專利名稱：：碎片防止系統(tǒng)、輻射系統(tǒng)以及光刻設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明主要涉及一種碎片防止系統(tǒng)、輻射系統(tǒng)和包括它們的光刻設(shè)備。更具體地，本發(fā)明涉及構(gòu)造并布置用以防止從輻射源發(fā)射的碎片與輻射一起從輻射源傳播進(jìn)入光刻設(shè)備或在光刻設(shè)備內(nèi)部進(jìn)行傳播。
背景技術(shù)：
：光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向("掃描"方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到襯底上。除了EUV輻射之外，用在EUV光刻術(shù)中的輻射源產(chǎn)生可能對光學(xué)元件和執(zhí)行光刻工藝所處的工作環(huán)境有害的污染物材料。因而，在EUV光刻術(shù)中，希望限制布置用以調(diào)節(jié)來自EUV源的輻射束的光學(xué)系統(tǒng)的污染。為了這個(gè)目的，已知的方案是釆用例如在US6,838，684中公開的一種所謂的旋轉(zhuǎn)翼片阱(RFT)。翼片阱使用大量緊密排布的翼片，這些翼片可以基本上平行于由EUV源產(chǎn)生的輻射的方向?qū)R。污染物碎片，例如微米顆粒、納米顆粒以及離子，可以在翼片板提供的壁中被俘獲。因此，翼片阱用作俘獲來自源的污染物材料的污染物阻擋件。然而，由于輻射源帶來的熱載荷給現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)施例中的旋轉(zhuǎn)構(gòu)造帶來嚴(yán)重的挑戰(zhàn)，尤其是在冷卻旋轉(zhuǎn)部分的困難方面帶來嚴(yán)重的挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明旨在減少旋轉(zhuǎn)翼片阱上的熱載荷。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種碎片防止系統(tǒng)，其構(gòu)造并布置成防止從輻射源發(fā)射的碎片與來自輻射源的輻射一起傳播進(jìn)入光刻設(shè)備或在光刻設(shè)備內(nèi)部傳播。碎片防止系統(tǒng)包括孔，其限定來自所述輻射源的所述輻射的最大發(fā)射角；和第一碎片阻擋件，其具有輻射透射率。第一碎片阻擋件包括可旋轉(zhuǎn)翼片阱。碎片防止系統(tǒng)還包括第二碎片阻擋件，其具有輻射透射率。第一碎片阻擋件配置成覆蓋所述發(fā)射角的一部分并且所述第二碎片阻擋件配置成覆蓋所述發(fā)射角的另一部分。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種輻射系統(tǒng)，包括輻射源，其包括配置用以產(chǎn)生極紫外輻射的產(chǎn)生等離子體的放電源。該放電源包括配置成提供電壓差的一對電極；以及放電系統(tǒng)，所述放電系統(tǒng)構(gòu)造并布置成在所述一對電極之間產(chǎn)生放電以便在所述電極之間的中心區(qū)域中提供箍縮的等離子體。該輻射系統(tǒng)還包括碎片防止系統(tǒng)，該碎片防止系統(tǒng)構(gòu)造并布置用以防止從所述輻射源發(fā)射的碎片與來自所述輻射源的輻射一起傳播進(jìn)入光刻設(shè)備或在光刻設(shè)備內(nèi)部傳播。所述碎片防止系統(tǒng)包括？L，其限定來自所述輻射源的所述輻射的最大發(fā)射角；和第一碎片阻擋件，其具有輻射透射率。第一碎片阻擋件包括可旋轉(zhuǎn)翼片阱。該碎片防止系統(tǒng)還包括具有輻射透射率的第二碎片阻擋件。所述第一碎片阻擋件配置成覆蓋所述發(fā)射角的一部分并且所述第二碎片阻擋件配置成覆蓋所述發(fā)射角的另一部分。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種輻射系統(tǒng)，包括輻射源；和碎片防止系統(tǒng)，所述碎片防止系統(tǒng)構(gòu)造并布置用以防止從所述輻射源發(fā)射的碎片與來自所述輻射源的輻射一起傳播進(jìn)入光刻設(shè)備或在光刻設(shè)備內(nèi)部傳播。該碎片防止系統(tǒng)包括？L，其限定來自所述輻射源的所述輻射的最大發(fā)射角；和第一碎片阻擋件，其具有輻射透射率。第一碎片阻擋件包括可旋轉(zhuǎn)翼片阱。該碎片防止系統(tǒng)還包括第二碎片阻擋件，其具有輻射透射率。第一碎片阻擋件覆蓋所述發(fā)射角的一部分并且所述第二碎片阻擋件覆蓋所述發(fā)射角的另一部分。輻射系統(tǒng)還包括收集器，所述收集器限定一收集角，光在所述收集角上被收集。可旋轉(zhuǎn)翼片阱和所述第二碎片阻擋件布置成削減基本上在整個(gè)所述收集角上的碎片。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種光刻設(shè)備，包括照射系統(tǒng)，其配置用以調(diào)節(jié)輻射束；和支撐結(jié)構(gòu)，其構(gòu)造用以支撐圖案形成裝置。圖案形成裝置配置用以將圖案在其橫截面上賦予所述輻射束以形成圖案化輻射束。所述設(shè)備還包括襯底臺，其構(gòu)造用以保持襯底；投影系統(tǒng)，其配置用以將所述圖案化輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上；和碎片防止系統(tǒng)，其構(gòu)造并布置用以防止從輻射源發(fā)射的碎片與來自所述輻射源的輻射一起傳播進(jìn)入所述光刻設(shè)備或在所述光刻設(shè)備內(nèi)傳播。該碎片防止系統(tǒng)包括？L，其限定來自所述輻射源的所述輻射的最大發(fā)射角；第一碎片阻擋件，其具有輻射透射率。第一碎片阻擋件包括可旋轉(zhuǎn)翼片阱。該碎片防止系統(tǒng)還包括第二碎片阻擋件，其具有輻射透射率。第一碎片阻擋件配置成覆蓋所述發(fā)射角的一部分并且所述第二碎片阻擋件配置成覆蓋所述發(fā)射角的另一部分。下面僅通過示例的方式，參考附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中示意性附圖中相應(yīng)的標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的產(chǎn)生輻射束的系統(tǒng)；圖3示出圖1中的實(shí)施例的收集立體角沿光軸觀察的投影；圖4示出圖2中實(shí)施例的修改形式；圖5示出靜態(tài)翼片阱的水平開口角和旋轉(zhuǎn)翼片阱的開口角之間的關(guān)系；圖6示出作為旋轉(zhuǎn)翼片阱的開口角的函數(shù)的旋轉(zhuǎn)翼片阱的被照射的立體角的分?jǐn)?shù)比例；圖7a和7b每一個(gè)示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的產(chǎn)生輻射束的系統(tǒng)；圖8示出靜態(tài)翼片阱的實(shí)施例的詳細(xì)示意圖；圖9示出靜態(tài)翼片阱的實(shí)施例的示意性俯視圖；和圖10示出圖9中的實(shí)施例的示意性正視圖。具體實(shí)施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或極紫外(EUV)輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；襯底臺(例如晶片臺)WT，其構(gòu)造成用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)支撐圖案形成裝置，即承載圖案形成裝置的重量。支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語"掩模版"或"掩模"都可以認(rèn)為與更上位的術(shù)語"圖案形成裝置"同義。這里所使用的術(shù)語"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述己傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語"投影透鏡"可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。如這里所示的，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，釆用反射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是透射型的(例如，釆用透射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個(gè)或更多的掩模臺)的類型。在這種"多臺"機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺用于曝光。所述光刻設(shè)備還可以是這種類型，其中襯底的至少一部分可以由具有相對高的折射率的液體(例如水)覆蓋，以便填滿投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒液體還可以施加到光刻設(shè)備的其他空間中，例如掩模和投影系統(tǒng)之間的空間。浸沒技術(shù)在本領(lǐng)域是熟知的用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑的技術(shù)。這里使用的術(shù)語"浸沒"并不意味著必須將結(jié)構(gòu)(例如襯底)浸入到液體中，而僅意味著在曝光過程中液體位于投影系統(tǒng)和該襯底之間。參照圖l,所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會將該源考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈磗o和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD—起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為o-外部和cj-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器和聚光器?？梢詫⑺稣丈淦饔糜谡{(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺MT)上的所述圖案形成裝置(例如，掩模MA)上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經(jīng)穿過掩模MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF2(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器IF1用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位掩模MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)掩模臺MT的移動(dòng)。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實(shí)現(xiàn)所述襯底臺WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，掩模臺MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的?？梢允褂醚谀?zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來對準(zhǔn)掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對齊標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下，所述掩模對準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺镜脑O(shè)備用于以下模式中的至少一種中-l.在步進(jìn)模式中，在將掩模臺MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對不同目標(biāo)部分c曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分c的尺寸。2.在掃描模式中，在對掩模臺MT和襯底臺WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(g卩，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于掩模臺MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺MT保持為基本靜止，并且在對所述襯底臺WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。圖2示出輻射系統(tǒng)1的一個(gè)實(shí)施例，其構(gòu)造和布置用以產(chǎn)生輻射束。輻射系統(tǒng)1包括產(chǎn)生碎片的輻射源2。通過系統(tǒng)和外圍的殼體的尺寸設(shè)置，提供孔3?？?由限定孔的屏蔽件(shield)90、卯，示意地示出。屏蔽件可以包括冷卻回路91。孔3限定一發(fā)射角a,其是來自源2的EUV輻射將被收集的最大角度。在示出的實(shí)施例中，設(shè)置兩個(gè)可旋轉(zhuǎn)翼片阱(RFT's)4和4，以覆蓋所述發(fā)射角a的一部分。屏蔽件90、90'可以阻擋EUV輻射到達(dá)位于發(fā)射角a的外部的翼片阱4、4'的整個(gè)區(qū)域。另一碎片阻擋件5設(shè)置在發(fā)射角a的中央部分，并且覆蓋開口角e，如下面將詳細(xì)地介紹的那樣。碎片阻擋件可以透射至少20%的EUV輻射。該實(shí)施例提出一種具有布置在中心碎片阻擋件5的相對兩側(cè)上的兩個(gè)旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4'的密西,西比船(Mississippiboat)型配置。在本實(shí)施例中，中央碎片阻擋件5是位置敏感的翼片阱，參照圖8進(jìn)一步說明。發(fā)射角ct限定源自源2的(將要被收集的)EUV光6的錐形。該源可以是放電產(chǎn)生的EUV源，例如本領(lǐng)域已知的2型源。正如圖2看到的，相對于將發(fā)射角a分開的光軸7以較大角度發(fā)射的EUV光6傳播通過旋轉(zhuǎn)翼片阱4和4'(角度〉e)，并且以角度<6圍繞光軸發(fā)射的光傳播通過位置敏感翼片阱5。翼片阱4、4'可以是具有相對于源2徑向地安裝的可旋轉(zhuǎn)軸9的類型。每個(gè)軸9可以相對于源2取向以與通過輻射源2的線60對齊。多個(gè)翼片8相對于軸9沿徑向安裝，也就是說，以軸9作為中心，翼片8將被取向成相對于該中心沿徑向方向。在這種方式中，翼片阱4可以通過旋轉(zhuǎn)翼片以便捕獲從源2傳播過來的碎片來提供阻擋件抵擋來自源2的碎片。雖然圖2示出翼片阱4、4'的軸9在基本上相同平面內(nèi)調(diào)準(zhǔn)，但是其他布置也是可以的，例如圖4中示出的布置。特別地，翼片阱4和4'以及位置敏感翼片阱5的相對位置可以獨(dú)立地或單獨(dú)地進(jìn)行優(yōu)化。例如，翼片阱4、4'可以被更遠(yuǎn)離源2放置以使得源2具有更多可用空間。在一個(gè)實(shí)施例中，可旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4'相對于靜態(tài)翼片阱5的布置可以使得翼片阱4、4，部分地插入到靜態(tài)翼片阱5中。在這樣實(shí)施例中，碎片將通過離心力從旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4，被發(fā)射的機(jī)會將在相當(dāng)程度上被減小或甚至通過用靜態(tài)翼片阱5捕獲碎片而被防止。圖2示出靜態(tài)翼片阱5的小片15部分地延伸到可旋轉(zhuǎn)翼片阱5前面(沿朝向源2的光軸視線方向觀察)，使得從翼片阱4發(fā)射的碎片可以通過靜態(tài)翼片阱5捕獲。除了靜態(tài)翼片阱5，也可以使用其它碎片捕獲機(jī)構(gòu)。正如圖2中看到的，為了最小化作用在可旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4'上的熱載荷，僅多個(gè)翼片8的一部分每時(shí)刻被暴露給來自源2的輻射，而其它部分不被暴露?？尚D(zhuǎn)翼片阱4、4'的軸9不應(yīng)該暴露給來自源2的輻射。因此，翼片阱4、4'可以至少部分地放置在發(fā)射角a的外側(cè)。因此，旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4'將轉(zhuǎn)動(dòng)翼片8進(jìn)入和離開孔3。圖2的布置關(guān)于發(fā)射角a對稱，但是其他布置也是可以的，包括不對稱的布置。例如，可以設(shè)置多個(gè)可旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4'，其每一個(gè)包括與源2徑向地安裝的軸9，并且每一個(gè)具有徑向安裝到軸9的多個(gè)翼片8，用于提供抵擋來自源2的碎片的阻擋件。圖3示出圖2中實(shí)施例的收集立體角沿光軸7(未示出，見圖2)觀察的投影的示意圖。尤其地，中心區(qū)域10由位置敏感翼片阱5覆蓋，而外圍區(qū)域11被旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4'覆蓋。單個(gè)旋轉(zhuǎn)翼片阱4的半徑以及其到源2的距離確定單個(gè)翼片阱4的開口角p(見圖2)。開口角具有由將要被收集的總的角度ct和位置敏感翼片阱5的(水平)開口角0確定的最小值。考慮位置敏感翼片阱5的外角(outercomer)中的一個(gè)，如圖3中的點(diǎn)12所示。因?yàn)樵擖c(diǎn)位于收集錐角(cone)a的邊緣上，所以可以得到COS"=cos^cosp(1)其中p是通過光軸的水平面上方的仰角(elevationangle)。此外，因?yàn)槠溥€必須位于由可旋轉(zhuǎn)翼片阱所保護(hù)的錐角P內(nèi)，所以可以得到cos=sinPcosp(2)結(jié)合(1)與(2)給出對于給定收集角a的，可旋轉(zhuǎn)翼片阱的開口角卩和位置敏感翼片阱(PSFT)的開口角e之間的下列關(guān)系-cosp二tan"osa(3)圖4示出圖2中示出的實(shí)施例的修改形式。具體地，可旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4'的多個(gè)軸9設(shè)置在單個(gè)平面內(nèi)，但是所述多個(gè)軸彼此之間形成角度。該角度依賴于角度a并且優(yōu)選依賴于軸9的尺寸而比角度a大5-10度左右，使得該軸處在角a的外部。軸之間的角度的典型值大于100度，并且更優(yōu)選地大于大約120度、大約140度、大約160度或大約180度。因?yàn)樾D(zhuǎn)翼片阱4的更大部分被使用，因此本實(shí)施例可以允許翼片阱4、4'的半徑更小。這可以通過將等式(2)中的e用0+3代換推導(dǎo)出，其中5是旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4'已經(jīng)向內(nèi)移過的角度。此外，對EUV源2來說更多的空間變得可用。例如，存在更多個(gè)空間用于需要用以提供箍縮13的電極和電路。此外，也可以沿其他方向移動(dòng)旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4'。這將進(jìn)一步減小熱載荷，但是將增大旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4'的開口角(3，這可以使得它們更大。通過向內(nèi)傾斜(即朝向光軸)旋轉(zhuǎn)翼片阱，優(yōu)選保持軸恰好在發(fā)射角外側(cè)以便保持高的光學(xué)透射率且在旋轉(zhuǎn)翼片阱4上保持相對低的熱載荷。例如，旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4'被定位成使得當(dāng)最大收集角為80°時(shí)，軸9和光軸之間的角為85°而不是90°。由于角度的傾斜，更多的設(shè)計(jì)空間可用于源2。圖5示出靜態(tài)翼片阱5的所需的水平開口角e和旋轉(zhuǎn)翼片阱的開口角卩之間的關(guān)系，具體地如圖2、3所示。典型的收集角為80。。假定旋轉(zhuǎn)翼片阱4的開口角為80。，在上面的等式(1)到(3)中，tane^并且因此靜態(tài)翼片阱5的水平開口角e等于45°。圖5給出示出對于70。的總的收集角(線50)和80。的總的收集角(線51)情形中的靜態(tài)翼片阱5的水平開口角e和旋轉(zhuǎn)翼片阱4的開口角卩之間的關(guān)系的等式(3)的圖。收集角等于發(fā)射角并且將在大約60到大約90°量級，優(yōu)選至少為大約70°。圖6示出處于收集角內(nèi)的旋轉(zhuǎn)翼片阱的分?jǐn)?shù)比例，其依賴于70°(線60)和80°(線61)之間的收集角范圍，大約為25-40%(即在某一時(shí)刻每個(gè)旋轉(zhuǎn)翼片阱的大約25-40%被照射)。這意味著旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4'接收的熱載荷實(shí)質(zhì)上低于具有相同幾何形狀的常規(guī)的旋轉(zhuǎn)翼片阱，這可以改善其性能，因?yàn)闊彷d荷可以限制旋轉(zhuǎn)翼片阱的性能。此外，收集角外側(cè)的旋轉(zhuǎn)翼片阱的面積可以用于額外的冷卻。圖7a和7b示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例。這些實(shí)施例不采用靜態(tài)翼片阱形式的中心碎片阻擋件。通過提供相對于它們各自的軸9遠(yuǎn)側(cè)延伸的杯形翼片8可以減小中心區(qū)域。這種布置可以在相對的旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4'的翼片8之間留下小的間隙14。在圖7a示出的實(shí)施例中，兩個(gè)翼片阱4、4'圍繞輻射源2放置。旋轉(zhuǎn)翼片阱4、4'的軸9和由此的旋轉(zhuǎn)軸線與輻射源對齊并且基本上垂直于光軸。沒有被旋轉(zhuǎn)翼片阱所覆蓋的中心部分可以通過例如屏蔽件封閉。由于大多數(shù)EUV收集器(未示出)具有大約10°的最小收集角的原因，由中心區(qū)域14中的透射損失導(dǎo)致的附加的EUV損失可以相對小。在其他實(shí)施例中，由兩個(gè)可旋轉(zhuǎn)翼片阱(RFT)覆蓋的收集角可以交疊。這可以通過兩個(gè)方式來實(shí)現(xiàn)。第一，通過讓RFT的翼片纏繞在一起(interwine)而不相互接觸。這需要RFT同步，而這在高的旋轉(zhuǎn)頻率附近可能是困難的。其次，通過將RFT中一個(gè)放置在另一個(gè)后面的方式布置RFT。離源最遠(yuǎn)的RFT具有長的翼片以便獲得相當(dāng)大的開口角，這可能會增大由于離心力帶來的翼片中的機(jī)械應(yīng)力，并可以因此限制可達(dá)到的旋轉(zhuǎn)頻率。表1示出圖7a中的布置的典型的參數(shù)組。表h用于透射計(jì)算的參數(shù)<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>雖然原理上圖7a和7b中的實(shí)施例的開口角可以非常大，但是一些實(shí)際的限制可能包括翼片的機(jī)械變形，和源的空間要求，這可能會防止翼片8變得太大。這些方面可以導(dǎo)致70。的最大幵口角，在這個(gè)開口角的情況下，透射率大約為60%。對透射沒有貢獻(xiàn)的區(qū)域可以被封閉。圖7b示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例。在本實(shí)施例中，示出了三個(gè)旋轉(zhuǎn)翼片阱，每一個(gè)具有相對于源2徑向地取向的軸。此外，翼片阱4"形狀可以形成為具有三角配置的杯形形式。例如，翼片阱4的軸9相對于彼此形成120°的角，使得可以提供源2的連續(xù)的封閉。實(shí)質(zhì)上，留下未被翼片阱4覆蓋的中心三角區(qū)域15。該區(qū)域可以通過其他碎片削減系統(tǒng)進(jìn)行保護(hù)或可以完全被密封起來。這種配置的計(jì)算得到的透射率大約為總的發(fā)射角的62%。此外，多個(gè)旋轉(zhuǎn)翼片阱(例如四個(gè)相同尺寸的旋轉(zhuǎn)翼片阱)可以被布置成具有以90。相互角度垂直于光軸的旋轉(zhuǎn)軸線。在這種情形中，可以保持的最大開口角大約為45。并且所計(jì)算出的總的透射率大約為42%。在具體情形中，通過以第三個(gè)(和/或第四個(gè))旋轉(zhuǎn)翼片阱的代價(jià)增大兩個(gè)旋轉(zhuǎn)翼片阱的開口角可以減小圖7a和7b的實(shí)施例中的未被保護(hù)的間隙的尺寸。例如，可以配置具有兩個(gè)70。開口角的旋轉(zhuǎn)翼片阱和一個(gè)40。開口角的旋轉(zhuǎn)翼片阱。在旋轉(zhuǎn)翼片阱開口角明顯低于常規(guī)旋轉(zhuǎn)翼片阱的情況下可以實(shí)現(xiàn)良好的光學(xué)透射。而且，如上面所述的那樣，熱載荷可以更小。結(jié)果，圖7a和7b中的實(shí)施例相對于常規(guī)的旋轉(zhuǎn)翼片阱可以被放大到高得多的功率水平。在圖7a和7b的實(shí)施例中，軸可以朝向光軸傾斜以便進(jìn)一步減小中心區(qū)域。表2總結(jié)了上面提到的所有實(shí)施例的透射率值。在每一種情形中，在70。的最大旋轉(zhuǎn)翼片阱開口角的限制條件下(即假定這是在生產(chǎn)工具條件下可以實(shí)現(xiàn)的最大的旋轉(zhuǎn)翼片阱開口角)，旋轉(zhuǎn)翼片阱的幵口角被選定以便給出最大透射率。為了阻止原子級的碎片，旋轉(zhuǎn)翼片阱通常與典型的80%的透射率的靜態(tài)的翼片阱(SFT)組合。這種組合的透射率值也包含在表2中，以便反映整個(gè)碎片削減工具的典型透射率。表2:在不具有和具有80%透射率的靜態(tài)翼片阱(SFT)的情況下的透射率值的對比<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>由此可見，實(shí)施例可以設(shè)置成具有兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)翼片阱，優(yōu)選相對于平行于光軸的對稱的平面對稱地布置。尤其，可旋轉(zhuǎn)翼片阱的旋轉(zhuǎn)軸線相對于光軸形成至少一個(gè)70。的角度。圖8示出圖2中示出的靜態(tài)翼片阱5的詳細(xì)示意圖。在這種配置中，小片、或翼片16是靜態(tài)的并且取向成屏蔽電極17以使其不落入在小片16之間提供的視線中并且為來自在電極17之間形成的中間體積18的輻射提供通道。具體地，源2是用于產(chǎn)生極紫外輔射的產(chǎn)生等離子體的放電源。電極對17通過相應(yīng)的電路提供電壓差，(未示出)該電路用以在電極17之間產(chǎn)生放電，用于在電極17之間的中間體積18內(nèi)提供箍縮的等離子體(Z-箍縮)。由于位置敏感翼片阱5的靜態(tài)特性，熱載荷可以是相對高的，因?yàn)檫@種類型的碎片阻擋件可以通過合適的冷卻(未示出)被有效地冷卻，還因?yàn)槠洳粫庥鲇捎谛D(zhuǎn)導(dǎo)致的機(jī)械應(yīng)力。位置敏感翼片阱5的翼片16全部指向源2(例如箍縮)；翼片16之間的間距決定圍繞箍縮的體積18有多少被透射通過翼片阱5。為了翼片阱5能夠?qū)⒐靠s與電極隔離開，使用許多緊密排布的翼片16。這在圖8中示出，圖8中示出了位于翼片阱的中心部分中的兩個(gè)相鄰的翼片16-1、16-2，其與電極17、17'之間的箍縮2對齊。過濾器間距s被限定成透射通過翼片阱并且形成中間體積18的區(qū)域的寬度。這與翼片阱的尺寸相關(guān)，由下式表示因?yàn)橥ㄟ^限定在^(^^)d1，這可以改寫成&-■^■■i^_《《5>尸2—jr!例如，翼片阱幾何形狀可以使得內(nèi)半徑力^^1^，外半徑r2^灘mm并且在翼片阱的入口處的翼片間距^1&0'5',，在這種情況下，過濾器間距^1.5mm。因此，在3mm的典型電極間隙的情況下，通過翼片阱不能觀察到電極。圖8中示出的位置敏感翼片阱是對EUV輻射透射的碎片阻擋件的示例。典型的透射率值為60%或甚至更高，80-90%。然而，如圖8所示，在與光軸成大的角度的情形中，間距變得非常小，這可能會影響透射率。如果翼片16-6禾B16-7將透射相同距離s，如垂直于光軸測量的那樣，則投影的過濾器間距s'遠(yuǎn)小于s;具體地，s'=scose，其中e是與光軸所成的角度。例如，140。的典型的收集器開口角需要在離光軸70。角度處進(jìn)行碎片削減。在上面提到的翼片阱幾何形狀的情況下，其導(dǎo)致外側(cè)翼片的翼片間距僅為0.17mm(相對比，內(nèi)側(cè)翼片為0.5mm)。因此，外側(cè)翼片的光學(xué)透射率非常低(假定翼片厚度為O.lmm時(shí)，外側(cè)翼片的光學(xué)透射率為40%)。此外，由于間距緊密，錫污染物迅速地充滿翼片阱的翼片之間的空間使得透射率被進(jìn)一步減小。因此，在小角度e情況下能夠最佳工作的翼片阱可以用作本文所述實(shí)施例中的中心翼片阱5。圖9示出為靜態(tài)翼片阱5的外圍區(qū)域19提供增大的透射率的實(shí)施例的示意性俯視圖。圖10示出圖9中的實(shí)施例的示意性正視圖。提供組合的翼片阱結(jié)構(gòu)，其包括用于在與光軸成小角度范圍內(nèi)(分度角e)的碎片削減的位置敏感翼片阱5和用于在與光軸7成大于6的大角度范圍內(nèi)的削減碎片的旋轉(zhuǎn)翼片阱20。因此，可旋轉(zhuǎn)翼片阱20布置成圍繞小片16的靜態(tài)配置旋轉(zhuǎn)。組合的翼片阱21具有比靜態(tài)翼片阱5更好的光學(xué)透射率并且可以承受比旋轉(zhuǎn)的翼片更高的熱載荷。具體地，小片16的靜態(tài)延伸體相對于光軸(未示出)對稱地布置。在圖9中示出的實(shí)施例中，通過具有懸掛在殼體22內(nèi)并指向源箍縮2的翼片16的位置敏感翼片阱5，將碎片阻止在圍繞光軸的立體角e內(nèi)。e的典型值在60。到120°之間。收集euv的立體成像角a(在尺寸上對應(yīng)于收集器的開口角)的剩余部分由圍繞靜態(tài)翼片阱5旋轉(zhuǎn)翼片阱20所覆蓋。旋轉(zhuǎn)翼片阱20包括懸掛在內(nèi)側(cè)環(huán)23和外側(cè)環(huán)24之間的翼片8。雖然圖9中將位置敏感翼片阱5的翼片16和旋轉(zhuǎn)翼片阱20的翼片8顯示成具有相同長度和到箍縮的相同距離，但是應(yīng)該注意的是，這并不是必須的。實(shí)際上，翼片長度和到箍縮的間距可以針對兩種翼片阱進(jìn)行獨(dú)立地優(yōu)化。旋轉(zhuǎn)翼片阱可以在內(nèi)側(cè)環(huán)23上或在外側(cè)環(huán)24上進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。在外側(cè)環(huán)24上驅(qū)動(dòng)翼片阱允許轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)被放置或設(shè)置在euv收集角的外側(cè)，這改善翼片阱系統(tǒng)4的光學(xué)透射率。除了翼片8之外，輻條(spoke)可以安裝在內(nèi)側(cè)環(huán)23和外側(cè)環(huán)24之間以提供旋轉(zhuǎn)翼片阱20的必要的剛性。殼體22、內(nèi)側(cè)環(huán)23和外側(cè)環(huán)24可以用于翼片阱結(jié)構(gòu)21的冷卻。此外，殼體22和內(nèi)側(cè)環(huán)23之間的間隙可以設(shè)置軸承。在實(shí)施例中，該間隙充滿液體金屬，例如Ga-In-Sn合金，其用作軸承和冷卻劑兩者。由于翼片的長度短、冷卻可能性的提高以及具有由輻條(未示出)連接的內(nèi)側(cè)環(huán)23和外側(cè)環(huán)24的強(qiáng)壯設(shè)計(jì)，根據(jù)本實(shí)施例的翼片阱21可以比覆蓋整個(gè)收集角oc的常規(guī)的旋轉(zhuǎn)翼片阱承受高得多的熱載荷。在實(shí)施例中，組合的翼片阱21不僅可以用于抑制微粒碎片，還可以用于抑制原子和離子碎片。在實(shí)施例中，可以在位置敏感翼片阱和旋轉(zhuǎn)翼片阱的翼片之間注入緩沖氣體。在實(shí)施例中，常規(guī)的靜態(tài)翼片阱可以放置在旋轉(zhuǎn)翼片阱后面，并且緩沖氣體可以注入到位置敏感翼片阱和靜態(tài)翼片阱的翼片之間。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造IC(集成電路)，但是應(yīng)該理解到這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將這里使用的任何術(shù)語"晶片"或"管芯"分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"襯底"或"目標(biāo)部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語"襯底"也可以表示己經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。雖然在上面所述的實(shí)施例中，源2是放電產(chǎn)生的源，但是可以采用其他產(chǎn)生碎片的源，例如激光誘導(dǎo)等離子體源。此外，雖然碎片被統(tǒng)稱為錫-碎片，但是使用其他等離子體材料的其他碎片產(chǎn)生源也是可以根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行使用的，例如鋰或氙-源。此外，所述的輻射系統(tǒng)通常獨(dú)立于光刻設(shè)備進(jìn)行制造并且可以包括例如收集來自輻射系統(tǒng)的輻射的收集器等其他子系統(tǒng)。這些收集器可以是任何合適種類(例如限定收集角的種類)，并且例如可旋轉(zhuǎn)翼片阱4和靜態(tài)翼片阱5等碎片阻擋件可以布置用以在收集器的整個(gè)收集角上削減碎片。例如，收集器元件可以是圓柱對稱的并且包括同心的彎曲反射表面。這些表面可以以基本上從大約2cm到大約7cm范圍的間距堆疊。根據(jù)本文所述實(shí)施例，碎片防止系統(tǒng)可以與輻射系統(tǒng)一起使用或作為輻射系統(tǒng)的一部分，并且與光刻設(shè)備一起使用或作為光刻設(shè)備(例如前面實(shí)施例中具體的圖1中的布置有源SO的光刻設(shè)備)的一部分。雖然上面詳述了本發(fā)明的實(shí)施例在光刻設(shè)備的應(yīng)用，應(yīng)該注意到，本發(fā)明可以有其它的應(yīng)用，例如壓印光刻，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻。在壓印光刻中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案。可以將所述圖案形成裝置的拓?fù)溆∷⒌教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。這里使用的術(shù)語"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有約365、355、248、193、157或126nm的波長)和極紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm范圍的波長)，以及粒子束，例如離子束或電子束。在允許的情況下，術(shù)語"透鏡"可以表示不同類型的光學(xué)部件中的任何一種或其組合，包括折射式的、反射式的、磁性的、電磁的以及靜電的光學(xué)構(gòu)件。盡管以上己經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識到，本發(fā)明可以以與上述不同的方式來實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的一個(gè)或更多個(gè)機(jī)器可讀指令序列的一個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)程序的形式，或具有存儲其中的這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)的形式。以上的描述是說明性的，而不是限制性的。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不背離所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍的條件下，可以對本發(fā)明進(jìn)行修改。權(quán)利要求1.一種碎片防止系統(tǒng)，其構(gòu)造并布置成防止從輻射源發(fā)射的碎片與來自輻射源的輻射一起傳播進(jìn)入光刻設(shè)備或在光刻設(shè)備內(nèi)部傳播，所述碎片防止系統(tǒng)包括孔，其限定來自所述輻射源的所述輻射的最大發(fā)射角；第一碎片阻擋件，其具有輻射透射率，所述第一碎片阻擋件包括可旋轉(zhuǎn)翼片阱；和第二碎片阻擋件，其具有輻射透射率，其中所述第一碎片阻擋件配置成覆蓋所述發(fā)射角的一部分并且所述第二碎片阻擋件配置成覆蓋所述發(fā)射角的另一部分。2.如權(quán)利要求1所述的碎片防止系統(tǒng)，其中所述可旋轉(zhuǎn)翼片阱包括-相對于所述輻射源徑向安裝的軸；和多個(gè)翼片，所述多個(gè)翼片相對于所述軸徑向安裝，所述軸提供阻擋件抵擋所述碎片。3.如權(quán)利要求2所述的碎片防止系統(tǒng)，其中所述軸被至少部分地放置在所述發(fā)射角的外側(cè)。4.如權(quán)利要求2所述的碎片防止系統(tǒng)，其中所述可旋轉(zhuǎn)翼片阱布置成旋轉(zhuǎn)所述翼片進(jìn)入和出離所述發(fā)射角。5.如權(quán)利要求1所述的碎片防止系統(tǒng)，其中所述第二碎片阻擋件包括另一可旋轉(zhuǎn)翼片阱。6.如權(quán)利要求5所述的碎片防止系統(tǒng)，其中所述可旋轉(zhuǎn)翼片阱中的每個(gè)包括相對于所述源徑向安裝的軸；和多個(gè)翼片，所述多個(gè)翼片被徑向地安裝到所述軸，所述軸提供阻擋件抵擋所述碎片。7.如權(quán)利要求6所述的碎片防止系統(tǒng)，其中所述可旋轉(zhuǎn)翼片阱中的每一個(gè)具有其設(shè)置位于單個(gè)平面內(nèi)的軸。8.如權(quán)利要求6所述的碎片防止系統(tǒng)，其中所述可旋轉(zhuǎn)翼片阱布置成使其各自的軸形成大于140°的角。9.如權(quán)利要求6所述的碎片防止系統(tǒng)，其中所述翼片阱由相對于其各自軸遠(yuǎn)側(cè)延伸的相對地布置的杯形翼片形成。10.如權(quán)利要求5所述的碎片防止系統(tǒng)，其中兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)翼片阱相對于平行于光軸的對稱平面對稱地布置。11.如權(quán)利要求io所述的碎片防止系統(tǒng)，其中所述可旋轉(zhuǎn)翼片阱的旋轉(zhuǎn)軸線相對于所述光軸形成至少70°的角。12.如權(quán)利要求1所述的碎片防止系統(tǒng)，其中所述發(fā)射角是至少70。。13.如權(quán)利要求1所述的碎片防止系統(tǒng)，其中所述孔由設(shè)置在所述源和所述可旋轉(zhuǎn)翼片阱之間的屏蔽件所限定。14.如權(quán)利要求13所述的碎片防止系統(tǒng)，其中所述屏蔽件包括冷卻回路。15.—種輻射系統(tǒng)，包括輻射源，其包括配置用以產(chǎn)生極紫外輻射的產(chǎn)生等離子體的放電源，所述放電源包括配置成提供電壓差的一對電極，以及放電系統(tǒng)，所述放電系統(tǒng)構(gòu)造并布置成在所述一對電極之間產(chǎn)生放電以便在所述電極之間的中心區(qū)域提供箍縮的等離子體；和碎片防止系統(tǒng)，其構(gòu)造并布置用以防止從所述輻射源發(fā)射的碎片與來自所述輻射源的輻射一起傳播進(jìn)入光刻設(shè)備或在光刻設(shè)備內(nèi)部傳播，所述碎片防止系統(tǒng)包括孑L，其限定來自所述輻射源的所述輻射的最大發(fā)射角；第一碎片阻擋件，其具有輻射透射率，所述第一碎片阻擋件包括可旋轉(zhuǎn)翼片阱；和第二碎片阻擋件，其具有輻射透射率，其中所述第一碎片阻擋件配置成覆蓋所述發(fā)射角的一部分并且所述第二碎片阻擋件配置成覆蓋所述發(fā)射角的另一部分。16.如權(quán)利要求15所述的輻射系統(tǒng)，其中所述第二碎片阻擋件包括小片的靜態(tài)配置，其中所述小片被取向成屏蔽所述電極以使其不落入在小片之間提供的視線中，并且給來自所述中心區(qū)域的輻射提供通道。17.如權(quán)利要求16所述的輻射系統(tǒng)，其中所述可旋轉(zhuǎn)翼片阱布置成圍繞小片的所述靜態(tài)配置旋轉(zhuǎn)。18.如權(quán)利要求16所述的輻射系統(tǒng)，其中小片的所述靜態(tài)配置以相對于光軸位于中心的方式布置；且其中多個(gè)可旋轉(zhuǎn)翼片阱分別布置到所述小片外圍。19.如權(quán)利要求18所述的輻射系統(tǒng)，其中兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)翼片阱布置在外圍。20.如權(quán)利要求19所述的輻射系統(tǒng)，其中所述翼片阱布置成部分地插入到小片的所述靜態(tài)配置中，用于捕獲由所述旋轉(zhuǎn)翼片阱再次發(fā)射的碎片。21.—種輻射系統(tǒng)，包括輻射源；碎片防止系統(tǒng)，其構(gòu)造并布置用以防止從所述輻射源發(fā)射的碎片與來自所述輻射源的輻射一起傳播進(jìn)入光刻設(shè)備或在光刻設(shè)備內(nèi)部傳播，所述碎片防止系統(tǒng)包括孑L，其限定來自所述輻射源的所述輻射的最大發(fā)射角；第一碎片阻擋件，其具有輻射透射率，所述第一碎片阻擋件包括可旋轉(zhuǎn)翼片阱；和第二碎片阻擋件，其具有輻射透射率，其中所述第一碎片阻擋件覆蓋所述發(fā)射角的一部分并且所述第二碎片阻擋件覆蓋所述發(fā)射角的另一部分；和收集器，其限定一收集角，光在所述收集角上被收集，其中所述可旋轉(zhuǎn)翼片阱和所述第二碎片阻擋件布置成削減基本上在整個(gè)所述收集角上的碎片。22.如權(quán)利要求21所述的輻射系統(tǒng)，其中所述收集器元件是圓柱對稱的，并且包括同心的彎曲的反射表面。23.如權(quán)利要求22所述的輻射系統(tǒng)，其中所述反射表面以范圍在大約2cm到大約7cm之間的間距堆疊。24.如權(quán)利要求21所述的輻射系統(tǒng)，其中所述收集器元件是正入射類型的。25.如權(quán)利要求21所述的輻射系統(tǒng)，其中所述輻射源包括放電產(chǎn)生或激光誘導(dǎo)的等離子體源。26.如權(quán)利要求25所述的輻射系統(tǒng)，其中所述等離子體源包括錫或鋰或氤。27.—種光刻設(shè)備，包括照射系統(tǒng)，其配置用以調(diào)節(jié)輻射束；支撐結(jié)構(gòu)，其構(gòu)造用以支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置配置用以將圖案在其橫截面上賦予所述輻射束以形成圖案化輻射束；襯底臺，其構(gòu)造用以保持襯底；投影系統(tǒng)，其配置用以將所述圖案化輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上；和碎片防止系統(tǒng)，其構(gòu)造并布置用以防止從輻射源發(fā)射的碎片與來自所述輻射源的輻射一起傳播進(jìn)入所述光刻設(shè)備或在所述光刻設(shè)備內(nèi)傳播，所述碎片防止系統(tǒng)包括孑L，其限定來自所述輻射源的所述輻射的最大發(fā)射角；第一碎片阻擋件，其具有輻射透射率，所述第一碎片阻擋件包括可旋轉(zhuǎn)翼片阱；和第二碎片阻擋件，其具有輻射透射率，其中所述第一碎片阻擋件配置成覆蓋所述發(fā)射角的一部分并且所述第二碎片阻擋件配置成覆蓋所述發(fā)射角的另一部分。全文摘要一種碎片防止系統(tǒng)，其構(gòu)造并布置成防止從輻射源(2)發(fā)射的碎片與來自輻射源(2)的輻射一起傳播進(jìn)入光刻設(shè)備或在光刻設(shè)備內(nèi)部傳播。碎片防止系統(tǒng)包括孔(3)，其限定來自所述輻射源(2)的所述輻射的最大發(fā)射角(α)；和第一碎片阻擋件(4、4’)，其具有輻射透射率。第一碎片阻擋件(4、41)包括可旋轉(zhuǎn)翼片阱。碎片防止系統(tǒng)還包括第二碎片阻擋件(5)，其具有輻射透射率。第一碎片阻擋件(4、4’)配置成覆蓋所述發(fā)射角的一部分并且所述第二碎片阻擋件(5)配置成覆蓋所述發(fā)射角(θ)的另一部分。文檔編號H05G2/00GK101689030SQ200880024373公開日2010年3月31日申請日期2008年7月16日優(yōu)先權(quán)日2007年7月16日發(fā)明者K·杰里森,M·M·J·W·范赫彭,W·A·索爾申請人:Asml荷蘭有限公司