專(zhuān)利名稱(chēng)：：電路連接材料、電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電路連接材料、使用其的薄膜狀電路連接材料、電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)及其制造方法。技術(shù)背景自古以來(lái)，就已知道將液晶顯示器、TCP(TapeCarrierPackage:巻帶式封裝)與FPC(FlexiblePrintedCircuit:撓性印刷電路板)、TCP、或FPC與印刷電路板等電路構(gòu)件相互連接的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，在如此電路構(gòu)件相互連接中，使用在粘接劑中分散導(dǎo)電粒子而成的電路連接材料(例如，異向?qū)щ娦哉辰觿?(參照例如，特開(kāi)昭59-120436號(hào)公報(bào)、特開(kāi)昭60-191228號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平1-251787號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平7-90237號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2001-189171號(hào)公報(bào))。另一方面，伴隨著近年電子儀器的小型化、薄型化，電路不斷向高密度化發(fā)展，電路構(gòu)件中的電路電極間的間隔或電路電極的寬幅變得非常窄，難以確保電路電極間的高絕緣性。因此，在電路構(gòu)件中，^確保電路電極間的高絕緣性，認(rèn)為需要在電路電極間設(shè)置由有機(jī)絕緣性物質(zhì)、二氧化硅、氮化硅等所構(gòu)成的絕緣層。圖7是表示電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)的先前例的剖面圖。如圖7所示，電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)IOO具備第一電路構(gòu)件131、第二電路構(gòu)件141，第一電路構(gòu)件131與第二電路構(gòu)件141通過(guò)電路連接構(gòu)件150連接。第一電路構(gòu)件131是由電路基板132、鄰接于電路基板132的一面132a上所形成的電路電極133及絕緣層134而構(gòu)成，絕緣層134的一部分形成為呈跨上電路電極133的邊緣的形狀?！熠?，絕緣層134的一部分是以電路基板132的一面132a作為基準(zhǔn)、厚于電路電極133而形成。此外，第二電路構(gòu)件141是與第一電路構(gòu)件131相同的構(gòu)成，由電路基板142、鄰接于電路基板142的一面142a上所形成的電路電極143及絕緣層144而構(gòu)成，絕緣層144的一部分形成為呈跨上電路電極143的邊緣的形狀。另一方面，電路連接構(gòu)件150是，例如在苯并鳥(niǎo)糞胺樹(shù)脂粒子的表面形成鍍鎳層而得到的導(dǎo)電粒子152分散于絕緣性物質(zhì)151中而成。此處，例如導(dǎo)電粒子的平均粒徑是5nm且硬度(K值)為7490N/mm2。
發(fā)明內(nèi)容但是，前述的以往的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)IOO具有以下所示問(wèn)題。艮P，在圖7所示電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)100中，有對(duì)向的電路電極133、143間的接觸電阻變大，同時(shí)電氣特性的長(zhǎng)期可靠性不足的問(wèn)題。本發(fā)明是鑒于上述情況而進(jìn)行的，以提供可充分降低對(duì)向的電路電極間的連接電阻，且電氣特性的長(zhǎng)期可靠性?xún)?yōu)異的電路連接材料、使用其的薄膜狀電路連接材料、電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)及其制造方法為目的。本發(fā)明人銳意研究解決上述問(wèn)題的結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生上述問(wèn)題的原因尤其在于導(dǎo)線粒子的硬度。即，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，若導(dǎo)電粒子的硬度過(guò)大，則導(dǎo)電粒子被夾在跨上電路電極的邊緣的絕緣膜相互間，導(dǎo)電粒子無(wú)法充分地與對(duì)向的電路電極133、143都接觸，其結(jié)果是，對(duì)向的電路電極133、143間的連接電阻將變大。于是，本發(fā)明人以在電路構(gòu)件中絕緣膜的一部分形成為跨上電路電極的邊緣的形狀為前提，進(jìn)一步累積銳意研究解決上述問(wèn)題的結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)通過(guò)利用以固化處理使4(TC的貯存彈性模量及25100'C的平均熱膨脹系數(shù)位于特定范圍，且導(dǎo)電粒子的平均粒徑及硬度位于特定范圍的電路連接材料，可解決上述問(wèn)題，從而實(shí)現(xiàn)完成本發(fā)明。艮P，本發(fā)明是一種電路連接材料，其是用于連接第一電路構(gòu)件及第二電路構(gòu)件的電路連接材料，該第一電路構(gòu)件是第一電路電極與第一絕緣層在第一電路基板的主面上鄰接形成的電路構(gòu)件，該第二電路構(gòu)件是第二電路電極與第二絕緣層在第二電路基板的主面上鄰接形成的電路構(gòu)件；在前述第一及第二電路構(gòu)件的至少一方，前述絕緣層的至少一部分是以前述主面作為基準(zhǔn)、厚于前述電路電極而形成；其特征在于含有粘接劑組合物以及導(dǎo)電粒子，該導(dǎo)電粒子平均粒徑大于等于llim小于10jim且硬度為1.961-6.865GPa;通過(guò)固化處理，在40。C的貯存彈性模量成為0.53Gpa;通過(guò)固化處理，25。C至IO(TC的平均熱膨脹系數(shù)成為30~200ppm/°C。根據(jù)該電路連接材料，使之介在于第一及第二電路構(gòu)件之間，經(jīng)由第一及第二電路構(gòu)件加熱及加壓，進(jìn)行固化處理，則可充分減低對(duì)向的電路電極間的連接電阻。此外，可提供電氣特性的長(zhǎng)期可靠性?xún)?yōu)異的結(jié)構(gòu)。如上述可充分減低電路電極間的連接電阻可能是由于，相互連接電路構(gòu)件之際，在絕緣層和與其對(duì)向的電路電極之間，或在對(duì)向的絕緣層間雖然夾有導(dǎo)電粒子，但可使導(dǎo)電粒子適度地扁平化，使對(duì)向的電路電極間的距離充分地變小。此外，對(duì)向的電路電極間的電氣特性的長(zhǎng)期可靠性?xún)?yōu)異可能是由于，通過(guò)電路連接材料的固化處理，使第一電路構(gòu)件與第二電路構(gòu)件牢固連接，從而充分減低第一電路電極與第二電路電極間的距離的經(jīng)時(shí)變化。此外，本發(fā)明是一種薄膜狀電路連接材料，其特征在于，是將上述電路連接材料形成為薄膜狀而成。該薄膜狀電路連接材料呈薄膜狀，容易使用。因此，根據(jù)該薄膜狀電路連接材料，在連接第一電路構(gòu)件及第二電路構(gòu)件之際，可容易地使之介在于它們之間，可容易地進(jìn)行第一電路構(gòu)件與第二電路構(gòu)件的連接作業(yè)。此外，本發(fā)明是一種電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其具備第一電路構(gòu)件，其是第一電路電極與第一絕緣層在第一電路基板的主面上鄰接形成；第二電路構(gòu)件，其是第二電路電極與第二絕緣層在第二電路基板的主面上鄰接形成；以及電路連接構(gòu)件，其設(shè)置于第一電路構(gòu)件的主面與第二電路構(gòu)件的主面之間、連接第一及第二電路構(gòu)件彼此；在第一及第二電路構(gòu)件的至少一方，絕緣層的至少一部分是以電路基板的主面為基準(zhǔn)、厚于電路電極而形成；其特征在于，電路連接構(gòu)件包含絕緣性物質(zhì)、以及導(dǎo)電粒子，該導(dǎo)電粒子的平均粒徑大于等于lpm小于10pm且硬度為1.961~6.865GPa;電路連接構(gòu)件在40°C的貯存彈性模量為0.5~3GPa且25'C至IO(TC的平均熱膨脹系數(shù)為30200ppm/。C;第一電路電極與第二電路電極經(jīng)由導(dǎo)電粒子而電性連接。根據(jù)該電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，由于第一電路電極與第二電路電極經(jīng)由導(dǎo)電粒子電性連接，可充分減低第一及第二電極間的連接電阻。此外，電氣特性的長(zhǎng)期可靠性?xún)?yōu)異。此外，本發(fā)明是一種電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)的制造方法，該電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)具備該電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)具備第一電路構(gòu)件，其是第一電路電極與前述第一絕緣層在第一電路基板的主面上鄰接形成；第二電路構(gòu)件，其是第二電路電極與第二絕緣層在第二電路基板的主面上鄰接形成；以及電路連接構(gòu)件，其設(shè)置于前述第一電路構(gòu)件的主面與前述第二電路構(gòu)件的主面之間、將前述第一及第二電路構(gòu)件彼此連接；在前述第一及第二電路構(gòu)件的至少一方，前述絕緣層的至少一部分是以前述電路基板的主面作為基準(zhǔn)、厚于前述電路電極而形成；其特征在于，使上述薄膜狀電路連接材料介在于前述第一電路基板的主面與前述第二電路基板的主面之間；通過(guò)經(jīng)由前述第一及第二電路構(gòu)件加熱及加壓前述電路連接材料而進(jìn)行固化處理，連接前述第一電路構(gòu)件與前述第二電路構(gòu)件，使前述第一電路電極與前述第二電路電極經(jīng)由前述導(dǎo)電粒子而電性連接。根據(jù)該電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)的制造方法，使上述電路連接材料介在于第一電路構(gòu)件與第二電路構(gòu)件之間，通過(guò)經(jīng)由第一及第二電路構(gòu)件加熱及加壓而對(duì)電路連接材料進(jìn)行固化處理，可充分減低對(duì)向的電路電極間的連接電阻，且可得到電氣特性的長(zhǎng)期可靠性?xún)?yōu)異的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)?？傻玫娇沙浞譁p低對(duì)向的電路電極間的連接電阻的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)的原因，認(rèn)為可能是由于，相互連接電路構(gòu)件的時(shí)候，在絕緣層和與其對(duì)向的電路電極之間，或在對(duì)向的絕緣層間即使夾有導(dǎo)電粒子，由于導(dǎo)電粒子被適度地扁平化，可使對(duì)向的電路電極間的距離充分地變小。此外，認(rèn)為可得到可充分減低對(duì)向的電路電極間的連接電阻的電路構(gòu)件連接結(jié)構(gòu)的原因可能在于，通過(guò)電路材料的固化處理，使第一電接構(gòu)件與第二連接構(gòu)件牢固地連接，可充分減低第一電路電極與第二電路電極的間距的經(jīng)時(shí)變化。圖1表示關(guān)于本發(fā)明的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式的概略剖面圖。圖2是圖1的部分放大剖面圖。圖3(a)(b)是表示圖1的導(dǎo)電粒子的種種形態(tài)的剖面圖。圖4是表示關(guān)于本發(fā)明的薄膜狀電路連接材料的一種實(shí)施方式的剖面圖。圖5是關(guān)于本發(fā)明的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)的制造方法的一個(gè)工序的示意圖。圖6是表示關(guān)于本發(fā)明的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)的其它實(shí)施方式的剖面圖。圖7是先前的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)的一例的剖面圖。其中，10電路連接構(gòu)件，11絕緣性物質(zhì)，12導(dǎo)電粒子，12a核體，12b金屬層，12c最外層，30第一電路構(gòu)件，31電路基板(第一電路基板)，31a主面，32電路電極(第一電路電極)，33絕緣層(第一絕緣層)，33a絕緣層33的邊緣部，40第二電路構(gòu)件，41電路基板(第二電路基板)，41a主面，42電路電極(第二電路電極)，43絕緣層(第二絕緣層)，43a絕緣層43的邊緣部，50薄膜狀電路連接材料，51粘接劑組合物，100電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，131第一電路構(gòu)件，132電路基板，132a電路基板132的一面，133電路電極，134絕緣層，141第二電路構(gòu)件，142電路基板，142a電路基板142的一面，143電路電極，144絕緣層，150電路連接構(gòu)件，151絕緣性物質(zhì)，152導(dǎo)電粒子，200電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，300電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，Dl距離，D2厚度差，D3厚度差具體實(shí)施方式以下，參照本發(fā)明的適宜的實(shí)施方式。此外，同一要素使用相同符號(hào)，省略重復(fù)說(shuō)明。[電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式]首先，說(shuō)明關(guān)于本發(fā)明的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。圖1是表示關(guān)于本發(fā)明的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)的第一種實(shí)施方式的概略剖面圖，圖2是圖1的部分放大剖面圖。如圖1及圖2所示，本實(shí)施方式的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)200具備相互對(duì)向的第一電路構(gòu)件30及第二電路構(gòu)件40，在第一電路構(gòu)件30與第二電路構(gòu)件40之間，設(shè)置有連接它們的電路連接構(gòu)件10。第一電路構(gòu)件30具備電路基板(第一電路基板)31，形成于電路基板31的主面31a上的電路電極(第一電路電極)32，以及形成于電路基板31的主面31a上的絕緣層(第一絕緣層)33。電路電極32與絕緣層33，在電路基板31上相互鄰接形成。此處，絕緣層33的兩邊緣部33a形成為呈跨上電路電極32的邊緣的狀態(tài)。S卩，絕緣層33的兩邊緣部33a:，以電路基板31的主面31a作為基準(zhǔn)、厚于電路電極32的中央部而形成。此外，此時(shí)絕緣層33的邊緣部33a的厚度是指，由電路基板31的主面31a至絕緣層33的邊緣部33a的表面的距離。另一方面，第二電路構(gòu)件40具備電路基板41，形成于電路基板41的主面41a上的電路電極(第二電路電極)42，以及形成于電路基板41的主面41a上的絕緣層(第二絕緣層)43。此外，絕緣層43的兩邊緣部43a跨上電路電極42的邊緣，并以電路基板41的主面41a作為基準(zhǔn)、厚于電路電極42而形成，就上述方面來(lái)說(shuō)，與第一電路構(gòu)件30的情形相同。然后，在第一電路構(gòu)件30與第二電路構(gòu)件40對(duì)向的狀態(tài)下，絕緣層33的邊緣部33a與絕緣層43的邊緣部43a之間的間隔，比電路電極32與電路電極42之間的間隔窄。次外，對(duì)于電路連接構(gòu)件10，構(gòu)成其的材料在40'C的貯存彈性模量為0.53GPa，25。C至IOO'C的平均熱膨脹系數(shù)為30200ppm廠C。電路連接構(gòu)件IO含有:絕緣性物質(zhì)11和導(dǎo)電粒子12，導(dǎo)電粒子12的平均粒徑大于等于1,小于10(im且硬度為1.9616.865GPa。在該電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)200中，電路電極32、42經(jīng)由導(dǎo)電粒子12電性連接。即，導(dǎo)電粒子12與電路電極32、42雙方都直接接觸。此外，絕緣層33的邊緣部33a與絕緣層43的邊緣部43a之間夾有導(dǎo)電粒子12的情況下，導(dǎo)電粒子12呈扁平狀態(tài)，以不妨礙電路電極32、42之間的電性連接。在該電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)200中，如上所述，對(duì)向的電路電極32與電路電極42經(jīng)由導(dǎo)電粒子12電性連接。因此，可充分減低電路電極32、42之間的連接電阻。因此，可使電路電極32、42之間的電流流動(dòng)圓滑，可充分地發(fā)揮電路所擁有的功能。此外，通過(guò)使電路連接構(gòu)件10以如上所述而構(gòu)成，則可通過(guò)緩和電路構(gòu)件30或40與電路連接構(gòu)件10的界面的應(yīng)力，而實(shí)現(xiàn)高的粘接強(qiáng)度，且可長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)該狀態(tài)。即，可充分防止電路電極32、42之間的距離的經(jīng)時(shí)變化，充分提高電路電極32、42之間的電氣特性的長(zhǎng)期可靠性。此處，詳細(xì)說(shuō)明通過(guò)使電路連接構(gòu)件IO包含具有上述范圍內(nèi)的硬度的導(dǎo)電粒子12，可充分減低電路電極32、42間的連接電阻的理由。首先，由于電路連接構(gòu)件10中含有絕緣性物質(zhì)11，為充分減低電路電極32、42間的連接電阻，需要導(dǎo)電粒子12接觸電路電極32、42雙方，為使導(dǎo)電粒子12與電路電極32、42雙方都接觸，未扁平化的導(dǎo)電粒子12的粒徑A、與絕緣層43的邊緣部43a對(duì)向的絕緣層33的邊緣部33a之間的距離Dl、以及電路電極32的厚度與絕緣層33的邊緣部33a的厚度差D3、電路電極42的厚度與絕緣層43的邊緣部43a的厚度差D2需要滿(mǎn)足下式(l)的條件。D1+D2+D3^A(1)艮P，與絕緣層33的邊緣部33a對(duì)向的絕緣層43的邊緣部43a之間的距離D1，需要滿(mǎn)足下式(2)的條件。D1^A-D2-D3(2)此處，假設(shè)導(dǎo)電粒子具有超過(guò)6.865GPa程度的極高的硬度，則例如在電路構(gòu)件30的絕緣層33的邊緣部33a和電路構(gòu)件40的絕緣層43的邊緣部43a之間夾有導(dǎo)電粒子的情況下，導(dǎo)電粒子無(wú)法扁平化，絕緣層33的邊緣部33a與電路構(gòu)件40的絕緣層43的邊緣部43a之間的距離Dl無(wú)法充分變小。其結(jié)果是，Dl無(wú)法滿(mǎn)足上述式(2)。艮卩，電路電極32、42之間的距離(D1+D2+D3)大于導(dǎo)電粒子12的粒徑A。因此，電路電極32、42之間的導(dǎo)電粒子無(wú)法與電路電極32、42雙方都接觸，電路電極32、42間的連接電阻將變大。對(duì)此，若導(dǎo)電粒子12具有1.961~6.865GPa的硬度，則導(dǎo)電粒子12例如夾于絕緣層33的邊緣部33a與電路構(gòu)件40的絕緣層43的邊緣部43a之間的情況下，會(huì)被扁平化。因此，上述D1就滿(mǎn)足上述式(2)的條件，導(dǎo)電粒子12與電路電極32、42雙方都接觸，可充分地減低電路電極32、42之間的連接電阻。此外，在構(gòu)成上述電路連接構(gòu)件10的材料固化后在4(TC的貯存彈性模量不足0.5Gpa的情況下，粘接強(qiáng)度不足，而當(dāng)超過(guò)3Gpa時(shí)，則因內(nèi)部應(yīng)力而增大連接部的連接電阻，或粘接劑剝離。此外，上述平均熱膨脹系數(shù)不足30ppmTC的情況下，則粘接強(qiáng)度不足，而當(dāng)超過(guò)200ppm廠C時(shí)，則因內(nèi)部應(yīng)200810080423.3說(shuō)明書(shū)第8/26頁(yè)力而增大連接部的連接電阻，或粘接劑剝離。此外，在導(dǎo)電粒子12的硬度超過(guò)6.865Gpa的情況下，由于導(dǎo)電粒子12無(wú)法充分扁平化，導(dǎo)電粒子12與電路電極32、42的接觸面積減小，連接電阻上升，無(wú)法充分確保對(duì)向的電路電極32、—:42間的電性連接。另一方面，在導(dǎo)電粒子12的硬度不足1.961Gpa的情況下，由于導(dǎo)電粒子12無(wú)法追隨電路電極32、42在高溫高濕時(shí)的間隔的變化，因而無(wú)法充分減低電路電極32、42間的連接電阻。再者，導(dǎo)電粒子12的硬度，在導(dǎo)電粒子12經(jīng)過(guò)電鍍的情況下，可使用微小壓縮試驗(yàn)機(jī)(株式會(huì)社島津制作所制)將電鍍后的導(dǎo)電粒子的的直徑變形10%,由此時(shí)的施重P(MPa，Kgf)，導(dǎo)電粒子的半徑r(mm)及壓縮時(shí)的位移A(mm)，通過(guò)下式(3)求得。導(dǎo)電粒子硬度氣3/V^)XPX△('3/2)X,/2)(3)此外，在導(dǎo)電粒子12的平均粒徑不足lpm的情況下，導(dǎo)電粒子過(guò)小而無(wú)法接觸電路電極雙方，無(wú)法充分確保電性連接，在大于等于10,的情況下，則難以適用于具有高密度電路的電路構(gòu)件。接著，詳細(xì)說(shuō)明導(dǎo)電粒子12的構(gòu)成。在圖3中，(a)及(b)是表示導(dǎo)電粒子12的種種形態(tài)的剖面圖。如圖3(a)所示，導(dǎo)電粒子12由有機(jī)高分子所成的核體12a，和形成于該核體12a上的金屬層12b構(gòu)成。就這樣的形態(tài)的導(dǎo)電粒子12來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電粒子12的硬度系大致由核體12a的硬度所支配。因此，核體12a的硬度依賴(lài)于作為的材料的有機(jī)高分子的結(jié)構(gòu)、交聯(lián)點(diǎn)間的距離、交聯(lián)度等。因此，為使導(dǎo)電粒子12的硬度位于上述范圍，可以適當(dāng)選擇后述的有機(jī)高分子的材料、結(jié)構(gòu)等要素。作為構(gòu)成核體12a的有機(jī)高分子，可以舉出丙烯酸樹(shù)脂、苯乙烯樹(shù)脂、苯并鳥(niǎo)糞胺樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、聚丁二烯樹(shù)脂等。此外，上述有機(jī)高分子也可以為具有，基于構(gòu)成上述樹(shù)脂的單體的重復(fù)單元之中的至少2種以上任意組合而成的結(jié)構(gòu)的共聚物，優(yōu)選從苯并鳥(niǎo)糞胺、丙烯酸酯、二烯丙基對(duì)苯二甲酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二乙烯基苯及苯乙烯所成的群中選擇至少兩種或兩種以上共聚合而得的共聚物，更優(yōu)選組合季戊四醇四丙烯酸酯、二乙烯基苯及苯乙烯所得的共聚物。其中，苯并鳥(niǎo)糞胺等，由于在分子中具有剛直的結(jié)構(gòu)其交聯(lián)點(diǎn)間的距離也短，因而在共聚物中這種分子的含有率越高，可得到越硬的導(dǎo)電粒子12。此外也可通過(guò)使有機(jī)高分子的交聯(lián)度增高，得到硬的導(dǎo)電粒子12。另一方面，就丙烯酸酯、二烯丙基對(duì)苯二甲酸酯等來(lái)說(shuō)，由于交聯(lián)點(diǎn)間的距離變長(zhǎng)，因而共聚物中使這種分子的含有率越高，可得到越柔軟的導(dǎo)電粒子12。此外也可通過(guò)使有機(jī)高分子的交聯(lián)度降低，得到柔軟的導(dǎo)電粒子12。因此，通過(guò)適宜選擇構(gòu)成核體12a的有機(jī)高分子，其交聯(lián)點(diǎn)間的距離、交聯(lián)度，可得具有上述范圍的硬度的導(dǎo)電粒子12。形成于核體12a上的金屬層12b由，例如銅、鎳、鎳合金、銀或銀合金構(gòu)成，金屬層12b,可采用無(wú)電解電鍍法對(duì)核體12a電鍍這些金屬而形成。此處，鎳合金，根據(jù)電鍍?cè)≈姓{(diào)配的添加劑而有種種，常知的有鎳-磷、鎳-硼等合金。此外，對(duì)其他合金也有同樣者。金屬層12b的厚度(電鍍厚度)，優(yōu)選50nm170nm，更優(yōu)選50nm150nm。若厚度不足50nm，則有產(chǎn)生電鍍?nèi)睋p(剝離)等使得連接電阻增大的傾向，若超過(guò)170nm，則在導(dǎo)電粒子12間產(chǎn)生凝結(jié)，有在鄰接的電路電極間產(chǎn)生短路的傾向。此外，導(dǎo)電粒子12，如圖3(b)所示也可在金屬層12b上進(jìn)一步具備最外層12c。最外層12c由金或鈀構(gòu)成，可在金屬層12b上通過(guò)取代電鍍而形成。通過(guò)設(shè)置該最外層12c，在電路電極32、42間，可達(dá)到進(jìn)一步良好的連接電阻。g卩，可將連接電阻充分減低。最外層12c的厚度優(yōu)選15~70nm。當(dāng)厚度不足15mn時(shí)，有因電鍍的缺損而難以得到充分效果的傾向。另一方面，當(dāng)厚度超過(guò)70nm時(shí)，雖可達(dá)到良好的連接電阻，但由于所使用的電鍍液量相乘地增加，因而有使制造成本變得非常高的傾向。此外，在設(shè)置最外層12c的情況下，金屬層12b的膜厚優(yōu)選70170nm。若膜厚不足70rnn，則有產(chǎn)生電鍍?nèi)睋p(剝離)等使得連接電阻變大的傾向，若超過(guò)170nm，則在導(dǎo)電粒子12間產(chǎn)生凝結(jié)，有在鄰接的電路電極間產(chǎn)生短路的傾向。此外，就上述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)200來(lái)說(shuō)，在上述第一電路構(gòu)件30中，絕緣層33的邊緣部33a的厚度與電路電極32的中央部的厚度差D3為50~600nm，在第二電路構(gòu)件40中，絕緣層43的邊緣部43a的厚度與電路電極42的厚度差D2為50600nm的情況下，對(duì)向的電路電極32、42間的連接電阻的減低效果將特別顯著。絕緣層33、43，只要以絕緣材料構(gòu)成就無(wú)特別限制，但通常由有機(jī)絕緣性物質(zhì)、二氧化硅或氮化硅構(gòu)成。此外，電路電極32、42，通常其整體由金、銀、錫、鉑族金屬或ITO(銦-錫氧化物)構(gòu)成，但電路電極32、42，也可僅將其表面由上述物質(zhì)構(gòu)成。此外，電路基板31、41的材料并無(wú)特別限制，但通常是有機(jī)絕緣性物質(zhì)、玻璃或硅。上述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)200，第一及第二電路構(gòu)件30、40各自的電路電極32、42的面積小于等于15000^10!2的情況下，仍可取得良好的連接電阻。此外，對(duì)向的電路電極32、42間的平均導(dǎo)電粒子數(shù)大于等于3個(gè)的情況下，可取得更好的連接電阻。此處，所謂平均導(dǎo)電粒子數(shù)是指一個(gè)電路電極的導(dǎo)電粒子數(shù)的平均值。此時(shí)，可充分地減低對(duì)向的電路電極32、42間的連接電阻。此外，平均導(dǎo)電粒子數(shù)大于等于6個(gè)的情況下，可取得更好的連接電阻。原因在于，對(duì)向的電路電極32、42間的連接電阻變得足夠低。此外，電路電極32、42間的平均導(dǎo)電粒子數(shù)小于等于2個(gè)的情況下，則連接電阻過(guò)高，有電子電路無(wú)法正常運(yùn)作的擔(dān)心。此外，就上述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)200來(lái)說(shuō)，電路連接構(gòu)件10的玻璃轉(zhuǎn)化溫度優(yōu)選60~200°C。玻璃轉(zhuǎn)化溫度不足6CTC的情況下，有在高溫下粘接強(qiáng)度降低、連接電阻上升的傾向，當(dāng)超過(guò)20(TC時(shí)，有在電路連接構(gòu)件10產(chǎn)生龜裂，和第一或第二電路構(gòu)件30、40的界面應(yīng)力變大、粘接強(qiáng)度降低的傾向。作為第一電路構(gòu)件30及第二電路構(gòu)件40的具體例，可以舉出半導(dǎo)體芯片、電阻體芯片、電容芯片等芯片產(chǎn)品，印刷基板等。在這些電路構(gòu)件中，通常設(shè)置有多個(gè)(根據(jù)情況也可為單數(shù))電路電極(電路端子)。此外，作為連接結(jié)構(gòu)的形態(tài)，也有IC芯片與芯片搭載基板的連接結(jié)構(gòu)，電氣電路相互之間的連接結(jié)構(gòu)的形態(tài)。特別是，當(dāng)電路構(gòu)件為IC芯片時(shí)，連接結(jié)構(gòu)的制造工序中，由于即使不形成凸出，也可充分確保電路電極間的電性連接，因此，在連接結(jié)構(gòu)的制造工序中可省略凸出形成工序，可大大地減低制造成本及制造時(shí)間。[電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)的制造方法]接著，說(shuō)明上述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)200的制造方法。首先，準(zhǔn)備上述第一電路構(gòu)件30與第二電路構(gòu)件40。另外，準(zhǔn)備形成為薄膜狀的電路連接材料(以下，稱(chēng)為薄膜狀電路連接材料)50(參照?qǐng)D4)。作為薄膜狀電路連接材料50，使用包含粘接劑組合物51，該粘接劑組合物是在對(duì)第一電路構(gòu)件30及第二電路構(gòu)件40進(jìn)行固化處理時(shí)發(fā)生固化；和上述導(dǎo)電粒子12;且通過(guò)固化處理，在40'C的貯存彈性模量成為0.53GPa，25。C至10(TC的平均熱膨脹系數(shù)為30200ppm/X:的材料。薄膜狀電路連接材料50的厚度，優(yōu)選10~50,。后面將具體講述薄膜狀電路連接材料50的細(xì)節(jié)。接著，在第一電路構(gòu)件30上，搭載薄膜狀電路連接材料50。接著，將第二電路構(gòu)件40，搭載于薄膜狀電路連接材料50上。由此，可在第一電路構(gòu)件30與第二電路構(gòu)件40之間介在薄膜狀電路連接材料50。此時(shí)，薄膜狀電路連接材料50呈薄膜狀，容易操作。因此，根據(jù)該薄膜狀電路連接材料50，可在連接第一電路構(gòu)件30與第二電路構(gòu)件40時(shí)，使之容易地介在于它們之間，容易地進(jìn)行第一電路構(gòu)件30與第二電路構(gòu)件40的連接作業(yè)。接下來(lái)，經(jīng)由第一電路構(gòu)件30與第二電路構(gòu)件40，一邊加熱薄膜狀電路連接材料50，一邊沿圖5箭頭A及B方向加熱加壓，施以固化處理(參照?qǐng)D5)，在第一電路構(gòu)件30與第二電路構(gòu)件40之間形成電路連接構(gòu)件IO(參照?qǐng)D1)。此時(shí)，通過(guò)固化處理，使電路連接構(gòu)件10在4(TC之、的貯存彈性模量為0.53GPa，且25。C至100。C的平均熱膨脹系數(shù)為30200ppm/。C。再者，固化處理，可通過(guò)一般的方法進(jìn)行，其方法可根據(jù)粘接劑組合物適宜選擇。如此，使薄膜狀電路連接材料50介在于第一電路構(gòu)件30與第二電路構(gòu)件40之間，經(jīng)由第一或第二電路構(gòu)件30、40，一邊加熱薄膜狀電路連接材料50，一邊加壓進(jìn)行固化處理，則薄膜狀電路連接材料50中的導(dǎo)電粒子12，即使夾于對(duì)向的絕緣層43的邊緣部43a與絕緣層33的邊緣部33a之間，也可被扁平化，因而，可充分地使電路電極32與電路電極42之間的距離減小。另一方面，由于可對(duì)薄膜狀電路連接材料50進(jìn)行加熱，因而，在電路電極32與電路電極42之間的距離充分小的狀態(tài)下，粘接劑組合物51發(fā)生固化，對(duì)第一電路構(gòu)件30或第二電路構(gòu)件40的粘接強(qiáng)度增大。如此，第一電路構(gòu)件30與第二電路構(gòu)件40經(jīng)由電路連接構(gòu)件10連接。因此，可使導(dǎo)電粒子12，與對(duì)向的電路電極32、42雙方都接觸。即，電路電極32與電路電極42電性連接。因此，在所得的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)200中，可可充分地減小對(duì)向的電路電極32、42間的連接電阻。此外，通過(guò)使電路連接構(gòu)件10在4(TC的貯存彈性模量為0.53GPa，25。C至100X:的平均熱膨脹系數(shù)為30200ppm廠C，即使在高溫高濕環(huán)境下，仍可使因電路連接構(gòu)件10的膨脹，而充分減小電路電極32與電路電極42間的距離的經(jīng)時(shí)變化。即，即使在高溫高濕環(huán)境下，可充分減低對(duì)向的電路電極32、42間的連接電阻，具有優(yōu)異的電氣特性的長(zhǎng)期可靠性。再者，在上述實(shí)施方式中，使用薄膜狀電路連接材料50制造電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，但也可取代薄膜狀電路連接材料50，使用后述的電路連接材料。在這種情況下，可將電路連接材料溶于溶劑，再將該溶液涂布于第一電路構(gòu)件30或第二電路構(gòu)件40的任意方并使之干燥，從而使之介在于第一及第二電路構(gòu)件30、40間。[電路連接材料]接著，詳細(xì)說(shuō)明上述薄膜狀電路連接材料50的構(gòu)成。薄膜狀電路連接材料50是將電路連接材料成形為薄膜狀而得，電路連接材料含有上述導(dǎo)電粒子12和粘接劑組合物51，由通過(guò)固化處理而成為在40。C的貯存彈性模量為0.53GPa(0.72GPa更佳)，且25°。至IO(TC的平均熱膨脹系數(shù)為30200ppmTC的材料構(gòu)成。若使用固化處理后在4(TC的貯存彈性模量不足0.5Gpa的電路連接材料，則粘接強(qiáng)度不足，另一方面，若使用固化處理后在4(TC的貯存彈性模量超過(guò)3Gpa的電路連接材料，則因內(nèi)部應(yīng)力而增大連接部的連接電阻，或發(fā)生粘接劑剝離。此外，若使用固化處理后上述平均熱膨脹系數(shù)不足30ppm/'C的電路連接材料，則粘接強(qiáng)度不充分，另一方面，若使用固化處理后上述平均熱膨脹系數(shù)超過(guò)200ppm/'C的電路連接材料，則會(huì)因內(nèi)部應(yīng)力而增大連接部的連接電阻，或粘接劑剝離。此外，電路連接材料，優(yōu)選玻璃轉(zhuǎn)化溫度為6020(TC者，更優(yōu)選為60-1800X:者。若使用固化處理后玻璃轉(zhuǎn)化溫度不足6(TC的電路連接材料，則在電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)200中，有產(chǎn)生高溫下的粘接強(qiáng)度降低，連接電阻上升的傾向；若使用固化處理后玻璃轉(zhuǎn)化溫度超過(guò)20(TC的電路連接材料，則由于以高溫且長(zhǎng)時(shí)間固化，電路連接構(gòu)件10中的內(nèi)部應(yīng)力增大，產(chǎn)生龜裂。此外，由于和電路構(gòu)件30或40的界面應(yīng)力變大，有因電路連接構(gòu)件10而粘接強(qiáng)度降低的傾向。電路連接材料中所包含的粘接劑組合物具有粘接性，通過(guò)對(duì)第一及第二電路構(gòu)件30、40進(jìn)行固化處理而固化。此外，粘接劑組合物只要是，固化處理后在4(TC的貯存彈性模量為0.53GPa(以0.72GPa更佳)，且25"C至IO(TC的平均熱膨脹系數(shù)為30200ppm/"C者，任何物質(zhì)都可以，但作為這樣的粘接劑組合物，優(yōu)選含有環(huán)氧樹(shù)脂與環(huán)氧樹(shù)脂的潛在性固化劑的組合物。作為上述環(huán)氧樹(shù)脂，可舉出雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚F型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚S型環(huán)氧樹(shù)脂、酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、甲酚酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚A酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚F酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂、縮水甘油酯型環(huán)氧樹(shù)脂、縮水甘油胺型環(huán)氧樹(shù)脂、乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹(shù)脂、異氰酸酯型環(huán)氧樹(shù)脂、脂肪族鏈狀環(huán)氧樹(shù)脂等。這些環(huán)氧樹(shù)脂，可以被鹵化，也可被加氫。此外，這些環(huán)氧樹(shù)脂也可并用兩種或兩種以上。上述環(huán)氧樹(shù)脂的潛在性固化劑，只要是可使環(huán)氧樹(shù)脂固化者即可，作為這樣的潛在性固化劑，可舉出陰離子聚合性觸媒型固化劑、陽(yáng)離子聚合性觸媒型固化劑、加成聚合型固化劑等。這些可以單獨(dú)或兩種或兩種以上混合使用。這些之中，從速固化性?xún)?yōu)異，不用考慮化學(xué)當(dāng)量的方面看，優(yōu)選陰離子或陽(yáng)離子聚合性觸媒型固化劑。作為陰離子或陽(yáng)離子聚合性觸媒型固化劑，例如可以舉出，叔胺類(lèi)、咪唑類(lèi)、酰肼類(lèi)化合物、三氟化硼-胺配位化合物、鐵鹽(锍鹽、銨鹽等)、胺酰亞胺、二氨基馬來(lái)腈、蜜胺及其衍生物、多胺的鹽、雙氰胺等，也可使用這些的轉(zhuǎn)化物。作為加成聚合型固化劑，可舉出多胺類(lèi)、多硫醇、多酚、酸酐等。作為陰離子聚合性觸媒型固化劑，在配合有叔胺類(lèi)或咪唑類(lèi)的情況下，環(huán)氧樹(shù)脂可以通過(guò)16(TC20(TC左右的中溫下加熱數(shù)10秒數(shù)小時(shí)左右進(jìn)行固化。因此，由于活化期(活化壽命)較長(zhǎng)而優(yōu)選。作為陽(yáng)離子聚合性觸媒型固化劑，優(yōu)選通過(guò)能量線照射使環(huán)氧樹(shù)脂固化的感光性鑰鹽(主要使用芳香族重氮鑰鹽、芳香族锍鹽等)。此外，作為能量線照射以外通過(guò)加熱活化使環(huán)氧樹(shù)脂固化者，有脂肪族锍鹽等。此種固化劑，由于具有速固化性這樣的特征而優(yōu)選。使這些固化劑被覆聚氨酯類(lèi)、聚脂類(lèi)等高分子物質(zhì)，或鎳、銅等金屬薄膜及硅酸鈣等無(wú)機(jī)物而微膠囊化，因能夠延長(zhǎng)活化期而優(yōu)選。此外，作為上述粘接劑組合物，優(yōu)選使用含有自由基聚合性物質(zhì)、和通過(guò)加熱而產(chǎn)生游離自由基的固化劑的組合物。上述自由基聚合性物質(zhì)是具有通過(guò)自由基而聚合的官能團(tuán)的物質(zhì)，作為這些自由基聚合性物質(zhì)，可舉丙烯酸酯(含有對(duì)應(yīng)的甲基丙烯酸酯。以下相同)化合物、馬來(lái)酰亞胺化合物、檸康酰亞胺樹(shù)脂、納迪克酰亞胺樹(shù)脂等。自由基聚合性物質(zhì)可以單體或寡聚物狀態(tài)的使用，此外，也可并用單體與寡聚物。作為丙烯酸酯化合物的具體例，可舉出甲基丙烯酸酯、乙基丙烯酸酯、異丙基丙烯酸酯、異丁基丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、2-羥基-l,3-二丙烯氧基丙烷、2，2-雙(4-(丙烯氧甲氧基)苯基)丙垸、2，2-雙(4-(丙烯氧基聚乙氧萄苯基)丙烷、二環(huán)戊烯基丙烯酸酯、三環(huán)癸烯基丙烯酸酯、三(丙烯酰氧基乙基)異氰酸酯、氨酯丙烯酸酯等。這些可以單獨(dú)或混合兩種或兩種以上使用。此外，根據(jù)需要也可使用對(duì)苯二酚、甲基醚對(duì)苯二酚類(lèi)等聚合抑制劑。此外，由提高耐熱特性的觀點(diǎn)，丙烯酸酯化合物優(yōu)選具有從二環(huán)戊烯基、三環(huán)癸烯基及三氮雜環(huán)所組成的群中選擇的至少一種取代基。馬來(lái)酰亞胺化合物是在分子中至少含有兩個(gè)或兩個(gè)以上馬來(lái)酰亞胺基的化合物，作為這種馬來(lái)酰亞胺化合物，例如可以舉出，l-甲基-2，4-二馬來(lái)酰亞胺苯、N,N'-m-亞苯基二馬來(lái)酰亞胺、N，N'-p-亞苯基二馬來(lái)酰亞胺、N,N'-4,4-二亞苯基二馬來(lái)酰亞胺、N,N'-4,4-(3，3'-二甲基二亞苯基)二馬來(lái)酰亞胺、N,N'-4，4-(3,3'-二甲基二苯基甲烷)二馬來(lái)酰亞胺、N，N'-4,4-(3,3'-二乙基二苯基甲垸)二馬來(lái)酰亞胺、N，N'-4,4-二苯基甲烷二馬來(lái)酰亞胺、N,N'-4,4-二苯丙烷二馬來(lái)酰亞胺、N,N'-3，3'-二苯砜二馬來(lái)酰亞胺、N，N'-4，4-二苯醚二馬來(lái)酰亞胺、2，2-二(4-(4-馬來(lái)酰亞胺苯氧基)苯萄丙烷、2，2-二(3-s-丁基-4,8-(l馬來(lái)酰亞胺苯氧基)苯基)丙烷、1,1-二(4-(4-馬來(lái)酰亞胺苯氧基傳基)癸垸、4,4'-環(huán)亞己基-二(l-(4-馬來(lái)酰亞胺苯氧基)-2-環(huán)己基苯、2，2-二(4-(4-馬來(lái)酰亞胺苯氧萄苯基)六氟丙烷等，這些可以單獨(dú)或混合兩種或兩種以上使用上述檸康酰亞胺樹(shù)脂是使分子中含有至少一個(gè)檸康酰亞胺基的檸康酰亞胺化合物聚合而成的。作為檸康酰亞胺化合物，例如可舉出，苯檸康酰亞胺、1-甲基_2,4_二檸康酰亞胺苯、N,N'-m-亞苯基二檸康酰亞胺、N,N'-p-亞苯基二檸康酰亞胺、N，N'-4,4-二亞苯基二檸康酰亞胺、N,N'-4，4-(3,3-二甲基二亞苯基)二檸康酰亞胺、N,N'-4,4-(3,3-二甲基二苯甲垸)二檸康酰亞胺、N，N'-4，4-(3，3-二乙基二苯甲烷)二檸康酰亞胺、N，N'-4，4-二苯甲烷二檸康酰亞胺、N,N'-4，4-二苯丙烷二檸康酰亞胺、N，N'-4,4-二苯醚二檸康酰亞胺、N,N'-4,4-二苯砜二檸康亞酰胺、2，2-二(4-(4-檸康酰亞胺苯氧基)苯基)丙垸、2，2-二(3-s-丁基-3，4-(4-檸康酰亞胺苯氧基)苯基)丙烷、U-二(4-(4-檸康酰亞胺苯氧基)苯基)癸烷、4，4'-環(huán)亞己基-二(l-(4-檸康酰亞胺苯氧基)苯氧基)-2-環(huán)己基苯、2,2-二(4-(4-檸康酰亞胺苯氧基)苯基)六氟丙烷等，這些可以單獨(dú)或混合兩種或兩種以上使用。上述納迪克酰亞胺樹(shù)脂系是使分子中具有至少一個(gè)納迪克酰亞胺基的納迪克酰亞胺化合物聚合而成的。作為納迪克酰亞胺化合物，例如可舉出，苯納迪克酰亞胺、l-甲基-2,4-二納迪克酰亞胺苯、N,N'-m-亞苯基二納迪克酰亞胺、N，N'-p-亞苯基二納迪克酰亞胺、N，N'-4,4-二亞苯基二納迪克酰亞胺、N，N'-4,4-(3，3-二甲基二亞苯基)二納迪克酰亞胺、N,N'-4,4-(3,3-二甲基二苯甲垸)二納迪克酰亞胺、^^'-4，4-(3,3-二乙基二苯甲烷)二納迪克酰亞胺、:^>^4,4-二苯甲烷二納迪克酰亞胺、N，N'-4，4-二苯丙垸二納迪克酰亞胺、N，N'-4,4-二苯醚二納迪克酰亞胺、N,N'-4,4-二苯砜二納迪克酰亞胺、2，2-二(4-(4-納迪克酰亞胺苯氧基)苯基)丙垸、2,2-二(3-s-丁基-3，4-(4-納迪克酰亞胺苯氧基)苯基)丙垸、1,1_二(4-(4-納迪克酰亞胺苯氧基)苯基)癸烷、4,4'-環(huán)亞己基-二(1-(4-納迪克酰亞胺苯氧基)苯氧基)-2-環(huán)己基苯、2,2-二(4-(4-納迪克酰亞胺苯氧基)苯基)六氟丙烷等，這些可以單獨(dú)或混合兩種或兩種以上使用。如果上述自由基聚合物質(zhì)并用以下述化學(xué)式(I)所示具有磷酸酯結(jié)構(gòu)的自由基聚合性物質(zhì)則，則可提升對(duì)電路電極(構(gòu)成材料為金屬等無(wú)機(jī)物等)表面的粘接強(qiáng)度，因而優(yōu)選。19<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>(上述式中，n為表示l3的整數(shù))具有磷酸酯結(jié)構(gòu)的自由基聚合性物質(zhì)是通過(guò)使磷酸酐與2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯反應(yīng)而得。作為具有磷酸酯結(jié)構(gòu)的自由基聚合性物質(zhì)，具體地有，單(2-甲基丙烯酰氧乙基)酸磷酸酯、二(2-甲基丙烯酰氧乙基)酸磷酸酯等，這些可以單獨(dú)或混合兩種或兩種以上使用。上述化學(xué)式(I)所示具有磷酸酯結(jié)構(gòu)的自由基聚合性物質(zhì)的配合量，相對(duì)于自由基聚合性物質(zhì)與依需配合的薄膜形成材的總和100重量份，優(yōu)選為0.0150重量份，更優(yōu)選為0.5~5重量份。上述自由基聚合性物質(zhì)，可與烯丙基丙烯酸酯并用。在此情況下，烯丙基丙烯酸酯的配合量，相對(duì)于自由基聚合性物質(zhì)與依需配合的薄膜形成材的總和100重量份，優(yōu)選為0.1-10重量份，更優(yōu)選為0.5~5重量份。通過(guò)加熱產(chǎn)生游離自由基的固化劑是通過(guò)加熱而分解產(chǎn)生游離自由基的固化劑，作為這種固化劑，可舉出過(guò)氧化物、偶氮類(lèi)化合物等。這種固化劑可以根據(jù)目的連接溫度，連接時(shí)間、活化期等適宜選定。在這些之中，由于可提高反應(yīng)性，活化期，優(yōu)選半衰期10小時(shí)的溫度大于等于40'C，并且，半衰期1分鐘的溫度小于等于18(TC的有機(jī)過(guò)氧化物，更優(yōu)選半衰期10小時(shí)的溫度大于等于60。C，并且，半衰期1分鐘的溫度小于等于17(TC的有機(jī)過(guò)氧化物。上述固化劑的配合量，在連接時(shí)間定為小于等于25秒的情況下，為得到充分的反應(yīng)率，相對(duì)于自由基聚合性物質(zhì)與依需配合的薄膜形成材的總和100重量份，優(yōu)選為210重量份，更優(yōu)選為48重量份。另外，未限定連接時(shí)間的情況下的固化劑的配合量，相于對(duì)自由基聚合性物質(zhì)與依需配合的薄膜形成材的總和100重量份，優(yōu)選為0.05~20重量份，更優(yōu)選為0.110重量份。更具體地，作為通過(guò)加熱而產(chǎn)生游離自由基的固化劑，可舉出二?；^(guò)氧化物、過(guò)氧碳酸酯、過(guò)氧酯、過(guò)氧縮酮、二垸基過(guò)氧化物、氫過(guò)氧化物、過(guò)氧硅烷等。此外，從抑制電路電極32、42的腐蝕的觀點(diǎn)，固化劑優(yōu)選含于固化劑中的氯離子或有機(jī)酸濃度小于等于5000ppm，迸一步，更優(yōu)選加熱分解后產(chǎn)生的有機(jī)酸少者。這種固化劑，具體地，可從過(guò)氧酯、二烷基過(guò)氧化物、氫過(guò)氧化物、過(guò)氧硅烷中選定，更優(yōu)選從可得到高反應(yīng)性的過(guò)氧酯中選定。上述固化劑可適宜混合使用。作為過(guò)氧酯，可舉出枯基過(guò)氧新癸酯、1,1,3，3-四甲基丁基過(guò)氧新癸酯、l-環(huán)己基-l-甲基乙基過(guò)氧新癸酯、叔己基過(guò)氧新癸酯、叔丁基過(guò)氧特戊酯，1,1,3，3-四甲基丁基過(guò)氧-2-乙基己酸酯、2，5-二甲基-2，5-二(2-乙基己酰過(guò)氧)己垸、l-環(huán)己基-l-甲基乙基過(guò)氧-2-乙基己酸酯、叔己基過(guò)氧-2-乙基己酸酯、叔丁基過(guò)氧-2-乙基己酸酯、叔丁基過(guò)氧異丁酸酯、l,l-二(叔丁基過(guò)氧)環(huán)己烷、叔己基過(guò)氧異丙基單碳酸酯、叔丁基過(guò)氧-3,5,5-三甲基己酯、叔丁基過(guò)氧月桂酸酯、2，5-二甲基-2,5-二(m-甲苯酰過(guò)氧)己垸、叔丁基過(guò)氧異丙基單碳酸酯、叔丁基過(guò)氧-2-乙基己基單碳酸酯、叔己基過(guò)氧苯甲酸酯、叔丁基過(guò)氧乙酸酯等。作為二垸基過(guò)氧化物，可舉出oi,oi'-二(叔丁基過(guò)氧)二異丙苯、二枯基過(guò)氧化物、2，5-二甲基2,5-二(叔丁基過(guò)氧)己烷、叔丁基枯基過(guò)氧化物等。作為氫過(guò)氧化物，可舉氫過(guò)氧化二異丙苯、氫過(guò)氧化枯烯等。作為二?；^(guò)氧化物，可舉出異丁基過(guò)氧化物、2，4-二氯甲苯酰過(guò)氧化物、3，5，5-三甲基己酰過(guò)氧化物、辛酰過(guò)氧化物、月桂酰過(guò)氧化物、硬酯酰過(guò)氧化物、琥珀酰過(guò)氧化物、苯甲酰過(guò)氧甲苯、苯甲酰過(guò)氧化物等。作為過(guò)氧碳酸酯、可舉出二正丙基過(guò)氧二碳酸酯、二異丙基過(guò)氧二碳酸酯、二(4-叔丁基環(huán)己基)過(guò)氧二碳酸酯、二-2-乙氧基甲氧基過(guò)氧二碳酸酯、二(2-乙基己基過(guò)氧)二碳酸酯、二甲氧基丁基過(guò)氧二碳酸酯、二(3-甲基-3-甲氧基丁基過(guò)氧)二碳酸酯等。作為過(guò)氧縮酮，可舉出1,1-二(叔己基過(guò)氧)-3，3,5-三甲基環(huán)己烷、l,l-二(叔己基過(guò)氧)環(huán)己垸、U-二(叔丁基過(guò)氧)-3，3，5-三甲基環(huán)己烷、l,l-二(叔丁基過(guò)氧)環(huán)十二烷、2,2-二(叔丁基過(guò)氧)癸烷等。作為過(guò)氧硅烷，可舉出叔丁基三甲基過(guò)氧硅垸、二(叔丁基)二甲基過(guò)氧硅垸、叔丁基三乙烯基過(guò)氧硅烷、二(叔丁基)二乙烯基過(guò)氧硅烷、三(叔丁基)乙烯基過(guò)氧硅垸、叔丁基三烯丙基過(guò)氧硅烷、二(叔丁基)二烯丙基過(guò)氧硅烷、三(叔丁基)烯丙基過(guò)氧硅烷等。這些固化劑可單獨(dú)或混合兩種或兩種以上使用，也可混合分解促進(jìn)劑、抑制劑等使用。此外，將這些固化劑用聚氨酯類(lèi)、聚酯類(lèi)高分子物質(zhì)披覆而微膠囊化，可延長(zhǎng)活化期，因而優(yōu)選。在本實(shí)施方式的電路連接材料中，根據(jù)需要，可添加薄膜形成材。所謂薄膜形成材是指，在將液狀物固形化、使構(gòu)成組合物成薄膜形狀的情況下，該薄膜的使用變得容易，獲得不容易斷裂、破碎、粘著之類(lèi)的機(jī)械特性等的物質(zhì)，通常狀態(tài)下(常壓狀態(tài))可當(dāng)作薄膜使用。作為薄膜形成材，可舉出苯氧樹(shù)脂、聚乙烯甲醛樹(shù)脂、聚苯乙烯樹(shù)脂、聚乙烯縮丁醛樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、二甲苯樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂等。在這些之中，從粘接性、相溶性、耐熱性、機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)異方面考慮，優(yōu)選苯氧樹(shù)脂。苯氧樹(shù)脂是，通過(guò)使雙官能團(tuán)酚類(lèi)與表鹵醇反應(yīng)直至為高分子量，或者使雙官能團(tuán)環(huán)氧樹(shù)脂與雙官能團(tuán)酚類(lèi)加成聚合而得到的樹(shù)脂。苯氧樹(shù)脂，例如在堿金屬氫氧化物等催化劑存在下，使雙官能團(tuán)苯酚類(lèi)1摩爾與表鹵醇0.985-1.015摩爾，在非反應(yīng)性溶劑中4012(TC的溫度下反應(yīng)而得。此外，作為苯氧樹(shù)脂，從樹(shù)脂的機(jī)械特性、熱特性方面看，尤其優(yōu)選，雙官能團(tuán)環(huán)氧樹(shù)脂與雙官能團(tuán)酚類(lèi)的配合當(dāng)量比為環(huán)氧基/酚羥基=1/0.9~1/1.1，在堿金屬化合物、有機(jī)磷類(lèi)化合物、環(huán)胺類(lèi)化合物等催化劑存在下，在沸點(diǎn)大于等于12(TC的酰胺類(lèi)、醚類(lèi)、酮類(lèi)、內(nèi)酯類(lèi)、醇類(lèi)等有機(jī)溶劑中，反應(yīng)固態(tài)成分小于等于50重量份的條件下，加熱為5020(TC加成聚合反應(yīng)而得。作為上述雙官能團(tuán)環(huán)氧樹(shù)脂，可舉出雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚F型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚AD型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚S型環(huán)氧樹(shù)脂、二苯基二縮水甘油醚、甲基取代二苯基二縮水甘油醚等。上述雙官能團(tuán)酚類(lèi)具有兩個(gè)酚羥基，作為這種雙官能團(tuán)酚類(lèi)，例如可舉出對(duì)苯二酚類(lèi)、雙酚A、雙酚F、雙酚AD、雙酚S、雙酚芴、甲基取代雙酚芴、二羥基二苯、甲基取代二羥基二苯等雙酚類(lèi)等。苯氧樹(shù)脂可由自由基聚合性官能團(tuán)、環(huán)氧基、其它反應(yīng)性化合物改性而得。苯氧樹(shù)脂可單獨(dú)使用，也可混合兩種或兩種以上使用。本實(shí)施方式的電路連接材料，也可進(jìn)一步含有以從丙烯酸、丙烯酸酯及丙烯腈所組成的群中選擇的至少一種為單體成分的聚合物或共聚物。此處，從應(yīng)力緩和優(yōu)異方面考慮，優(yōu)選并用含有縮水甘油醚基的縮水甘油基丙烯酸酯或縮水甘油基甲基丙烯酸酯共聚物類(lèi)丙烯酸橡膠。這些丙烯酸橡膠的分子量(重量平均分子量)，從提高粘接劑的凝集力方面看，優(yōu)選大于等于20萬(wàn)。本實(shí)施方式的電路連接材料也可進(jìn)一步含有，橡膠微粒子、填充劑、軟化劑、促進(jìn)劑、老化防止劑、著色劑、阻燃劑、觸變劑、耦合劑、酚醛樹(shù)脂、蜜胺樹(shù)脂、異氰酸酯類(lèi)等。橡膠微粒子只要是，粒子的平均粒徑小于等于配合的導(dǎo)電粒子12的平均粒徑的2倍，且在室溫(25"C)的彈性模量小于等于導(dǎo)電粒子12及粘接劑組合物在室溫的彈性模量的1/2的微粒即可，特別是，橡膠微粒子的材質(zhì)是聚硅氧垸、丙烯乳劑、SBR、NBR、聚丁二烯橡膠的微粒子，適于單獨(dú)或混合兩種或兩種以上使用。三維交聯(lián)的這些橡膠微粒子，耐溶劑性?xún)?yōu)異、容易分散于粘接劑組合物中。當(dāng)電路連接材料含有填充劑時(shí)，由于可提升連接可靠性等，因而優(yōu)選。只要填充劑的最大徑小于導(dǎo)電粒子12的粒徑即可使用。填充劑的配合量，相對(duì)于粘接劑組合物100體積份，優(yōu)選為5~60體積份。若配合量超過(guò)60體積份，則連接可靠性提升效果有飽和的傾向，另一方面，若不足5體積份，則有填充劑的添加效果不足的傾向。作為上述耦合劑、含有乙烯基、丙烯基、環(huán)氧基或異氰酸酯基的化合物，因可提升粘接性而優(yōu)選。在上述電路連接材料中，導(dǎo)電粒子12，相對(duì)于上述粘接劑組合物100體積份，優(yōu)選添加0.130體積份，其添加量根據(jù)用途區(qū)分使用。再者，為防止因過(guò)剩的導(dǎo)電粒子12所致鄰接電路電極的短路等，更優(yōu)選添加0.1~10體積份。再者，薄膜狀電路連接材料50，可通過(guò)使用涂布裝置(未圖示)將上述電路連接材料涂布在支持體(PET(聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯)薄膜等)上，并進(jìn)行規(guī)定時(shí)間熱風(fēng)干燥而制作。本發(fā)明并不限定于前述實(shí)施方式。例如在上述實(shí)施方式中，對(duì)于第一電路構(gòu)件及第二電路構(gòu)件的任意方，以電路基板的主面作為基準(zhǔn)，絕緣層的邊緣部厚于電路電極而形成，但如圖6所示，例如僅在第二電路構(gòu)件40中，使絕緣層43的邊緣部43a厚于電路電極42而形成即可。在第一電路構(gòu)件30中，即使沒(méi)有形成絕緣層也無(wú)所謂。[實(shí)施例]以下，將本發(fā)明的內(nèi)容，使用實(shí)施例更具體地說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。(導(dǎo)電粒子的制作)改變季戊四醇四丙烯酸酯、二乙烯基苯及苯乙烯單體的混合比，作為聚合起始劑使用苯酰過(guò)氧化物懸濁聚合，將所得的聚合物分級(jí)，得到表1及表2所示具有平均粒徑及硬度的導(dǎo)電粒子的核體。將得到的各核體無(wú)電解鍍Ni或無(wú)電解鍍Ag。根據(jù)電鍍處理時(shí)的電鍍液的裝入量、處理溫度及時(shí)間改變電鍍厚度，得到目的導(dǎo)電粒子No.1，3，5~7，10~12。此外，通過(guò)對(duì)經(jīng)過(guò)鍍Ni后的導(dǎo)電粒子進(jìn)一步進(jìn)行取代電鍍Au，得到目的導(dǎo)電粒子No.2,4，8，9，13,14。此外，通過(guò)對(duì)經(jīng)過(guò)鍍Ni后的導(dǎo)電粒子進(jìn)一步進(jìn)行取代鍍Pd，得到目的導(dǎo)電粒子No.15~17。所得導(dǎo)電粒子的電鍍厚度也一并示于表1及表2。再者，在表1及表2中，導(dǎo)電粒子的硬度以SI單位GPa表示，但為參考，將以Kgf/mn^為單位的數(shù)據(jù)一同記于括號(hào)內(nèi)。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>苯氧樹(shù)脂(聯(lián)合碳化物株式會(huì)社制、商品名PKHC、將平均分子量45,000)50g溶于甲苯/乙酸乙酯的重量比-50/50的混合溶劑中，作為固態(tài)成分為40重量％的溶液。然后，在該溶液中，以固態(tài)成分重量比計(jì)，配合苯氧樹(shù)脂30g、雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂30g、作為環(huán)氧樹(shù)脂的潛在性固化劑的諾巴爵(Novacure，旭千葉株式會(huì)社制，商品名3941HPS)40g。進(jìn)一步，在該溶液中，相對(duì)于粘接劑組合物100體積份，配合分散5體積份的導(dǎo)電粒子No.1，調(diào)配電路連接材料含有液。再者，上述潛在性固化劑諾巴爵3941HPS是，以咪唑改性體為核，將其表面以聚氨酯披覆而成為平均粒徑5pm的微膠囊型固化劑，再將其分散于液狀雙酚F型環(huán)氧樹(shù)脂中而成的母煉膠型固化劑。接著，使用涂布裝置，將該電路連接材料含有液涂布于單面經(jīng)過(guò)表面處理的厚80,的PET薄膜，以7(TC熱風(fēng)干燥10分鐘得到厚度20,的薄膜狀電路連接材料。(實(shí)施例2)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1，而使用導(dǎo)電粒子2，其他與實(shí)施例1同樣地得到實(shí)施例2的薄膜狀電路連接材料。(實(shí)施例3)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1，而使用導(dǎo)電粒子3，其他與實(shí)施例1同樣地得到實(shí)施例3的薄膜狀電路連接材料。(實(shí)施例4)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1，而使用導(dǎo)電粒子4，其他與實(shí)施例1同樣地得到實(shí)施例4的薄膜狀電路連接材料。(實(shí)施例5)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1，而將導(dǎo)電粒子1以2.5體積份，導(dǎo)電粒子2以2.5體積份配合分散，其他與實(shí)施例1同樣地得到實(shí)施例5的薄膜狀電路連接材料。(實(shí)施例6)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1，而使用導(dǎo)電粒子15，其他與實(shí)施例1同樣地得到實(shí)施例6的薄膜狀電路連接材料。(比較例1)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1,而使用導(dǎo)電粒子6，其他與實(shí)施例1同樣地得到比較例1的薄膜狀電路連接材料。(比較例2)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1，而使用導(dǎo)電粒子7，其他與實(shí)施例1同樣地得到比較例2的薄膜狀電路連接材料。(比較例3)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1，而使用導(dǎo)電粒子8，其他與實(shí)施例1同樣地得到薄膜狀電路連接材料。(比較例4)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1，而使用導(dǎo)電粒子9，其他與實(shí)施例1同樣地得到薄膜狀電路連接材料。(比較例5)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1，而使用導(dǎo)電粒子10，其他與實(shí)施例1同樣地得到薄膜狀電路連接材料。(比較例6)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1，而使用導(dǎo)電粒子11，其他與實(shí)施例1同樣地得到薄膜狀電路連接材料。(比較例7)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1，而使用導(dǎo)電粒子13，其他與實(shí)施例1同樣地得到薄膜狀電路連接材料。(比較例8)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1，而使用導(dǎo)電粒子14，其他與實(shí)施例1同樣地得到薄膜狀電路連接材料。(比較例9)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1，而使用導(dǎo)電粒子16，其他與實(shí)施例1同樣地得到薄膜狀電路連接材料。(比較例10)取代實(shí)施例1中的導(dǎo)電粒子1，而使用導(dǎo)電粒子17，其他與實(shí)施例1同樣地得到薄膜狀電路連接材料。(連接電阻評(píng)價(jià)試驗(yàn)l)(電路構(gòu)件的制作)在聚酰亞胺薄膜(厚度40^un)上，形成線寬9,、間距30pm的銅電路(厚8^11)500條，制造撓性電路板(2層FPC)，作為第一電路構(gòu)件。此外，以聚酰亞胺、銅箔(厚18nm)、粘接聚酰亞胺與銅箔的粘接劑所成的3層構(gòu)成，制作線寬7^im、間距3(Him的撓性電路板(3層FPC)，作為第一電路構(gòu)件。另一方面，在玻璃基板(厚l.lmm)上，形成線寬15pm、間距3(^m的銦-錫氧化物(ITO)電路(厚度200nm)500條，在該玻璃基板上的ITO電路間蒸鍍氮化硅，形成由ITO電路中心600nm厚的絕緣膜，制作第二電路構(gòu)件。(電路構(gòu)件的連接)首先將實(shí)施例1~6及比較例1~10的薄膜狀電路連接材料(寬lmm)的粘接面貼附在第二電路構(gòu)件上后，以7(TC、0.5MPa、加熱加壓5秒鐘，將薄膜狀電路連接材料假連接于第二電路構(gòu)件，將PET薄膜剝離。其后，配置2層FPC，使得薄膜狀電路連接材料介在于作為第一電路構(gòu)件的2層FPC和第二電路構(gòu)件之間。然后，經(jīng)由第一電路構(gòu)件及第二電路構(gòu)件，將薄膜狀電路連接材料以18(TC、3MPa加熱加壓10秒鐘。如此得到電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。此外，作為第一電路構(gòu)件的3層FPC與第二電路構(gòu)件的連接也與上述同樣地進(jìn)行，如此得到電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(連接電阻的測(cè)定)針對(duì)上述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，分別在初期(剛連接后)、和于80°C、90%朋的高溫高濕槽中保持1000小時(shí)(高溫高濕處理)后，以多功能電表，測(cè)定電路的電阻值。結(jié)果示于表3。再者，在表3中，電阻值以，鄰接電路間的150個(gè)點(diǎn)的電阻的平均值與標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍值之和，即(x+3。)表示。(存在于電路電極上的導(dǎo)電粒子的計(jì)數(shù))電路構(gòu)件連接后，以顯微鏡目視存在于上述連接結(jié)構(gòu)中的各電路電極的導(dǎo)電粒子數(shù)。電路電極上的導(dǎo)電粒子數(shù)，以存在于151個(gè)電極上的導(dǎo)電粒子的平均值表示。結(jié)果示于表3。(電路連接構(gòu)件的貯存彈性模量及平均熱膨脹系數(shù))確認(rèn)了，實(shí)施例1~6及比較例1~10的薄膜狀電路連接材料在固化處理后于40'C的貯存彈性模量位于0.53Gpa的范圍，平均熱膨脹系數(shù)位于30200ppm廠C的范圍。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>根據(jù)表3所示結(jié)果，確認(rèn)了，使用實(shí)施例1~6的薄膜狀電路連接材料的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，在第一電路構(gòu)件無(wú)論為2層FPC還是3層FPC的情況下，在初期全部顯示良好的連接電阻，高溫高濕處理后，也幾乎沒(méi)有連接電阻的上升。與此相反，使用比較例1~10的薄膜狀電路連接材料的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，在初期連接電阻高，特別是高溫高濕處理后，連接電阻顯著增加。認(rèn)為原因在于，在使用比較例1，3，5，7,9的薄膜狀電路連接材料的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)中，所使用的導(dǎo)電粒子的硬度過(guò)于柔軟，無(wú)法追隨高溫高濕所致的對(duì)向的電路電極間的距離的變動(dòng)，因而引起高溫高濕處理后的連接電阻上升。此外，使用比較例2,4,6，8,10的薄膜狀電路連接材料的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，則由于所使用的導(dǎo)電粒子的硬度過(guò)高，無(wú)法得到充分扁平的導(dǎo)電粒子，因而初期的連接電阻變高，此外，由于無(wú)法追隨高溫高濕所致的對(duì)向的電路電極間的距離的變動(dòng)，因而引起高溫高濕處理后的連接電阻上升。(連接電阻評(píng)價(jià)試驗(yàn)2)(電路構(gòu)件的制作)在配置有40個(gè)凸出面積100^imX100nm、間距200jxm、高20pm的金凸出的IC芯片中，將氮化硅蒸鍍于凸出間，形成自凸出中心600nm厚的絕緣層，制作第一電路構(gòu)件。此外，在玻璃基板(厚l.lmm)上，以銦-錫氧化物(ITO)形成厚200nm的電路。然后，將氮化硅蒸鍍于該玻璃基板上的ITO電路間，形成自ITO電路中心600nm厚的絕緣層，制作第二電路構(gòu)件。(電路構(gòu)件的連接)作為第一電路構(gòu)件，取代2層FPC或3層FPC，而使用上述IC芯片，其他與評(píng)價(jià)試驗(yàn)1同樣地連接第一電路構(gòu)件與第二電路構(gòu)件，得到電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(連接電阻的測(cè)定)針對(duì)上述得到的連接結(jié)構(gòu)，分別在電路構(gòu)件連接后的初期、和高溫高濕處理后，以與評(píng)價(jià)試驗(yàn)1同樣的方法測(cè)定連接電阻。結(jié)果示于表4。再者，在表4中，電阻值以鄰接電路間的150個(gè)點(diǎn)的電阻的平均值與標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍值之和，即(x+3o)表示。(存在于電路電極上的導(dǎo)電粒子的計(jì)數(shù))電路構(gòu)件連接后，將存在于上述連接結(jié)構(gòu)的各電路電極的導(dǎo)電粒子數(shù)以與評(píng)價(jià)試驗(yàn)1同樣的方法計(jì)數(shù)。電路電極上的導(dǎo)電粒子數(shù)，以存在于40個(gè)電極上的導(dǎo)電粒子的平均值表示。結(jié)果示于表4。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>使用實(shí)施例16的薄膜狀電路連接材料的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，即使在取代評(píng)價(jià)試驗(yàn)1的2層FPC或3層FPC，而使用上述IC芯片作為第一電路構(gòu)件的情況下，也確認(rèn)了初期全部顯示良好的連接電阻，高溫高濕處理后，也幾乎沒(méi)有連接電阻的上升。對(duì)此，使用比較例1~10的薄膜狀電路連接材料的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，與評(píng)價(jià)試驗(yàn)1的情形一樣，在初期連接電阻高，特別是高溫高濕處理后，連接電阻的上升顯著。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性如以上所說(shuō)明，根據(jù)本發(fā)明的電路連接材料、電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)及其制造方法，在將對(duì)向的電路結(jié)構(gòu)彼此連接時(shí)，可充分減低對(duì)向的電路電極間的連接電阻。此外，根據(jù)本發(fā)明的薄膜狀電路連接材料，除上述上述效果之外，在連接第一電路構(gòu)件與第二電路構(gòu)件時(shí)，還可使之容易地介在于它們之間，可容易地進(jìn)行第一電路構(gòu)件與第二電路構(gòu)件的連接作業(yè)。權(quán)利要求1.一種電路連接材料，其是用于連接第一電路構(gòu)件及第二電路構(gòu)件的電路連接材料，該第一電路構(gòu)件是第一電路電極與第一絕緣層在第一電路基板的主面上鄰接形成的電路構(gòu)件，該第二電路構(gòu)件是第二電路電極與第二絕緣層在第二電路基板的主面上鄰接形成的電路構(gòu)件；在前述第一及第二電路構(gòu)件的至少一方，前述絕緣層的至少一部分是以前述主面作為基準(zhǔn)、厚于前述電路電極而形成；其特征在于，含有粘接劑組合物以及導(dǎo)電粒子，該導(dǎo)電粒子平均粒徑大于等于1μm小于10μm且硬度為1.961～6.865GPa；通過(guò)固化處理，在40℃的貯存彈性模量成為0.5～3GPa，固化處理后25℃至100℃的平均熱膨脹系數(shù)成為30～200ppm/℃。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述電路連接材料，其中，所述導(dǎo)電粒子具備由有機(jī)高分子構(gòu)成的核體，以及形成于該核體上的由銅、鎳、鎳合金、銀或銀合金構(gòu)成的金屬層；前述金屬層的厚度為50170nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述電路連接材料，其中，所述導(dǎo)電粒子具備由金或鈀構(gòu)成的最外層，前述最外層的厚度為1570nm。4.根據(jù)權(quán)利要求13任一項(xiàng)所述電路連接材料，其中，所述粘接劑組合物包含環(huán)氧樹(shù)脂、和前述環(huán)氧樹(shù)脂的潛在性固化劑。5.根據(jù)權(quán)利要求13任一項(xiàng)所述電路連接材料，其中，所述粘接劑組合物包含自由基聚合性物質(zhì)，和通過(guò)加熱而產(chǎn)生游離自由基的固化劑。6.根據(jù)權(quán)利要求I5任一項(xiàng)所述電路連接材料，其中，通過(guò)固化處理，玻璃轉(zhuǎn)化溫度成為60~200°C。7.根據(jù)權(quán)利要求16任一項(xiàng)所述電路連接材料，其中，進(jìn)一步含有薄膜形成材料。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述電路連接材料，其中，所述薄膜形成材料是苯氧柳旨。9.一種薄膜狀電路連接材料，其特征在于，是將權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述電路連接材料形成為薄膜狀而成。10.—種電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其具備-第一電路構(gòu)件，其是第一電路電極與第一絕緣層在第一電路基板的主面上鄰接形成；第二電路構(gòu)件，其是第二電路電極與第二絕緣層在第二電路基板的主面上鄰接形成；以及電路連接構(gòu)件，其設(shè)置于前述第一電路構(gòu)件的主面與前述第二電路構(gòu)件的主面之間、連接前述第一及第二電路構(gòu)件彼此；在前述第一及第二電路構(gòu)件的至少一方，前述絕緣層的至少一部分是以前述電路基板的主面為基準(zhǔn)、厚于前述電路電極而形成；其特征在于，前述電路連接構(gòu)件包含絕緣性物質(zhì)、以及導(dǎo)電粒子，該導(dǎo)電粒子的平均粒徑大于等于lpm小于10pm且硬度為1.9616.865GPa;前述電路連接構(gòu)件在4(TC的貯存彈性模量為0.53GPa且25'C至IO(TC的平均熱膨脹系數(shù)為30200ppm廠C;前述第一電路電極與前述第二電路電極經(jīng)由前述導(dǎo)電粒子而電性連接。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電粒子具備由有機(jī)高分子構(gòu)成的核體，以及形成于該核體上的由銅、鎳、鎳合金、銀或銀合金構(gòu)成的金屬層；前述金屬層的厚度為50170nm。12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電粒子具備由金或鈀構(gòu)成的最外層，前述最外層的厚度為1570nm。13.根據(jù)權(quán)利要求1012任一項(xiàng)所述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其中，在所述絕緣層的至少一部分是以所述電路基板的主面作為基準(zhǔn)、厚于所述電路電極而形成的電路構(gòu)件中，所述絕緣層的至少一部分的厚度與所述電路電極的厚度之差為50600nrn。14.根據(jù)權(quán)利要求10~13任一項(xiàng)所述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其中，所述電路連接構(gòu)件的玻璃轉(zhuǎn)化溫度為60200°C。15.根據(jù)權(quán)利要求10~14任一項(xiàng)所述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其中，所述絕緣層是由有機(jī)絕緣性物質(zhì)、二氧化硅及氮化硅中的任意一種所構(gòu)成。16.根據(jù)權(quán)利要求10~15任一項(xiàng)所述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其中，在所述第一及第二電路構(gòu)件的至少一方，所述電路電極的表面積小于等于15000^1112，且在所述第一電路電極與所述第二電路電極之間的平均導(dǎo)電粒子數(shù)大于等于3個(gè)。17.根據(jù)權(quán)利要求1016任一項(xiàng)所述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其中，在所述第一及第二電路構(gòu)件的至少一方，所述電路電極具有表面層，該表面層是由金、銀、錫、鉑族金屬或銦錫氧化物所構(gòu)成。18.根據(jù)權(quán)利要求1017任一項(xiàng)所述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其中，在所述第一及第二電路構(gòu)件的至少一方，所述電路基板是由有機(jī)絕緣性物質(zhì)、玻璃或硅所構(gòu)成。19.一種電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)的制造方法，該電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)具備-第一電路構(gòu)件，其是第一電路電極與第一絕緣層在第一電路基板的主面上鄰接形成；第二電路構(gòu)件，其是第二電路電極與第二絕緣層在第二電路基板的主面上鄰接形成；以及電路連接構(gòu)件，其設(shè)置于前述第一電路構(gòu)件的主面與前述第二電路構(gòu)件的主面之間、連接前述第一及第二電路構(gòu)件彼此；在前述第一及第二電路構(gòu)件的至少一方，前述絕緣層的至少一部分是以前述電路基板的主面作為基準(zhǔn)、厚于前述電路電極而形成；使權(quán)利要求9所述薄膜狀電路連接材料介在于前述第一電路基板的主面與前述第二電路基板的主面之間；通過(guò)經(jīng)由前述第一及第二電路構(gòu)件加熱及加壓前述電路連接材料而進(jìn)行固化處理，連接前述第一電路構(gòu)件與前述第二電路構(gòu)件，使前述第一電路電極與前述第二電路電極經(jīng)由前述導(dǎo)電粒子而電性連接。全文摘要本發(fā)明涉及一種電路連接材料，其用于將電路構(gòu)件30、40彼此連接，該電路構(gòu)件30是由電極32及絕緣層33在基板31的面31a上鄰接而形成；該電路構(gòu)件40是由電極42及絕緣層43在基板41的面41a上鄰接而形成，絕緣層33、43的邊緣部33a、43a以主面31a、41a作為基準(zhǔn)較電極32、42為厚地形成；其特征在于包含粘接劑組合物51，以及導(dǎo)電粒子12，該導(dǎo)電粒子的平均粒徑大于等于1μm小于10μm且硬度為1.961～6.865Gpa；通過(guò)固化處理，在40℃的貯存彈性模量成為0.5～3GPa，25℃至100℃的平均熱膨脹系數(shù)成為30～200ppm/℃。文檔編號(hào)H05K3/34GK101232128SQ20081008042公開(kāi)日2008年7月30日申請(qǐng)日期2004年6月24日優(yōu)先權(quán)日2003年6月25日發(fā)明者后藤泰史,小島和良,小林宏治,有福征宏,渡邊伊津夫申請(qǐng)人:日立化成工業(yè)株式會(huì)社