專利名稱：電子裝置殼體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子裝置殼體及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的迅速發(fā)展，筆記本電腦、移動電話、個人數(shù)字助理(PDA, Personal Digital Assistant)等電子裝置得到了越來越廣泛的應用。同時，人們對于電子裝置的外 觀要求也越來越高。
目前，電子裝置殼體中金屬本體與塑件結(jié)合主要有卡勾卡合或膠水粘合等方式。然而， 卡勾卡合的結(jié)合方式容易造成間隙大、易松動等缺陷，從而影響產(chǎn)品強度。膠水粘合的方式 受膠水本身的化學性質(zhì)影響大，由于膠水有揮發(fā)性，所以不適于溫度較高的工作環(huán)境，又因 為膠水易老化，從而影響粘合效果。隨著電子產(chǎn)品日趨輕、薄、短、小的發(fā)展趨勢，電子裝 置的金屬外殼的厚度也將越來越趨向于薄型化，當金屬外殼的厚度減小到一定程度，例如小 于1毫米時，采用卡勾卡合及鉚接的方式容易因為強度不夠而導致金屬件與塑料件脫落，影 響產(chǎn)品的質(zhì)量。此外，在空氣中金屬表面自然形成的氧化膜由于結(jié)構(gòu)疏松，結(jié)合強度不夠。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述狀況，有必要提供一種結(jié)合強度較高的電子裝置殼體及其制備方法。
一種電子裝置殼體，包括金屬本體及塑件，該金屬本體與塑件采用嵌入成型方式一體成 型，該金屬本體在與該塑件結(jié)合處的結(jié)合表面生成有可供該塑件附著的氧化膜。
一種電子裝置殼體的制備方法，其包括以下步驟提供一金屬本體，在該金屬本體的結(jié) 合表面生成有氧化膜；提供一塑件，該塑件熔融后與該金屬本體經(jīng)該結(jié)合表面上的氧化膜以 嵌入成型方式結(jié)合為一體。
由于在金屬本體結(jié)合表面生成氧化膜，以金屬本體為嵌件進行嵌入成型，通過熔融塑料 覆蓋在金屬本體結(jié)合表面上的氧化膜來增強金屬本體與塑件之間的結(jié)合力，提高結(jié)合強度。


圖l是本發(fā)明實施例的電子裝置殼體的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式
下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明的電子裝置殼體及其制造方法作進一步的詳細說明。 請參見圖l，所示為本發(fā)明較佳實施例的電子裝置殼體IO，其包括金屬本體11及塑件12，本實施例中塑件12為塑料天線蓋，金屬本體11與塑件12通過嵌入成型緊密結(jié)合。在與塑件 12結(jié)合處的金屬本體11的結(jié)合表面111生成有氧化膜13。
金屬本體ll可采用鎂合金、鋁合金、鈦合金中的一種或者其組合材料制造，其成型工藝 可為壓鑄、擠壓、鍛造等各種金屬成型工藝。本實施例中，金屬本體ll的材質(zhì)為鎂合金。塑 件12的材質(zhì)要求具有較小的縮水率和與金屬本體11的材料近似的線膨脹系數(shù)，因此，塑件 12的材質(zhì)優(yōu)選為聚苯硫醚(PPS)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)和液晶聚合樹脂(LCP)等工程 塑料中的一種或其組合，本實施例中塑件12的材質(zhì)為聚苯硫醚。
氧化膜l3是通過在金屬本體11的結(jié)合表面l 11上進行電化學處理生成，上述電化學處理 一般為陽極氧化、磷化等，本實施例采用陽極氧化中的微弧氧化。經(jīng)微弧氧化后的金屬本體 11的結(jié)合表面l 11生成的氧化膜13具有孔洞結(jié)構(gòu)，當金屬本體l 1與塑件12通過嵌入成型技術(shù) 生成電子裝置殼體10時，通過注入的熔融塑料進入氧化膜13的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)，使金屬本體ll與 塑件12相互結(jié)合?？梢岳斫猓瑸榱嗽鰪娊饘俦倔w11及塑件12之間的結(jié)合力，金屬本體ll的結(jié) 合表面111上的氧化膜13的表面積也可增大，但厚度在5微米范圍內(nèi)的結(jié)合力較好，當然厚度 也可以大于5微米。
上述電子裝置殼體10的制備方法包括以下步驟
(1) 提供至少一金屬本體ll。該金屬本體ll可通過壓鑄、擠壓、鍛造等各種金屬成型工 藝制備，本實施例中，金屬本體ll采用鍛造方法制備。在金屬本體ll的結(jié)合表面lll進行電 化學處理，該電化學處理可為陽極氧化、磷化，具體在本實施例中，該電化學處理為陽極氧 化中的微弧氧化。微弧氧化過程中，其較佳氧化條件如下電流密度為1A/di/至l. 5A/dm2
、溫度為2(TC至4(TC、頻率為500HZ至800HZ、占空比為12%至20%。最后在金屬本體ll的表面 形成氧化膜13，其厚度小于或等于5微米，當然厚度也可以大于5微米。
(2) 將金屬本體ll作為嵌件放入預設(shè)模具內(nèi)，然后將熔融的塑料注入預設(shè)模具的模穴內(nèi) ，熔融塑料覆蓋在金屬本體11的結(jié)合表面111上的氧化膜13并進入具有孔洞結(jié)構(gòu)的氧化膜13
，熔融塑料冷卻后即形成塑件12，塑件12與金屬本體11一體成型后即為電子裝置殼體10。 可以理解，本發(fā)明較佳實施例中塑料天線蓋也可以為其它的塑件產(chǎn)品。 由于在金屬本體ll的結(jié)合表面lll進行電化學處理生成一具有孔洞結(jié)構(gòu)的氧化膜層，以
金屬本體l 1為嵌件進行嵌入成型，通過熔融塑料覆蓋在金屬本體l 1的結(jié)合表面l 1 l并進入金
屬本體11的結(jié)合表面111上具有孔洞結(jié)構(gòu)的氧化膜層13增強金屬本體11與塑件12之間的結(jié)合
力，提高了結(jié)合強度。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以實施例披露如上，然其并非僅限定本發(fā)明，任何業(yè)內(nèi)人士，在不脫離本發(fā)明的實質(zhì)的情況下，對本發(fā)明做各種更動與潤飾，都應包含在本發(fā)明所要求保 護的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電子裝置殼體，包括金屬本體及塑件，該金屬本體與塑件采用嵌入成型方式一體成型，其特征在于該金屬本體在與該塑件結(jié)合處的結(jié)合表面生成有可供該塑件附著的氧化膜。
2 如權(quán)利要求l所述的電子裝置殼體，其特征在于該塑件的材質(zhì) 為聚苯硫醚、聚對苯二甲酸丁二醇酯和液晶聚合樹脂中的至少一種。
3 如權(quán)利要求l所述的電子裝置殼體，其特征在于該金屬本體材 料為鎂合金、鋁合金、鈦合金中的至少一種。
4 如權(quán)利要求l所述的電子裝置殼體，其特征在于該氧化膜經(jīng)電 化學處理生成，該電化學處理為陽極氧化、磷化之一。
5 如權(quán)利要求l所述的電子裝置殼體，其特征在于該氧化膜厚度 小于或等于5微米。
6 如權(quán)利要求4所述的電子裝置殼體，其特征在于該陽極氧化為微弧氧化。
7 如權(quán)利要求5所述的電子裝置殼體，其特征在于該氧化膜具有 供該塑件部分嵌入的孔洞結(jié)構(gòu)。
8 一種電子裝置殼體的制備方法，其包括以下步驟 提供一金屬本體，在該金屬本體的結(jié)合表面生成有氧化膜；提供一塑件，該塑件熔融后與該金屬本體經(jīng)該結(jié)合表面上的氧化膜以嵌入成型方式結(jié) 合為一體。
9 如權(quán)利要求8所述電子裝置殼體的制備方法，其特征在于該氧化膜經(jīng)電化學處理生成，該電化學處理為陽極氧化、磷化之一。
10 如權(quán)利要求8所述電子裝置殼體的制備方法，其特征在于該氧 化膜厚度在小于或等于5微米。
11 如權(quán)利要求8所述電子裝置殼體的制備方法，其特征在于該氧化膜具有供該塑件部分嵌入的孔洞結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求9所述電子裝置殼體的制備方法，其特征在于該陽極氧化為微弧氧化。
13.如權(quán)利要求12所述電子裝置殼體的制備方法，其特征在于該微弧氧化的電流密度為？lA/dm2至1. 5A/dm2、溫度為20。C至4(TC 、頻率為500HZ至800HZ、占 空比為12%至20%。
全文摘要
一種電子裝置殼體，包括金屬本體及塑件，該金屬本體與塑件采用嵌入成型方式一體成型，該金屬本體在與該塑件結(jié)合處的結(jié)合表面生成有可供該塑件附著的氧化膜。本發(fā)明還提供一種上述電子裝置殼體的制造方法。上述電子裝置殼體具有較高的結(jié)合強度。
文檔編號H05K5/04GK101578019SQ20081030153
公開日2009年11月11日 申請日期2008年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月9日
發(fā)明者周祥生, 張清賢, 李翰明, 洪志謙 申請人:富準精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻準精密工業(yè)股份有限公司