。圖9(a)是示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的有源矩陣基板的掃描配線連接部的其它構(gòu)成例的截面圖，(b)是(a)所示的有源矩陣基板的B-B線向視截面圖。圖10(a)是示出本發(fā)明的實(shí)施方式4的有源矩陣基板中的掃描配線連接部附近的概要構(gòu)成的平面圖，(b)是(a)所示的有源矩陣基板的C-C線向視截面圖。圖11 (a) (f)是按工序順序示出本發(fā)明的實(shí)施方式5的有源矩陣基板的制造工序的上述有源矩陣基板的截面圖。圖12是示出本發(fā)明的實(shí)施方式6的有源矩陣基板中的配線連接部的概要構(gòu)成的平面圖。圖13是示出圖12所示的有源矩陣基板的D-D線向視截面圖。圖14是示出本發(fā)明的實(shí)施方式7的有源矩陣基板中的配線連接部的概要構(gòu)成的平面圖。
圖15(a)是圖14所示的有源矩陣基板20的E-E線向視截面圖，(b)是圖14所示的有源矩陣基板20的F-F線向視截面圖。圖16(a) (f)是按工序順序示出本發(fā)明的實(shí)施方式7的有源矩陣基板的制造工序的上述有源矩陣基板20的截面圖。圖17(a) (f)是按工序順序示出本發(fā)明的實(shí)施方式8的有源矩陣基板的制造工序的上述有源矩陣基板的截面圖。圖18(a) (f)是按工序順序示出本發(fā)明的實(shí)施方式9的有源矩陣基板的制造工序的上述有源矩陣基板的截面圖。圖19是示出比較用的有源矩陣基板的掃描配線連接部附近的概要構(gòu)成的截面圖。圖20是示出圖19所示的比較用的有源矩陣基板中的促進(jìn)腐蝕成分的進(jìn)入路徑的端子電極附近的截面圖。圖21是示出專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的有源矩陣基板中的連接部的構(gòu)成的截面圖。圖22是示出專(zhuān)利文獻(xiàn)2記載的有源矩陣基板中的連接端子部的構(gòu)成的平面圖。
具體實(shí)施例方式〔實(shí)施方式1〕主要根據(jù)圖1(a)、(b)以及圖7(a) (c)、圖19和圖20如下說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)
實(shí)施方式。圖2是示出本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概要構(gòu)成的框圖。如圖2所示，本實(shí)施方式的液晶顯示裝置1具備矩陣狀地配置有像素10的液晶面板2(顯示面板)；驅(qū)動(dòng)該液晶面板2的驅(qū)動(dòng)電路；以及控制該驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)的控制電路3，根據(jù)需要具備背光源單元(未圖示)等。在上述液晶面板2中設(shè)有多個(gè)掃描配線22和與各掃描配線22分別交叉的多個(gè)信號(hào)配線27，按這些掃描配線22和信號(hào)配線27的每個(gè)組合設(shè)有像素10 (像素部)。另外，根據(jù)需要，在與掃描配線22相同的層中配置輔助電容配線23，輔助電容配線23橫穿各像素 10，與上述掃描配線22大致平行地延伸配置。另外，上述驅(qū)動(dòng)電路具備驅(qū)動(dòng)液晶面板2中的掃描配線22的掃描配線驅(qū)動(dòng)電路4 和驅(qū)動(dòng)信號(hào)配線27的信號(hào)配線驅(qū)動(dòng)電路5，根據(jù)需要具備驅(qū)動(dòng)輔助電容配線23的輔助電容配線驅(qū)動(dòng)電路6。這些掃描配線驅(qū)動(dòng)電路4、信號(hào)配線驅(qū)動(dòng)電路5和輔助電容配線驅(qū)動(dòng)電路 6分別與掃描配線22、信號(hào)配線27和輔助電容配線23電連接，能從外部對(duì)這些金屬配線獨(dú)立地提供電位。這些驅(qū)動(dòng)電路與上述控制電路3分別電連接，由從該控制電路3提供的控制信號(hào)、視頻信號(hào)控制。圖3是示出圖2所示的液晶顯示裝置中的液晶面板的概要構(gòu)成的立體圖。如圖3所示，液晶面板2具有如下構(gòu)成在設(shè)有未圖示的驅(qū)動(dòng)元件(開(kāi)關(guān)元件)的有源矩陣基板20 (元件基板，配線基板)與相對(duì)基板80之間設(shè)有液晶層92(參照?qǐng)D1(b))。 另外，在有源矩陣基板20和相對(duì)基板80的與相互相對(duì)的面相反的面?zhèn)?，根?jù)需要設(shè)有未圖示的相位差板和偏光板。如圖3所示，與相對(duì)基板80比較，有源矩陣基板20形成為面積較大。有源矩陣基板20和相對(duì)基板80由沿著相對(duì)基板80的端緣設(shè)置的密封劑91相互貼合。構(gòu)成上述液晶層92的液晶材料封入密封劑91的內(nèi)側(cè)的區(qū)域(也就是說(shuō)，用由密封劑91包圍的有源矩陣基板20和相對(duì)基板80形成的單元的內(nèi)部)。有源矩陣基板20具備顯示區(qū)域41，其顯示被觀察者視覺(jué)識(shí)別的圖像；以及非顯示區(qū)域42，其設(shè)于顯示區(qū)域的外側(cè)，不被觀察者視覺(jué)識(shí)別圖像。有源矩陣基板20和相對(duì)基板80隔著液晶層92而相對(duì)，密封劑91的內(nèi)側(cè)的區(qū)域是顯示區(qū)域41。另一方面，非顯示區(qū)域42由設(shè)有密封劑91的密封部43和密封部43的外側(cè)的連接部44(周邊端子區(qū)域)構(gòu)成。在上述有源矩陣基板20的周邊部從上述相對(duì)基板80伸出的區(qū)域，作為連接部44 形成有從上述單元的內(nèi)部(顯示區(qū)域41)引出的掃描配線22和信號(hào)配線27等金屬配線的引出配線和它們的端子部(參照?qǐng)D4)。連接部44的各端子電極利用ACF等與外部設(shè)備電連接，具體地說(shuō)，與上述掃描配線驅(qū)動(dòng)電路4、信號(hào)配線驅(qū)動(dòng)電路5等驅(qū)動(dòng)用IC (集成電路)、驅(qū)動(dòng)用LSI (大規(guī)模集成電路)或者搭載有這些驅(qū)動(dòng)電路的TCP、C0F(Chip On Film 覆晶薄膜)等撓性配線基板(柔性印刷配線基板FPC基板)的配線的輸出端子電連接。圖4是示出圖3所示的液晶面板中的有源矩陣基板20中的主要部分的配線結(jié)構(gòu)的平面圖。在本實(shí)施方式中，作為上述有源矩陣基板20，舉出使用了具備TFT作為驅(qū)動(dòng)元件的TFT基板的情況的例子進(jìn)行說(shuō)明。如圖4所示，在有源矩陣基板20中，在由上述密封劑91包圍的單元的內(nèi)部，多個(gè)掃描配線22和多個(gè)信號(hào)配線27交叉地配置。在這些掃描配線22和信號(hào)配線27的交叉部附近，分別形成有具有TFTll作為驅(qū)動(dòng)元件(開(kāi)關(guān)元件)的像素10(像素部)。在各像素 10中分別設(shè)有像素電極30。TFTll的掃描電極12與掃描配線22連接。另外，信號(hào)電極13與信號(hào)配線27連接。漏極電極14通過(guò)漏極配線15與上述像素電極30電連接。由此，在各像素10中，當(dāng)選擇掃描配線22時(shí)，TFTll導(dǎo)通，根據(jù)從控制電路3輸入的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)而決定的信號(hào)電壓由信號(hào)配線驅(qū)動(dòng)電路5通過(guò)信號(hào)配線27施加到液晶面板2。液晶面板2在掃描配線22的選擇期間結(jié)束而TFTll截止的期間，理想的是持續(xù)保持截止時(shí)的電壓。另外，如上所述，在與掃描配線22相同的層中配置有輔助電容配線23，輔助電容配線23橫穿各像素10，與上述掃描配線22大致平行地延伸配置。在上述輔助電容配線23上，從漏極配線15延伸的中間電極16按每個(gè)像素10隔著未圖示的柵極絕緣膜24(參照?qǐng)D6(e))設(shè)于與漏極電極14相同的層。上述中間電極16通過(guò)接觸孔17與像素電極30電連接。上述輔助電容配線23和中間電極16發(fā)揮按每個(gè)像素10形成的輔助電容用的電極的功能。根據(jù)本實(shí)施方式，能利用形成于上述輔助電容配線23和中間電極16之間的輔助電容來(lái)使像素電位穩(wěn)定。在此， 上述輔助電容配線23和中間電極16根據(jù)需要而形成即可，并不是必須的。如圖4所示，在上述有源矩陣基板20的連接部44設(shè)有掃描配線連接部50、信號(hào)配線連接部60、配線連接部70，并且根據(jù)需要設(shè)有未圖示的輔助電容配線連接部等。在掃描配線連接部50，設(shè)有掃描配線22用于接受外部的信號(hào)的掃描端子51 (端子電極)和掃描配線22的引出配線。在信號(hào)配線連接部60，設(shè)有信號(hào)配線27用于接受外部的信號(hào)的信號(hào)端子61(端子電極)和信號(hào)配線27的引出配線(與信號(hào)配線27連接的連接配線62)。配線連接部70用于將設(shè)有上述掃描配線22的第1金屬配線層(柵極金屬層) 和設(shè)有信號(hào)配線27的第2金屬配線層(源極金屬層)進(jìn)行電連接。另外，在未圖示的輔助電容配線連接部，設(shè)有輔助電容配線23用于接受外部的信號(hào)的信號(hào)端子(端子電極)。下面參照?qǐng)D6(e)如下說(shuō)明構(gòu)成上述有源矩陣基板20的各層。此外，在以下的說(shuō)明中，作為連接部44中的層疊結(jié)構(gòu)，舉出掃描配線連接部50中的層疊結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說(shuō)明。然而，只看層疊結(jié)構(gòu)，信號(hào)配線連接部60中的層疊結(jié)構(gòu)與掃描配線連接部50中的層疊結(jié)構(gòu)具有相同的結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，如圖4所示，信號(hào)配線27由設(shè)于配線連接部70的接觸孔71電連接到與掃描配線22設(shè)于同一層的連接配線62。因此，如上所述，信號(hào)配線27的端子部由配線連接部70進(jìn)行從源極金屬層到柵極金屬層的轉(zhuǎn)接(換層)，由此與掃描配線22形成于同一層。在信號(hào)配線連接部60，設(shè)有與掃描配線22形成于同一層的連接配線62代替掃描配線22的引出配線。此外，如上所述，上述配線連接部70可以設(shè)于密封劑91的外側(cè)(單元外)，也可以設(shè)于密封劑91的內(nèi)部(單元內(nèi))。圖6 (a) (e)是按工序順序示出上述有源矩陣基板20的制造工序的上述有源矩陣基板20的截面圖。此外，圖6(a) (e)分別左右并排示出掃描配線連接部50的截面以及像素10的TFTll附近的截面作為各工序結(jié)束時(shí)刻的上述有源矩陣基板20的非顯示區(qū)域 42和顯示區(qū)域41的截面。如圖6 (e)所示，本實(shí)施方式的有源矩陣基板20具備玻璃基板21作為透明的絕緣性基板(基底基材，配線保持手段)。此外，上述絕緣性基板不一定必須是玻璃基板，也可以是例如塑料基板等。另外， 上述絕緣性基板不一定必須是透明的，只要上述有源矩陣基板20和相對(duì)基板80中的至少一方絕緣性基板具有透光性即可。上述絕緣性基板(基底基材)只要能保持液晶層等顯示媒質(zhì)層以及配線即可，沒(méi)有特別限定。首先，說(shuō)明上述有源矩陣基板20中的顯示區(qū)域41的層疊結(jié)構(gòu)。上述有源矩陣基板20具有如下結(jié)構(gòu)在顯示區(qū)域41中，在玻璃基板21上，按每個(gè)像素10設(shè)有TFTll作為驅(qū)動(dòng)元件。具體地說(shuō)，在玻璃基板21上按順序設(shè)有第1金屬配線層(柵極金屬層)、柵極絕緣膜對(duì)、溝道層25 (半導(dǎo)體層)、電極接觸層沈(半導(dǎo)體層)、第 2金屬配線層(源極金屬層)、保護(hù)膜觀(鈍化膜)、層間絕緣膜四、像素電極30。另外，在上述像素電極30上根據(jù)需要設(shè)有未圖示的取向膜。上述第1金屬配線層包括掃描電極12(例如上層掃描電極12b/下層掃描電極 12a)和掃描配線22 (例如上層掃描配線22b/下層掃描配線22a)、輔助電容配線23 (參照?qǐng)D4 例如上層輔助電容配線/下層輔助電容配線)、連接配線62 (參照?qǐng)D4 例如上層連接配線/下層連接配線)等。另外，第2金屬配線層包括信號(hào)電極13 (例如上層信號(hào)電極 13b/下層信號(hào)電極13a)、漏極電極14(例如上層漏極電極14b/下層漏極電極14a)、信號(hào)配線27 (參照?qǐng)D4 例如上層信號(hào)配線/下層信號(hào)配線)、漏極配線15 (參照?qǐng)D4 例如上層漏極配線/下層漏極配線)、中間電極16 (參照?qǐng)D4 例如上層中間電極/下層中間電極)等。如圖6 (e)所示，TFTll具有按順序?qū)盈B有掃描電極12、柵極絕緣膜M、溝道層25、電極接觸層沈、信號(hào)電極13和漏極電極14的結(jié)構(gòu)。另外，為了防止金屬膜的剝離，如上所述，上述TFTll以及第2金屬配線層的表面由保護(hù)膜觀保護(hù)。下面說(shuō)明上述有源矩陣基板20中的掃描配線連接部50的層疊結(jié)構(gòu)。如圖6(e)所示，在掃描配線連接部50，從單元的內(nèi)部(顯示區(qū)域21)作為引出配線延伸配置有與上述掃描電極12 (顯示用電極)連接的掃描配線22。在掃描配線連接部50中的掃描配線22上，按順序?qū)盈B有柵極絕緣膜24、第1半導(dǎo)體層31、保護(hù)膜觀、層間絕緣膜四、透明電極33。另外，在上述掃描配線22的端部形成有透明電極33直接層疊在上述掃描配線22上的端子部55。如上所述，設(shè)于像素部的掃描配線22、柵極絕緣膜M、層間絕緣膜四延伸配置到掃描配線連接部50。此外，在信號(hào)配線連接部60，設(shè)于像素部的信號(hào)配線27、柵極絕緣膜 24、層間絕緣膜四延伸配置到信號(hào)配線連接部60。這些第1金屬配線層、柵極絕緣膜M、 層間絕緣膜四由顯示區(qū)域41和非顯示區(qū)域42 (連接部44)共同使用。另外，如圖6(e)所示，第1半導(dǎo)體層31與溝道層25形成于同一層。即，上述第1 半導(dǎo)體層31能用與溝道層25相同的材料同時(shí)形成。另外，如圖6(e)所示，在層間絕緣膜四上形成的像素電極30和透明電極33形成于同一層。即，透明電極33用與像素電極30相同的材料同時(shí)形成。優(yōu)選上述第1金屬配線層和第2金屬配線層是低電阻金屬膜。特別是，近年來(lái)隨著顯示裝置的高精細(xì)化、大畫(huà)面化，強(qiáng)烈希望金屬配線的低電阻化。因此，作為構(gòu)成上述第1金屬配線層和第2金屬配線層的金屬材料，適用Al (鋁)、 Cu (銅)等低電阻金屬或者其合金(例如Cu合金；以下將低電阻金屬及其合金統(tǒng)一簡(jiǎn)稱(chēng)為 “低電阻金屬”)。上述第1金屬配線層和第2金屬配線層分別可以具有單層結(jié)構(gòu)，也可以具有雙層結(jié)構(gòu)或者3層結(jié)構(gòu)等層疊結(jié)構(gòu)。這樣，使上述第1金屬配線層和第2金屬配線層為層疊結(jié)構(gòu)，從而與僅為1層的情況相比具有難以斷線的優(yōu)點(diǎn)。如上所述，在使上述第1金屬配線層和第2金屬配線層為層疊結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選這些第1金屬配線層和第2金屬配線層中的上層金屬配線層采用上述低電阻金屬。另一方面，下層金屬配線層沒(méi)有特別限定，能使用例如Cr (鉻)、Ti (鈦)、Ta(鉭)、 Mo (鉬)或者它們的合金(例如Mo-Ti合金)等。如后所述，例如在包括Cu的上層金屬配線層之下設(shè)有包括Ti的下層金屬配線層， 由此能使上述第1金屬配線層與玻璃基板21良好地緊貼。另外，上述柵極絕緣膜M和保護(hù)膜28采用SiNx (氮化硅)、SW2 ( 二氧化硅)等無(wú)機(jī)絕緣膜。此外，這些絕緣膜可以具有單層結(jié)構(gòu)，也可以具有層疊結(jié)構(gòu)。另外，上述溝道層25和第1半導(dǎo)體層31的材料(半導(dǎo)體材料)如后所述能使用例如非晶硅。然而，上述溝道層25和第1半導(dǎo)體層31不限于此，例如也可以使用含有h (銦)、 Ga(鎵)和Si(鋅)的氧化物即IGZO (In、Ga、Zn、0) ；SiO (氧化鋅)等氧化物半導(dǎo)體。另外，如后所述，電極接觸層沈和后述的第2半導(dǎo)體層32(參照?qǐng)D6(b))使用例如在非晶硅中高濃度地?fù)诫s有η型雜質(zhì)的η+非晶硅層。然而，上述電極接觸層沈和第2半導(dǎo)體層32也不限于此，能使用例如在上述例示的半導(dǎo)體材料中摻雜雜質(zhì)而成的半導(dǎo)體層。另外，上述層間絕緣膜四采用丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂等有機(jī)絕緣膜。
另外，上述像素電極30和透明電極33采用例如ITOandium Tin Oxide 銦錫氧化物)、IZOandium Zinc Oxide 銦鋅氧化物)等透明導(dǎo)電膜。此外，上述各層的形成方法(層疊方法)沒(méi)有特別限定，能應(yīng)用以往公知的各種方法。上述有源矩陣基板20在上述掃描配線22的端子部55和信號(hào)配線27的未圖示的端子部以外的區(qū)域與相對(duì)基板80貼合。此外，在上述掃描端子51和信號(hào)端子61與相對(duì)基板80之間，設(shè)有用于上述引出配線與相對(duì)基板80和外部設(shè)備連接的余地。這些掃描端子51和信號(hào)端子61被用作與外部設(shè)備(具體地說(shuō)，驅(qū)動(dòng)用IC、驅(qū)動(dòng)用LSI、FPC基板等周邊電路)的連接端子。例如，將這些掃描端子51和信號(hào)端子61與作為連接到FPC基板的驅(qū)動(dòng)用LSI的封裝的TAB (Tape Automated Bonding :卷帶自動(dòng)結(jié)合) 卷帶的端子連接，由此能制造利用上述驅(qū)動(dòng)用LSI來(lái)驅(qū)動(dòng)的液晶顯示裝置。下面，作為連接部44中用于與外部設(shè)備連接的連接部，舉出掃描配線連接部50的例子，參照?qǐng)D1(a)、(b)，更詳細(xì)地說(shuō)明掃描配線連接部50、信號(hào)配線連接部60和未圖示的輔助電容配線連接部的構(gòu)成。此外，在以下說(shuō)明中，作為連接部44中用于與外部設(shè)備連接的連接部，舉出掃描配線連接部50的例子進(jìn)行說(shuō)明。然而，如上所述，信號(hào)配線27的端子部用配線連接部70進(jìn)行從源極金屬層到柵極金屬層的轉(zhuǎn)接(換層)，由此與掃描配線22形成于同一層。同樣，在輔助電容配線連接部中，引出配線也由柵極金屬層形成。因此，這些掃描配線連接部50、信號(hào)配線連接部60和輔助電容配線連接部70的結(jié)構(gòu)僅有配線的名稱(chēng)不同，結(jié)構(gòu)本身是相同的。因此，例如，掃描配線連接部50、掃描配線22、掃描端子51、掃描電極12能分別改名為信號(hào)配線連接部60、連接配線62、信號(hào)端子61、信號(hào)電極13。另外，在輔助電容配線連接部中也僅代替各金屬層(配線)的名稱(chēng)，能進(jìn)行同樣的改名。圖1(a)是示出上述有源矩陣基板20中的掃描配線連接部50附近的概要構(gòu)成的平面圖，圖1(b)是圖1(a)所示的有源矩陣基板20的A-A線向視截面圖。如上所述，在掃描配線連接部50，從由密封劑91包圍的單元的內(nèi)部延伸配置有掃描配線22作為引出配線。如圖1(b)所示，上述掃描配線22具有在下層掃描配線2 上設(shè)有上層掃描配線 22b的構(gòu)成。在此，上述掃描配線22如上所述不限于此。如圖1(a)、(b)所示，上述掃描配線22除了透明電極33(導(dǎo)電膜)直接層疊在上述掃描配線22上的端子部55，由柵極絕緣膜M和設(shè)置在該柵極絕緣膜M上的層間絕緣膜 29完全覆蓋。上述層間絕緣膜四和柵極絕緣膜M不設(shè)于上述端子部55。在上述端子部55與密封劑91之間的區(qū)域，作為包括與TFTll中的半導(dǎo)體層(溝道層25)相同的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層(也就是說(shuō)，由相同材料同時(shí)形成于同一層的半導(dǎo)體層)而形成有第1半導(dǎo)體層31。如圖1 (a)所示，第1半導(dǎo)體層31與掃描配線22和透明電極33交叉地形成為比掃描配線22和透明電極33的線寬度大的寬度。此外，透明電極33形成為比掃描配線22 的線寬度大的寬度。這樣，第1半導(dǎo)體層31形成為比掃描配線22和透明電極33的線寬度大的寬度，但是為了不與配置于相鄰的掃描配線22的第1半導(dǎo)體層31相連，為比相鄰的掃描配線22 間的間隔(配線間距)窄的寬度。上述第1半導(dǎo)體層31是發(fā)揮用于進(jìn)行柵極絕緣膜M的圖案化(具體地說(shuō)，干式蝕刻)的掩模的功能的掩模層。因此，如圖1(a)、(b)所示，上述第1半導(dǎo)體層31的端面31a與接觸到上述第1半導(dǎo)體層31的柵極絕緣膜M的端面2 相連地形成于柵極絕緣膜M上的面向上述端子部 55的柵極絕緣膜M的端部。此外，在本實(shí)施方式中，只要沒(méi)有特別提到，“端面”都是指與透明電極33直接層疊于掃描配線22上的區(qū)域(端子部55)相對(duì)的端面。另外，層間絕緣膜四的端面^a與上述第1半導(dǎo)體層31重疊地形成。因此，上述第1半導(dǎo)體層31設(shè)于上述柵極絕緣膜M上的上述層間絕緣膜四的端面的延長(zhǎng)線上，與該延長(zhǎng)線交叉。因此，上述第1半導(dǎo)體層31覆蓋上述延長(zhǎng)線與掃描配線22交叉的位置的上方。上述層間絕緣膜四發(fā)揮用于進(jìn)行掃描配線22上的柵極絕緣膜M和保護(hù)膜觀的圖案化(具體地說(shuō)，干式蝕刻)的掩模的功能。因此，上述保護(hù)膜觀的端面與層間絕緣膜四的端面29a相連地形成。另外，在存在第1半導(dǎo)體層31的區(qū)域中，上述柵極絕緣膜M的端面2 與第1半導(dǎo)體層31的端面31a相連。另一方面，在未設(shè)有第1半導(dǎo)體層31的區(qū)域中，如圖1(a)所示，上述柵極絕緣膜M的端面2 與上述層間絕緣膜四的端面29a相連。因此，如圖1(a)、(b)所示，在存在上述第1半導(dǎo)體層31的區(qū)域中，上述第1半導(dǎo)體層31和柵極絕緣膜M的一部分從層間絕緣膜四的端面向端子部55側(cè)延伸。也就是說(shuō)，上述第1半導(dǎo)體層31和柵極絕緣膜M的一部分比層間絕緣膜四的端面向端子部55側(cè)突出。因此，與上述端子部55相對(duì)的柵極絕緣膜M的端面2 位于比與上述端子部55 相對(duì)的層間絕緣膜四的端面29a靠上述端子部55側(cè)的位置。換言之，與上述端子部55相對(duì)的層間絕緣膜四的端面29a設(shè)為比與上述端子部55相對(duì)的柵極絕緣膜M的端面Ma 遠(yuǎn)離上述端子部55。這樣，從上述層間絕緣膜四的端面^a向端子部55側(cè)延伸的上述第1半導(dǎo)體層 31和柵極絕緣膜M發(fā)揮將作為金屬配線層的上述掃描配線22 (特別是，上述端子部55)從層間絕緣膜四的端面^a以及該端面^a中的透明電極33隔離的隔離壁(隔離層)的功能。透明電極33覆蓋上述層間絕緣膜四上和層間絕緣膜四的端面^a、保護(hù)膜28的端面^a、第1半導(dǎo)體層31上及其端面31a、柵極絕緣膜M的端面Ma，延伸配置到上述端子部55。覆蓋在上述端子部55的掃描配線22上的上述透明電極33被用作通過(guò)ACF93 (粘接層)與外部設(shè)備連接的掃描端子51 (端子電極)。如圖1(a)所示，上述透明電極33沿著從單元內(nèi)部引出的掃描配線22延伸配置到端子部，覆蓋作為引出配線的掃描配線22整體。在上述掃描配線連接部50上，以包括覆蓋上述掃描配線22的端子部55的透明電極33的掃描端子51為連接端子，安裝有周邊電路等外部設(shè)備。
如圖1(a)所示，掃描端子51通過(guò)ACF93壓接連接于上述周邊電路等，將從該周邊電路等施加的電壓通過(guò)上述掃描配線22提供掃描電極12。下面，參照?qǐng)D5、圖19和圖20說(shuō)明上述有源矩陣基板20中的促進(jìn)腐蝕成分的侵入防止效果。此外，在以下的說(shuō)明中，舉出掃描配線連接部50的例子進(jìn)行說(shuō)明，但是掃描配線連接部50、掃描配線22、掃描端子51、掃描電極12也能分別改名為信號(hào)配線連接部60、連接配線62、信號(hào)端子61、信號(hào)電極13。圖5是用于說(shuō)明圖1 (a)、(b)示出的有源矩陣基板20中的促進(jìn)腐蝕成分的侵入防止效果的掃描端子51附近的截面圖。另外，圖19是示出比較用的有源矩陣基板的掃描配線連接部附近的概要構(gòu)成的截面圖。另外，圖20是示出圖19所示的比較用的有源矩陣基板中的促進(jìn)腐蝕成分的進(jìn)入路徑的端子電極附近的截面圖。如圖19所示，比較用的有源矩陣基板510具有如下構(gòu)成在掃描配線連接部中，在玻璃基板501上按順序?qū)盈B有掃描配線502、柵極絕緣膜503、保護(hù)膜504、層間絕緣膜505、 透明電極506。上述掃描配線502從單元內(nèi)部引出，在其端部形成有透明電極506直接接于上述掃描配線502上而成的端子部550。此外，如圖21所示，專(zhuān)利文獻(xiàn)1在ACF310的貼附位置及其附近部分也形成有層間絕緣膜303。然而，在圖19所示的比較用的有源矩陣基板510中，與圖1 (a)、(b)示出的有源矩陣基板20同樣，在成為端子部550的、ACF的貼附位置(掃描端子M0)及其附近部分未設(shè)有層間絕緣膜505、保護(hù)膜504和柵極絕緣膜503。為了補(bǔ)償配線引起的凹凸，作為平坦化膜的層間絕緣膜采用容易厚膜化的有機(jī)絕緣膜。然而，與無(wú)機(jī)絕緣膜相比，有機(jī)絕緣膜一般對(duì)機(jī)械應(yīng)力、熱應(yīng)力較弱，容易產(chǎn)生裂縫。在有源矩陣基板的端子部(端子電極)，通過(guò)ACF連接著驅(qū)動(dòng)電路(周邊電路)等外部設(shè)備。因此，在該端子部中的外部設(shè)備的安裝工序、基板分?jǐn)喙ば?切割)等時(shí)，有源矩陣基板中的從相對(duì)基板伸出的區(qū)域容易被施加應(yīng)力。因此，希望在有源矩陣基板的端子部(具體地說(shuō)，ACF的貼附位置及其周邊部分) 不設(shè)置層間絕緣膜(平坦化膜)。此外，在通過(guò)導(dǎo)電性粒子實(shí)現(xiàn)外部設(shè)備與端子電極的電連接的ACF的特性上，當(dāng)在ACF貼附位置的端子電極與其以外的部分之間存在大的臺(tái)階時(shí)，導(dǎo)電性粒子與端子電極接觸的概率變低，產(chǎn)生電連接不良的概率變大。因此，希望在有源矩陣基板的端子部(具體地說(shuō)，ACF的貼附位置及其周邊部分)不設(shè)置膜厚大的有機(jī)層間絕緣膜(平坦化膜)。因此，在有源矩陣基板的端子部，將層間絕緣膜以不覆蓋端子部的方式形成圖案。 因此，在有源矩陣基板的連接部，為了露出端子部的金屬配線，將該層間絕緣膜作為掩模對(duì)下層的保護(hù)膜和柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻除去(干式蝕刻)。在具有這種構(gòu)成的有源矩陣基板中，用于端子電極的ITO等透明導(dǎo)電膜與掃描配線表面的緊貼性良好，另外，上述透明導(dǎo)電膜比較致密地形成。因此，在具有這種構(gòu)成的上述有源矩陣基板20、510中，幾乎不會(huì)以端子部55、550 為起點(diǎn)發(fā)生腐蝕，另外，在這些端子部55、550難以進(jìn)行腐蝕。
然而，在任何情況下，在濺射覆蓋層間絕緣膜四、505的透明電極33、506之前的階段，如上所述，都需要除去端子部陽(yáng)、550的層間絕緣膜四、505、保護(hù)膜觀、504和柵極絕緣膜對(duì)、503。此時(shí)，經(jīng)過(guò)將圖案化的層間絕緣膜四、505作為掩模對(duì)柵極絕緣膜M、503和保護(hù)膜觀、504進(jìn)行干式蝕刻的工序之后，濺射透明電極33、506之前，對(duì)層間絕緣膜四、505 的表面造成了損傷。其結(jié)果是，層間絕緣膜四、505的表面粗糙度成為大的狀態(tài)(例如凹凸的水平為 20nm 50nm)，與層間絕緣膜四、505接觸的部分的透明電極33、506無(wú)法致密地形成，如圖 5和圖20所示，有可能在該部分的透明電極33、506產(chǎn)生缺陷33a、506a。在圖19和圖20所示的有源矩陣基板510中，將圖案化的層間絕緣膜505作為掩模對(duì)柵極絕緣膜503和保護(hù)膜504進(jìn)行干式蝕刻，由此，層間絕緣膜505的端面505a、與掃描配線502接觸的柵極絕緣膜503的端面503a以及其間的保護(hù)膜504的端面50 分別相連。因此，當(dāng)上述透明電極506 (特別是與上述層間絕緣膜505的端面50 接觸的部分)中存在缺陷506a時(shí)，如圖20所示，有時(shí)水分等促進(jìn)腐蝕成分從該缺陷506a通過(guò)上述層間絕緣膜505的端面50 、保護(hù)膜504的端面50 和柵極絕緣膜503的端面503a侵入， 促進(jìn)腐蝕成分會(huì)侵入與上述端面503a接觸的掃描配線22。因此，在圖19和圖20所示的有源矩陣基板510中，在上述掃描配線502采用Cu 等低電阻配線材料的情況下，接近上述缺陷506a的掃描配線502有時(shí)會(huì)發(fā)生腐蝕。其結(jié)果是，在圖18和圖19所示的有源矩陣基板510中，掃描配線502與透明電極 506直接緊貼的部分和被柵極絕緣膜503以及保護(hù)膜504覆蓋的部分發(fā)生腐蝕的概率低， 而當(dāng)接近缺陷506a的掃描配線502暫時(shí)發(fā)生腐蝕時(shí)，能見(jiàn)到沿著掃描配線502與透明電極 506的界面和掃描配線502與柵極絕緣膜503的界面進(jìn)行腐蝕的現(xiàn)象。與此相對(duì)，根據(jù)本實(shí)施方式，如上所述，在柵極絕緣膜M與層間絕緣膜四之間 (具體地說(shuō)，與柵極絕緣膜M相鄰)，第1半導(dǎo)體層31形成為層間絕緣膜四的端面29a與第1半導(dǎo)體層31重疊。因此，上述第1半導(dǎo)體層31發(fā)揮用于進(jìn)行柵極絕緣膜M的干式蝕刻的掩模的功能。其結(jié)果是，如上所述，在存在第1半導(dǎo)體層31的區(qū)域中，第1半導(dǎo)體層31的一部分以及柵極絕緣膜M的一部分從層間絕緣膜四的端面^a向端子部55側(cè)延伸，由此，上述層間絕緣膜四的端面^a比柵極絕緣膜M的端面2 遠(yuǎn)離端子部55設(shè)置。此外，如上所述在層間絕緣膜四與透明電極33的接觸面以外的部分，各層緊貼地形成，另外，與有機(jī)膜相比，無(wú)機(jī)膜具有致密的結(jié)構(gòu)。另外，通過(guò)如上所述地層疊第1半導(dǎo)體層31，與缺陷33a的物理距離也被擴(kuò)大。因此，不會(huì)發(fā)生促進(jìn)腐蝕成分從上述端面2 以外的部分侵入。因此，如圖5所示，即使在透明電極33中，在該透明電極33覆蓋層間絕緣膜四的部分產(chǎn)生了缺陷33a，該缺陷33a到其下層的柵極絕緣膜M與掃描配線22接觸的部分(特別是與掃描配線22接觸的柵極絕緣膜M的端面Ma)之間的距離也保持為較大。另外，利用第1半導(dǎo)體層31將干式蝕刻后的柵極絕緣膜M的表面皸裂抑制為比較小。因此，覆蓋柵極絕緣膜M的端面2 的部分的透明電極33變致密，防止促進(jìn)腐蝕成分的侵入、迂回進(jìn)入。
因此，根據(jù)本實(shí)施方式，即使層間絕緣膜四的表面粗糙，在層間絕緣膜四上的透明電極33中產(chǎn)生了缺陷33a，也能防止層間絕緣膜四的表面的狀態(tài)引起的掃描配線22和掃描電極12的腐蝕和斷線。另外，根據(jù)本實(shí)施方式，如上所述，上述透明電極33不僅覆蓋端子部55至第1半導(dǎo)體層31的上表面，還覆蓋層間絕緣膜四。因此，即使由于透明電極33的圖案對(duì)準(zhǔn)不良而在透明電極33中的密封劑91側(cè)的端緣產(chǎn)生位置偏移，該透明電極33中的密封劑91側(cè)的端緣也不會(huì)比第1半導(dǎo)體層31向端子部55側(cè)(邊界)移動(dòng)(位置偏移)。因此，掃描配線 22的表面(特別是，接近層間絕緣膜四的端面四的掃描配線22的表面)不會(huì)露出。另外，如上所述設(shè)置第1半導(dǎo)體層31，使層間絕緣膜四的端面29a與柵極絕緣膜 24的端面2 分離，由此能使利用該柵極絕緣膜M和第1半導(dǎo)體層31如上所述從層間絕緣膜四的表面至端子部55設(shè)置的透明電極33跨過(guò)的臺(tái)階分級(jí)。其結(jié)果是，能提高透明電極33的覆蓋性。下面參照?qǐng)D6(a) (e)如下說(shuō)明上述有源矩陣基板20的制造方法。本實(shí)施方式中的有源矩陣基板20利用5次光刻工序制造。〔掃描配線形成工序〕圖6(a)示出如下?tīng)顟B(tài)在玻璃基板21上作為金屬配線形成有包括下層掃描配線 22a和上層掃描配線22b的雙層結(jié)構(gòu)的掃描配線22，并且設(shè)有包括設(shè)于該掃描配線22的下層掃描電極1 和上層掃描電極12b的雙層結(jié)構(gòu)的掃描電極12。此外，在本制造例中，舉例說(shuō)明下層掃描電極1 和下層掃描配線2 采用Ti，上層掃描電極12b和上層掃描配線 22b采用Cu的情況。也就是說(shuō)，在本制造例中，舉例說(shuō)明包括掃描配線22的第1金屬配線 (柵極金屬層)具有作為上層金屬配線/下層金屬配線的Ti/Cu的層疊結(jié)構(gòu)(雙層結(jié)構(gòu)) 的情況。首先，利用濺射法在玻璃基板21上按順序連續(xù)形成包括Ti、Cu的兩種導(dǎo)電膜。然后，在上述導(dǎo)電膜上利用光刻形成抗蝕劑圖案。然后進(jìn)行濕式蝕刻，將上述導(dǎo)電膜圖案化后，對(duì)上述抗蝕劑圖案進(jìn)行剝離清洗。由此，在像素10中形成掃描電極12，所述掃描電極12具有在下層掃描電極1 上設(shè)有上層掃描電極12b的Cu/Ti的雙層結(jié)構(gòu)。另外， 與此同時(shí)，在玻璃基板21上形成在下層掃描配線2 上設(shè)有上層掃描配線22b的具有Cu/ Ti的雙層結(jié)構(gòu)的掃描配線22，將其作為顯示區(qū)域41中的顯示用電極以及掃描配線連接部 50中的引出配線和端子電極。此外，此時(shí)將上述導(dǎo)電膜圖案化，由此如圖2和圖4所示，能形成連接配線62，根據(jù)需要能形成輔助電容配線23。此外，在后述的實(shí)施方式中說(shuō)明信號(hào)配線27與連接配線62 的轉(zhuǎn)接，在本實(shí)施方式中省略。在本工序中，雖未特別限定，但是優(yōu)選Ti膜以20 150nm的厚度，Cu膜以200 500nm的厚度成膜。〔柵極絕緣膜/半導(dǎo)體層形成工序〕在本工序中，首先，如圖6(b)所示，利用CVD法形成包括氮化硅(SiNx)的柵極絕緣膜24 (無(wú)機(jī)絕緣膜)，使其覆蓋上述掃描電極12和掃描配線22。然后，在上述柵極絕緣膜M上形成非晶硅層、以高濃度摻雜了 η型雜質(zhì)的η+非晶硅層作為半導(dǎo)體層之后，利用光刻形成抗蝕劑圖案。然后，進(jìn)行干式蝕刻，將上述半導(dǎo)體層圖案化之后，對(duì)上述抗蝕劑圖案進(jìn)行剝離清洗。由此，如圖6(b)所示，在各像素10中的柵極絕緣膜M上形成包括上述非晶硅層的溝道層25和包括層疊在該溝道層25上的η+非晶硅層的電極接觸層26。另外，在掃描配線連接部50中的柵極絕緣膜M上形成包括上述非晶硅層的第1半導(dǎo)體層31，并且在該第 1半導(dǎo)體層31上形成包括η+非晶硅層的第2半導(dǎo)體層32。此外，雖未圖示，但是通過(guò)上述工序，在信號(hào)配線連接部60中的柵極絕緣膜M上也形成與上述第1半導(dǎo)體層31和第2半導(dǎo)體層32同樣的半導(dǎo)體層。也就是說(shuō)，在信號(hào)配線連接部60也用與掃描配線連接部50中的第1半導(dǎo)體層31和第2半導(dǎo)體層32相同的材料在同一層并且同時(shí)形成與掃描配線連接部50中的第1半導(dǎo)體層31和第2半導(dǎo)體層32 分離的第1半導(dǎo)體層31和第2半導(dǎo)體層32。在本工序中沒(méi)有特別限定，優(yōu)選以200 500nm的厚度形成構(gòu)成上述柵極絕緣膜 24的氮化硅膜。另外，優(yōu)選以30 300nm的厚度形成構(gòu)成上述溝道層25和第1半導(dǎo)體層 31的非晶硅層，以20 150nm的厚度形成構(gòu)成電極接觸層沈和第2半導(dǎo)體層的n+非晶硅層?！残盘?hào)配線形成工序〕然后，雖未圖示，在上述柵極絕緣膜M上作為金屬配線形成包括下層信號(hào)配線和上層信號(hào)配線的雙層結(jié)構(gòu)的信號(hào)配線27 (參照?qǐng)D2和圖4)和漏極配線15 (參照?qǐng)D4)。另夕卜，此時(shí)，如圖6(c)所示，以覆蓋上述電極接觸層沈的方式，在上述柵極絕緣膜M上形成包括設(shè)于上述信號(hào)配線27的下層信號(hào)電極13a和上層信號(hào)電極13b的雙層結(jié)構(gòu)的信號(hào)電極13以及包括下層漏極電極Ha和上層漏極電極14b的雙層結(jié)構(gòu)的漏極電極14。此外，在本制造例中，舉例說(shuō)明了未圖示的下層信號(hào)配線、下層信號(hào)電極13a和下層漏極電極Ha采用Ti，未圖示的上層信號(hào)配線、上層信號(hào)電極1 和上層漏極電極14b采用Cu的情況。也就是說(shuō)，在本制造例中，舉例說(shuō)明了包括信號(hào)電極13的第2金屬配線(源極金屬層)具有作為上層金屬配線/下層金屬配線的Ti/Cu的層疊結(jié)構(gòu)(雙層結(jié)構(gòu))的情況。在本工序中，首先，在上述柵極絕緣膜M上通過(guò)濺射法按順序連續(xù)形成包括Ti、 Cu的兩種導(dǎo)電膜，使其覆蓋上述電極接觸層26。在上述導(dǎo)電膜上，通過(guò)光刻形成抗蝕劑圖案。然后進(jìn)行濕式蝕刻，將上述導(dǎo)電膜圖案化之后，對(duì)上述抗蝕劑圖案進(jìn)行剝離清洗。由此，在像素10中形成信號(hào)電極13，所述信號(hào)電極13具有在下層信號(hào)電極13a上設(shè)有上層信號(hào)電極13b的Cu/Ti的雙層結(jié)構(gòu)。另外，形成與上述信號(hào)配線27分離的具有在下層漏極電極Ha上設(shè)有上層漏極電極14b的Cu/Ti的雙層結(jié)構(gòu)的漏極電極14以及從該漏極電極14延伸的漏極配線15 (參照?qǐng)D4)。另外，與此同時(shí)，作為顯示區(qū)域41中的顯示用電極以及引出配線的一部分(具體地說(shuō)，用于配線連接部44中的換層的引出配線)，形成具有在下層信號(hào)配線上設(shè)有上層信號(hào)配線的Cu/Ti的雙層結(jié)構(gòu)的信號(hào)配線27 (參照?qǐng)D2和圖 4)。然后，通過(guò)干式蝕刻對(duì)作為溝道部的區(qū)域的電極接觸層沈進(jìn)行除去(溝道蝕刻)， 并且在整個(gè)面除去第2半導(dǎo)體層32。此外，此時(shí)，對(duì)上述作為溝道部的區(qū)域的溝道層25的表面進(jìn)行蝕刻，由此調(diào)整厚度，形成溝道部。然后，對(duì)上述抗蝕劑圖案進(jìn)行剝離清洗。由此，形成TFTl 1。在本工序中雖未特別限定，優(yōu)選以20 150nm的厚度形成Ti膜，以200 500nm 的厚度形成Cu膜?！脖Ｗo(hù)膜/層間絕緣膜形成工序〕在本工序中，首先，在上述柵極絕緣膜M上通過(guò)CVD法形成氮化硅(SiNx)膜作為保護(hù)膜28 (鈍化膜，無(wú)機(jī)絕緣膜)，使其覆蓋上述信號(hào)配線27、信號(hào)電極13、漏極電極14。然后，利用旋涂法在上述氮化硅膜上形成包括感光性樹(shù)脂材料的層間絕緣膜材料，然后，通過(guò)光刻進(jìn)行圖案化之后進(jìn)行干式蝕刻。由此，將包括上述氮化硅膜的保護(hù)膜觀和包括上述層間絕緣膜材料的層間絕緣膜四(有機(jī)絕緣膜，平坦化膜)形成圖案。此外，此時(shí)，對(duì)于上述層間絕緣膜四，考慮到圖案化的位置偏移或者后述的干式蝕刻中的蝕刻精度，希望其端面與上述第1半導(dǎo)體層31的上表面重疊地進(jìn)行圖案化。通過(guò)以上述層間絕緣膜四為掩模的干式蝕刻，雖未圖示，在像素10中，保護(hù)膜觀中的未被遮住的部分被除去，露出信號(hào)電極13和漏極電極14。另一方面，在掃描配線連接部50，如圖6(d)所示，通過(guò)以上述層間絕緣膜四為掩模的干式蝕刻，除去作為引出配線的掃描配線22上的柵極絕緣膜M和保護(hù)膜觀中的未被遮住的部分。由此，露出端子部55(掃描端子51(參照?qǐng)D1(a))及其附近)的掃描配線22。此時(shí)，如圖6(d)所示，在掃描配線連接部50，在延長(zhǎng)了層間絕緣膜四的端面^a 時(shí)，第1半導(dǎo)體層31被配置在該端面29a與掃描配線22交叉的位置。因此，該第1半導(dǎo)體層31在干式蝕刻時(shí)發(fā)揮掩模的作用。其結(jié)果是，如圖6(d)和圖1(a)、(b)所示，在存在第1半導(dǎo)體層31的區(qū)域中，第1 半導(dǎo)體層31的一部分以及柵極絕緣膜M的一部分為從層間絕緣膜四的端面29a延伸(也就是說(shuō)突出)的結(jié)構(gòu)。另外，雖未圖示，與掃描配線連接部50同樣，在信號(hào)配線連接部60，通過(guò)以上述層間絕緣膜四為掩模的干式蝕刻，除去作為信號(hào)配線27的引出配線的連接配線62上的柵極絕緣膜M和保護(hù)膜觀中未被遮住的部分。由此，端子部(信號(hào)端子61及其附近)的連接配線62露出。此時(shí)，在信號(hào)配線連接部60，在延長(zhǎng)了層間絕緣膜四的端面時(shí)，在該端面與連接配線62交叉的位置配置有與掃描配線連接部50中的第1半導(dǎo)體層31同樣的半導(dǎo)體層(第 1半導(dǎo)體層31)。因此，該半導(dǎo)體層(第1半導(dǎo)體層31)在干式蝕刻時(shí)作為掩模而工作。其結(jié)果是，在信號(hào)配線連接部60中，第1半導(dǎo)體層31的一部分以及柵極絕緣膜M的一部分為從層間絕緣膜四的端面^a延伸的(即突出的)結(jié)構(gòu)。此外，在本工序中，沒(méi)有特別限定，優(yōu)選以100 700nm的厚度形成氮化硅膜。層間絕緣膜四只要形成為能補(bǔ)償上述有源矩陣基板20中的各金屬配線以及TFTll導(dǎo)致的凹凸的厚度即可，沒(méi)有特別限定。上述層間絕緣膜例如以0.5μπι ΙΟμπι的厚度形成?！餐该鲗?dǎo)電膜形成工序〕在本工序中，通過(guò)濺射法在形成有上述層間絕緣膜四的玻璃基板21的上表面整個(gè)面上形成包括ITO的透明導(dǎo)電膜。然后，在該透明導(dǎo)電膜上通過(guò)光刻形成抗蝕劑圖案。 然后，進(jìn)行濕式蝕刻對(duì)上述透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化后，對(duì)上述抗蝕劑圖案進(jìn)行剝離清洗。由此，在各像素10中形成包括上述透明導(dǎo)電膜的像素電極30。
另外，在掃描配線連接部50中，如圖6(e)所示，形成包括上述透明導(dǎo)電膜的透明電極33，使得該透明電極33覆蓋層間絕緣膜四上和層間絕緣膜四的端面^a、保護(hù)膜觀的端面28a、第1半導(dǎo)體層31上及其端面31a、柵極絕緣膜M的端面Ma以及露出的掃描配線22上。如上所述，在露出的掃描配線22上形成上述透明電極33，由此在上述掃描配線22 的端部形成掃描端子51 (端子電極)。此外，雖未圖示，通過(guò)上述工序，在信號(hào)配線連接部60中也形成與上述透明電極 33同樣的透明電極。也就是說(shuō)，在信號(hào)配線連接部60，也用與掃描配線連接部50中的透明電極33相同的材料在同一層并且同時(shí)形成與掃描配線連接部50中的透明電極分離的透明電極33。此外，與掃描配線連接部50同樣，在信號(hào)配線連接部60形成包括上述透明導(dǎo)電膜的透明電極33，使得該透明電極33覆蓋層間絕緣膜四上和層間絕緣膜四的端面、保護(hù)膜觀的端面^a、第1半導(dǎo)體層31上及其端面31a、柵極絕緣膜M的端面Ma以及露出的連接配線62上。 如上所述，在露出的連接配線62上形成上述透明電極33，由此在上述連接配線62 的端部形成信號(hào)端子61 (參照?qǐng)D4 端子電極)。在本工序中，沒(méi)有特別限定，但是優(yōu)選以50 200nm的厚度形成上述透明導(dǎo)電膜。〔取向膜形成工序〕最后，根據(jù)需要，在上述有源矩陣基板20的表面(與相對(duì)基板80相對(duì)的面)形成未圖示的取向膜。上述取向膜能通過(guò)印刷法形成例如聚酰亞胺膜來(lái)形成。通過(guò)上述工序，與TFTll的形成同時(shí)地在有源矩陣基板20的規(guī)定的位置形成掃描配線連接部50、信號(hào)配線連接部60和配線連接部70。此外，基于上述有源矩陣基板20的制造工序，通過(guò)改變?cè)诟鞴ば蛑行纬傻膱D案來(lái)制作各連接部。下面參照?qǐng)D7(a) (c)如下說(shuō)明相對(duì)基板80的構(gòu)成及其制造方法。圖7(a) (c)是按工序順序示出上述相對(duì)基板80的制造工序的截面圖。圖 7(a) (c)分別示出各工序結(jié)束時(shí)刻的上述相對(duì)基板80的截面。如圖7(c)所示，相對(duì)基板80具有在玻璃基板81上按順序?qū)盈B有黑矩陣83和彩色濾光片層82、相對(duì)電極84、光間隔物85的構(gòu)成。如以下所示，上述相對(duì)基板80是通過(guò)3次光刻工序制造的?！埠诰仃?彩色濾光片層的形成工序〕在本工序中，如圖7(a)所示，通過(guò)光刻在玻璃基板81上用感光性材料形成黑矩陣 83和彩色濾光片層82。作為上述彩色濾光片層，形成例如R(紅色)、G(綠色)、B (藍(lán)色) 的彩色濾光片層?！蚕鄬?duì)電極的形成工序〕下面，如圖7(b)所示，通過(guò)濺射法在上述玻璃基板81上形成包括ITO的透明導(dǎo)電膜，使其覆蓋上述黑矩陣83和彩色濾光片層82。然后，在該透明導(dǎo)電膜上通過(guò)光刻形成抗蝕劑圖案。然后，進(jìn)行濕式蝕刻，對(duì)上述透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化后，對(duì)上述抗蝕劑圖案進(jìn)行剝離清洗，由此形成相對(duì)電極84。在本工序中，沒(méi)有特別限定，但是優(yōu)選以50 200nm的厚度形成上述透明導(dǎo)電膜。
〔光間隔物的形成工序〕接下來(lái)，如圖7(c)所示，用感光性材料通過(guò)光刻在上述相對(duì)電極84上形成光間隔物85，使其覆蓋上述黑矩陣83?！踩∠蚰ば纬晒ば颉匙詈螅鶕?jù)需要，在上述相對(duì)基板80的表面(與有源矩陣基板20相對(duì)的面)形成未圖示的取向膜。上述取向膜能通過(guò)印刷法形成例如聚酰亞胺膜來(lái)形成。通過(guò)上述各工序制造相對(duì)基板80。在此，在本實(shí)施方式中，上述各層的厚度、材料以及成膜方法不限于上述具體例， 能適當(dāng)?shù)卦O(shè)定、變更。下面說(shuō)明本實(shí)施方式的液晶面板2的制造方法。上述液晶面板2能通過(guò)在上述有源矩陣基板20的制造工序和相對(duì)基板80的制造工序后進(jìn)行以下的工序來(lái)制造?！操N合工序〕在本工序中，首先，在有源矩陣基板20和相對(duì)基板80中的一方基板上沿著相對(duì)基板80的端緣形狀印刷密封劑91。然后，對(duì)由該密封劑91包圍的區(qū)域滴下液晶。然后，將上述有源矩陣基板20和相對(duì)基板80隔著上述密封劑貼合。〔基板分?jǐn)喙ば颉辰酉聛?lái)，根據(jù)需要，將在上述貼合工序中貼合的基板分?jǐn)?dicing cut 劃片切割)。通過(guò)以上的工序來(lái)形成上述液晶面板2。然后，針對(duì)上述液晶面板2，將設(shè)有掃描配線驅(qū)動(dòng)電路4、信號(hào)配線驅(qū)動(dòng)電路5等驅(qū)動(dòng)電路的TCP等外部設(shè)備通過(guò)ACF93連接到設(shè)于有源矩陣基板20所設(shè)的連接部44中的對(duì)外部設(shè)備的連接部(例如，掃描配線連接部50和信號(hào)配線連接部60等)的各端子部，由此能制造本實(shí)施方式的液晶顯示裝置1。由此，能得到能防止金屬配線的腐蝕和斷線的耐腐蝕性良好的有源矩陣基板20 和具備它的液晶面板2以及液晶顯示裝置1。本實(shí)施方式的有源矩陣基板20不限于上述液晶面板2和液晶顯示裝置1，例如能應(yīng)用于將有機(jī)EL或者無(wú)機(jī)EL作為顯示介質(zhì)的顯示面板和顯示裝置。另外，作為上述顯示裝置，除了筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜電話機(jī)、電子記事本、 TV(電視)接收機(jī)以外，也能適用于電泳裝置中的顯示裝置等。此外，在本實(shí)施方式中，如上所述，舉例說(shuō)明了作為掩模層使用與TFTll中的半導(dǎo)體層相同的半導(dǎo)體層的情況。然而，本實(shí)施方式不限于此。作為上述掩模層，只要使具有耐蝕刻性(干式耐蝕刻性)，發(fā)揮用于柵極絕緣膜M 的圖案化的掩模的功能的層即可，也能與TFTll中的半導(dǎo)體層分別形成。然而，如上所述使用與TFTll中的半導(dǎo)體層相同的半導(dǎo)體層作為上述掩模層，從而只要變更用于半導(dǎo)體層的圖案化的掩模的形狀，不用變更工序，就能容易并且低價(jià)地形成上述掩模層。另外，在本實(shí)施方式中，在對(duì)作為溝道部的區(qū)域的電極接觸層沈進(jìn)行除去(溝道蝕刻)時(shí)，舉例說(shuō)明了除去第2半導(dǎo)體層32的情況，然而本實(shí)施方式不限于此。例如，也能使用專(zhuān)用的掩模來(lái)保留第2半導(dǎo)體層。
〔實(shí)施方式2〕基于圖8如下說(shuō)明本發(fā)明的其它實(shí)施方式。此外，在本實(shí)施方式中，主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1的不同點(diǎn)，對(duì)具有與上述實(shí)施方式1同樣的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號(hào)， 省略說(shuō)明。此外，在本實(shí)施方式中，也與上述實(shí)施方式1同樣，作為連接部44舉例說(shuō)明掃描配線連接部50，但是掃描配線連接部50、掃描配線22、掃描端子51、掃描電極12能分別改名為信號(hào)配線連接部60、連接配線62、信號(hào)端子61、信號(hào)電極13。另外，在輔助電容配線連接部中，只要代替各金屬層(配線)的名稱(chēng)，就能進(jìn)行同樣的改名。圖8是示出本實(shí)施方式的有源矩陣基板20中的掃描配線連接部50的概要構(gòu)成的平面圖。除了以下幾點(diǎn)，本實(shí)施方式的有源矩陣基板20具有與上述實(shí)施方式1的有源矩陣基板20相同的構(gòu)成。也就是說(shuō)，如圖8所示，本實(shí)施方式的有源矩陣基板20的第1半導(dǎo)體層31延伸配置到ACF93下(ACF93的貼附位置)。由此，存在第1半導(dǎo)體層31的端面31a 和該第1半導(dǎo)體層31的區(qū)域中的柵極絕緣膜M的端面2 位于ACF93下。因此，本實(shí)施方式的有源矩陣基板20由于與在上述實(shí)施方式1中基于圖5說(shuō)明的原理(理由)相同的原理，能防止掃描配線22和掃描電極12的腐蝕和斷線。另外，如圖8所示，根據(jù)本實(shí)施方式，將第1半導(dǎo)體層31在與掃描配線22平行的方向擴(kuò)大，延伸配置到ACF93之下，由此，覆蓋掃描配線22與透明電極33接觸的部位以及柵極絕緣膜M的端面2 與掃描配線22接觸的部分的透明電極33全部納入密封劑91的內(nèi)側(cè)或ACF93之下，由此不會(huì)暴露于外部空氣。因此，能進(jìn)一步提高可靠性。此外，在本實(shí)施方式中，除了層間絕緣膜四的端面29a和柵極絕緣膜M的端面 2 保持分離狀態(tài)以外，當(dāng)然也可以保留盡可能大的層間絕緣膜四。上述層間絕緣膜四只要是例如不干擾ACF93的貼附部并且從第1半導(dǎo)體層31的端面31a起設(shè)有足夠的距離的狀態(tài)即可，也可以擴(kuò)展到靠近ACF93的貼附部的位置。此外，在本實(shí)施方式中，如上所述，說(shuō)明了將第1半導(dǎo)體層31延伸配置(擴(kuò)大)到 ACF93的貼附部的構(gòu)成，但是本實(shí)施方式不限于此。〔實(shí)施方式3〕基于圖9(a)、(b)如下說(shuō)明本發(fā)明的其它實(shí)施方式。此外，在本實(shí)施方式中，主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1的不同點(diǎn)，對(duì)具有與上述實(shí)施方式1同樣的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號(hào)，省略其說(shuō)明。此外，在本實(shí)施方式中，與上述實(shí)施方式1、2同樣，作為連接部44舉例說(shuō)明掃描配線連接部50，但是掃描配線連接部50、掃描配線22、掃描端子51、掃描電極12能分別改名為信號(hào)配線連接部60、連接配線62、信號(hào)端子61、信號(hào)電極13。另外，在輔助電容配線連接部中，只要代替各金屬層(配線)的名稱(chēng)就能進(jìn)行同樣的改名。圖9(a)是示出本實(shí)施方式的有源矩陣基板20的掃描配線連接部50的其它構(gòu)成例的截面圖，圖9(b)是圖9(a)所示的有源矩陣基板20的B-B線向視截面圖。在上述實(shí)施方式1、2中，舉例說(shuō)明了如下情況在柵極絕緣膜24的干式蝕刻后，保留柵極絕緣膜M和第1半導(dǎo)體層31 (具體地說(shuō)，這些柵極絕緣膜M和第1半導(dǎo)體層31的一部分)使其分別從層間絕緣膜四的端面^a向端子部55側(cè)延伸。CN 102473369 A說(shuō)明書(shū)20/43 頁(yè)與此相對(duì)，如圖9(b)所示，在本實(shí)施方式的有源矩陣基板20中，第1半導(dǎo)體層31 具有與層間絕緣膜四的端面29a和保護(hù)膜觀的端面28a相連的端面31a，如圖9 (a)、(b) 所示，僅保留柵極絕緣膜M使其從層間絕緣膜四的端面^a向端子部55側(cè)延伸。因此，在本實(shí)施方式中，與上述實(shí)施方式1、2不同，僅有從層間絕緣膜四的端面 29a向端子部55側(cè)延伸的柵極絕緣膜M發(fā)揮將掃描配線22 (特別是端子部5 從層間絕緣膜四的端面^a以及該端面^a中的透明電極33隔離的隔離壁(隔離層)的功能。然而，在本實(shí)施方式中，如上所述，上述端子部55側(cè)，即與上述端子部55相對(duì)的柵極絕緣膜M的端面2 位于比與上述端子部55相對(duì)的層間絕緣膜四的端面29a靠上述端子部陽(yáng)側(cè)的位置。換言之，與上述端子部55相對(duì)的層間絕緣膜四的端面29a設(shè)為比與上述端子部55相對(duì)的柵極絕緣膜M的端面2 遠(yuǎn)離上述端子部55。因此，在本實(shí)施方式中，如圖9 (b)所示，在透明電極33中，即使在該透明電極33 覆蓋層間絕緣膜四的部分產(chǎn)生了缺陷33a，該缺陷33a到其下層的柵極絕緣膜M與掃描配線22接觸的部分(特別是，與掃描配線22接觸的柵極絕緣膜M的端面Ma)之間的距離也會(huì)保持為較大。另外，在本實(shí)施方式中，將第1半導(dǎo)體層31用作柵極絕緣膜M的干式蝕刻中的掩模層，由此將干式蝕刻后的柵極絕緣膜M的表面皸裂抑制為比較小。因此，覆蓋柵極絕緣膜M的端面2 的部分的透明電極33變致密，防止促進(jìn)腐蝕成分的侵入、迂回進(jìn)入。因此，即使層間絕緣膜四的表面粗糙，如圖9(b)所示在層間絕緣膜四上的透明電極33中產(chǎn)生了缺陷33a，也能防止層間絕緣膜四的表面的狀態(tài)引起的掃描配線22和掃描電極12的腐蝕和斷線。在本實(shí)施方式中，透明電極33覆蓋上述層間絕緣膜四上和層間絕緣膜四的端面 ^a、保護(hù)膜觀的端面^a、第1半導(dǎo)體層31的端面31a、柵極絕緣膜M上及其端面Ma，延伸配置到上述端子部55。覆蓋上述端子部55的掃描配線22上的上述透明電極33被用作掃描端子51。此外，在本實(shí)施方式中，如上所述舉例說(shuō)明了將第1半導(dǎo)體層31用作掩模層的情況，但是當(dāng)然也可以用專(zhuān)用的掩模等來(lái)保留第2半導(dǎo)體層32，將第1半導(dǎo)體層31和第2半導(dǎo)體層32用作上述掩模層。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，上述透明電極33不僅覆蓋端子部55至從層間絕緣膜四的端面29a延伸配置的柵極絕緣膜M的上表面，也覆蓋層間絕緣膜四。因此，即使由于透明電極33的圖案對(duì)準(zhǔn)不良而在透明電極33中的密封劑91側(cè)的端緣產(chǎn)生位置偏移，該透明電極33中的密封劑91側(cè)的端緣也不會(huì)相對(duì)于從層間絕緣膜四的端面29a延伸配置的柵極絕緣膜M向端子部陽(yáng)側(cè)(邊界)移動(dòng)(位置偏移)。因此，掃描配線22的表面(特別是，接近層間絕緣膜四的端面四的掃描配線22的表面)不會(huì)露出。另外，在本實(shí)施方式中，如上所述，使層間絕緣膜四的端面^a與柵極絕緣膜M 的端面2 分離，由此能利用從層間絕緣膜四的端面29a延伸配置的柵極絕緣膜M，使從層間絕緣膜四的表面向端子部陽(yáng)設(shè)置的透明電極33所跨越的臺(tái)階分級(jí)。其結(jié)果是，能提高透明電極33的覆蓋性。下面參照?qǐng)D6(a) (e)和圖9(a)、(b)如下說(shuō)明本實(shí)施方式的有源矩陣基板20 的制造方法。
此外，從圖6(a)所示的掃描配線形成方法到圖6 (C)所示的信號(hào)配線形成方法的工序與實(shí)施方式1相同。因此，省略其說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，首先，在圖6(d)所示的保護(hù)膜/層間絕緣膜形成工序中，與實(shí)施方式1同樣，對(duì)層間絕緣膜四進(jìn)行圖案化，使其端面29a與上述第1半導(dǎo)體層31重疊。然后，將上述層間絕緣膜四作為掩模對(duì)保護(hù)膜觀和柵極絕緣膜M進(jìn)行干式蝕亥|J。此時(shí)，變更蝕刻條件，使得從層間絕緣膜四的端面29a伸出的部分的保護(hù)膜觀和第1 半導(dǎo)體層31以及干式蝕刻前的狀態(tài)下從第1半導(dǎo)體層31伸出的部分的柵極絕緣膜24被蝕刻除去，由此除去第1半導(dǎo)體層31的一部分。由此，如圖9 (a)、(b)所示，從層間絕緣膜四的端面^a伸出的部分的第1半導(dǎo)體層31被蝕刻除去，形成具有與層間絕緣膜四的端面29a和保護(hù)膜觀的端面28a相連的端面31a的第1半導(dǎo)體層31。因此，接下來(lái)，與圖6(e)所示的透明導(dǎo)電膜形成工序同樣，將透明導(dǎo)電膜形成于形成有上述層間絕緣膜四的玻璃基板21的上表面整個(gè)面來(lái)進(jìn)行圖案化，由此能得到圖 9(a)、(b)所示的本實(shí)施方式的有源矩陣基板20?！矊?shí)施方式4〕基于圖10(a)、(b)和圖11(a) (f)如下說(shuō)明本發(fā)明的其它實(shí)施方式。此外，在本實(shí)施方式中，主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1的不同點(diǎn)，對(duì)具有與上述實(shí)施方式1同樣的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號(hào)，省略其說(shuō)明。圖10(a)是示出本實(shí)施方式的有源矩陣基板20中的掃描配線連接部50附近的概要構(gòu)成的平面圖，圖10(b)是圖10(a)所示的有源矩陣基板20的C-C線向視截面圖。如圖10(a)、(b)所示，本實(shí)施方式的有源矩陣基板20具有如下構(gòu)成在掃描配線連接部50中，在玻璃基板21上按順序?qū)盈B有掃描配線22、柵極絕緣膜M、保護(hù)膜觀、層間絕緣膜四、透明電極33。另外，在上述掃描配線22的端部，通過(guò)在上述掃描配線22上直接層疊透明電極33形成有端子部55。此外，在本實(shí)施方式中，如圖10(b)所示，上述掃描配線22具有在下層掃描配線 2 上設(shè)有上層掃描配線22b的構(gòu)成。在此，如上述實(shí)施方式1的記載，上述掃描配線22不限于此。本實(shí)施方式的有源矩陣基板20除了在柵極絕緣膜M上未設(shè)有第1半導(dǎo)體層31 和第2半導(dǎo)體層32以外，具有與上述實(shí)施方式3中圖9 (a)、(b)所示的有源矩陣基板20同樣的構(gòu)成。S卩，如圖10(a)、(b)所示，本實(shí)施方式的有源矩陣基板20只有柵極絕緣膜M從層間絕緣膜四的端面^a向端子部55側(cè)延伸。因此，在本實(shí)施方式中，與上述實(shí)施方式3相同，從層間絕緣膜四的端面^a向端子部55側(cè)延伸的柵極絕緣膜M單獨(dú)發(fā)揮將掃描配線 22 (特別是，端子部5 從層間絕緣膜四的端面^a以及該端面29a中的透明電極33隔離的隔離壁(隔離層)的功能。在本實(shí)施方式中，透明電極33覆蓋層間絕緣膜四上和層間絕緣膜四的端面^a、 保護(hù)膜28的端面^a、柵極絕緣膜M的端面Ma，延伸配置于上述端子部55。 這種有源矩陣基板20能通過(guò)如下方式容易地形成例如，在對(duì)保護(hù)膜觀和柵極絕緣膜M進(jìn)行干式蝕刻后，用氧對(duì)上述層間絕緣膜四進(jìn)行灰化( 灰化)等來(lái)蝕刻上述層間絕緣膜四。這樣，通過(guò)O2灰化等，使層間絕緣膜四的端面29a相對(duì)于端子部55比保護(hù)膜28 的端面28a和柵極絕緣膜M的端面2 后退，由此能容易地使層間絕緣膜四的端面^a 從保護(hù)膜觀的端面28a和柵極絕緣膜M的端面2 分離固定距離。這樣，在本實(shí)施方式中，設(shè)為與上述端子部55相對(duì)的層間絕緣膜四的端面^a比與上述端子部陽(yáng)相對(duì)的柵極絕緣膜M的端面2 遠(yuǎn)離上述端子部55。因此，在本實(shí)施方式中，如圖9 (b)所示，在透明電極33中，即使在該透明電極33覆蓋層間絕緣膜四的部分產(chǎn)生了缺陷33a，該缺陷33a到其下層的柵極絕緣膜M與掃描配線22接觸的部分(特別是， 與掃描配線22接觸的柵極絕緣膜M的端面Ma)之間的距離也會(huì)保持為較大。另外，在本實(shí)施方式中，干式蝕刻后的柵極絕緣膜M的表面皸裂能抑制為比較小。因此，覆蓋柵極絕緣膜M的端面Ma的部分的透明電極33變致密，防止了促進(jìn)腐蝕成分的侵入、迂回進(jìn)入。因此，即使層間絕緣膜四的表面粗糙，如圖10(b)所示在層間絕緣膜四上的透明電極33中產(chǎn)生了缺陷33a，也能防止層間絕緣膜四的表面的狀態(tài)引起的掃描配線22和掃描電極12的腐蝕和斷線。在此，參照?qǐng)D11(a) (f)如下說(shuō)明本實(shí)施方式的上述有源矩陣基板20的制造方法。圖11 (a) (f)是按工序順序示出上述有源矩陣基板20的制造工序的上述有源矩陣基板20的截面圖。此外，圖11(a) (f)分別將掃描配線連接部50的截面以及像素 10的TFTll附近的截面作為各工序結(jié)束時(shí)刻的上述有源矩陣基板20的非顯示區(qū)域42和顯示區(qū)域41的截面，左右并排表示。此外，在以下的制造例中，各層的厚度等條件只要沒(méi)有特別提到，就與上述實(shí)施方式1同樣?！矑呙枧渚€形成工序〕圖11 (a)示出如下?tīng)顟B(tài)在玻璃基板21上作為金屬配線形成包括下層掃描配線 22a和上層掃描配線22b的雙層結(jié)構(gòu)的掃描配線22，并且設(shè)有包括設(shè)于該掃描配線22的下層掃描電極1 和上層掃描電極12b的雙層結(jié)構(gòu)的掃描電極12。本工序與實(shí)施方式1中用圖6(a)所示的工序相同。因此，省略其說(shuō)明。此外，在本制造例中，舉例說(shuō)明了包括掃描配線22的第1金屬配線層(柵極金屬層)與實(shí)施方式1同樣具有作為上層金屬配線/下層金屬配線的Ti/Cu的層疊結(jié)構(gòu)(雙層結(jié)構(gòu))的情況。然而，本發(fā)明不限于此，如在上述實(shí)施方式1中說(shuō)明的那樣，上述第1金屬配線層可以具有單層結(jié)構(gòu)也可以具有層疊結(jié)構(gòu)?！矕艠O絕緣膜/半導(dǎo)體層形成工序〕本工序在實(shí)施方式1中除了在連接部44不形成第1半導(dǎo)體層31和第2半導(dǎo)體層 32以外，與實(shí)施方式1中用圖6(b)所示的工序相同。即，在本實(shí)施方式的柵極絕緣膜/半導(dǎo)體層形成工序中，首先，如圖11 (b)所示，通過(guò)CVD法形成包括氮化硅(SiNx)的柵極絕緣膜M (無(wú)機(jī)絕緣膜)，使其覆蓋掃描電極12和掃描配線22。然后，在上述柵極絕緣膜M上作為半導(dǎo)體層形成非晶硅層、高濃度地?fù)诫s有 η型雜質(zhì)的η+非晶硅層后，通過(guò)光刻形成抗蝕劑圖案。然后，進(jìn)行干式蝕刻，對(duì)上述半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化后，對(duì)上述抗蝕劑圖案進(jìn)行剝離清洗。
由此，如圖11(b)所示，在各像素10中的柵極絕緣膜M上形成包括上述非晶硅層的溝道層25和包括層疊在該溝道層25上的η+非晶硅層的電極接觸層26。〔信號(hào)配線形成工序〕本工序與實(shí)施方式1中用圖6(c)示出的工序相同。也就是說(shuō)，如圖11(c)所示， 該階段的有源矩陣基板20除了在連接部44不形成半導(dǎo)體層(第1半導(dǎo)體層31和第2半導(dǎo)體層32)，在連接部44未形成由這些半導(dǎo)體層引起的凹凸以外，具有與圖6(c)所示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。因此，在本實(shí)施方式中，省略本工序的說(shuō)明。此外，在本制造例中，舉例說(shuō)明了包括信號(hào)電極13的第2金屬配線(源極金屬層)具有作為上層金屬配線/下層金屬配線的Ti/ Cu的層疊結(jié)構(gòu)(雙層結(jié)構(gòu))的情況。然而，與第1金屬配線層(柵極金屬層)同樣，本發(fā)明不限于此?！脖Ｗo(hù)膜/層間絕緣膜形成工序〕在本工序中，首先，在上述柵極絕緣膜M上通過(guò)CVD法形成氮化硅(SiNx)膜作為保護(hù)膜觀(鈍化膜，無(wú)機(jī)絕緣膜)，使其覆蓋上述信號(hào)配線27、信號(hào)電極13、漏極電極14。由此，在像素10中形成TFTl 1。然后，在上述氮化硅膜上通過(guò)旋涂法等形成包括感光性樹(shù)脂材料的層間絕緣膜材料，然后，通過(guò)光刻進(jìn)行圖案化后，進(jìn)行干式蝕刻。由此，對(duì)包括上述氮化硅膜的保護(hù)膜觀和包括上述層間絕緣膜材料的層間絕緣膜29 (有機(jī)絕緣膜，平坦化膜)進(jìn)行圖案形成。此時(shí)，通過(guò)以上述層間絕緣膜四為掩模的干式蝕刻，雖未圖示，在像素10中除去保護(hù)膜觀中的未被遮住的部分，露出信號(hào)電極13和漏極電極14。另一方面，在掃描配線連接部50中，如圖11(d)所示，通過(guò)以上述層間絕緣膜四為掩模的干式蝕刻，除去作為引出配線的掃描配線22上的柵極絕緣膜對(duì)和保護(hù)膜觀中的未被遮住的部分。由此，露出端子部陽(yáng)及其附近的掃描配線22。如上所述，本工序的工序自身與實(shí)施方式1中用圖6(d)示出的工序相同。然而， 在本實(shí)施方式中，由于在連接部44未形成半導(dǎo)體層，因此如圖11(d)所示，在掃描配線連接部50未形成半導(dǎo)體層(圖6(d)所示的第1半導(dǎo)體層31)。因此，如圖11(d)所示，保護(hù)膜觀和柵極絕緣膜M被干式蝕刻，使各自的端面 28a、29a與層間絕緣膜四的端面29a相連?！不一ば颉吃诒竟ば蛑?，如圖11 (d)所示，對(duì)保護(hù)膜28和柵極絕緣膜M進(jìn)行干式蝕刻后，用氧對(duì)上述層間絕緣膜四進(jìn)行灰化( 灰化)，由此對(duì)上述層間絕緣膜四進(jìn)行蝕刻。由此，如圖11(e)所示，使層間絕緣膜四的端面29a相對(duì)于端子部55比保護(hù)膜觀的端面^a和柵極絕緣膜M的端面2 后退，由此使層間絕緣膜四的端面^a從保護(hù)膜 28的端面28a和柵極絕緣膜M的端面2 離開(kāi)距離χ。此外，距離χ如上所述。其結(jié)果是，如圖10(a)、(b)和圖11(e)所示，柵極絕緣膜M的一部分為從層間絕緣膜四的端面29a延伸的結(jié)構(gòu)。此外，在本工序中，上述灰化條件沒(méi)有特別限定。上述灰化條件只要設(shè)定為層間絕緣膜四的端面29a如上所述相對(duì)于端子部55比保護(hù)膜28的端面28a和柵極絕緣膜M的端面2 后退即可。
〔透明導(dǎo)電膜形成工序〕本工序的工序自身與實(shí)施方式1中用圖6(e)示出的工序相同。在本工序中，通過(guò)濺射法將包括ITO的透明導(dǎo)電膜形成于形成有上述層間絕緣膜四的玻璃基板21的上表面整個(gè)面。然后，在該透明導(dǎo)電膜上通過(guò)光刻形成抗蝕劑圖案。然后，進(jìn)行濕式蝕刻，對(duì)上述透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化后，對(duì)上述抗蝕劑圖案進(jìn)行剝離清洗。由此，在本實(shí)施方式中，如圖11(f)所示，在各像素10中形成包括上述透明導(dǎo)電膜的像素電極30。另一方面，在本實(shí)施方式中，如上所述，由于在掃描配線連接部50未形成半導(dǎo)體層，因此通過(guò)上述工序，在掃描配線連接部50形成包括上述透明導(dǎo)電膜的透明電極33，使其覆蓋層間絕緣膜四上和層間絕緣膜四的端面^a、保護(hù)膜觀上及其端面^a、柵極絕緣膜M的端面Ma以及露出的掃描配線22上。如上所述，在露出的掃描配線22上形成上述透明電極33，由此在上述掃描配線22 的端部形成掃描端子51 (端子電極)?！踩∠蚰ば纬晒ば颉匙詈?，與實(shí)施方式1同樣，根據(jù)需要，在上述有源矩陣基板20的表面(與相對(duì)基板 80相對(duì)的面)形成未圖示的取向膜。由此，能制造本實(shí)施方式的有源矩陣基板20。此外，在上述制造例中，如上所述，舉例說(shuō)明了在保護(hù)膜/層間絕緣膜形成工序后 (也就是說(shuō)，對(duì)上述保護(hù)膜觀和柵極絕緣膜M進(jìn)行干式蝕刻后)，對(duì)上述層間絕緣膜四進(jìn)行O2灰化的情況。然而，本實(shí)施方式不限于此。例如，也可以使用半曝光技術(shù)和O2灰化等， 使層間絕緣膜四的端面29a從保護(hù)膜觀的端面28a和柵極絕緣膜M的端面2 分離(蝕亥IJ)固定距離X。在這種情況下，也能得到圖10(a)、(b)所示的本實(shí)施方式的有源矩陣基板20。上述距離χ (后退距離)沒(méi)有特別限定，為了使效果更可靠，優(yōu)選設(shè)定為0. 5 μ m以上的大小。另外，在如上所述進(jìn)行灰化的蝕刻的情況下，比層間絕緣膜四的膜厚大的值是不現(xiàn)實(shí)的。因此，設(shè)定為層間絕緣膜四的膜厚以下(例如，0.5μπι 5μπι的范圍內(nèi))。另一方面，在進(jìn)行兼用了半曝光技術(shù)的蝕刻的情況下，上述距離X能取得更大(例如，比層間絕緣膜四的膜厚大)。〔實(shí)施方式5〕基于圖12和圖13如下說(shuō)明本發(fā)明的其它實(shí)施方式。此外，在本實(shí)施方式中，主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式14的不同點(diǎn)，對(duì)具有與上述實(shí)施方式14同樣的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號(hào)，省略其說(shuō)明。圖12是示出本實(shí)施方式的有源矩陣基板20中的配線連接部70的概要構(gòu)成的平面圖。另外，圖13是圖12所示的有源矩陣基板20的D-D線向視截面圖。如上所述，在配線連接部70中，從源極金屬層向柵極金屬層進(jìn)行轉(zhuǎn)接(換層)。如圖13所示，上述有源矩陣基板20具有如下結(jié)構(gòu)在配線連接部70中，在玻璃基板21上按順序?qū)盈B有包括第1金屬配線層(柵極金屬層)的連接配線62、柵極絕緣膜Μ、 包括第2金屬配線層(源極金屬層)的信號(hào)配線27、保護(hù)膜觀、層間絕緣膜四、透明電極 33。
此外，在本實(shí)施方式中，第1金屬配線層和第2金屬配線層具有雙層結(jié)構(gòu)。S卩，在本實(shí)施方式中，如圖13所示，連接配線62具有在下層連接配線6 上設(shè)有上層連接配線 62b的構(gòu)成。另外，如圖13所示，信號(hào)配線27具有在下層信號(hào)配線27a上設(shè)有上層信號(hào)配線27b的構(gòu)成。在此，如在上述實(shí)施方式1中記載的那樣，第1金屬配線層和第2金屬配線層的構(gòu)成不限于此。上述信號(hào)配線27通過(guò)設(shè)于配線連接部70的接觸孔71(開(kāi)口部)與上述連接配線 62電連接。上述接觸孔71的表面被透明電極33覆蓋。上述連接配線62和信號(hào)配線27向相互不同的方向延伸配置而形成。上述接觸孔 71形成為使得上述連接配線62和信號(hào)配線27中的至少一方(在本實(shí)施方式中是信號(hào)配線 27)的端緣(端面)位于該接觸孔71內(nèi)。圖12和圖13示出的接觸孔71能通過(guò)上述實(shí)施方式4記載的方法而形成。以下， 參照?qǐng)D11(a) (f)、圖12和圖13說(shuō)明上述接觸孔71的形成方法。在上述實(shí)施方式4記載的〔掃描配線形成工序〕中，在配線連接部70，在玻璃基板 21上，包括與掃描配線22相同的第1金屬配線層的連接配線62與掃描配線22形成在同一層。 然后，在〔柵極絕緣膜/半導(dǎo)體層形成工序〕中，在配線連接部70，在上述連接配線 62上形成柵極絕緣膜M。然后，在〔信號(hào)配線形成工序〕中，在配線連接部70，在上述柵極絕緣膜M上形成信號(hào)配線27。然后，在〔保護(hù)膜/層間絕緣膜形成工序〕中，通過(guò)以層間絕緣膜四為掩模的干式蝕刻除去保護(hù)膜觀和柵極絕緣膜M中的未被遮住的部分，由此在上述信號(hào)配線27與連接配線62的配線切換部分(也就是說(shuō)，作為用于換層的信號(hào)配線27與連接配線62的連接部的部分；以下，單記為“切換部”)形成作為接觸孔71的開(kāi)口部。此時(shí)，如圖12和圖13所示，首先通過(guò)以上述層間絕緣膜四為掩模的一系列的干式蝕刻，在分別與上述信號(hào)配線27和柵極絕緣膜M相鄰的部分的保護(hù)膜觀中分別形成開(kāi)口部，以使上述信號(hào)配線27的一部分露出。接著，將上述層間絕緣膜四和信號(hào)配線27作為掩模，在與上述連接配線62相鄰的部分的柵極絕緣膜M和保護(hù)膜觀中分別形成開(kāi)口部， 以使上述連接配線62的一部分露出。由此，在圖12示出的以保護(hù)膜觀的端面28a和灰化前的層間絕緣膜四的端面 (未圖示)為開(kāi)口端面的開(kāi)口部?jī)?nèi)，形成以柵極絕緣膜M的端面2 為開(kāi)口端面的開(kāi)口部。 此外，由于如上所述在保護(hù)膜觀中將層間絕緣膜四作為掩模形成有開(kāi)口部，因此保護(hù)膜 28的端面^a的端面28a形成為與灰化前的層間絕緣膜四的端面(開(kāi)口端面)相連(重疊)。因此，在圖14中，圖示了保護(hù)膜觀的端面^a(開(kāi)口端面)，省略了灰化前的層間絕緣膜四的圖示。然后，在〔灰化工序〕中，通過(guò)&灰化等對(duì)上述層間絕緣膜四進(jìn)行蝕刻。由此，如圖12和圖13所示，使層間絕緣膜四的端面29a相對(duì)于上述連接配線62和信號(hào)配線27的露出部比保護(hù)膜28的端面28a后退距離y。也就是說(shuō)，距離y是灰化后的層間絕緣膜四的端面29a相對(duì)于灰化前的層間絕緣膜四的端面的后退距離，等于保護(hù)膜觀的端面^a的端面^a與灰化后的層間絕緣膜四的端面29a之間的距離。其結(jié)果是，層間絕緣膜四的開(kāi)口部擴(kuò)大，形成圖12和圖13示出的在層間絕緣膜 29的端面29a形成的開(kāi)口部。其結(jié)果是，如圖12和圖13所示，柵極絕緣膜M的一部分、保護(hù)膜觀的一部分和信號(hào)配線27的一部分為從層間絕緣膜四的端面29a延伸的結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，柵極絕緣膜 24的一部分、保護(hù)膜觀的一部分和信號(hào)配線27的一部分為比層間絕緣膜四的作為開(kāi)口端面的端面向開(kāi)口部?jī)?nèi)突出的結(jié)構(gòu)。然后，在〔透明導(dǎo)電膜形成工序〕中，形成上述透明電極33，使其覆蓋包括由上述層間絕緣膜四的端面^a、從上述層間絕緣膜四的端面29a延伸的保護(hù)膜28的上表面和端面、從灰化前的層間絕緣膜四的端面的位置(即保護(hù)膜觀的端面^a)延伸的上層信號(hào)配線27b的上表面和端面27d、下層信號(hào)配線27a的端面27c以及柵極絕緣膜M的端面2 形成的開(kāi)口部整體的上述切換部的一部分或切換部整體。由此，連接配線62和信號(hào)配線27由上述透明電極33電連接。由此，形成上述接觸孔71。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，上述層間絕緣膜四的端面29a設(shè)為比與上述連接配線62和透明電極33直接接觸的部分(切換部中的第1連接部)以及上述信號(hào)配線27和透明電極33直接接觸的部分(切換部中的第2連接部)相對(duì)的柵極絕緣膜M的端面Ma 和保護(hù)膜觀的端面28a遠(yuǎn)離上述部分(即上述第1連接部和第2連接部)。因此，在本實(shí)施方式中，在透明電極33中，即使在該透明電極33覆蓋層間絕緣膜 29的部分產(chǎn)生了缺陷33a，該缺陷33a到上述第1連接部與第2連接部(也就是說(shuō)，金屬配線中不隔著無(wú)機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜而直接層疊有導(dǎo)電膜的區(qū)域)之間的距離也會(huì)保持為較大。另外，在本實(shí)施方式中，干式蝕刻后的上述柵極絕緣膜M和保護(hù)膜觀的表面皸裂被抑制為比較小。因此，覆蓋柵極絕緣膜M的端面2 和保護(hù)膜觀的端面^a的部分的透明電極33致密，防止了促進(jìn)腐蝕成分的侵入、迂回進(jìn)入。因此，在本實(shí)施方式中，即使上述層間絕緣膜四的表面粗糙，層間絕緣膜四上的透明電極33中產(chǎn)生了缺陷33a，也能防止層間絕緣膜四的表面的狀態(tài)引起的掃描配線22 和掃描電極12的腐蝕和斷線。此外，在本實(shí)施方式中，上述灰化條件沒(méi)有特別限定，只要如上所述設(shè)定為層間絕緣膜四的端面^a比保護(hù)膜28的端面28a和柵極絕緣膜M的端面2 后退即可。上述配線連接部70中的上述層間絕緣膜四的端面的后退距離y沒(méi)有特別限定， 但是為了使效果更可靠，優(yōu)選設(shè)定為0. 5μπι以上的大小。另外，如上所述進(jìn)行灰化的蝕刻的情況下，比層間絕緣膜四的膜厚大的值是不現(xiàn)實(shí)的。因此，設(shè)定為層間絕緣膜四的膜厚以下(例如，0.5μπι 5μπι的范圍內(nèi))。另一方面，在進(jìn)行兼用了半曝光技術(shù)的蝕刻的情況下，蝕刻的層間絕緣膜四的后退距離y能取得更大(例如，比層間絕緣膜四的膜厚大)。在此，如上所述在將上述技術(shù)用于配線切換部分(接觸孔71)的情況下，當(dāng)然會(huì)由于配線寬度(即，連接配線62和信號(hào)配線27的寬度，特別是，在圖12示出的例子中作為線寬度較小的配線的信號(hào)配線27的寬度)而制約其上限?！矊?shí)施方式6〕基于圖14和圖15(a)、(b)如下說(shuō)明本發(fā)明的其它實(shí)施方式。此外，在本實(shí)施方式中，主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1、4的不同點(diǎn)，對(duì)具有與上述實(shí)施方式1、4同樣的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號(hào)，省略其說(shuō)明。圖14是示出本實(shí)施方式的有源矩陣基板20中的配線連接部70的概要構(gòu)成的平面圖。另外，圖15(a)是圖14所示的有源矩陣基板20的E-E線向視截面圖，圖15 (b)是圖 14所示的有源矩陣基板20的F-F線向視截面圖。如圖15(a)、(b)所示，本實(shí)施方式的有源矩陣基板20具有如下結(jié)構(gòu)在配線連接部70中，在玻璃基板21上按順序?qū)盈B有包括第1金屬配線層(柵極金屬層)的連接配線62、柵極絕緣膜24、第1半導(dǎo)體層31、第2半導(dǎo)體層32、包括第2金屬配線層(源極金屬層)的信號(hào)配線27、保護(hù)膜觀、層間絕緣膜四、透明電極33。此外，在本實(shí)施方式中，舉例說(shuō)明了第1金屬配線層和第2金屬配線層具有雙層結(jié)構(gòu)，連接配線62包括下層連接配線6 和上層連接配線62b，信號(hào)配線27包括下層信號(hào)配線27a和上層信號(hào)配線27b的情況，但是與上述實(shí)施方式5同樣，本實(shí)施方式不限于此。在本實(shí)施方式中，上述信號(hào)配線27通過(guò)設(shè)于配線連接部70的接觸孔71 (開(kāi)口部) 與上述連接配線62電連接。上述接觸孔71的表面被透明電極33覆蓋。另外，上述連接配線62和信號(hào)配線27向相互不同的方向延伸配置而形成。上述接觸孔71形成為使上述連接配線62和信號(hào)配線27中的至少一方(在本實(shí)施方式中是信號(hào)配線27)的端緣(端面)位于該接觸孔71內(nèi)。在本實(shí)施方式中，由于在上述第1半導(dǎo)體層31中設(shè)有形成上述接觸孔71的開(kāi)口部，因此上述第1半導(dǎo)體層31形成為環(huán)狀。圖14和圖15 (a)、(b)所示的接觸孔71能通過(guò)將上述實(shí)施方式1記載的方法和上述實(shí)施方式4記載的方法組合來(lái)形成。下面參照?qǐng)D6(a) (e)、圖11(a) (f)、圖14和圖15(a)、(b)說(shuō)明上述接觸孔71的形成方法。在上述實(shí)施方式1記載的〔掃描配線形成工序〕中，在配線連接部70，在玻璃基板 21上，包括與掃描配線22相同的第1金屬配線層的連接配線62與掃描配線22形成于同一層。然后，在〔柵極絕緣膜/半導(dǎo)體層形成工序〕中，在配線連接部70，在上述連接配線 62上按順序形成柵極絕緣膜24、第1半導(dǎo)體層31、第2半導(dǎo)體層32。此外，在本工序中，上述第1半導(dǎo)體層31和第2半導(dǎo)體層32形成為島狀。然后，在〔信號(hào)配線形成工序〕中，在配線連接部70，通過(guò)濺射法在上述柵極絕緣膜 24上按順序連續(xù)形成包括Ti、Cu的兩種導(dǎo)電膜，使其覆蓋上述第1半導(dǎo)體層31和第2半導(dǎo)體層32。然后，在上述導(dǎo)電膜上通過(guò)光刻形成抗蝕劑圖案。然后，進(jìn)行濕式蝕刻，對(duì)上述導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化。此時(shí)，未被上述抗蝕劑圖案覆蓋的區(qū)域的第2半導(dǎo)體層32通過(guò)上述圖案化除去。然后，對(duì)上述抗蝕劑圖案進(jìn)行剝離清洗。由此，在上述柵極絕緣膜M上形成覆蓋上述第1半導(dǎo)體層31的一部分和第2半導(dǎo)體層32的信號(hào)配線27。并且，在〔保護(hù)膜/層間絕緣膜形成工序〕中，通過(guò)以層間絕緣膜四為掩模的干式蝕刻，除去保護(hù)膜觀和柵極絕緣膜M中的未被遮住的部分，由此在上述信號(hào)配線27與連接配線62的配線切換部分(切換部)形成作為接觸孔71的開(kāi)口部。此時(shí)，首先，通過(guò)以上述層間絕緣膜四為掩模的一系列的干式蝕刻，如圖14和圖15(a)、(b)所示，在與上述信號(hào)配線27、第2半導(dǎo)體層32、柵極絕緣膜M分別相鄰的部分的保護(hù)膜觀中分別形成開(kāi)口部，以使上述信號(hào)配線27的一部分露出。接著，將上述層間絕緣膜四、信號(hào)配線27、第1半導(dǎo)體層31和第2半導(dǎo)體層32分別作為掩模，在與上述連接配線62相鄰的部分的柵極絕緣膜M和保護(hù)膜洲中分別形成開(kāi)口部，以使上述連接配線62 的一部分露出。由此，在圖14示出的以保護(hù)膜觀的端面28a和灰化前的層間絕緣膜四的端面 (未圖示)為開(kāi)口端面的開(kāi)口部?jī)?nèi)形成以柵極絕緣膜M的端面2 為開(kāi)口端面的開(kāi)口部。 此外，由于如上所述在保護(hù)膜觀中以層間絕緣膜四作為掩模形成有開(kāi)口部，因此灰化前的層間絕緣膜四的端面(開(kāi)口端面)形成為與保護(hù)膜觀的端面^a的端面28a相連(重疊)。因此，在圖14中，圖示了保護(hù)膜觀的端面^a(開(kāi)口端面)，省略了灰化前的層間絕緣膜四的圖示。另外，如圖15(a)、(b)所示，第1半導(dǎo)體層31的端面31a(開(kāi)口端面)形成為與柵極絕緣膜M的端面2 相連(重疊)。因此，在圖14中圖示了柵極絕緣膜M的端面Ma，省略了第1半導(dǎo)體層31的端面31a (開(kāi)口端面)的圖示。此外，從信號(hào)配線27露出的第2半導(dǎo)體層32如上所述在信號(hào)配線27的圖案化時(shí)被除去，因此如圖15(b)所示，第 2半導(dǎo)體層32的端面3 形成為與信號(hào)配線27的端面相連。然后，在〔灰化工序〕中，通過(guò)&灰化等對(duì)上述層間絕緣膜四進(jìn)行蝕刻。由此，如圖14和圖15 (a)、(b)所示，使層間絕緣膜四的端面29a相對(duì)于上述連接配線62和信號(hào)配線27的露出部比保護(hù)膜28的端面28a后退距離y。此外，在本實(shí)施方式中，距離y是灰化后的層間絕緣膜四的端面29a相對(duì)于灰化前的層間絕緣膜四的端面的后退距離，等于保護(hù)膜觀的端面^a的端面^a與灰化后的層間絕緣膜四的端面29a之間的距離。其結(jié)果是，層間絕緣膜四的開(kāi)口部被擴(kuò)大，形成如圖14和圖15(a)、(b)所示的在層間絕緣膜四的端面29a形成的開(kāi)口部。其結(jié)果是，如圖14和圖15(a)、(b)所示，柵極絕緣膜M的一部分、第1半導(dǎo)體層 31的一部分、第2半導(dǎo)體層32的一部分、信號(hào)配線27的一部分和保護(hù)膜觀的一部分為從層間絕緣膜四的端面29a延伸的結(jié)構(gòu)(也就是說(shuō)，比作為層間絕緣膜四的開(kāi)口端面的端面四3向開(kāi)口部?jī)?nèi)突出的結(jié)構(gòu))。然后，在〔透明導(dǎo)電膜形成工序〕中，形成上述透明電極33，使其覆蓋包括由上述層間絕緣膜四的端面^a、從上述層間絕緣膜四的端面29a延伸的保護(hù)膜28的上表面和端面、從灰化前的層間絕緣膜四的端面位置(即保護(hù)膜觀的端面^a)延伸的上層信號(hào)配線27b的上表面和端面27d、下層信號(hào)配線27a的端面27c、第2半導(dǎo)體層32的端面32a、 第1半導(dǎo)體層31的端面31a以及柵極絕緣膜M的端面2 形成的開(kāi)口部整體的上述切換部的一部分或切換部整體。由此，連接配線62和信號(hào)配線27由上述透明電極33電連接。 由此，形成上述接觸孔71。如上所述，在本實(shí)施方式中，上述層間絕緣膜四的端面^a比與上述連接配線62 和透明電極33直接接觸的部分(切換部中的第1連接部)以及上述信號(hào)配線27和透明電極33直接接觸的部分(切換部中的第2連接部)相對(duì)的柵極絕緣膜M的端面2 和保護(hù)膜觀的端面28a遠(yuǎn)離上述部分(即上述第1連接部和第2連接部)設(shè)置。因此，在本實(shí)施方式中，在透明電極33中，即使在該透明電極33覆蓋層間絕緣膜29的部分產(chǎn)生了缺陷33a，該缺陷33a到上述第1連接部和第2連接部(也就是說(shuō)，金屬配線中不隔著無(wú)機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜而直接層疊有導(dǎo)電膜的區(qū)域)之間的距離也會(huì)保持為較大。另外，在本實(shí)施方式中，干式蝕刻后的上述柵極絕緣膜M和保護(hù)膜觀的表面皸裂被抑制為比較小。因此，覆蓋柵極絕緣膜M的端面2 和保護(hù)膜觀的端面^a的部分的透明電極33致密，防止了促進(jìn)腐蝕成分的侵入、迂回進(jìn)入。因此，在本實(shí)施方式中，即使上述層間絕緣膜四的表面粗糙，在層間絕緣膜四上的透明電極33中產(chǎn)生了缺陷33a，也能防止層間絕緣膜四的表面的狀態(tài)引起的掃描配線 22和掃描電極12的腐蝕和斷線。此外，在本實(shí)施方式中，上述灰化條件沒(méi)有特別限定，如上所述設(shè)定為層間絕緣膜 29的端面^a比保護(hù)膜28的端面28a和柵極絕緣膜M的端面2 后退即可。在本實(shí)施方式中，上述配線連接部70中的上述層間絕緣膜四的端面的后退距離 y沒(méi)有特別限定。作為上述后退距離y，在如上所述進(jìn)行灰化的蝕刻的情況下，由于與上述實(shí)施方式5所示的理由同樣的理由，因此例如設(shè)定為0. 5 μ m 5 μ m的范圍內(nèi)。另一方面， 在本實(shí)施方式中，在進(jìn)行兼用了半曝光技術(shù)的蝕刻的情況下，蝕刻導(dǎo)致的層間絕緣膜四的后退距離y能取得更大(例如，比層間絕緣膜四的膜厚大)。此外，在本實(shí)施方式中，如上所述在將上述技術(shù)用于配線切換部分(接觸孔71)的情況下，當(dāng)然由于配線寬度(即，連接配線62和信號(hào)配線27的寬度，特別是，在圖14所示的例子中，線寬度較小的配線即信號(hào)配線27的寬度)會(huì)制約其上限。如上所述，在將本發(fā)明應(yīng)用于配線連接部70的情況下，希望在信號(hào)配線27上也設(shè)置使層間絕緣膜四的端面^a與保護(hù)膜觀的端面^a的距離擴(kuò)大的結(jié)構(gòu)。因此，在將本發(fā)明應(yīng)用于配線連接部70的情況下，希望用上述實(shí)施方式5或本實(shí)施方式示出的結(jié)構(gòu)。在此，在將配線連接部70形成于密封劑91的內(nèi)部的情況下腐蝕的可能性變低。因此，也可以?xún)H應(yīng)用上述實(shí)施方式1記載的方法，在用本實(shí)施方式說(shuō)明的制造例中，也可以省略上述〔灰化工序〕工序。由此，也可以是僅防止上述連接配線62(第1配線層)的腐蝕的結(jié)構(gòu)。另外，在本實(shí)施方式中，舉例說(shuō)明了從信號(hào)配線27露出的第2半導(dǎo)體層32如上所述在信號(hào)配線27的圖案化時(shí)被除去的情況。然而，本實(shí)施方式不限于此。例如，也可以分別進(jìn)行金屬配線的蝕刻和半導(dǎo)體層的蝕刻等，將專(zhuān)用的掩模用于半導(dǎo)體層的蝕刻，由此保留第2半導(dǎo)體層32?！矊?shí)施方式7〕根據(jù)圖16(a) (f)如下說(shuō)明本發(fā)明的其它實(shí)施方式。此外，在本實(shí)施方式中，主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1的不同點(diǎn)，對(duì)具有與上述實(shí)施方式1同樣的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號(hào)，省略其說(shuō)明。圖16(a) (f)是按工序順序示出上述有源矩陣基板20的制造工序的上述有源矩陣基板20的截面圖。此外，圖16(a) (f)分別將掃描配線連接部50的截面以及像素 10的TFTl 1附近的截面作為各工序結(jié)束時(shí)刻的上述有源矩陣基板20的非顯示區(qū)域42和顯示區(qū)域41的截面，左右并排表示。首先，參照?qǐng)D16(f)如下說(shuō)明構(gòu)成上述有源矩陣基板20的各層。此外，在本實(shí)施方式中，與上述實(shí)施方式1同樣，作為連接部44舉例說(shuō)明了掃描配線連接部50，但是掃描配線連接部50、掃描配線22、掃描端子51、掃描電極12能分別改名為信號(hào)配線連接部60、連接配線62、信號(hào)端子61、信號(hào)電極13。如圖16(f)所示，本實(shí)施方式的有源矩陣基板20具有如下構(gòu)成在顯示區(qū)域41 中，在玻璃基板21上按順序設(shè)有掃描電極12等第1金屬配線層(柵極金屬層)、柵極絕緣膜對(duì)、溝道層25、溝道保護(hù)層101、電極接觸層沈、信號(hào)電極13和漏極電極14等第2金屬配線層(源極金屬層)、保護(hù)膜觀、層間絕緣膜四、像素電極30、根據(jù)需要設(shè)置的取向膜 (未圖示)。另一方面，上述有源矩陣基板20具有如下構(gòu)成在掃描配線連接部50中，在玻璃基板21上按順序?qū)盈B有掃描配線22、柵極絕緣膜M、第1半導(dǎo)體層31、保護(hù)膜觀、層間絕緣膜四、透明電極33。在上述掃描配線22的端部，在上述掃描配線22上直接層疊透明電極33從而形成了端子部55。此外，在本實(shí)施方式中，上述掃描配線22具有在下層掃描配線2 上設(shè)有上層掃描配線22b的構(gòu)成。在此，如在上述實(shí)施方式1中記載的那樣，上述掃描配線22不限于此。本實(shí)施方式的有源矩陣基板20除了在溝道層25與電極接觸層沈之間設(shè)有溝道保護(hù)層101，并且作為上述電極接觸層沈的半導(dǎo)體層也設(shè)于未圖示的第2金屬配線層之下之外，具有與上述實(shí)施方式1的有源矩陣基板20同樣的構(gòu)成。下面參照?qǐng)D16(a) (f)說(shuō)明本實(shí)施方式的上述有源矩陣基板20的制造方法。此夕卜，在以下的制造例中，各層的厚度等條件只要沒(méi)有特別提到就與上述實(shí)施方式1同樣。〔掃描配線形成工序〕本工序的工序自身與實(shí)施方式1中用圖6(a)示出的工序相同。因此，省略其詳細(xì)的說(shuō)明。在此，在本實(shí)施方式的柵極絕緣膜/半導(dǎo)體層形成工序中，通過(guò)濺射法在玻璃基板21上以30 150nm的厚度形成Ti膜，以200 500nm的厚度形成Cu膜，按該順序連續(xù)成膜。由此，在下層掃描電極1 和下層掃描配線2 上設(shè)有上層掃描電極12b和上層掃描配線22b，形成具有Cu/Ti的雙層結(jié)構(gòu)的掃描電極12和掃描配線22?！矕艠O絕緣膜/第1半導(dǎo)體層/溝道保護(hù)層形成工序〕在本工序中，如圖16(b)所示，形成溝道層25、溝道保護(hù)層101、電極接觸層26。首先，通過(guò)CVD法按順序連續(xù)形成包括氮化硅(SiNx)的柵極絕緣膜M (無(wú)機(jī)絕緣膜)、用于形成溝道層25的非晶硅層(半導(dǎo)體層)、用于形成溝道保護(hù)層101的氮化硅 (SiNx)層(無(wú)機(jī)絕緣膜)，使其覆蓋上述掃描電極12和掃描配線22。然后，重復(fù)2次包括利用光刻形成抗蝕劑圖案、蝕刻和抗蝕劑圖案的剝離清洗的工序，由此如圖16(b)所示，對(duì)最上層的氮化硅(SiNx)層和非晶硅層進(jìn)行圖案化。由此，如圖16(b)所示，在各像素10中的柵極絕緣膜M上形成包括上述非晶硅層的溝道層25和層疊在該溝道層25上的溝道保護(hù)層101。另外，在掃描配線連接部50中的柵極絕緣膜24上形成包括上述非晶硅層的第1半導(dǎo)體層31。此外，溝道部以外的最上層的氮化硅層通過(guò)上述圖案化全部除去。在本工序中沒(méi)有特別限定，但是優(yōu)選以200 500nm的厚度形成構(gòu)成上述柵極絕緣膜M的氮化硅膜。另外，優(yōu)選以30 300nm的厚度形成構(gòu)成上述溝道層25和第1半導(dǎo)體層31的非晶硅層，以100 300nm的厚度形成構(gòu)成溝道保護(hù)層101的氮化硅膜。
〔第2半導(dǎo)體層/信號(hào)配線形成工序〕在本工序中，首先，圖16(c)所示，通過(guò)CVD法在上述柵極絕緣膜M上形成高濃度摻雜有η型雜質(zhì)的η+非晶硅層102，使其覆蓋溝道層25、溝道保護(hù)層101、第1半導(dǎo)體層31。然后通過(guò)濺射法在上述η+非晶硅層102上按順序連續(xù)形成包括Ti、Cu的兩種導(dǎo)電膜。然后，在上述導(dǎo)電膜上通過(guò)光刻形成抗蝕劑圖案。然后，進(jìn)行蝕刻，對(duì)上述導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化和對(duì)η+非晶硅層102進(jìn)行圖案化，并且除去包括上述η+非晶硅層102的第2半導(dǎo)體層32。然后，對(duì)上述抗蝕劑圖案進(jìn)行剝離清洗。由此，如圖16(d)所示，在顯示區(qū)域41中形成形成圖案的第2金屬配線層(例如信號(hào)電極13、漏極電極14、信號(hào)配線27、漏極配線15、中間電極16等)；以及電極接觸層 26，所述電極接觸層沈與該第2金屬配線層重疊，設(shè)于該第2金屬配線層之下，包括上述η+ 非晶硅層102。另外，與此同時(shí)，在連接部44中，對(duì)與上述顯示區(qū)域41中的溝道層25和電極接觸層26電分離的第1半導(dǎo)體層31進(jìn)行圖案形成。在本工序中沒(méi)有特別限定，優(yōu)選以50 150nm的厚度形成上述η+非晶硅層，以 20 150nm的厚度形成Ti膜，以100 400nm的厚度形成Cu膜。此外，在本制造例中，舉例說(shuō)明了包括信號(hào)電極13的第2金屬配線層(源極金屬層)具有作為上層金屬配線/下層金屬配線的Ti/Cu的層疊結(jié)構(gòu)(雙層結(jié)構(gòu))的情況。然而，與第1金屬配線層(柵極金屬層)同樣，本發(fā)明不限于此?！脖Ｗo(hù)膜/層間絕緣膜形成工序〕本工序的工序自身與實(shí)施方式1中用圖6(d)示出的工序相同。如圖16(e)所示， 在本工序中，首先，作為保護(hù)膜觀通過(guò)CVD法在上述柵極絕緣膜M上形成氮化硅(SiNx) 膜，使其覆蓋包括上述第2金屬配線層的信號(hào)配線27、信號(hào)電極13、漏極電極14。然后，在上述氮化硅膜上通過(guò)旋涂法等形成包括感光性樹(shù)脂材料的層間絕緣膜材料，然后，通過(guò)光刻進(jìn)行圖案化后，進(jìn)行干式蝕刻。由此，對(duì)包括上述氮化硅膜的保護(hù)膜觀和包括上述層間絕緣膜材料的層間絕緣膜四進(jìn)行圖案形成。此時(shí)，通過(guò)以上述層間絕緣膜四為掩模的干式蝕刻，雖未圖示，在像素10中，除去保護(hù)膜觀中的未被遮住的部分，露出信號(hào)電極13和漏極電極14。另一方面，在掃描配線連接部50，如圖16 (e)所示，通過(guò)以上述層間絕緣膜四為掩模的干式蝕刻，除去作為引出配線的掃描配線22上的柵極絕緣膜M和保護(hù)膜觀中的未被遮住的部分。由此，露出端子部55 (掃描端子51及其附近)的掃描配線22露出。此時(shí)，如圖16(e)所示，在掃描配線連接部50中，在延長(zhǎng)層間絕緣膜四的端面^a 時(shí)，在該端面^a與掃描配線22交叉的位置配置有第1半導(dǎo)體層31。因此，該第1半導(dǎo)體層31在干式蝕刻時(shí)發(fā)揮掩模的作用。其結(jié)果是，如圖16(e)所示，第1半導(dǎo)體層31的一部分以及柵極絕緣膜M的一部分為從層間絕緣膜四的端面29a延伸的結(jié)構(gòu)。因此，在本實(shí)施方式中，通過(guò)本工序，如圖16(e)所示，除了在溝道層25與電極接觸層沈之間設(shè)有溝道保護(hù)層101，并且在顯示區(qū)域41中的第2金屬配線層之下設(shè)有作為電極接觸層26的半導(dǎo)體層以外，形成與實(shí)施方式1中圖6(d)所示的有源矩陣基板20同樣的有源矩陣基板20?！餐该鲗?dǎo)電膜形成工序〕
本工序的工序自身與實(shí)施方式1中用圖6(e)示出的工序相同。在本工序中，通過(guò)濺射法將包括ITO的透明導(dǎo)電膜形成于形成有上述層間絕緣膜四的玻璃基板21的上表面的整個(gè)面。然后，在該透明導(dǎo)電膜上通過(guò)光刻形成抗蝕劑圖案。然后，進(jìn)行濕式蝕刻，對(duì)上述透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化后，對(duì)上述抗蝕劑圖案進(jìn)行剝離清洗。由此，如圖16(f)所示，在各像素10中形成包括上述透明導(dǎo)電膜的像素電極30。 另外，在掃描配線連接部50中形成包括上述透明導(dǎo)電膜的透明電極33，使其覆蓋層間絕緣膜四上和層間絕緣膜四的端面^a、保護(hù)膜觀的端面28a、第1半導(dǎo)體層31上及其端面 31a、柵極絕緣膜M的端面Ma以及露出的掃描配線22上。如上所述，在露出的掃描配線22上形成上述透明電極33，由此在上述掃描配線22 的端部形成掃描端子51 (端子電極)?！踩∠蚰ば纬晒ば颉匙詈?，與實(shí)施方式1同樣，根據(jù)需要在上述有源矩陣基板20的表面(與相對(duì)基板 80相對(duì)的面)形成未圖示的取向膜。由此，能制造本實(shí)施方式的有源矩陣基板20。此外，在本實(shí)施方式中，在如圖16(b)所示的工序中，舉例說(shuō)明了對(duì)氮化硅層和非晶硅層用2次光刻進(jìn)行圖案化的情況。然而，本實(shí)施方式不限于此。上述氮化硅層和非晶硅層能通過(guò)例如以下的工序進(jìn)行圖案化。首先，在〔柵極絕緣膜/第1半導(dǎo)體層/溝道保護(hù)層形成工序〕中，通過(guò)CVD法按順序連續(xù)形成柵極絕緣膜對(duì)、用于形成溝道層25的非晶硅層、用于形成溝道保護(hù)層101的氮化硅層，使其覆蓋掃描電極12和掃描配線22。至此與上述說(shuō)明相同。然后，在用于形成上述溝道保護(hù)層101的氮化硅層上通過(guò)旋涂法涂敷抗蝕劑，進(jìn)行半曝光，在溝道層25和溝道保護(hù)層101的形成區(qū)域上形成具有2級(jí)厚度的未圖示的抗蝕劑圖案(半色調(diào)(halftone)掩模)。此時(shí)，使溝道保護(hù)層101的形成區(qū)域中的抗蝕劑圖案的膜厚比溝道層25的形成區(qū)域中的抗蝕劑圖案的膜厚薄。然后，將上述抗蝕劑圖案作為掩模，對(duì)上述氮化硅層和非晶硅層一起進(jìn)行蝕刻，由此在溝道層25和溝道保護(hù)層101的形成區(qū)域?qū)ψ鳛檫@些溝道層25和溝道保護(hù)層101的根基的氮化硅層和非晶硅層進(jìn)行圖案形成。也就是說(shuō)，得到通過(guò)以上述抗蝕劑圖案為掩模的蝕刻對(duì)溝道層25進(jìn)行圖案形成，并且在上述溝道層25上層疊用于形成溝道保護(hù)層101的氮化硅層的結(jié)構(gòu)。然后，進(jìn)行灰化(例如&灰化)，除去上述抗蝕劑圖案的2級(jí)膜厚中的膜厚薄的部分的抗蝕劑圖案。這樣，將通過(guò)灰化后退而保留的抗蝕劑圖案(也就是說(shuō)，灰化前的抗蝕劑圖案的2級(jí)膜厚中的膜厚厚的部分的抗蝕劑圖案)作為掩模，蝕刻保留在溝道層25上的氮化硅層，由此對(duì)溝道保護(hù)層101進(jìn)行圖案形成。這樣，根據(jù)上述方法，如圖16(b)所示，能通過(guò)1次光刻形成圖案不同的溝道層25 和溝道保護(hù)層101。另外，在本實(shí)施方式中，舉例說(shuō)明了除去第2半導(dǎo)體層32的情況，但是如上所述， 本實(shí)施方式不限于此?！矊?shí)施方式8〕根據(jù)圖17(a) (f)如下說(shuō)明本發(fā)明的其它實(shí)施方式。此外，在本實(shí)施方式中，主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1的不同點(diǎn)，對(duì)具有與上述實(shí)施方式1同樣的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號(hào)，省略其說(shuō)明。圖17(a) (f)是按順序示出上述有源矩陣基板20的制造工序的上述有源矩陣基板20的截面圖。此外，圖17(a) (f)將掃描配線連接部50的截面以及像素10的TFTll 附近的截面分別作為各工序結(jié)束時(shí)刻的上述有源矩陣基板20的非顯示區(qū)域42和顯示區(qū)域 41的截面，在左右并排表示。首先，參照?qǐng)D17(f)如下說(shuō)明構(gòu)成上述有源矩陣基板20的各層。此外，在本實(shí)施方式中，與上述實(shí)施方式1同樣，舉例說(shuō)明了將掃描配線連接部50 作為連接部44，但是掃描配線連接部50、掃描配線22、掃描端子51、掃描電極12能分別改名為信號(hào)配線連接部60、連接配線62、信號(hào)端子61、信號(hào)電極13。本實(shí)施方式的有源矩陣基板20具有COA(Color filter on array 陣列上彩色濾光片)結(jié)構(gòu)。如圖17(f)所示，本實(shí)施方式的有源矩陣基板20具有如下構(gòu)成在顯示區(qū)域 41中，在玻璃基板21上按順序?qū)盈B有掃描電極12等第1金屬配線層(柵極金屬層)、柵極絕緣膜對(duì)、溝道層25、電極接觸層沈、信號(hào)電極13和漏極電極14等第2金屬配線層(源極金屬層)、保護(hù)膜觀、黑矩陣112和彩色濾光片層111、層間絕緣膜四、像素電極30、根據(jù)需要設(shè)置的取向膜(未圖示)。另一方面，上述有源矩陣基板20具有如下構(gòu)成在掃描配線連接部50中，在玻璃基板21上按順序?qū)盈B有掃描配線22、柵極絕緣膜24、第1半導(dǎo)體層31、保護(hù)膜觀、黑矩陣 112和彩色濾光片層111、層間絕緣膜四、透明電極33。在上述掃描配線22的端部，通過(guò)在上述掃描配線22上直接層疊透明電極33來(lái)形成端子部55。此外，在本實(shí)施方式中，上述掃描配線22具有在下層掃描配線2 上設(shè)有上層掃描配線22b的構(gòu)成。在此，如上述實(shí)施方式1記載的那樣，上述掃描配線22不限于此。在本實(shí)施方式中，如上所述，上述本實(shí)施方式的有源矩陣基板20除了在保護(hù)膜觀與層間絕緣膜四之間設(shè)有包括有機(jī)絕緣膜的黑矩陣112和彩色濾光片層111以外，具有與上述實(shí)施方式1的有源矩陣基板20同樣的構(gòu)成。下面參照?qǐng)D17(a) (f)說(shuō)明本實(shí)施方式的上述有源矩陣基板20的制造方法。此夕卜，在以下的制造例中，各層的厚度等條件只要沒(méi)有特別提到就與上述實(shí)施方式1同樣。〔掃描配線/柵極絕緣膜/半導(dǎo)體層/信號(hào)配線形成工序〕圖17(a) (c)所示的工序與實(shí)施方式1中用圖6 (a) (c)示出的工序相同。因此，在本實(shí)施方式中，省略其說(shuō)明?！脖Ｗo(hù)膜/黑矩陣和彩色濾光片層形成工序〕在本工序中，首先，如圖17(d)所示，通過(guò)CVD法在上述柵極絕緣膜M上形成氮化硅(SiNx)膜作為保護(hù)膜觀，使其覆蓋上述信號(hào)配線27、信號(hào)電極13、漏極電極14。至此的工序與上述實(shí)施方式1相同。然后，在上述氮化硅膜上通過(guò)旋涂法等按各種顏色中的每種顏色形成包括著色為各種顏色的感光性樹(shù)脂材料的彩色濾光片材料和黑矩陣材料，通過(guò)光刻進(jìn)行圖案化，由此形成黑矩陣112和紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的彩色濾光片層111。此外，在本工序中沒(méi)有特別限定，優(yōu)選以100 700nm的厚度形成氮化硅膜。另夕卜，優(yōu)選以500nm 5000nm的厚度形成黑矩陣112，以500nm 5000nm的厚度形成彩色濾光片層111。〔層間絕緣膜形成工序〕在本工序中，通過(guò)旋涂法等在上述黑矩陣112和彩色濾光片層111上形成包括感光性樹(shù)脂材料的層間絕緣膜材料，然后，通過(guò)光刻進(jìn)行圖案化后，進(jìn)行干式蝕刻。由此，對(duì)包括上述層間絕緣膜材料的層間絕緣膜四進(jìn)行圖案形成。此時(shí)，通過(guò)以上述層間絕緣膜四為掩模的干式蝕刻，雖未圖示，在像素10中，除去保護(hù)膜觀中的未被遮住的部分，露出信號(hào)電極13和漏極電極14。另一方面，在連接部44中，如圖17 (e)所示，通過(guò)以上述層間絕緣膜四為掩模的干式蝕刻，除去黑矩陣112和彩色濾光片層111、作為引出配線的掃描配線22上的柵極絕緣膜M和保護(hù)膜觀中的未被遮住部分。由此，露出端子部55及其附近的掃描配線22。此時(shí)，如圖17(e)所示，在掃描配線連接部50，在延長(zhǎng)層間絕緣膜四的端面^a 時(shí)，在該端面^a與掃描配線22交叉的位置配置有第1半導(dǎo)體層31。因此，該第1半導(dǎo)體層31發(fā)揮干式蝕刻時(shí)的掩模的作用。其結(jié)果是，如圖17(e)所示，第1半導(dǎo)體層31的一部分以及柵極絕緣膜M的一部分為從層間絕緣膜四的端面29a延伸的結(jié)構(gòu)。此外，在本實(shí)施方式中，上述層間絕緣膜四只要形成為能補(bǔ)償上述有源矩陣基板 20中的各金屬配線、TFT11、彩色濾光片層111和黑矩陣112造成的凹凸的厚度即可，沒(méi)有特別限定。例如以0. 5 μ m 5 μ m的厚度形成上述層間絕緣膜29。另外，彩色濾光片層111和黑矩陣112只要由對(duì)工序具有耐性的材料形成即可，也能用圖案化了的彩色濾光片層111 來(lái)代替上述層間絕緣膜四?！餐该鲗?dǎo)電膜形成工序〕本工序的工序自身與實(shí)施方式1中用圖6(e)示出的工序相同。在本工序中，通過(guò)濺射法將包括ITO的透明導(dǎo)電膜形成于形成有上述層間絕緣膜四的玻璃基板21的上表面整個(gè)面。然后，在該透明導(dǎo)電膜上通過(guò)光刻形成抗蝕劑圖案。然后，進(jìn)行濕式蝕刻，對(duì)上述透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化后，對(duì)上述抗蝕劑圖案進(jìn)行剝離清洗。由此，如圖17(f)所示，在各像素10形成包括上述透明導(dǎo)電膜的像素電極30。另夕卜，在掃描配線連接部50形成包括上述透明導(dǎo)電膜的透明電極33，使其覆蓋層間絕緣膜四上和層間絕緣膜四的端面^a、黑矩陣112的端面11 和彩色濾光片層111的端面(未圖示)、保護(hù)膜觀的端面、第1半導(dǎo)體層31上及其端面31a、柵極絕緣膜M的端面Ma 以及露出的掃描配線22上。如上所述，在露出的掃描配線22上形成上述透明電極33，由此能在上述掃描配線 22的端部形成掃描端子51 (端子電極)?！踩∠蚰ば纬晒ば颉匙詈螅c實(shí)施方式1同樣，根據(jù)需要，在上述有源矩陣基板20的表面(與相對(duì)基板 80相對(duì)的面)形成未圖示的取向膜。由此，能制造本實(shí)施方式的有源矩陣基板20。此外，在本實(shí)施方式中，舉例說(shuō)明了除去第2半導(dǎo)體層32的情況，但是如上所述， 本實(shí)施方式不限于此?！矊?shí)施方式9〕根據(jù)圖18(a) (f)如下說(shuō)明本發(fā)明的其它實(shí)施方式。此外，在本實(shí)施方式中，主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1的不同點(diǎn)，對(duì)具有與上述實(shí)施方式1同樣的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號(hào)，省略其說(shuō)明。圖18(a) (f)是按順序示出上述有源矩陣基板20的制造工序的上述有源矩陣基板20的截面圖。此外，圖18(a) (f)分別將掃描配線連接部50的截面以及像素10的 TFTll附近的截面作為各工序結(jié)束時(shí)刻的上述有源矩陣基板20的非顯示區(qū)域42和顯示區(qū)域41的截面，在左右并排表示。首先，參照?qǐng)D18(f)如下說(shuō)明構(gòu)成上述有源矩陣基板20的各層。此外，在本實(shí)施方式中，與上述實(shí)施方式1同樣，舉例說(shuō)明掃描配線連接部50作為連接部44，但是掃描配線連接部50、掃描配線22、掃描端子51、掃描電極12能分別改名為信號(hào)配線連接部60、連接配線62、信號(hào)端子61、信號(hào)電極13。如圖18(f)所示，本實(shí)施方式的有源矩陣基板20具有如下構(gòu)成在顯示區(qū)域41 中，在玻璃基板21上按順序設(shè)有掃描電極12等第1金屬配線層(柵極金屬層)、柵極絕緣膜對(duì)、溝道層25、電極接觸層26、信號(hào)電極13和漏極電極14等第2金屬配線層(源極金屬層)、保護(hù)膜觀、層間絕緣膜四、像素電極30、根據(jù)需要設(shè)置的取向膜(未圖示)。 在本實(shí)施方式的有源矩陣基板20中，在顯示區(qū)域41中的第2金屬配線層之下，在顯示區(qū)域41整體上形成作為溝道層25和電極接觸層沈的雙層的半導(dǎo)體層，這一點(diǎn)與上述實(shí)施方式1的有源矩陣基板20不同。此外，在本實(shí)施方式中，上述有源矩陣基板20的掃描配線連接部50的構(gòu)成與實(shí)施方式1的有源矩陣基板20的掃描配線連接部50的構(gòu)成相同。上述有源矩陣基板20具有如下構(gòu)成在掃描配線連接部50中，在玻璃基板21上按順序?qū)盈B有掃描配線22、柵極絕緣膜24、第1半導(dǎo)體層31、保護(hù)膜觀、層間絕緣膜四、透明電極33。另外，在上述掃描配線22 的端部，通過(guò)在上述掃描配線22上直接層疊透明電極33來(lái)形成有端子部55。此外，在本實(shí)施方式中，上述掃描配線22具有在下層掃描配線2 上設(shè)有上層掃描配線22b的構(gòu)成。在此，如上述實(shí)施方式1記載的那樣，上述掃描配線22不限于此。下面參照?qǐng)D18(a) (f)說(shuō)明本實(shí)施方式的上述有源矩陣基板20的制造方法。此夕卜，以下的制造例中，各層的厚度等條件只要沒(méi)有特別提到就與實(shí)施方式1同樣。〔掃描配線形成工序〕圖18(a)所示的工序與上述實(shí)施方式1中用圖6 (a)示出的工序相同。因此，在本實(shí)施方式中，省略其說(shuō)明?！矕艠O絕緣膜/半導(dǎo)體層/信號(hào)配線形成工序〕在本工序中，如圖18(b)所示，首先，通過(guò)CVD法形成包括氮化硅(SiNx)的柵極絕緣膜24(無(wú)機(jī)絕緣膜)，使其覆蓋上述掃描電極12和掃描配線22。接下來(lái)，在上述柵極絕緣膜M上，作為半導(dǎo)體層形成非晶硅層121、高濃度摻雜有 η型雜質(zhì)的n+非晶硅層122。然后，在上述η+非晶硅層122上通過(guò)濺射法按順序連續(xù)形成包括Ti的導(dǎo)電膜123、 包括Cu的導(dǎo)電膜124。接著，在上述導(dǎo)電膜IM上通過(guò)旋涂法涂敷抗蝕劑，進(jìn)行半曝光，僅在必要的部分保留抗蝕劑，并且使厚度部分地變薄，由此形成具有2級(jí)厚度的抗蝕劑圖案125 (半色調(diào)掩模)。
具體地說(shuō)，如圖18(b)所示，通過(guò)上述半曝光，使溝道部以及保留第1半導(dǎo)體層31 的部分的抗蝕劑圖案125的膜厚比最終成為第2金屬配線層(例如信號(hào)電極13、漏極電極 14、信號(hào)配線27、漏極配線15、中間電極16等)的部分的抗蝕劑圖案125的膜厚薄。另外， 除去其它的部分(即，通過(guò)繼續(xù)進(jìn)行的蝕刻除去上述導(dǎo)電膜123、124的部分)的抗蝕劑。然后，將上述抗蝕劑圖案125作為掩模進(jìn)行蝕刻，由此對(duì)上述導(dǎo)電膜123、1M進(jìn)行圖案化，并且對(duì)包括上述非晶硅層121的溝道層25和第1半導(dǎo)體層31以及包括上述η+非晶硅層122的電極接觸層沈和第2半導(dǎo)體層32進(jìn)行圖案形成。接下來(lái)，進(jìn)行&灰化，除去抗蝕劑圖案125的2級(jí)膜厚中的膜厚薄的部分的抗蝕劑圖案口5。接下來(lái)，將保留的抗蝕劑圖案125(也就是說(shuō)，O2灰化前的抗蝕劑圖案125的2級(jí)膜厚中的膜厚厚的部分的抗蝕劑圖案12 作為掩模對(duì)上述導(dǎo)電膜123、1M進(jìn)行濕式蝕刻。 由此，如圖18(c)所示，形成包括上述導(dǎo)電膜123、124的信號(hào)電極13和漏極電極14(圖案分離)，并且除去掃描配線連接部50的導(dǎo)電膜123、124。然后，如圖18(d)所示，通過(guò)干式蝕刻對(duì)作為溝道部的區(qū)域的電極接觸層沈進(jìn)行除去(溝道蝕刻)，并且全面除去第2半導(dǎo)體層32。此外，此時(shí)，通過(guò)蝕刻成為上述溝道部的區(qū)域的溝道層25的表面來(lái)調(diào)整厚度作為溝道部。然后，如圖18(d)所示，對(duì)上述抗蝕劑圖案進(jìn)行剝離清洗。由此，形成TFT11。其結(jié)果是，在顯示區(qū)域41中的第2金屬配線層之下，涵蓋顯示區(qū)域41整體，保留成為溝道層25和電極接觸層沈的雙層的半導(dǎo)體層。在本工序中，沒(méi)有特別限定，優(yōu)選以200 500nm的厚度形成構(gòu)成上述柵極絕緣膜 24的氮化硅膜。另外，優(yōu)選以30 300nm的厚度形成構(gòu)成上述溝道層25和第1半導(dǎo)體層 31的非晶硅層，優(yōu)選以20 150nm的厚度形成構(gòu)成電極接觸層沈和第2半導(dǎo)體層的η+非晶硅層。另外，優(yōu)選以20 150nm的厚度形成包括Ti的導(dǎo)電膜123，以200 500nm的厚度形成包括Cu的導(dǎo)電膜124。此外，在本制造例中，舉例說(shuō)明了包括信號(hào)電極13的第2金屬配線層(源極金屬層)具有作為上層金屬配線/下層金屬配線的Ti/Cu的層疊結(jié)構(gòu)(雙層結(jié)構(gòu))的情況。然而，與第1金屬配線層(柵極金屬層)同樣，本發(fā)明不限于此?！脖Ｗo(hù)膜/層間絕緣膜形成工序〕本工序的工序自身與實(shí)施方式1中用圖6(d)示出的工序相同。如圖18(e)所示， 在本工序中，首先，通過(guò)CVD法在上述柵極絕緣膜M上形成氮化硅(SiNx)膜作為保護(hù)膜 28，使其覆蓋包括上述第2金屬配線層的信號(hào)配線27、信號(hào)電極13、漏極電極14。然后，在上述氮化硅膜上，通過(guò)旋涂法等形成包括感光性樹(shù)脂材料的層間絕緣膜材料，然后，通過(guò)光刻進(jìn)行圖案化后，進(jìn)行干式蝕刻。由此，對(duì)包括上述氮化硅膜的保護(hù)膜觀和包括上述層間絕緣膜材料的層間絕緣膜四進(jìn)行圖案形成。此時(shí)，通過(guò)以上述層間絕緣膜四為掩模的干式蝕刻，雖未圖示，在像素10中，保護(hù)膜觀中的未被遮住的部分被除去，露出信號(hào)電極13和漏極電極14。另一方面，在掃描配線連接部50，如圖18 (e)所示，通過(guò)以上述層間絕緣膜四為掩模的干式蝕刻，除去作為引出配線的掃描配線22上的柵極絕緣膜M和保護(hù)膜觀中的未被遮住的部分。由此，露出端子部55 (掃描端子51及其附近)的掃描配線22。
此時(shí)，如圖18 (e)所示，在掃描配線連接部50，與實(shí)施方式1相同，在延長(zhǎng)層間絕緣膜四的端面^a時(shí)，在該端面^a與掃描配線22交叉的位置配置有第1半導(dǎo)體層31。因此，該第1半導(dǎo)體層31在干式蝕刻時(shí)發(fā)揮掩模的作用。其結(jié)果是，如圖18(e)所示，第1半導(dǎo)體層31的一部分以及柵極絕緣膜M的一部分為從層間絕緣膜四的端面29a延伸的結(jié)構(gòu)?！餐该鲗?dǎo)電膜形成工序〕本工序的工序自身與實(shí)施方式1中用圖6(e)示出的工序相同。在本工序中，通過(guò)濺射法將包括ITO的透明導(dǎo)電膜形成于形成有上述層間絕緣膜四的玻璃基板21的上表面整個(gè)面。然后，在該透明導(dǎo)電膜上通過(guò)光刻形成抗蝕劑圖案。然后，進(jìn)行濕式蝕刻，對(duì)上述透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化后，對(duì)上述抗蝕劑圖案進(jìn)行剝離清洗。由此，如圖18(f)所示，在各像素10中形成包括上述透明導(dǎo)電膜的像素電極30。 另外，在掃描配線連接部50形成包括上述透明導(dǎo)電膜的透明電極33，使其覆蓋層間絕緣膜 29上和層間絕緣膜四的端面^a、保護(hù)膜觀的端面、第1半導(dǎo)體層31上及其端面31a、 柵極絕緣膜M的端面Ma以及露出的掃描配線22上。如上所述，在露出的掃描配線22上形成上述透明電極33，由此在上述掃描配線22 的端部形成掃描端子51 (端子電極)?！踩∠蚰ば纬晒ば颉匙詈螅c實(shí)施方式1同樣，根據(jù)需要在上述有源矩陣基板20的表面(與相對(duì)基板 80相對(duì)的面)形成未圖示的取向膜。由此，能制造本實(shí)施方式的有源矩陣基板20。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，用半色調(diào)掩模一起進(jìn)行第2金屬配線(源極金屬層) 和半導(dǎo)體層的蝕刻，由此能減少掩模個(gè)數(shù)。因此，使用了半色調(diào)掩模的第2金屬配線和半導(dǎo)體層的蝕刻技術(shù)在如上所述在連接部44 (例如上述掃描配線連接部50)保留半導(dǎo)體層的情況下，作為掩模個(gè)數(shù)減少工藝而適用。此外，在本實(shí)施方式中，舉例說(shuō)明了除去第2半導(dǎo)體層32的情況，但是如上所述， 本實(shí)施方式不限于此。另外，在本實(shí)施方式中，舉例說(shuō)明了對(duì)抗蝕劑圖案125進(jìn)行&灰化后，將保留的抗蝕劑圖案125作為掩模對(duì)導(dǎo)電膜123、IM進(jìn)行濕式蝕刻，由此形成包括上述導(dǎo)電膜123、124 的信號(hào)電極13和漏極電極14 (圖案分離)，并且除去掃描配線連接部50的導(dǎo)電膜123、124 的情況。然而，本實(shí)施方式不限于此。例如，也可以在對(duì)抗蝕劑圖案125進(jìn)行O2灰化后，將保留的抗蝕劑圖案125作為掩模進(jìn)行干式蝕刻，由此連續(xù)進(jìn)行上述導(dǎo)電膜123、1M的蝕刻、 成為溝道部的區(qū)域的電極接觸層沈和第2半導(dǎo)體層32的蝕刻(除去)以及成為溝道部的區(qū)域的溝道層25的表面的蝕刻。此外，在上述各實(shí)施方式中，作為本發(fā)明的配線基板(元件基板)，舉例說(shuō)明了如上所述具備三端子元件即TFTll作為驅(qū)動(dòng)元件的有源矩陣基板20。然而，本發(fā)明不限于此。如上所述，本發(fā)明的特征在于配線連接部或與外部設(shè)備的連接部等連接部的結(jié)構(gòu)及其制造方法。因此，本發(fā)明在絕緣性基材上設(shè)有金屬配線、覆蓋金屬配線的無(wú)機(jī)絕緣膜、覆蓋無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜、形成在有機(jī)絕緣膜上的導(dǎo)電膜，能應(yīng)頁(yè)
用于在上述金屬配線中設(shè)有不隔著無(wú)機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜而直接層疊有上述導(dǎo)電膜的區(qū)域的全體配線基板。如上所述，上述配線基板不限于液晶面板和液晶顯示裝置，例如能應(yīng)用于以有機(jī) EL或者無(wú)機(jī)EL為顯示介質(zhì)的顯示面板和顯示裝置。另外，作為上述顯示裝置，除了筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜電話機(jī)、電子記事本、 TV(電視)接收機(jī)以外，也能適用于電泳裝置中的顯示裝置等。而且，作為組裝了上述顯示裝置的電子設(shè)備，不限于便攜電話機(jī)、電子記事本、TV 接收機(jī)、電泳裝置，能舉出計(jì)算器、IC卡、迷你盤(pán)播放器、戶(hù)外用的公共布告欄、PDA等移動(dòng)設(shè)備等各種電子設(shè)備。如上所述，本發(fā)明的配線基板具有以下構(gòu)成在絕緣性基材上設(shè)有金屬配線；覆蓋金屬配線的無(wú)機(jī)絕緣膜；覆蓋無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜；以及形成在有機(jī)絕緣膜上的導(dǎo)電膜。在上述金屬配線中，設(shè)有不隔著無(wú)機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜而直接層疊有上述導(dǎo)電膜的區(qū)域。另外，上述導(dǎo)電膜覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和無(wú)機(jī)絕緣膜的端面，延伸配置于上述區(qū)域，與上述區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面比與上述區(qū)域相對(duì)的無(wú)機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)離上述區(qū)域。在上述配線基板中，優(yōu)選在上述有機(jī)絕緣膜的端面與無(wú)機(jī)絕緣膜之間設(shè)有耐蝕刻性比上述無(wú)機(jī)絕緣膜高的掩模層。例如，在上述配線基板中，優(yōu)選具備驅(qū)動(dòng)元件，所述驅(qū)動(dòng)元件具備半導(dǎo)體層，在與上述區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面與無(wú)機(jī)絕緣膜之間設(shè)有與上述半導(dǎo)體層設(shè)于同一層的半導(dǎo)體層。上述半導(dǎo)體層設(shè)于與上述區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面和無(wú)機(jī)絕緣膜之間，因此在上述無(wú)機(jī)絕緣膜的干式蝕刻中發(fā)揮掩模層的功能。因此，具有上述構(gòu)成的配線基板在無(wú)機(jī)絕緣膜的干式蝕刻中能保留上述半導(dǎo)體層或設(shè)有掩模層的部分的無(wú)機(jī)絕緣膜。另外，根據(jù)上述構(gòu)成，覆蓋上述無(wú)機(jī)絕緣膜的端面的部分的導(dǎo)電膜致密。因此，提高了促進(jìn)腐蝕成分的侵入、迂回進(jìn)入的防止效果。另外，上述半導(dǎo)體層和掩模層其自身將上述缺陷到其下層的無(wú)機(jī)絕緣膜與上述導(dǎo)電膜接觸的部分之間的距離保持為較大，并且形成臺(tái)階。因此，根據(jù)上述構(gòu)成，能更可靠地防止促進(jìn)腐蝕成分的侵入、迂回進(jìn)入。另外，能使上述導(dǎo)電膜所跨越的臺(tái)階分級(jí)。另外，優(yōu)選上述區(qū)域是用于與外部設(shè)備連接的端子部，上述半導(dǎo)體層延伸配置到設(shè)于上述區(qū)域中的導(dǎo)電膜上的與外部設(shè)備的粘接層的形成區(qū)域。根據(jù)上述構(gòu)成，能相對(duì)于外部空氣保護(hù)使覆蓋上述金屬配線與導(dǎo)電膜接觸的部位以及上述無(wú)機(jī)絕緣膜的端面與金屬配線接觸的部分的導(dǎo)電膜。特別是，在將上述配線基板用于顯示面板的情況下，覆蓋上述金屬配線和導(dǎo)電膜接觸的部位以及上述無(wú)機(jī)絕緣膜的端面和金屬配線接觸的部分的導(dǎo)電膜全部納入密封劑的內(nèi)側(cè)或者上述粘接層之下，由此不會(huì)暴露于外部空氣。因此，能進(jìn)一步提高可靠性。另外，優(yōu)選上述金屬配線含有銅或者其合金。由此，能使上述金屬配線的電阻變小。本發(fā)明的顯示面板具備上述配線基板。另外，本發(fā)明的顯示裝置具備上述顯示面板。
優(yōu)選在上述顯示面板中，上述配線基板和具有比上述配線基板小的面積的相對(duì)基板隔著密封劑貼合，上述區(qū)域設(shè)于由上述密封劑包圍的區(qū)域的外側(cè)。由密封劑包圍的區(qū)域的外側(cè)暴露于外部空氣，因此促進(jìn)腐蝕成分容易侵入。因此， 將本發(fā)明應(yīng)用于上述區(qū)域設(shè)于由密封劑包圍的區(qū)域的外側(cè)的顯示面板，由此能解決腐蝕的問(wèn)題。由此，能防止由覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面的透明導(dǎo)電膜的缺陷引起的金屬電極的腐蝕，能提供耐腐蝕性良好的顯示裝置。另外，如上所述，本發(fā)明的配線基板的第1制造方法包括金屬配線形成工序，在絕緣性基材上形成金屬配線；無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述金屬配線的無(wú)機(jī)絕緣膜； 有機(jī)絕緣膜形成工序，對(duì)覆蓋上述無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成；無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序，將上述有機(jī)絕緣膜作為掩模對(duì)上述無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化，使上述金屬配線的一部分露出；以及導(dǎo)電膜形成工序，在上述有機(jī)絕緣膜上以覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和無(wú)機(jī)絕緣膜的端面、與露出的金屬配線相接的方式形成導(dǎo)電膜，在上述無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序和有機(jī)絕緣膜形成工序之間具備以下掩模層形成工序在上述無(wú)機(jī)絕緣膜上以與上述金屬配線重疊的方式形成發(fā)揮上述無(wú)機(jī)絕緣膜的圖案化時(shí)的掩模的功能的掩模層，在上述有機(jī)絕緣膜形成工序中，以上述有機(jī)絕緣膜的端面位于上述掩模層上的方式對(duì)上述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成，并且在上述無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序中，將上述有機(jī)絕緣膜和掩模層作為掩模對(duì)上述無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化，由此使上述金屬配線露出，相對(duì)于上述金屬配線露出的區(qū)域，使與該區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)于與上述區(qū)域相對(duì)的無(wú)機(jī)絕緣膜的端面。另外，如上所述，本發(fā)明的配線基板的第2制造方法具備金屬配線形成工序，在絕緣性基材上形成金屬配線；無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述金屬配線的無(wú)機(jī)絕緣膜； 有機(jī)絕緣膜形成工序，對(duì)覆蓋上述無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成；無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序，將上述有機(jī)絕緣膜作為掩模對(duì)上述無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化，使上述金屬配線的一部分露出；以及導(dǎo)電膜形成工序，在上述有機(jī)絕緣膜上以覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和無(wú)機(jī)絕緣膜的端面、與露出的金屬配線相接的方式形成導(dǎo)電膜，在上述無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序和導(dǎo)電膜形成工序之間具備以下有機(jī)絕緣膜部分除去工序蝕刻(例如灰化或者兼用了有機(jī)絕緣膜形成時(shí)的半曝光的灰化)覆蓋上述無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜，使上述金屬配線露出，相對(duì)于上述金屬配線露出的區(qū)域，使與該區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)于與上述區(qū)域相對(duì)的無(wú)機(jī)絕緣膜的端面。另外，如上所述，本發(fā)明的配線基板的第3制造方法具備第1金屬配線形成工序， 在絕緣性基材上形成第1金屬配線；第1無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述第1金屬配線的第1無(wú)機(jī)絕緣膜；第2金屬配線形成工序，在上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜上形成第2金屬配線； 第2無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述第2金屬配線的第2無(wú)機(jī)絕緣膜；有機(jī)絕緣膜形成工序，對(duì)覆蓋上述第2無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成；無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序，將上述有機(jī)絕緣膜作為掩模對(duì)上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化來(lái)形成開(kāi)口部，由此在該開(kāi)口部?jī)?nèi)使上述第1金屬配線和第2金屬配線的一部分露出；以及導(dǎo)電膜形成工序，在上述有機(jī)絕緣膜上以覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜的端面、與露出的第1金屬配線和第2金屬配線分別相接的方式形成導(dǎo)電膜，在上述無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序和導(dǎo)電膜形成工序之間具備以下有機(jī)絕緣膜部分除去工序蝕刻(例如灰化或者兼用了有機(jī)絕緣膜形成時(shí)的半曝光的灰化)覆蓋上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第 2無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜，使上述第1金屬配線和第2金屬配線露出，相對(duì)于上述第1金屬配線和第2金屬配線露出的區(qū)域，使與該區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)于與上述區(qū)域相對(duì)的第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜的端面。另外，如上所述，本發(fā)明的配線基板的第4制造方法具備第1金屬配線形成工序， 在絕緣性基材上形成第1金屬配線；第1無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述第1金屬配線的第1無(wú)機(jī)絕緣膜；第2金屬配線形成工序，在上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜上形成第2金屬配線； 第2無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述第2金屬配線的第2無(wú)機(jī)絕緣膜；有機(jī)絕緣膜形成工序，對(duì)覆蓋上述第2無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成；無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序，將上述有機(jī)絕緣膜作為掩模對(duì)上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化來(lái)形成開(kāi)口部，由此在該開(kāi)口部?jī)?nèi)使上述第1金屬配線和第2金屬配線的一部分露出；以及導(dǎo)電膜形成工序，在上述有機(jī)絕緣膜上以覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜的端面、與露出的第1金屬配線和第2金屬配線分別相接的方式形成導(dǎo)電膜，在上述第1金屬配線形成工序和第1無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序之間具備以下掩模層形成工序在上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜上以與上述第1金屬配線重疊的方式形成發(fā)揮上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜的圖案化時(shí)的掩模的功能的掩模層，在上述有機(jī)絕緣膜形成工序中，以上述有機(jī)絕緣膜的端面位于上述掩模層上的方式對(duì)上述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成，并且在上述無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序中將上述有機(jī)絕緣膜和掩模層作為掩模對(duì)上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化，由此使上述第1金屬配線露出，相對(duì)于上述第1金屬配線露出的區(qū)域，使與該區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)于與上述區(qū)域相對(duì)的第1無(wú)機(jī)絕緣膜的端面。此外，上述配線基板的第4制造方法優(yōu)選在上述無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序和導(dǎo)電膜形成工序之間還具備以下有機(jī)絕緣膜部分除去工序?qū)Ω采w上述第2無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜進(jìn)行蝕刻或者半曝光，使上述第2金屬配線露出，相對(duì)于上述第2金屬配線露出的區(qū)域，使與該區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)于與該區(qū)域相對(duì)的第2無(wú)機(jī)絕緣膜的端面。能利用上述各制造方法來(lái)制造上述本發(fā)明的配線基板。此外，如上所述，在上述區(qū)域是與第1金屬配線層和第2金屬配線層的連接區(qū)域的情況下，在將上述區(qū)域形成于密封劑的內(nèi)部的情況下，與將上述區(qū)域設(shè)于密封劑的外部的情況相比，腐蝕的可能性變低。因此，在這種情況下，如上所述，也可以是利用掩模層僅防止第1金屬配線層的腐蝕的結(jié)構(gòu)。 然而，在更可靠地進(jìn)行腐蝕的防止的情況下，或?qū)⑸鲜鰠^(qū)域設(shè)于密封劑的外部的情況下等， 優(yōu)選如下結(jié)構(gòu)除了形成上述掩模層以外，進(jìn)行上述有機(jī)絕緣膜的蝕刻(例如灰化或者兼用了有機(jī)絕緣膜形成時(shí)的半曝光的灰化)，能進(jìn)一步防止第2金屬配線層的腐蝕。此外，本發(fā)明不限于上述各實(shí)施方式，能在權(quán)利要求所示的范圍中進(jìn)行各種變更。 艮口，將在權(quán)利要求所示的范圍中適當(dāng)?shù)刈兏募夹g(shù)方案適當(dāng)?shù)亟M合而得到的實(shí)施方式也包含于本發(fā)明的技術(shù)范圍。工業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，能得到耐腐蝕性良好的配線基板、顯示面板和顯示裝置。上述配線基板、顯示面板和顯示裝置不限于需要耐腐蝕性的便攜電話機(jī)、電子記事本、TV接收機(jī)、電泳裝置，能適用于計(jì)算器、IC卡、迷你盤(pán)播放器、戶(hù)外用的公共布告欄、PDA等移動(dòng)設(shè)備等各種電子設(shè)備。
附圖標(biāo)記說(shuō)明1液晶顯示裝置2液晶面板3控制電路4掃描配線驅(qū)動(dòng)電路(外部電路)5信號(hào)配線驅(qū)動(dòng)電路(外部電路)6輔助電容配線驅(qū)動(dòng)電路(外部電路)10像素11TFT (驅(qū)動(dòng)元件)12掃描電極12a下層掃描電極12b上層掃描電極13信號(hào)電極13a下層信號(hào)電極13b上層信號(hào)電極14漏極電極14a下層漏極電極14b上層漏極電極15漏極配線16中間電極17接觸孔20有源矩陣基板(配線基板)21玻璃基板22掃描配線(金屬配線)22a下層掃描配線(金屬配線)22b上層掃描配線(金屬配線)23輔助電容配線24柵極絕緣膜(無(wú)機(jī)絕緣膜)24a端面25溝道層(半導(dǎo)體層)26電極接觸層(半導(dǎo)體層)27信號(hào)配線(金屬配線)27a下層信號(hào)配線(金屬配線)27b上層信號(hào)配線(金屬配線)27c端面27d端面28保護(hù)膜(無(wú)機(jī)絕緣膜)28a端面29層間絕緣膜(有機(jī)絕緣膜)
29a端面30像素電極31第1半導(dǎo)體層(半導(dǎo)體層)31a端面32第2半導(dǎo)體層(半導(dǎo)體層)32a端面33透明電極(導(dǎo)電膜)33a缺陷41顯示區(qū)域42非顯示區(qū)域43密封部44連接部20矩陣基板50掃描配線連接部51掃描端子55端子部(區(qū)域)60信號(hào)配線連接部61信號(hào)端子62連接配線(金屬配線)62a下層連接配線(金屬配線)62b上層連接配線(金屬配線)70配線連接部71接觸孔80相對(duì)基板81玻璃基板82彩色濾光片層83黑矩陣84相對(duì)電極91密封劑92液晶層93ACF (粘接層)101溝道保護(hù)層102非晶硅層111彩色濾光片層112黑矩陣112a端面121非晶硅層122n+非晶硅層123導(dǎo)電膜
124 導(dǎo)電膜125 抗蝕劑圖案
權(quán)利要求
1.一種配線基板，其特征在于，在絕緣性基材上設(shè)有金屬配線；覆蓋金屬配線的無(wú)機(jī)絕緣膜；覆蓋無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜；以及形成在有機(jī)絕緣膜上的導(dǎo)電膜，在上述金屬配線中設(shè)有不隔著無(wú)機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜而直接層疊有上述導(dǎo)電膜的區(qū)域，上述導(dǎo)電膜覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和無(wú)機(jī)絕緣膜的端面而延伸配置于上述區(qū)域， 與上述區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面比與上述區(qū)域相對(duì)的無(wú)機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)離上述區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于，在上述有機(jī)絕緣膜的端面與無(wú)機(jī)絕緣膜之間設(shè)有耐蝕刻性比上述無(wú)機(jī)絕緣膜高的掩模層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于， 具備驅(qū)動(dòng)元件，所述驅(qū)動(dòng)元件具備半導(dǎo)體層，在與上述區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面和無(wú)機(jī)絕緣膜之間設(shè)有與上述半導(dǎo)體層設(shè)于同一層的半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的配線基板，其特征在于，上述區(qū)域是用于與外部設(shè)備連接的端子部，上述半導(dǎo)體層延伸配置到設(shè)于上述區(qū)域的導(dǎo)電膜上的與外部設(shè)備的粘接層的形成區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任一項(xiàng)所述的配線基板，其特征在于， 上述金屬配線含有銅或者其合金。
6.一種顯示面板，其特征在于，具備權(quán)利要求1 5中的任一項(xiàng)所述的配線基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于，上述配線基板和具有比上述配線基板小的面積的相對(duì)基板隔著密封劑貼合， 上述區(qū)域設(shè)于由上述密封劑包圍的區(qū)域的外側(cè)。
8.一種顯示裝置，其特征在于， 具備權(quán)利要求6或者7所述的顯示面板。
9.一種配線基板的制造方法，其特征在于， 具備金屬配線形成工序，在絕緣性基材上形成金屬配線； 無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述金屬配線的無(wú)機(jī)絕緣膜； 有機(jī)絕緣膜形成工序，對(duì)覆蓋上述無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成； 無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序，將上述有機(jī)絕緣膜作為掩模對(duì)上述無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化， 使上述金屬配線的一部分露出；以及導(dǎo)電膜形成工序，在上述有機(jī)絕緣膜上以覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和無(wú)機(jī)絕緣膜的端面、與露出的金屬配線相接的方式形成導(dǎo)電膜，在上述無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序和有機(jī)絕緣膜形成工序之間具備以下掩模層形成工序在上述無(wú)機(jī)絕緣膜上以與上述金屬配線重疊的方式形成發(fā)揮上述無(wú)機(jī)絕緣膜的圖案化時(shí)的掩模的功能的掩模層，在上述有機(jī)絕緣膜形成工序中，以上述有機(jī)絕緣膜的端面位于上述掩模層上的方式對(duì)上述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成，并且在上述無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序中，將上述有機(jī)絕緣膜和掩模層作為掩模對(duì)上述無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化，由此使上述金屬配線露出，相對(duì)于上述金屬配線露出的區(qū)域，使與該區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)于與上述區(qū)域相對(duì)的無(wú)機(jī)絕緣膜的端面。
10.一種配線基板的制造方法，其特征在于， 具備金屬配線形成工序，在絕緣性基材上形成金屬配線； 無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述金屬配線的無(wú)機(jī)絕緣膜； 有機(jī)絕緣膜形成工序，對(duì)覆蓋上述無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成； 無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序，將上述有機(jī)絕緣膜作為掩模對(duì)上述無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化， 使上述金屬配線的一部分露出；以及導(dǎo)電膜形成工序，在上述有機(jī)絕緣膜上以覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和無(wú)機(jī)絕緣膜的端面、與露出的金屬配線相接的方式形成導(dǎo)電膜，在上述無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序和導(dǎo)電膜形成工序之間具備以下有機(jī)絕緣膜部分除去工序蝕刻覆蓋上述無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜，使上述金屬配線露出，相對(duì)于上述金屬配線露出的區(qū)域，使與該區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)于與上述區(qū)域相對(duì)的無(wú)機(jī)絕緣膜的端面。
11.一種配線基板的制造方法，其特征在于， 具備第1金屬配線形成工序，在絕緣性基材上形成第1金屬配線； 第1無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述第1金屬配線的第1無(wú)機(jī)絕緣膜； 第2金屬配線形成工序，在上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜上形成第2金屬配線； 第2無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述第2金屬配線的第2無(wú)機(jī)絕緣膜； 有機(jī)絕緣膜形成工序，對(duì)覆蓋上述第2無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成； 無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序，將上述有機(jī)絕緣膜作為掩模對(duì)上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化來(lái)形成開(kāi)口部，由此在該開(kāi)口部?jī)?nèi)使上述第1金屬配線和第2金屬配線的一部分露出；以及導(dǎo)電膜形成工序，在上述有機(jī)絕緣膜上以覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜的端面、與露出的第1金屬配線和第2金屬配線分別相接的方式形成導(dǎo)電膜，在上述無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序和導(dǎo)電膜形成工序之間具備以下有機(jī)絕緣膜部分除去工序蝕刻覆蓋上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜，使上述第1金屬配線和第2金屬配線露出，相對(duì)于上述第1金屬配線和第2金屬配線露出的區(qū)域，使與該區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)于與上述區(qū)域相對(duì)的第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜的端面。
12.一種配線基板的制造方法，其特征在于， 具備第1金屬配線形成工序，在絕緣性基材上形成第1金屬配線； 第1無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述第1金屬配線的第1無(wú)機(jī)絕緣膜；第2金屬配線形成工序，在上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜上形成第2金屬配線； 第2無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序，形成覆蓋上述第2金屬配線的第2無(wú)機(jī)絕緣膜； 有機(jī)絕緣膜形成工序，對(duì)覆蓋上述第2無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成； 無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序，將上述有機(jī)絕緣膜作為掩模對(duì)上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化來(lái)形成開(kāi)口部，由此在該開(kāi)口部?jī)?nèi)使上述第1金屬配線和第2金屬配線的一部分露出；以及導(dǎo)電膜形成工序，在上述有機(jī)絕緣膜上以覆蓋上述有機(jī)絕緣膜的端面和上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜的端面、與露出的第1金屬配線和第2金屬配線分別相接的方式形成導(dǎo)電膜，在上述第1金屬配線形成工序和第1無(wú)機(jī)絕緣膜形成工序之間具備以下掩模層形成工序在上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜上以與上述第1金屬配線重疊的方式形成發(fā)揮上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜的圖案化時(shí)的掩模的功能的掩模層，在上述有機(jī)絕緣膜形成工序中，以上述有機(jī)絕緣膜的端面位于上述掩模層上的方式對(duì)上述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案形成，并且在上述無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序中將上述有機(jī)絕緣膜和掩模層作為掩模對(duì)上述第1無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行圖案化，由此使上述第1金屬配線露出，相對(duì)于上述第1金屬配線露出的區(qū)域，使與該區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)于與上述區(qū)域相對(duì)的第1無(wú)機(jī)絕緣膜的端面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述配線基板的制造方法，其特征在于， 在上述無(wú)機(jī)絕緣膜圖案化工序和導(dǎo)電膜形成工序之間還具備以下有機(jī)絕緣膜部分除去工序?qū)Ω采w上述第2無(wú)機(jī)絕緣膜的有機(jī)絕緣膜進(jìn)行蝕刻，使上述第2金屬配線露出，相對(duì)于上述第2金屬配線露出的區(qū)域，使與該區(qū)域相對(duì)的有機(jī)絕緣膜的端面遠(yuǎn)于與該區(qū)域相對(duì)的第2無(wú)機(jī)絕緣膜的端面。
全文摘要
提供能防止覆蓋有機(jī)絕緣膜的端面的透明導(dǎo)電膜的缺陷引起的金屬電極的腐蝕的配線基板。有源矩陣基板(20)在玻璃基板(21)上設(shè)有掃描配線(22)、柵極絕緣膜(24)、層間絕緣膜(29)、透明電極(33)。在掃描配線(22)中設(shè)有在掃描配線(22)上直接層疊有透明電極(33)的端子部(55)。透明電極(33)覆蓋層間絕緣膜(29)的端面(29a)和柵極絕緣膜(24)的端面(24a)，延伸配置到端子部(55)。與端子部(55)相對(duì)的層間絕緣膜(29)的端面(29a)比與端子部(55)相對(duì)的柵極絕緣膜(24)的端面(24a)遠(yuǎn)離端子部。
文檔編號(hào)H05B33/04GK102473369SQ201080032650
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月28日
發(fā)明者中村涉, 紀(jì)藤賢一, 勝井宏充 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社