專利名稱：電容器、包含該電容器的電路板及集成電路承載基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般是關(guān)于電容器，特別是關(guān)于電容器的線路結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
多層印刷電路板(PCB)目前已被廣泛使用于集成電路(IC)、芯片等電子電 路系統(tǒng)及電子組件的內(nèi)部電子信號(hào)傳遞與連接。近年來(lái)，被大量使用于降低印 刷電路板(Printed Circuit Board)或IC載板(substrate)上的電源噪聲的方法是在 電源接腳(power/ground pin)附近放置去耦合電容(decoupling capacitor)或是旁 路電容(bypass capacitor),主要功能是將額定的電能儲(chǔ)存在電容器中，在電能 不足時(shí)可以適時(shí)補(bǔ)給電能，以達(dá)到吸收突波(glitch)、降低RF噪聲及穩(wěn)定電源 的效果。 一般而言，印刷電路板中常見(jiàn)的去耦合電容組件可分為黏著于電路板 表面的分布式電容(如SMD電容器(Surface Mounted Device Capacitor)或叉指式 電容器(Inter-Digitated Capacitor, IDC)等以及內(nèi)埋于電路板內(nèi)的內(nèi)埋式電容(如 平板電容)。然而，電源傳輸系統(tǒng)主要是借著電容器的低阻抗特性，提供一個(gè) 低阻抗路徑將噪聲濾除，但是當(dāng)操作頻率高于電容器本身的諧振頻率點(diǎn)之后， 其阻抗特性由電容性轉(zhuǎn)變?yōu)殡姼行?，因此，隨著頻率上升而增加的寄生電感， 將會(huì)導(dǎo)致原本提供低阻抗路徑的去耦合電容逐漸失去濾除高頻噪聲的作用。
隨著電子系統(tǒng)中信號(hào)傳輸速度不斷地提升，線路密度不斷地增加，信號(hào)之 間衍生的相互干擾問(wèn)題也相對(duì)嚴(yán)重且不可忽視。目前普遍解決前述問(wèn)題的方法 是在印刷電路板表面黏著去耦合電容，因其形成的電流傳輸路徑無(wú)法縮短而使 得寄生電感值太大，進(jìn)而使得此方法無(wú)法有效抑制電源傳輸系統(tǒng)所產(chǎn)生同步切 換干擾。然而，若將去耦合電容內(nèi)埋至印刷電路板或IC載板中，必定比焊接 在表面的表面黏著型式電容更靠近電子組件的電源或接地接腳，因此高頻時(shí)內(nèi) 埋式去耦合電容的電源傳輸路徑所產(chǎn)生的寄生電感值將會(huì)比SMD電容低。此 外，內(nèi)埋電容技術(shù)降低電路板焊接的被動(dòng)組件數(shù)量，不但可以降低成本，還可 以達(dá)到縮小電子組件構(gòu)裝體積的市場(chǎng)需求。一般在電源傳輸系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)會(huì)考慮電源的傳輸阻抗，也就是目標(biāo)阻抗
(target impedance),其指的是電源在符合低噪聲規(guī)格的前提下，電源傳輸系統(tǒng) 在特定的頻帶范圍內(nèi)所能容許的最大等效阻抗值。圖1所示為電容值為luF 且黏著于電路板表面的分布式電容器在頻率范圍從0.01MHz到1000MHz的阻 抗特性曲線，其中包括0612及1206電容器及低電感叉指式電容器。參考圖1， 當(dāng)操作頻率達(dá)數(shù)百M(fèi)Hz，該叉指式電容器的阻抗仍然可以低于系統(tǒng)需求的目 標(biāo)阻抗(約0.5歐姆)。但是，未來(lái)集成電路載板設(shè)計(jì)需求的目標(biāo)阻抗將會(huì)低于 0.1歐姆或更小，換言之，當(dāng)在高頻操作時(shí)，表面黏著型式的分布式電容器將 無(wú)法提供電源傳輸系統(tǒng)足夠低的阻抗以抑制不可預(yù)期的噪聲產(chǎn)生。簡(jiǎn)言之，內(nèi) 埋電容技術(shù)是未來(lái)最有可能被實(shí)現(xiàn)以降低電容的基板寄生電感值以及增加去 耦合電容的低阻抗頻寬的方法，但是內(nèi)嵌式平板電容和一般電容器一樣，當(dāng)操 作頻率高于其自振頻率點(diǎn)之后，依然會(huì)由電容性轉(zhuǎn)變?yōu)殡姼行?，進(jìn)而失去濾除 高頻噪聲的作用。因此，本發(fā)明揭露一種降低內(nèi)嵌式平板電容的線路結(jié)構(gòu)，借 著減少平板電容的電流回路長(zhǎng)度以降低其寄生電感值，使得電子系統(tǒng)即使操作 在高頻區(qū)段時(shí)，內(nèi)埋式平板電容仍能發(fā)揮去耦合電容的功效，提供一個(gè)低阻抗 路徑以濾除電源系統(tǒng)產(chǎn)生的噪聲。
Howard等人的美國(guó)專利號(hào)5,161,086描述了如圖2所示在印刷電路板多層 薄片電容器的結(jié)構(gòu)剖面圖。參照?qǐng)D2，該集成電路14'分別藉由第一金屬連通 孔34，及第二金屬連通孔36'與一電容器的電極28'及30'互相電性連接。而且 該第一金屬連通孔34'藉由絕緣環(huán)穿過(guò)電極30'而未與電極30'電性連接。同樣 地，該第二金屬連通孔36'藉由絕緣孔穿過(guò)電極28'而未與電極30'電性連接。
Naito等人的美國(guó)專利號(hào)6,678,145提出可降低電容器的寄生電感值的線 路連接結(jié)構(gòu)。圖3(a)是電容器41的內(nèi)部一個(gè)電極結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖3(b)顯示 從圖3(a)沿著線Ill-Ill的橫截面圖。參照?qǐng)D3(a),多個(gè)第一金屬連通孔46及第 二金屬連通孔47分別連接至該電容器的第一 內(nèi)部電極44及第二內(nèi)部電極45 。 參照?qǐng)D3(b)，每一個(gè)第一金屬連通孔46皆與第二金屬連通孔47相鄰擺置，此 結(jié)構(gòu)可以減少電流回路面積，以達(dá)到降低寄生電感值的目的。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)例提供一電容器，該電容器包括多個(gè)電極，該電極包含一頂部電極及一底部電極，一第一連通孔沿該電容器的厚度方向從頂部電極延 伸至底部電極，一第二連通孔沿該電容器的厚度方向從頂部電極延伸至底部電 極。該電極包含一組第一電極及一組第二電極。該第一連通孔電性連接至第一 電極，此外，該第二連通孔電性連接至第二電極。該電容器尚包括了一額外連 通孔，該額外連通孔介于該第一連通孔及該第二連通孔之間。而且，該額外連 通孔長(zhǎng)度較該第一連通孔及該第二連通孔的長(zhǎng)度短。此外，該額外連通孔與該 第一電極及該第二電極其中之一電性連接。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)例提供一內(nèi)埋于電路板內(nèi)的電容器，該電容器包 括多個(gè)電極、 一第一連通孔沿該電容器的該厚度方向從該頂部電極延伸至該 底部電極、及一第二連通孔沿該電容器的該厚度方向從該頂部電極延伸至該底 部電極。該電極包括一組第一電極及一組第二電極。該第一連通孔與該第一電 極電性連接且該第二連通孔與該第二電極電性連接。該電容器尚包括一額外連 通孔，該額外連通孔介于該第一連通孔及該第二連通孔之間。而且，該額外連 通孔長(zhǎng)度較該第一連通孔及該第二連通孔的長(zhǎng)度短。此外，該額外連通孔與該 第一電極及該第二電極其中之一電性連接。該電容器還包括了多個(gè)絕緣層，該 絕緣層位于該第一電極和該第二金屬極板之間。該電容器可被使用于各種印刷 電路應(yīng)用中，例如，可內(nèi)藏至硬式及/或可撓式電路板、印刷電路板或其它微 電子組件(如封裝芯片等)之中。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)例中， 一集成電路承載基板，其電性連接至一集 成電路組件，包括 一線路板，該線路板包含一電源層及一接地層;一電容器， 該電容器電性連接至該電源層及該接地層。該電容器包括多個(gè)電極，其包括 了一頂部電極及一底部電極， 一第一連通孔沿該電容器的厚度方向從該頂部電 極延伸至該底部電極;以及一第二連通孔沿該電容器的厚度方向從該頂部電極 延伸至該底部電極。該電極包括一組第一電極及一組第二電極。該第一連通孔 與該第一電極電性連接，且該第二連通孔與該第二電極電性連接。該電容器也 包括一額外連通孔，該額外連通孔介于該第一連通孔與該第二連通孔之間。該 額外連通孔長(zhǎng)度較該第一連通孔及該第二連通孔的長(zhǎng)度短。此外，該額外連通 孔與該第一 電極及該第二電極其中之一相互電性連接。該電容器還包括了多個(gè) 絕緣層，該絕緣層位于該第一電極和該第二金屬極板之間。


結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀將更好地了解前文所述之本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容及以下實(shí) 施方式。然而應(yīng)了解，本發(fā)明不限于所示的精確配置及手段。圖1所示為現(xiàn)有表面黏著電容器示例性阻抗曲線圖； 圖2所示為現(xiàn)有多層電路板上的傳統(tǒng)電容器； 圖3(a)所示為現(xiàn)有傳統(tǒng)電容器之內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖3(b)所示為圖3(a)結(jié)構(gòu)的橫截面圖標(biāo)；圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例中， 一電路板的電容器橫截面圖示； 圖5所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例中， 一電路板的電容器橫截面圖示； 圖6所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例中， 一電路板的電容器橫截面圖示;以及 圖7所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例中，具有電容器的電路板橫截面圖示；主要組件符號(hào)說(shuō)明
14'集成電路 28'導(dǎo)電金屬層 30'導(dǎo)電金屬層 34'第一金屬連通孔 36'第二金屬連通孔 41電容器 44第一內(nèi)部電極 45第二內(nèi)部電極 46第一金屬連通孔 47第二金屬連通孔 400電容器 410第一電極 420第二電極 430絕緣層 430a絕緣層 430b絕緣層 430c絕緣層 440第一連通孔450第二連通孔 460額外連通孔 460a額外連通孔 460b額外連通孔 500電容器 600電容器 700電子電路系統(tǒng) 710集成電路 720電路板 730電容器 732a第一電極 732b第二電極 734a第一連通孔 734b第二連通孔 736額外連通孔 738絕緣層 740線路層 750a電源層 750b接地層 760錫鉛凸塊 770焊墊
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供在電路板中一電容器的線路結(jié)構(gòu)，該電路板的一額外連通孔配 置于第二連通孔及第一連通孔之間。該額外連通孔的長(zhǎng)度較該第二連通孔或該 第一連通孔的長(zhǎng)度短。特別在高頻時(shí)，在電容組件中藉由該額外連通孔縮短該 第二連通孔與該第一連通孔所形成的電流回路面積，因此可以減少寄生電感效 應(yīng)(即電容器之ESL)。
圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)例中具有一線路連接結(jié)構(gòu)的電容器橫截面圖示。參照 圖4， 一電容器400可包括至少一第一電極410及至少一第二電極420，其中該第一電極410與該第二電極420的極性相反。各對(duì)第一電極410及第二電極 420間具有一絕緣層430，以在電容器400中形成一電容性組件。圖4的實(shí)例 中提供該二對(duì)第一電極410及第二電極420，其包含最靠近電容器400頂層表 面之頂部電極420-1以及最靠近電容器400底層表面之底部電極410-1。在另 一實(shí)施例中，電容器亦可包含多對(duì)第一電極及第二電極，其配置方式可相似于 圖4所示之第一電極410及第二電極420。該第一電極410及第二電極420的 材料可為任何具有導(dǎo)電性物質(zhì)所形成。在一實(shí)例中，第一電極410及第二420 由銅制成。該絕緣層430的材料為不具導(dǎo)電性或低導(dǎo)電性的介電材料所形成， 如一實(shí)例中的陶瓷介電材料。
在電容器400中，至少一第一連通孔440及至少一第二連通孔450朝著絕 緣層430的厚度方向延伸并穿過(guò)一特定的絕緣層430。至少有一該第一連通孔 440及至少有一該第二連通孔450自電容器400的頂層表面朝向電容器400底 層表面的方向延伸。該第一連通孔440及該第二連通孔450可藉由如激光鉆孔 工藝、蝕刻工藝、孔柱電鍍、增層法等工藝，將具有導(dǎo)電性的材料填滿該第一 連通孔440及該第二連通孔450，或在其孔壁上涂上一具有導(dǎo)電性的材料，使 得連通孔具有導(dǎo)電性。在一個(gè)實(shí)施例中，該第一連通孔440及第二連通孔450 的內(nèi)壁被鍍上銅。由于銅具有導(dǎo)電性，第一連通孔440可電性連接至該第一電 極410并藉由絕緣環(huán)與該第二電極420電性絕緣。相對(duì)地，第二連通孔450 電性連接至第二電極420并與該第一電極410電性絕緣。因此，藉由第一連通 孔440及第二連通孔450以并聯(lián)方式連接多個(gè)第一電極410及第二電極420， 可產(chǎn)生多個(gè)電容性組件。
再度參考圖4，該電容器400也包含至少一個(gè)額外連通孔460，該額外連 通孔460配置于任何一對(duì)該第一連通孔440及該第二連通孔450之間。該額外 連通孔460在長(zhǎng)度短于第一連通孔440的長(zhǎng)度，而且該額外連通孔460長(zhǎng)度也 短于第二連通孔450的長(zhǎng)度。如同該第一連通孔440及第二連通孔450，額外 連通孔460可藉由如激光鉆孔工藝、增層法、蝕刻、鉆孔及電鍍等工藝形成。 然而，該第一連通？L、第二連通孔及額外連通孔的形狀可為圓柱狀或其它任何 形狀的信道及其組合。該額外連通孔460被填滿或涂上一導(dǎo)電材料以形成導(dǎo) 體。在一個(gè)實(shí)例中，該額外連通孔460的內(nèi)壁被鍍上銅。如圖4所示，當(dāng)該額 外連通孔460被配置相對(duì)接近于一第二連通孔450時(shí)，該額外連通孔460電性連接至第一電極410，且與第一連通孔440電性導(dǎo)通。相反地，當(dāng)額外連通孔 460配置于相對(duì)接近一第一連通孔440時(shí)，該額外連通孔460電性連接至第二 電極420，且與第二連通孔450電性導(dǎo)通。該額外連通孔460配置的目的是減 少由第一連通孔440及第二連通孔450流入電容組件的電流回路面積，以降低 寄生電感效應(yīng)。
圖5所示為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)例的電容器。參照?qǐng)D5，該電容器500類(lèi)似 于圖4的電容器400，除了在電容器500的絕緣層430a、 430b及430c分別由 具有不同介電常數(shù)的絕緣材料所形成。
圖6所示為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)例中的一電容器。參照?qǐng)D6，該電容器600 類(lèi)似于圖4的電容器400，除了該電容器600可包含兩個(gè)額外連通孔460a及 460b，每個(gè)額外連通孔配置于一對(duì)該第一連通孔440及該第二連通孔450之間。
圖7所示為根據(jù)本發(fā)明的電容器線路結(jié)構(gòu)的實(shí)例，應(yīng)用于一電子電路系 統(tǒng)，當(dāng)作去耦合電容器的功效。該電子電路系統(tǒng)700可包含一集成電路710， 其藉由錫鉛凸塊760及焊墊770電性連接至電路板720。該電路板720包含一 電容器730及線路層740。該電容器730乃根據(jù)本發(fā)明的一結(jié)構(gòu)，該電容器730 的第一電極732a及第二電極732b分別電性連接至一第一連通孔734a及一第 二連通孔734b。 一額外連通孔736在該第一連通孔734a及該第二連通孔734b 之間，在本實(shí)例中，該額外連通孔736相對(duì)接近該第二連通孔734b，該額外 連通孔736電性連接至第一電極732a并與第一連通孔734a電性導(dǎo)通。該電容 器730有多個(gè)絕緣層738，其中每個(gè)絕緣層被夾在毗鄰的兩個(gè)金屬電極之間。 參照?qǐng)D7，該第二連通孔734b電性連接至接地層750b，其中接地層750b位于 線路層740之中，然而，該額外連通孔736電性連接至電源層750a，其中電 源層750a位于線路層740之中。該第一連通孔734a和第二連通孔734b透過(guò) 錫鉛凸塊760及焊墊770電性連接至集成電路710，以作為該集成電路710的 電源系統(tǒng)去耦合之用。依據(jù)前述線路結(jié)構(gòu)，當(dāng)該電路操作在一高頻中，電流會(huì) 流經(jīng)額外連通孔736并經(jīng)由第二連通孔734b流回集成電路710，進(jìn)而縮小電 流回路面積。該電容器可使用在多種印刷電路的應(yīng)用。例如，電容器可被電性 耦接或內(nèi)埋于硬式及/或可撓性電子電路、印刷電路板或其它微電子器件，如 芯片封裝等。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作 出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán) 利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一電容器，其特征在于，該電容器包括多個(gè)電極，該電極包含一頂部電極及一底部電極，該等電極包含一組第一電極及一組第二電極；一第一連通孔，該第一連通孔沿該電容器的厚度方向從該頂部電極延伸至該底部電極，該第一連通孔電性連接至第一電極；一第二連通孔，該第二連通孔沿該電容器的厚度方向從該頂部電極延伸至該底部電極，該第二連通孔電性連接至第二電極；以及一額外連通孔，該額外連通孔的位置介于該第一連通孔及該第二連通孔之間，該額外連通孔長(zhǎng)度較該第一連通孔及該第二連通孔的長(zhǎng)度短，而且該額外連通孔與該第一電極及該第二電極其中之一電性連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，該第一連通孔、該第二連通 孔及該額外連通孔的形狀為圓柱狀或其它任何形狀及其組合。
3. 如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，該額外連通孔電性連接至該 第一電極及該第二電極之一是取決于第一連通孔及第二連通孔何者的配置位 置相對(duì)較靠近該額外連通孔。
4. 如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，當(dāng)該額外連通孔配置于相 對(duì)靠近于該第二連通孔，該額外連通孔電性連接至該第一電極。
5. 如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，當(dāng)該額外連通孔配置于相對(duì) 靠近于該第一連通孔時(shí)，該額外連通孔電性連接至該第二電極。
6. —內(nèi)埋于一電路板的電容器，其特征在于，該電容器包括 多個(gè)電極，其包括了一頂部電極及一底部電極，該電極包括一組第一電極及一組第二電極；一第一連通孔，該第一連通孔沿該電容器的厚度方向從該頂部電極延伸至 該底部電極，該第一連通孔電性連接至該第一電極；一第二連通孔，該第二連通孔沿該電容器的厚度方向從該頂部電極延伸至 該底部電極，該第二連通孔電性連接至該第二電極；一額外連通孔，該額外連通孔的位置介于該第一連通孔及該第二連通孔之 間，該額外連通孔長(zhǎng)度較該第一連通孔及該第二連通孔的長(zhǎng)度短，該額外連通孔與該第一電極及該第二電極其中之一電性連接;以及多個(gè)絕緣層，各絕緣層被配置在兩個(gè)相鄰的電極之間。
7. 如權(quán)利要求6所述的電容器，其特征在于，該絕緣層由相同或不同介電 常數(shù)的絕緣材料所形成。
8. 如權(quán)利要求6所述的電容器，其特征在于，該第一連通孔、該第二連 通孔及該額外連通孔的形狀為圓柱狀或其它任何形狀及其組合。
9. 如權(quán)利要求6所述的電容器，其特征在于，該額外連通孔電性連接至 該第一電極及該第二電極之一取決于第一連通孔及第二連通孔何者的配置位 置相對(duì)較靠近該額外連通孔。
10. 如權(quán)利要求6所述的電容器，其特征在于，當(dāng)該額外連通孔配置于相 對(duì)靠近該第一連通孔時(shí)，該額外連通孔電性連接至該第二電極。
11. 如權(quán)利要求6所述的電容器，其特征在于，當(dāng)該額外連通孔配置于相 對(duì)靠近該第二連通孔時(shí)，該額外連通孔電性連接至該第一電極。
12. —集成電路承載基板，其電性連接至一集成電路芯片，其特征在于， 該集成電路承載基板包括一包含一電源層及一接地層的線路層;以及一電容器，該電容器電性連接至該電源層及該接地層，其中該電容器包括多個(gè)電極，其包括了一頂部電極及一底部電極，該電極包括一組第一電極及一組第二電極；一第一連通孔，該第一連通孔沿該電容器的厚度方向從該頂部電極延伸至 該底部電極，該第一連通孔電性連接至該第一電極；一第二連通孔，該第二連通孔沿該電容器的厚度方向從該頂部電極延伸至 該底部電極，該第二連通孔電性連接至該第二電極；一額外連通孔，該額外連通孔的位置介于該第一連通孔及該第二連通孔之 間，該額外連通孔長(zhǎng)度較該第一連通孔及該第二連通孔的長(zhǎng)度短，該額外連通 孔與該第一 電極及該第二電極其中之一 電性連接;以及多個(gè)絕緣層，各絕緣層被配置在兩個(gè)相鄰的電極之間。
13. 如權(quán)利要求12所述的集成電路承載基板，其特征在于，該第二連通 孔電性連接至該接地層，該額外連通孔及第二連通孔皆電性連接至該電源層。
14. 如權(quán)利要求12所述的集成電路承載基板，其特征在于，該第一連通孔電性連接至該接地層，該額外連通孔及第二連通孔皆電性連接至該電源層。
15. 如權(quán)利要求12所述的集成電路承載基板，其特征在于，該絕緣層由 相同或不同介電常數(shù)的絕緣材料所形成。
16. 如權(quán)利要求12所述的集成電路承載基板，其特征在于，該第一連通孔、該第二連通孔及該額外連通孔的形狀為圓柱狀或其它任何形狀及其組合。
17. 如權(quán)利要求12所述的集成電路承載基板，其特征在于，該額外連通 孔電性連接至該第一電極及該第二電極之一取決于第一連通孔及第二連通孔 何者的配置位置相對(duì)較靠近該額外連通孔。
18. 如權(quán)利要求12所述的集成電路承載基板，其特征在于，當(dāng)該額外連 通孔配置于相對(duì)靠近該第一連通孔時(shí)，該額外連通孔電性連接至該第二電極。
19. 如權(quán)利要求12所述的集成電路承載基板，其特征在于，當(dāng)該額外連 通孔配置于相對(duì)靠近該第二連通孔時(shí)，該額外連通孔電性連接至該第一電極。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種電容器、包含該電容器的電路板及集成電路承載基板，該電容器是為相關(guān)于降低電容器的等效串聯(lián)電感(ESL)的線路結(jié)構(gòu)。該電容器包括多個(gè)電極、一沿著該電容器的厚度方向從頂部電極延伸至底部電極的第一連通孔、及一沿著該電容器的厚度方向從頂部電極延伸至底部電極的第二連通孔。該電極包括一組第一電極及一組第二電極。該第一連通孔電性連接至該第一電極，且，該第二連通孔電性連接至該第二電極。該電容器尚包括一介于該第一連通孔及該第二連通孔之間的額外連通孔。該額外連通孔的長(zhǎng)度短于第一連通孔及第二連通孔的長(zhǎng)度。此外，該額外連通孔電性連接至第一電極及第二電極其中之一。
文檔編號(hào)H05K1/03GK101295585SQ20081009055
公開(kāi)日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2008年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者吳仕先, 徐健明, 李明林, 賴信助 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院