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多層板的制作方法

文檔序號(hào):8021217閱讀:289來源:國(guó)知局
專利名稱:多層板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種在其中具有電子器件的多層板。
背景技術(shù)
在其中具有電子器件的多層板由多個(gè)單面導(dǎo)線分布圖案膜(樹脂膜)構(gòu)成。導(dǎo)線分布圖案和層間連接器中至少一個(gè)是在膜中形成。而且,在有些膜中還具有通孔,具有通孔的多層膜是分層的。當(dāng)通孔被沒有通孔的膜覆蓋的時(shí)候,在分層的膜中就形成凹槽。具有電極的電子器件放置在凹槽中,并且凹槽用另外的沒有通孔的膜覆蓋。然后,加熱分層的膜并且從兩側(cè)施壓以制出多層板。
考慮到電子器件的外圍形狀的偏差,凹槽的大小制成比電子器件的外圍形狀稍大一點(diǎn),可以準(zhǔn)確穿過通孔以及準(zhǔn)確定位電子器件。因此,在電子器件和凹槽之間可能產(chǎn)生間隙。
相反,如果構(gòu)成電子器件電極的材料的熔點(diǎn)低于加熱和加壓過程時(shí)的溫度,因?yàn)榧訜岷图訅哼^程中的超高溫,電子器件的電極會(huì)熔化。
因此,當(dāng)加熱置于凹槽中的電子器件時(shí),電極會(huì)熔化并且流入到間隙中。在這種情況下,當(dāng)多個(gè)電子器件放置在多層板中的時(shí)候,由于熔化多個(gè)電極可能會(huì)相互連接,連接的可靠性就會(huì)降低。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到前述的以及其它問題,本發(fā)明的目的就是提供一種多層板。
根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)例子,多層板包括由絕緣材料制成的基部。多個(gè)導(dǎo)線分布圖案通過多層層疊放置的方式設(shè)置在多層板的基部中。多個(gè)層間連接器設(shè)置在基部中,并且層間連接器通過加熱過程和導(dǎo)線分布圖案電連接。電子器件設(shè)置在基部中,并且與層間連接器和導(dǎo)線分布圖案中至少一個(gè)電連接。電子器件包括由熔點(diǎn)高于加熱過程的溫度的材料制成的電極。
根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)例子,多層板包括絕緣的基部,多層導(dǎo)線和電子器件。絕緣的基部由加熱過程中加熱的樹脂膜制成。多層導(dǎo)線放置在絕緣的基部中。電子器件包括與多層導(dǎo)線電連接的電極。電極具有比加熱過程的溫度高的熔點(diǎn)。
相應(yīng)地,電子器件的電極連接可靠性能夠提升。


本發(fā)明的以上和其它的目的,特征以及優(yōu)點(diǎn)通過接下來參考相應(yīng)附圖的詳細(xì)介紹,可以變得更加清楚。圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,顯示多層板的原理性剖視圖。
圖2A到2F是顯示多層板的簡(jiǎn)要生產(chǎn)過程的逐步的剖視圖。
圖3A是顯示將要埋置在多層板中的電子器件的透視圖,圖3B是顯示埋置在多層板中的電子器件的透視圖。
圖4A是顯示將要埋置在多層板中的電子器件的放大的剖視圖,圖4B是顯示埋置在多層板中的電子器件的放大的剖視圖。
圖5A是沿圖4B的V-V線的剖視圖,其中該電子器件的電極由錫制成,圖5B是沿圖4B的V-V線的剖視圖,其中該電子器件的電極由金制成。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示,多層板100包括導(dǎo)線分布圖案22,絕緣部分39(基部),導(dǎo)電混合物51(層間連接器)及電子器件41。由樹脂膜23制成的絕緣部分39如圖2C和2D所示,同時(shí)樹脂膜23在絕緣部分39中安全地相互結(jié)合在一起。電子器件41放置在絕緣部分39中,并且與導(dǎo)線分布圖案22電連接。電子器件41密封在絕緣部分39中。
多層板100至少在一側(cè)包括散熱器46,比如多層板100的下表面。因此,熱量能夠從多層板100輕易地散射,即使是除了置于多層板100之中的電子器件41,還有另外的電子器件61安裝在多層板100的上表面。絕緣部分39的熱傳導(dǎo)性低于金屬,因此絕緣部分39的熱量不容易散射。然而,因?yàn)橛山饘僦瞥傻纳崞骶哂懈玫臒醾鲗?dǎo)性,多層板100的熱傳導(dǎo)性能夠有效地提高,因此熱量能夠從多層板100容易地散射。
電子器件41由例如電阻、電容、濾波器或者是集成電路構(gòu)成。電子器件41在每一端有電極42,所述電極將與導(dǎo)線分布圖案22和如圖2C所示的導(dǎo)電漿料50電連接。該導(dǎo)電漿料50在加熱后變?yōu)閷?dǎo)電混合物51。電極42沿著膜23的層方向,在電子器件41的表面形成。
為了形成電極42,在鄰近電子器件41的一端形成一個(gè)初級(jí)的(基礎(chǔ)的)電極。比如,通過噴射法,離子電鍍法或者蒸鍍法將Cu、NiCr或者Ni涂在電子器件41的一預(yù)定區(qū)域上。然后,將熔點(diǎn)比將要進(jìn)行的加熱過程溫度高的材料通過電鍍,設(shè)置在初級(jí)電極表面,作為電極42。該材料由例如金、鎳、銅、銅鎳合金、銀或者導(dǎo)電漿料制成。電極42由在空氣中不會(huì)氧化的材料制成,比如金。
構(gòu)成電極42的導(dǎo)電漿料由第一金屬和第二金屬制成。第一金屬能夠與導(dǎo)電混合物51和導(dǎo)線分布圖案22中至少一個(gè)形成合金。第二金屬具有比加熱過程溫度高的熔點(diǎn)。特別是,JP-A-2003-110243公布的導(dǎo)電漿料,在此引入作為參考。將60g有機(jī)溶劑(比如松油醇)加入到300g錫微粒和300g銀微粒中,通過攪拌器攪拌成漿料。錫微粒平均直徑約為5μm,比表面積大約為0.5m2/g,銀微粒平均直徑約為1μm,比表面積約為1.2m2/g。
這里將會(huì)描述一種制作多層板100的方法。如圖2A所示,單面導(dǎo)線分布圖案膜21包括樹脂膜23和在樹脂膜23的單面上的導(dǎo)線分布圖案22。樹脂膜23由絕緣材料制成,導(dǎo)線分布圖案22通過蝕刻結(jié)合在樹脂膜23單面上的導(dǎo)體箔(比如18μm厚的銅箔)形成。樹脂膜23是熱塑性的,厚度為75μm的樹脂膜,由例如按重量為65-35%的聚醚醚酮和按重量為35-65%聚醚酰亞胺的混合物制成。
在導(dǎo)線分布圖案22形成后,二氧化碳?xì)怏w激光照射樹脂膜23以形成通路孔24,如圖2B所示。通路孔24的底面由導(dǎo)線分布圖案22構(gòu)成??刂贫趸?xì)怏w激光的能量和照射時(shí)間,以防止在導(dǎo)線分布圖案22上造成穿孔。
受激準(zhǔn)分子激光器可以用來形成通路孔24。除了激光,鉆孔也可以用來形成通路孔24。然而,當(dāng)激光束用來形成通路孔24時(shí),通路孔24可以有更好的精度,而且可以減少對(duì)導(dǎo)線分布圖案22的損傷。
通路孔24形成后,導(dǎo)電漿料50作為電連接材料填入通路孔24,如圖2C所示。為了形成導(dǎo)電漿料50,將60g有機(jī)溶劑(比如松油醇),其中溶解了6g乙基纖維素樹脂,加入到300g錫微粒和300g銀微粒中,通過攪拌器攪拌成漿料。錫微粒平均直徑約為5μm,比表面積大約0.5m2/g,銀微粒平均直徑約為1μm,比表面積約為1.2m2/g。
這里,加入乙基纖維素樹脂為導(dǎo)電漿料提供形狀保持的特性??蛇x地,丙烯酸樹脂可以用來替換乙基纖維素樹脂。
導(dǎo)電漿料50通過使用金屬掩模的絲網(wǎng)印刷機(jī)印刷以填充到單面導(dǎo)線分布圖案膜21的通路孔24中,導(dǎo)電漿料50中的松油醇在大約140-160℃時(shí)經(jīng)過大約30分鐘就會(huì)干燥??商鎿Q的是,可以使用投放器將導(dǎo)電漿料50填充到通路孔24中。
在此,可以使用具有在150℃到300℃之間的范圍內(nèi)的沸點(diǎn)的有機(jī)溶劑以替換松油醇。然而,如果有機(jī)溶劑的沸點(diǎn)低于150℃,隨著時(shí)間過去,導(dǎo)電漿料的粘性可能會(huì)有很大的變化。相反,如果有機(jī)溶劑的沸點(diǎn)高于300℃,用來干燥的所必須的時(shí)間可能會(huì)增加。
錫微粒平均直徑約為5μm,比表面積大約0.5m2/g,銀微粒平均直徑約為1μm,比表面積約為1.2m2/g。作為選擇,錫微粒或者銀微粒的平均直徑可以大約為0.5-20μm,比表面積大約為0.1-1.5m2/g。
如果微粒的平均直徑小于0.5μm,或者如果微粒的比表面積大于1.5m2/g,制作用來填充通路孔24的具有合適粘性的導(dǎo)電漿料50就需要大量的有機(jī)溶劑。如果導(dǎo)電漿料50包含了大量的有機(jī)溶劑,就增加了干燥的時(shí)間。如果干燥不充分,當(dāng)加熱導(dǎo)電漿料50用來層間連接時(shí),就會(huì)產(chǎn)生大量的氣體。因此,通路孔24中就容易產(chǎn)生氣孔,因此在這種情況下,層間連接的可靠性會(huì)降低。
相反,如果微粒的平均直徑大于20μm,或者微粒的比表面積小于0.1m2/g,導(dǎo)電漿料50就很難填入通路孔24。而且,微粒會(huì)分布不均勻,因此加熱導(dǎo)電漿料50的時(shí)候不能形成均勻的合金(比如導(dǎo)電混合物51)。在這種情況下,層間連接的可靠性很難保證。
而且,在將導(dǎo)電漿料50填入到通路孔24之前,可以對(duì)導(dǎo)線分布圖案22上面對(duì)通路孔24的部分進(jìn)行輕微地蝕刻處理或者還原處理。因此,可以準(zhǔn)確地實(shí)施接下來要介紹的通孔連接(層間連接)。
如圖2D所示,單面導(dǎo)線分布圖案膜31包括樹脂膜23和在樹脂膜23的單面上的導(dǎo)線分布圖案22,與圖2A中所示單面導(dǎo)線分布圖案膜21相似。通路孔24在膜31中形成,導(dǎo)電漿料50填入到膜31的通孔24中,與圖2B和圖2C所示的單面導(dǎo)線分布圖案膜21相似。
當(dāng)通路孔24在單面導(dǎo)線分布圖案膜31中形成時(shí),通孔35同時(shí)也在單面導(dǎo)線分布圖案膜31中形成。由于激光處理,通孔35位于對(duì)應(yīng)電子器件41的位置,同時(shí)通孔35具有對(duì)應(yīng)于電子器件41外形的形狀。
如圖3A所示,單面導(dǎo)線分布圖案膜31部分具有突起311,當(dāng)電子器件41插入到由通孔35構(gòu)成的空間36時(shí),突起用來將電子器件41定位和固定在正確的位置上??梢杂灭ず蟿┐嫱黄?11來定位和固定。如圖3B所示,當(dāng)電子器件41插入到空間36時(shí),電子器件41和膜31之間有一個(gè)大于等于20μm的間隙312的尺寸。而且,間隙312的尺寸小于等于樹脂膜23的厚度(比如75μm)。間隙312遍布在電子器件41的四周。而且,如圖4A所示,當(dāng)單面導(dǎo)線分布圖案膜21,31層疊時(shí),在單面導(dǎo)線分布圖案膜21,31之間提供了導(dǎo)線分布圖案22的厚度的間隙。
在形成通路孔24的同時(shí),通孔35由激光處理形成??蛇x地,除了形成通路孔24的時(shí)間以外,還可以在其它時(shí)間通過沖壓或者刳刨來形成通孔35。
這里,單面導(dǎo)線分布圖案膜31的樹脂膜23是熱塑性的樹脂膜,厚度為75μm,由例如按重量為65-35%的聚醚醚酮和按重量為35-65%聚醚酰亞胺的混合物制成。與單面導(dǎo)線分布圖案膜21的樹脂膜23相似。
在單面導(dǎo)線分布圖案膜31上的通孔35形成并且導(dǎo)電漿料50填充到單面導(dǎo)線分布圖案膜21,31的通路孔24并且干燥之后,層疊多個(gè)(比如6個(gè))單面導(dǎo)線分布圖案膜21,31,如圖2E所示。
這時(shí),層疊單面導(dǎo)線分布圖案膜21,31并且導(dǎo)線分布圖案22置于單面導(dǎo)線分布圖案膜21,31的上表面。也就是說,層疊單面導(dǎo)線分布圖案膜21,31,以便在其上形成導(dǎo)線分布圖案22的樹脂膜23的上表面與其上沒有形成導(dǎo)線分布圖案22的上層樹脂膜23的背面上相背對(duì)。
這里,如圖2E所示,層疊在相同位置具有通孔35的鄰近膜31,因此空間36的深度對(duì)應(yīng)于電子器件41的厚度。因?yàn)楸緦?shí)施例中的電子器件41的厚度為160μm,因此層疊了2層厚度為75μm的相鄰膜31。因此,空間36的厚度為150μm,這小于等于電子器件41的厚度。當(dāng)層疊了單面導(dǎo)線分布圖案膜21,31后,將電子器件41插入到由通孔35構(gòu)成的空間36中。通過調(diào)整樹脂膜23的層數(shù)可以很容易地控制空間36的深度。
然后,單面導(dǎo)線分布圖案膜21層疊在空間36的上側(cè)。單面導(dǎo)線分布圖案膜21具有填充了導(dǎo)電漿料50的通路孔24,以與導(dǎo)線分布圖案22和電極42電連接。
而且,由鋁制成的散熱器46置于膜層21,31背面。在本實(shí)施例中散熱器46是金屬的基部。與散熱器46接觸的最低層的樹脂膜23沒有通路孔24。多層板100包括絕緣部分39,它的熱傳導(dǎo)性低于金屬。然而,當(dāng)散熱器46置于膜層21,31的至少一個(gè)單面上時(shí),可以有效地改進(jìn)多層板的熱傳導(dǎo)性,因此,熱量可以很容易地從多層板100上散射。
如圖2E所示層疊之后,通過真空加熱加壓機(jī)器從兩側(cè)(頂層和低層)加熱加壓膜21,31和散熱器46。例如,在大約250-350℃加熱,在大約1-10Mpa壓力下加壓持續(xù)約10-20分鐘。
因此,如圖2F所示,膜21,31和散熱器46能相互連接。因?yàn)闃渲?3由相同的熱塑性樹脂材料制成,樹脂膜23能很容易地熔化整體結(jié)合到絕緣部分39中。因此,電子器件41可以徹底地封閉到絕緣部分39中而沒有任何間隙。
此外,通路孔24中的導(dǎo)電漿料熔結(jié)后結(jié)合到導(dǎo)電混合物51中。導(dǎo)電混合物51連接相鄰的導(dǎo)線分布圖案22作為層間連接器。而且,電子器件41的電極42和導(dǎo)線分布圖案22可以相互連接。從而,其中帶有電子器件的多層板100可以制作出來。
這里,將簡(jiǎn)要描述導(dǎo)線分布圖案22之間的層間連接的機(jī)理。當(dāng)填充到通路孔24中的導(dǎo)電漿料50干燥后,錫微粒和銀微粒在導(dǎo)電漿料中混合。因?yàn)殄a微粒的熔點(diǎn)為232℃而銀微粒的熔點(diǎn)為961℃,當(dāng)導(dǎo)電漿料在約250-350℃加熱時(shí),錫微粒熔化了并且粘附到覆蓋銀微粒的外周。
當(dāng)在這種狀態(tài)下持續(xù)加熱時(shí),熔化的錫開始擴(kuò)散到銀微粒的表面形成錫和銀的合金。合金的熔點(diǎn)為480℃。此時(shí),因?yàn)閷?duì)導(dǎo)電漿料施加了1-10Mpa的壓力,由合金制成的導(dǎo)電混合物51可以在通路孔24中形成。
當(dāng)導(dǎo)電混合物51在通路孔24中形成時(shí),導(dǎo)電混合物51被壓到導(dǎo)線分布圖案22的一個(gè)表面,構(gòu)成通路孔24的底部部分。因此,導(dǎo)電混合物51中的錫成分和銅薄片中的銅成分在固相時(shí)互相擴(kuò)散。因此,在導(dǎo)電混合物51和導(dǎo)線分布圖案22的接觸面可以形成固相擴(kuò)散層以實(shí)現(xiàn)電連接。
而且,如圖4B所示,由于跟上述導(dǎo)電混合物51和導(dǎo)線分布圖案22電子器件41之間的固相擴(kuò)散層大致相同的機(jī)理,電子器件41的電極42通過金屬擴(kuò)散層電連接到導(dǎo)線分布圖案22。在導(dǎo)電混合物51和導(dǎo)線分布圖案22之間的接觸面,以及導(dǎo)電混合物51和電極42之間的接觸面形成金屬擴(kuò)散層。由于金屬擴(kuò)散層,電極42通過導(dǎo)電混合物51可以更穩(wěn)固地連接到導(dǎo)線分布圖案22。
當(dāng)樹脂膜23通過真空加熱加壓裝置來加熱和加壓時(shí),樹脂膜23的彈性系數(shù)降低至約5-40Mpa。因此,鄰近通孔35的樹脂膜23變形突出到通孔35中。而且,在膜層方向中對(duì)著通孔35的樹脂膜35也變形突出到通孔35中。也就是說,鄰近空間36的樹脂膜23被推向空間36。
因此,電子器件41可以被與變形的樹脂膜23整體結(jié)合的絕緣部分39密封起來。當(dāng)樹脂膜23被加熱和加壓時(shí),樹脂膜23可以具有范圍為1-1000Mpa的彈性系數(shù)。如果樹脂膜23彈性系數(shù)大于1000Mpa,樹脂膜23會(huì)很難相互連接,而且樹脂膜23會(huì)很難變形。如果樹脂膜23彈性系數(shù)小于1Mpa,樹脂膜23加壓時(shí)容易液化,因此多層板100會(huì)很難形成。
而且,在電子器件41的電極42由例如具有熔點(diǎn)低于加熱過程溫度的錫的材料制成的情況下,在用真空加熱加壓裝置來加熱和加壓電極42時(shí),電極42會(huì)熔化。如圖5A所示的比較示例中,熔化的電極42會(huì)形成澆注區(qū)域421,因?yàn)楫?dāng)樹脂膜23被推向空間36(見圖3A)時(shí),熔化的電極42被推動(dòng)并流進(jìn)到間隙312(見圖3B)中。
當(dāng)電子器件41的熔化的電極42流進(jìn)間隙312而形成澆注區(qū)421時(shí),澆注區(qū)421會(huì)電連接到導(dǎo)線分布圖案22或電子器件41的非期望部分(例如其它電極)。在這種情況下,連接可靠性會(huì)降低。
不過,在這個(gè)實(shí)施例中,使用了具有熔點(diǎn)高于加熱過程溫度的材料作為電子器件41的電極42。舉例來說,由金、鎳、銅、銅鎳合金、銀或?qū)щ姖{料制成的材料。因此,如圖5B所示,當(dāng)用機(jī)器加熱和加壓時(shí),電極42沒有熔化,也沒有流入到間隙312中。因此,電子器件41的電極42的連接可靠性能保持更好,因此電極42可以穩(wěn)固地連接到導(dǎo)電混合物51和導(dǎo)線分布圖案22中的至少一個(gè)。
為了電連接到導(dǎo)線分布圖案22,電子器件41的電極42在膜層方向上形成在電子器件41的表面上。作為選擇,電極42可以在除了膜層方向外的方向上形成在電子器件41的表面上。也就是說,電極42在膜層方向上設(shè)置在電子器件41的第一表面,以及近似地垂直于電子器件41的第一表面的第二表面。
當(dāng)多層板100包括在電極42和樹脂膜23之間的間隙中的電子配線時(shí),該電子配線與電極42隔離。因此,可以減少電極42和電子配線之間的短路或故障。當(dāng)至少兩層樹脂膜23鄰近電極42層疊時(shí),間隙可以是電極42和樹脂膜23之間產(chǎn)生的多個(gè)間隙之一。
樹脂膜23由例如按重量為65-35%的聚醚醚酮和按重量為35-65%聚醚酰亞胺的混合物制成??蛇x地,在聚醚醚酮和聚醚酰亞胺中填充的任何非導(dǎo)電性填充物的膜可以用來作為樹脂膜23。聚醚醚酮(PEEK)或聚醚酰亞胺(PEI)可以單獨(dú)用作樹脂膜23而且,熱塑性樹脂,例如聚苯硫醚(PPS)、熱塑性聚酰亞胺或液晶聚合物,可以用來作為樹脂膜23。任何在加熱過程中具有彈性系數(shù)約為1-1000Mpa的樹脂膜,或任何具有在此后要進(jìn)行的焊接過程中所需要的熱阻抗的膜都可以用來作為樹脂膜23。
散熱器46放置在多層板100的最底面。可選地,散熱器46可以部分安放在多層板100的最底面,或在兩面(最底面和最上面)。而且,當(dāng)熱散射特性不要求提高時(shí),散熱器可以不用安放在多層板100上。
為了將散熱器46放置在多層板100上,需要在要連接到絕緣部分39的散熱器46的粘附面上放置粘結(jié)片。舉例來說,為了改善粘結(jié)特性和熱傳導(dǎo)性,聚醚酰亞胺片、具有熱傳導(dǎo)填充物的熱固性樹脂或具有熱傳導(dǎo)填充物的熱塑性樹脂可以用作粘結(jié)片。
而且,上述的多層板100制成6層。然而,層數(shù)不限于6層。
這些改變和修正可以理解為在本發(fā)明權(quán)利要求定義的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多層板(100),包括由絕緣材料制成的基部(39);以多層層疊方式設(shè)置在基部中的多個(gè)導(dǎo)線分布圖案(22);設(shè)置在基部(39)中的多個(gè)層間連接器(50,51),其中層間連接器(50,51)通過加熱過程電連接到導(dǎo)線分布圖案(22);以及設(shè)置在基部(39)中的電子器件(41),其中電子器件(41)電連接到層間連接器(50,51)和導(dǎo)線分布圖案(22)中的至少一個(gè),并且電子器件(41)包括由熔點(diǎn)比加熱過程的溫度高的材料制成的電極(42)。
2.如權(quán)利要求1所述的多層板(100),其特征在于,基部(39)由多個(gè)樹脂膜(23)制成,所述樹脂膜包括層間連接器(50,51)和導(dǎo)線分布圖案(22)中的至少一個(gè),電子器件(41)設(shè)置在由樹脂膜(23)中設(shè)置的通孔(35)構(gòu)成的空間(36)中。
3.如權(quán)利要求2所述的多層板(100),其特征在于,樹脂膜(23)包括熱塑性樹脂膜。
4.如權(quán)利要求1到3中任一所述多層板(100),其特征在于,電極(42)由金、鎳、銅、銅鎳合金、銀和導(dǎo)電漿料中至少一種制成,并且導(dǎo)電漿料由能夠與層間連接器(50,51)和導(dǎo)線分布圖案(22)中至少一個(gè)形成合金的第一金屬和熔點(diǎn)比加熱過程的溫度高的第二金屬制成。
5.如權(quán)利要求1到3中任一所述的多層板(100),其特征在于,電極(42)通過金屬擴(kuò)散層電連接到層間連接器(50,51)和導(dǎo)線分布圖案(22)中至少一個(gè),并且金屬擴(kuò)散層設(shè)置在層間連接器(50,51)和導(dǎo)線分布圖案(22)中至少一個(gè)和電極(42)之間的界面上。
6.如權(quán)利要求1到3中任一所述的多層板(100),其特征在于,電極(42)布置在電子器件(41)沿層方向上的第一表面上和大體上垂直于電子器件(41)的第一表面的第二表面上。
7.如權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的多層板(100),其特征在于,還包括設(shè)置在電極(42)和樹脂膜(23)之間的間隙中的電子配線,其中電子配線與電極(42)隔離。
8.如權(quán)利要求7所述的多層板(100),其特征在于,至少兩層樹脂膜(23)鄰近電極(42)層疊,并且間隙是電極(42)和樹脂膜(23)之間提供的多個(gè)間隙之一。
9.一種多層板(100),包括由在加熱過程中加熱過的樹脂膜(23)制成的絕緣基部(39);位于絕緣基部(39)中的多層導(dǎo)線(22);以及包括電連接到所述多層導(dǎo)線(22)的電極(42)的電子器件(41),其中電極(42)的熔點(diǎn)高于加熱過程中的溫度。
10.如權(quán)利要求9所示的多層板(100),其特征在于,電極(42)在加熱過程中不能被熔化。
全文摘要
一種包括由絕緣材料制成的基部(39)的多層板(100)。多個(gè)導(dǎo)線分布圖案(22)以多層方式放置在基部(39)中。多個(gè)層間連接器(50,51)放置在基部(39)中,并且通過加熱過程電氣連接到導(dǎo)線分布圖案(22)。電子器件(41)放置在基部(39)中,并且電氣連接到層間連接器(50,51)和導(dǎo)線分布圖案(22)中至少一個(gè)。電子器件(41)包括由熔點(diǎn)高于加熱過程溫度的金屬制成的電極(42)。
文檔編號(hào)H05K1/09GK101087492SQ20071010884
公開日2007年12月12日 申請(qǐng)日期2007年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月5日
發(fā)明者竹內(nèi)聰, 神谷博輝, 清水元規(guī) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社電裝
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