專利名稱：用于發(fā)射電磁輻射的光電子器件的殼體，發(fā)射電磁輻射的器件和用于制造殼體或者器件 ...的制作方法
用于發(fā)射電磁輻射的光電子器件的殼體，發(fā)射電磁輻射的器件和用于制造殼體或者器件的方法本專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)102005034166. 7的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi) 容通過(guò)引用結(jié)合于此。本發(fā)明涉及一種用于光電子器件的殼體，其中該光電子器件適于在工 作時(shí)發(fā)射電磁輻射。此外，本發(fā)明還包括一種帶有這種殼體的發(fā)射電磁輻 射的器件以及一種用于制造這種殼體或者器件的方法。已公開(kāi)了一種用于帶有基體的發(fā)射電磁輻射的光電子器件的殼體，其 中該基體限定了 一凹進(jìn)部分。該凹進(jìn)部分的底部設(shè)計(jì)用于安裝輻射二極管 芯片。凹進(jìn)部分的內(nèi)壁可以以反射器的方式成形，使得輻射二極管芯片所 發(fā)射的電磁輻射的一部分可以借助該內(nèi)壁朝著所希望的輻射立體角轉(zhuǎn)向。通常，這種殼體的基體由塑料構(gòu)成。此夕卜，例如也公開(kāi)了如下的殼體 在這種殼體中，基體部分地或者完全地由陶瓷材料構(gòu)成。發(fā)射電磁輻射的光電子器件越來(lái)越多地應(yīng)用在前大燈或者投影應(yīng)用 中。在W02004/088200中給出了其中使用了發(fā)射電磁輻射的輻射二極管的 前大燈的一個(gè)例子。在該出版物中所說(shuō)明的前大燈元件例如也可以應(yīng)用于 投影應(yīng)用。在前大燈或者投影應(yīng)用中，重要的是由輻射二極管芯片所發(fā)射的電 磁輻射以盡可能高的輻射密度朝著預(yù)定的、窄的立體角輻射。為此，例如 輻射錐借助光學(xué)系統(tǒng)(例如投影透鏡)投射到所希望的平面上。在這種應(yīng) 用中，所使用的光電子器件的輻射特性中的不均勻性會(huì)枕故大，并且由此 有特別大的影響。因此，需要相應(yīng)的器件，這些器件關(guān)于其輻射特性方面 特別針對(duì)這種應(yīng)用而構(gòu)建。所要解決的任務(wù)是，提供了一種開(kāi)頭所提及類型的殼體，相對(duì)于已公 開(kāi)的殼體，該殼體通過(guò)技術(shù)上簡(jiǎn)單的措施在可實(shí)現(xiàn)的輻射特性方面得到改 進(jìn)。該殼體應(yīng)該特別是更好地適合于前大燈和/或投影應(yīng)用。此外，還應(yīng) 該說(shuō)明帶有這種殼體的器件和用于制造這種殼體的方法。提供了一種開(kāi)頭所提及類型的殼體，該殼體具有外側(cè)面，這些側(cè)面至 少部分地設(shè)置有屏蔽層。屏蔽層適于將電磁輻射屏蔽，其中特別設(shè)計(jì)了將殼體內(nèi)部產(chǎn)生的或者要產(chǎn)生的電磁輻射對(duì)外屏蔽。通過(guò)這種方式，在相應(yīng)的帶有這種殼體的光電子器件的情況下，可以有利地明顯減小或者完全避 免電磁輻射由側(cè)面從殼體出射。在傳統(tǒng)的發(fā)射電磁輻射的器件中已經(jīng)確定，具有塑料和/或陶瓷材料 的殼體本體對(duì)于電磁輻射通常是部分可穿透的。特別是在帶有薄的殼體壁的殼體的情況下，這些殼體壁被殼體內(nèi)所產(chǎn)生的電磁輻射的一部分穿透。 由此，電磁輻射不僅在優(yōu)選的立體角中、而且從側(cè)面由殼體輻射。這種側(cè)面輻射的電磁輻射對(duì)于許多應(yīng)用沒(méi)有千擾，因?yàn)樵撦椛鋬H僅是 由殼體發(fā)射的輻射強(qiáng)度的小部分。然而，已經(jīng)確定的是，側(cè)面發(fā)射的電磁 輻射特別是在前大燈和投影應(yīng)用中會(huì)起干擾作用。特別是例如在其中要實(shí) 現(xiàn)具有很好地限定的亮度分布和清晰的亮/暗過(guò)渡的應(yīng)用中，情況更是如 此。借助這樣的措施，即殼體的外側(cè)面設(shè)置有屏蔽層，給出了一種技術(shù)上 簡(jiǎn)單并且有效的手段來(lái)改進(jìn)這種殼體的輻射特性。有利的是，將屏蔽層施 加到殼體的外側(cè)面上基本不需要特殊的殼體設(shè)計(jì)，而是可以在多種傳統(tǒng)的 殼體中進(jìn)行。殼體的外側(cè)面理解為殼體的殼體本體的外表面，這些外表面從針對(duì)帶 有殼體的器件所設(shè)置的輻射軸傾斜出。輻射軸特別是垂直于芯片安裝面或 者殼體的殼體安裝面走向，并且通過(guò)為輻射二極管芯片(例如發(fā)光二極管) 而設(shè)置的區(qū)域。其主延伸面垂直于輻射軸延伸或者朝著輻射軸傾斜的外表 面不是外側(cè)面。優(yōu)選的是，背離殼體的輻射側(cè)的背面外表面同樣也未落入 表述"外側(cè)面"的范圍中。外側(cè)面可以部分地或者完全平面地構(gòu)建。替代地或者附加地，也可能 的是，外側(cè)面凹入或者凸出地彎曲，或者以任意的方式結(jié)構(gòu)化。屏蔽層特別是適合于屏蔽包括由輻射二極管芯片所發(fā)射的電磁輻射 的頻鐠范圍的電磁輻射，其中該輻射二極管芯片是針對(duì)帶有殼體的器件而 設(shè)置的。特別優(yōu)選的是，屏蔽層適合于將電磁輻射完全屏蔽。也就是說(shuō)， 屏蔽層特別優(yōu)選地對(duì)于要屏蔽的波長(zhǎng)范圍的電磁輻射是不可穿透的。然而 也可能的是，屏蔽層對(duì)于電磁輻射也是部分可穿透的。例如，屏蔽層對(duì)于 不必屏蔽的波長(zhǎng)范圍的電磁輻射或者對(duì)于要屏蔽的電磁輻射可以是部分 可穿透的。要屏蔽的電磁輻射優(yōu)選為可見(jiàn)光。優(yōu)選的是，用于由針對(duì)帶有殼體的器件而設(shè)置的輻射二極管所發(fā)射的電磁輻射的要屏蔽的波長(zhǎng)范圍的屏蔽層具有小于或者等于0.1、特別優(yōu)選 為小于或者等于0.05的總透射系數(shù)。特別有利的是，該總透射系數(shù)至少 對(duì)于輻射的可見(jiàn)部分大約為0。在此，概念"屏蔽層"不包括殼體的電連接導(dǎo)體或者電印制導(dǎo)線。更 確切地說(shuō)，殼體在外側(cè)面沒(méi)有電印制導(dǎo)線或沒(méi)有電連接導(dǎo)體，或者殼體在 外側(cè)面除了可能存在的電印制導(dǎo)線或電連接導(dǎo)體之外至少還具有屏蔽層。根據(jù)一種有利的實(shí)施形式，屏蔽層具有對(duì)于電磁輻射反射的材料。通 過(guò)這種方式，電磁輻射可以從外側(cè)面反射回殼體本體中，并且由此對(duì)于使 用并不必然有損耗。附加地或者替代地，屏蔽層有利地具有針對(duì)電磁輻射的吸收材料。有 利的是，合適的吸收材料可以是特別成本低廉的，并且可以高效率地屏蔽 電磁輻射。特別優(yōu)選地，該吸收材料包括黑色材料，也就是說(shuō)，該材料的 顏色對(duì)于人眼感知為黑色調(diào)。根據(jù)一種合乎目的的實(shí)施形式，屏蔽層具有漆。漆A^本低廉的材料， 這種材料可以通過(guò)技術(shù)上簡(jiǎn)單的方式來(lái)涂布。合乎目的的是，外側(cè)面包括殼體本體的外表面，該殼體本體具有陶瓷 材料。附加地或者替代地，外側(cè)面包括殼體本體的外表面，其中該殼體本 體^L據(jù)另一合乎目的的實(shí)施形式具有至少一種塑料。如其使用于傳統(tǒng)的光 電殼體那樣，塑料和陶瓷材料對(duì)于電磁輻射(例如可見(jiàn)光)通常是可穿透 的。因此，特別M目的的是，這種殼體設(shè)置有屏蔽層。特別有利的是，殼體的外側(cè)面相對(duì)于一垂直于殼體的安裝面走向的平 面至少部分地傾斜。外側(cè)面特別是傾斜到4吏得其至少部分地背離殼體的安 裝面。這對(duì)于施加屏蔽層可以是有利的，因?yàn)橥鈧?cè)面的傾斜的部分不垂直 于殼體的安裝面走向，并且由此不僅可以從側(cè)面而且可以從上面到達(dá)。殼 體的上側(cè)首先理解為背離殼體的安裝面的側(cè)。特別優(yōu)選的是，外側(cè)面相對(duì)于平面至少部分地傾斜30°至60° (包 括端點(diǎn))。有利的是，至少一個(gè)外側(cè)面基本上完全以屏蔽層覆蓋。在該上下文中， 側(cè)面理解為殼體本體在其主側(cè)(Hauptseiten)上的表面。例如，帶有基 本上為方形或者矩形的基本形狀的殼體本體具有四個(gè)在側(cè)面的主側(cè)。根據(jù) 該實(shí)施形式，在這些主側(cè)的至少之一上的外表面基本上完全以屏蔽層覆 蓋。此外提供了一種殼體，其中屏蔽層有利地具有塑料或者由塑料構(gòu)成。 塑料可以有利地具有吸收特性，并且例如可以以涂層的形式施加。發(fā)射電磁輻射的光電子器件包括殼體和至少 一個(gè)例如輻射二極管芯 片形式的輻射二極管，該輻射二極管安裝在殼體中。本發(fā)明提供了一種用于制造光電子器件的殼體或者發(fā)射電磁輻射的 器件的殼體的方法。 一個(gè)方法步驟包括提供殼體或者帶有殼體的器件。另 一個(gè)方法步驟包含將屏蔽層施加到殼體的在外部側(cè)面地設(shè)置的表面的至少一部分上，也就^:i兌，施加到殼體的外側(cè)面的至少一部分上。特別優(yōu)選的是，施加屏蔽層包括使用移印。移印是一種間接的印刷方 法，該方法特別適合于印制塑料體。借助移印，不平坦的、例如凸出或者 凹入地彎曲的面也可以i殳置以要施加的材料。附加地或者替代地，施加屏蔽層可以包括使用以下方法中的至少一 種絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、塑料涂布和M涂覆。殼體、器件和方法的另外的優(yōu)點(diǎn)、優(yōu)選的實(shí)施形式以及改進(jìn)方案在下 面由結(jié)合

圖1至13所闡述實(shí)施例得到。其中圖l至3示出了才艮據(jù)第一實(shí)施例的殼體的不同的示意性透視圖，圖4和5示出了根據(jù)第二實(shí)施例的殼體的不同的示意性透視圖，圖6示出了根據(jù)第一實(shí)施例的器件和才艮據(jù)第三實(shí)施例的殼體的示意 性透視圖，圖7示出了才艮據(jù)第二實(shí)施例的器件和根據(jù)第四實(shí)施例的殼體的示意 性透視圖，圖8示出了根據(jù)第五實(shí)施例的殼體的示意性透視圖，圖9示出了帶有4艮據(jù)第三實(shí)施例的器件和根據(jù)第六實(shí)施例的殼體的 發(fā)光模塊的示意性透視圖，圖10示出了根據(jù)第四實(shí)施例的器件和才艮據(jù)第七實(shí)施例的殼體的示意 性剖面圖，以及圖11至13示出了該方法的實(shí)施例的不同方法階段的示意性剖面圖。在實(shí)施例和附圖中，相同的或者作用相同的組成部分分別^L置有相同 的參考標(biāo)記。所示出的組成部分以及組成部分之間的大小關(guān)系并不一定可 以視為是符合比例的。更確切地說(shuō)，為了更好的理解，附圖的一些細(xì)節(jié)可以被夸大地表示。特別是對(duì)于屏蔽層的示例性表示，情況如此。在圖1至3中所示的殼體2具有帶空腔50的殼體本體25?？涨?0 的開(kāi)口具有長(zhǎng)地延伸的橫截面，該橫截面例如以帶有倒圓的邊緣的矩形方 式構(gòu)建?？涨?0設(shè)置用于在其中安裝至少一個(gè)輻射二極管芯片并且導(dǎo)電 地連接。在圖1至3中所示的殼體例如設(shè)置用于四個(gè)或者五個(gè)輻射二極管 芯片，這些芯片在空腔50的底部例如以線型布置地安裝。殼體本體25例如具有塑料材料，或者由這種材料構(gòu)成。優(yōu)選的是， 為此使用了熱塑性或者熱固性塑料，例如聚鄰苯二曱酰胺。塑料材料中可 以添加填充劑。合適的填充劑例如為疏酸鋇、銳鈥礦(這是Ti02的變體) 以及聚四氟乙烯(PTFE,例如特富龍(Teflon))，這些填充劑優(yōu)選地高達(dá) 50%的容積率來(lái)添加。另一優(yōu)選的體積分?jǐn)?shù)含量在大約5%至大約15%的范 圍內(nèi)。殼體2具有殼體本體25的設(shè)置在正面的外表面24，該外表面垂直于 為殼體的器件而設(shè)置的主輻射方向延伸。此外，殼體本體4具有外側(cè)面 23。這些外側(cè)面23之一設(shè)置有屏蔽層3。在圖1至3所示的實(shí)施例中，屏蔽層3完全覆蓋了上述的一個(gè)外側(cè)面。 然而也可能的是，該外側(cè)面23僅僅部分地#^蔽層3覆蓋。例如，可以 僅僅是上半部設(shè)置以屏蔽層3。設(shè)置有屏蔽層3的外側(cè)面23相對(duì)于垂直殼體的安裝面延伸的平面傾 斜。該側(cè)面平坦地構(gòu)建，并JbN對(duì)于所述平面傾斜角度31，參見(jiàn)圖3。該 角度31在30。至60°之間(包括端點(diǎn))，例如為50。。屏蔽層3例如由反射材料構(gòu)成，該材料例如具有金屬材料如4艮。為了 構(gòu)建屏蔽層，例如將具有足夠大的層厚的銀層施加在相應(yīng)的外側(cè)面23上。 銀層對(duì)可見(jiàn)光的大的頻譜范圍具有高反射性。為了實(shí)現(xiàn)完全的屏蔽，銀層 不能僅僅是不多的幾個(gè)單層(monolagen)那樣厚，因?yàn)榉駝t4艮層會(huì)部分 地對(duì)于電磁輻射是可穿透的。銀層例如具有10 |i m的厚度。附加地或者替代地，屏蔽層3例如也可以具有吸收材料。為此例如同 樣考慮對(duì)于所設(shè)置的頻譜范圍具有占優(yōu)勢(shì)的吸收特性的金屬材料。在吸收 材料的情況下，重要的是，該材料不是以太薄的層來(lái)涂布，由此可以盡可 能地屏蔽在殼體內(nèi)部所產(chǎn)生的電磁輻射。屏蔽層對(duì)于要屏蔽的波長(zhǎng)范圍例 如具有小于或者等于0. 01的總透射系數(shù)。作為吸收材料，例如也可以考 慮漆或者塑料。根據(jù)另一示例性的實(shí)施形式，屏蔽層3具有^Jt層，該^^射層施加在 相應(yīng)的外側(cè)面23上，并且在該反射層上又施加吸收層。吸收層例如是黑 色的漆或者黑色的塑料。它們特別對(duì)于可見(jiàn)的電磁輻射是吸收的。替代地, 屏蔽層3例如也可以僅僅由足夠厚的黑色漆層或者黑色塑料層構(gòu)成。不同于前面借助圖l至3所描述的殼體，在圖4和5中所示的殼體2 的情況下，外側(cè)面23僅僅部分地以屏蔽層3覆蓋。部分以屏蔽層3覆蓋 的外側(cè)面23具有第一和第二部分。兩個(gè)部分例如都平坦地構(gòu)建。第一部 分例如垂直于殼體2的安裝面走向。第二部分相對(duì)于第一部分傾斜，例如 傾斜55° 。該第二部分例如完全用屏蔽層3覆蓋。第一部分沒(méi)有屏蔽層。 可替代地，第一部分也可以用屏蔽層覆蓋。此外，在圖4和5中所示的殼體2可以如上面借助圖l至3所示的殼 體那樣構(gòu)建。對(duì)于屏蔽層3的可能的組成、材料和組裝也同樣如此。在圖6和7中所示的器件具有帶支承體21和設(shè)置在支承體21上的框 架22的殼體2?？蚣?2具有內(nèi)壁5，這些內(nèi)壁形成了空腔50的邊界。在 溝狀構(gòu)建的空腔50中以線型布置地設(shè)置了多個(gè)半導(dǎo)體芯片4。在圖6中所示的器件的情況下，輻射二極管芯片4沿著直線設(shè)置。與 此不同，在圖7中所示的器件中，輻射二極管芯片4部分地沿著第一直線 并且部分沿著第二直線設(shè)置，其中第一和第二直線彼此成例如15。的角。 半導(dǎo)體芯片的設(shè)置由此具有彎曲?？涨?0的內(nèi)壁5具有距輻射二極管芯片4的相對(duì)小的距離。該距離 例如小于或者等于輻射二極管芯片4的橫向邊長(zhǎng)。相應(yīng)地，空腔50的底 部具有較小的面積。輻射二極管芯片4在殼體2中以電學(xué)方式安裝，其中這些芯片例如彼 此串聯(lián)。為此，空腔50的底部具有多個(gè)內(nèi)部的電接觸面12，其中輻射二 極管芯片例如在其朝著空腔50的底部54的側(cè)例如借助焊接或者導(dǎo)電膠與 相應(yīng)的內(nèi)部接觸面12導(dǎo)電相連，并且位于相應(yīng)的接觸面12的一部分上。 輻射二極管芯片4的背離內(nèi)部接觸面12的側(cè)例如借助M線46與相應(yīng)的 接觸面導(dǎo)電相連。內(nèi)部接觸面12中的兩個(gè)在支承體21上延伸，直到支承 體21的橫向于框架22錯(cuò)開(kāi)的區(qū)域。在該區(qū)域中，這兩個(gè)接觸面導(dǎo)電地與 器件1的外接觸部14相連，器件1可以通過(guò)這些外接觸部從外部電連接。輻射二極管芯片4在其工作時(shí)發(fā)射例如藍(lán)色或者紫外波長(zhǎng)范圍中的 電磁輻射。例如，框架具有氧化鋁，或者由氧化鋁構(gòu)成。替代地，也可能的是，該框架具有較差反射的材料，例如氮化鋁或者液晶聚合物(LCP)，或者由 其構(gòu)成。使用LCP作為框架22的材料的優(yōu)點(diǎn)是，材料可以用熱的方式與 支承體21匹配。支承體21具有例如氮化鋁作為材料，該材料M本低廉 的，并且具有高的導(dǎo)熱性。作為替代的材料，例如也可以是硅或者碳化硅。圖6和7中所示的器件1的殼體2在一側(cè)沿著輻射二極管芯片4的設(shè) 置具有形成空腔50的邊界的內(nèi)壁，其中內(nèi)壁的至少一段構(gòu)建為遮擋壁 (Blendenwand) 51。通過(guò)這樣的遮擋壁，可以抑制在不希望的立體角中 的輻射發(fā)射。為此，遮擋壁51合乎目的地基本上在與輻射二極管芯片4 的安裝面成大于等于80。且小于等于110。的角度中走向。特別是，遮擋 壁基本上垂直于安裝面。輻射二極管芯片4設(shè)置得距遮擋壁51的距離53例如小于等于100 n m。在這樣小的距離53的情況下，當(dāng)遮擋壁51相對(duì)低地構(gòu)建時(shí)，也就是 說(shuō)，當(dāng)遮擋壁51具有小的高度時(shí)，也可以實(shí)現(xiàn)遮擋壁51的有效的遮擋作 用。此外，由于該小的距離，輻射二極管芯片4所發(fā)射的單位面積具有高 輻射強(qiáng)度的電磁輻射的一部分射到遮擋壁51上，由此不^免了在不希 望的立體角中的輻射，而且很大程度上能夠?qū)崿F(xiàn)電磁輻射在所希望的、優(yōu) 選為窄的立體角中并且以高的輻射密度的發(fā)射。特別是在前大燈、例如在通過(guò)其要盡可能亮地照亮確定的立體角的汽 車前大燈中，這些特性是特別希望的。在汽車前大燈中，例如一方面要盡 可能亮地照亮車道，即特別是街道，另一方面不允許4吏得相對(duì)而來(lái)的車輛 眩目，這樣在上部的立體角中的光輻射是不希望的，并且盡可能地避免。 這同樣可以通過(guò)帶有遮擋壁51的器件來(lái)實(shí)現(xiàn)。此外，輻射二極管芯片4 的伸展的設(shè)置能夠在街道的整個(gè)寬度上實(shí)現(xiàn)道路的明亮且平面的、均勻的 照亮。在圖6和7中所示的器件l中，框架21的與遮擋壁51相對(duì)的外側(cè)面 23分別設(shè)置有屏蔽層3。該屏蔽層可以如上面已經(jīng)描述的那樣構(gòu)建。通過(guò) 屏蔽層3，可以盡可能地實(shí)現(xiàn)避免在不希望的立體角中的輻射發(fā)射。圖8中所示的殼體2同樣具有支承體21和框架22。殼體2在兩個(gè)彼 此相對(duì)的側(cè)上具有電學(xué)的外部接觸面14，這些接觸面與內(nèi)部的電接觸面 12導(dǎo)電相連。殼體2針對(duì)n個(gè)輻射二極管芯片而設(shè)置，并且具有2*n個(gè) 外部接觸面14,使得可能獨(dú)立于另外的輻射二極管芯片地對(duì)每個(gè)安裝在這種殼體2中的輻射二極管芯片進(jìn)行控制。外部接觸面14、電接觸面12 和這些接觸面之間的印制導(dǎo)線例如借助金屬涂布構(gòu)建在支承體21上。合 適的金屬是金。在其上沒(méi)有構(gòu)建外部接觸面14的側(cè)上，殼體2的外側(cè)面23分別設(shè)置 有屏蔽層3。屏蔽層3不但在支承體21的外側(cè)面23上延伸，而且在框架 22的外側(cè)面23上延伸?？蚣芎椭С畜w例如具有陶瓷材料，例如氮化鋁， 或者由這種材料構(gòu)成。圖9中示出了發(fā)光模塊150，該模塊具有單個(gè)的器件1。器件1具有 小的尺寸，使得其可以有利地以簡(jiǎn)單的方式被使用，并且可以技術(shù)上簡(jiǎn)單 地安裝。發(fā)光模塊150具有模塊支承體18，兩個(gè)孔17被引入該支承體中。這 些孔17用于發(fā)光模塊150的機(jī)械安裝，替代地或者附加地，也用于發(fā)光 模塊150的熱學(xué)方式的連接。例如，發(fā)光模塊150可以借助孔17通過(guò)一 個(gè)或者兩個(gè)帶有或沒(méi)有螺紋的安裝銷插接，并且用夾緊或者擰緊來(lái)固定。在圖9中所示的發(fā)光模塊150中包含對(duì)應(yīng)插頭160，使得可以借助相 應(yīng)的插頭從外部電接觸該模塊。此外，發(fā)光模塊150例如還具有輻射二極 管芯片4的過(guò)壓保護(hù)。這種過(guò)壓保護(hù)例如以至少一個(gè)變阻器161的形式來(lái) 設(shè)計(jì)，該變阻器與器件1或者輻射二極管芯片4并聯(lián)。包含于發(fā)光模塊150中的器件1類似于上面借助圖8所闡述的器件那 樣構(gòu)造。該器件具有支承體21、框架22和四個(gè)輻射二極管芯片4?？蚣?22在其四周所有外側(cè)面上設(shè)置有屏蔽層3。與此相對(duì)，支承體21例如沒(méi) 有屏蔽層。替代地，發(fā)光模塊自然也可以具有另外的器件，其中該器件例 如具有上面借助圖1至8示例性地描述的殼體2。所描述的殼體2和器件1特別是可以用于前大燈模塊，特別是也可以 用于車輛應(yīng)用。同樣，它們適于投影應(yīng)用。器件l發(fā)射例如白光，為此其具有例如發(fā)光轉(zhuǎn)換元件，該元件將輻射 二極管芯片4所發(fā)射的第一波長(zhǎng)范圍中的輻射至少部分轉(zhuǎn)換為不同于第 一波長(zhǎng)范圍的第二波長(zhǎng)范圍中的輻射。白光可以通過(guò)將輻射二極管芯片所 發(fā)射的輻射與轉(zhuǎn)換后的輻射混合來(lái)產(chǎn)生，或者通過(guò)轉(zhuǎn)換的輻射具有與其一 同混合而得到白光的顏色部分來(lái)產(chǎn)生。發(fā)光轉(zhuǎn)換材料可以包含至少一種發(fā)光材料。適合于此的例如為無(wú)機(jī)發(fā) 光材料，例如摻有稀土元素(特別是Ce)的石榴石，或者有機(jī)發(fā)光材料，例如二萘嵌苯發(fā)光材料。另外的合適的發(fā)光材料例如在WO 98/12757中舉 出，其內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。輻射二極管芯片4可以用例如基于硅樹(shù)脂的填料澆鑄，或者用輻射透 射的蓋板遮蓋，由此這些芯片被保護(hù)免受外部影響.通過(guò)帶有支承體21和框架22以及帶有施加在支承體21上的接觸面 12、 14的殼體2的構(gòu)造，簡(jiǎn)單地制造器件1是可能的，其中例如無(wú)需昂 貴地產(chǎn)生通孔。替代地，殼體本體也可以一體式地構(gòu)建，例如通過(guò)壓力注 塑包封引線框架，其中該引線框架包括用于輻射二極管芯片4和器件1 的相應(yīng)的接觸部。在圖10中示出了帶有引線框架47的這種殼體的例子。該殼體具有例 如單個(gè)的輻射二極管芯片4，該芯片導(dǎo)電地連接到引線框架47的兩個(gè)電 連接導(dǎo)體上。引線框架47借助含有塑料的澆鑄料或者噴射料隨著殼體本 體成型。殼體2的所有外側(cè)面都設(shè)置有屏蔽層3，其中這些外側(cè)面例如也伸出 引線框架的部分。輻射二極管芯片4例如是發(fā)光二極管芯片，優(yōu)選為薄膜光發(fā)射二極管 芯片。薄膜光發(fā)射二極管芯片的特色尤其是以下的特征-在產(chǎn)生輻射的外延層序列的朝著支承元件的第一主面上施加或者 構(gòu)建有反射層，該反射層將外延層序列中所產(chǎn)生的電磁輻射的至少一部分 Jl射回該外延層序列中；-外延層序列具有20 n m或者更小范圍中的厚度，特別是10 ia m范圍 中的厚度；以及-外延層序列含有至少一個(gè)如下的半導(dǎo)體層該半導(dǎo)體層帶有至少一 個(gè)具有混勻結(jié)構(gòu)的面。在理想情況下，該混勻結(jié)構(gòu)導(dǎo)致光在外延的外延層 序列中的近似各態(tài)歷經(jīng)的分布，也就是說(shuō)，該結(jié)構(gòu)具有盡可能各態(tài)歷經(jīng)的 隨機(jī)散射特性。薄膜光發(fā)射二極管的基本原理例如在1993年10月18日， I.Schnitzer等人所著的Appl. Phys. Lett. 63(16)， 2174 - 2176頁(yè)中 進(jìn)行了描述，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。薄膜光發(fā)射二極管芯片良好近似于朗伯表面輻射器，并且因此特別適合于在所述器件中的應(yīng)用，特別是用于前大燈。在上面所描述的實(shí)施例中，屏蔽層3的至少一部分或者整個(gè)屏蔽層3 可以借助移印來(lái)施加。在圖11至13中示出了一個(gè)示例性的這種方法的不 同的方法階段。塞100設(shè)置有屏蔽材料101。為此，塞例如被壓到其上施加有屏蔽材 料的裝置上。這種裝置稱為印刷版或者凸版(Klischee)。塞100由高彈 性的材料構(gòu)成，該材料例如具有橡膠或者由橡膠構(gòu)成。特別適合的是硅膠。在圖11中示出了塞IOO,其用屏蔽材料IOI (例如黑色顏料)潤(rùn)濕。 塞100被從下方引導(dǎo)到殼體2的傾斜走向的外側(cè)面23上。在圖11中通過(guò) 箭頭指示的塞100的移動(dòng)方向垂直于殼體2的安裝面。相對(duì)于塞100沿其 引導(dǎo)到殼體2上的方向，要印制的外側(cè)面23傾斜小于90。的角度，例如 450。參見(jiàn)圖12，當(dāng)被朝著殼體2壓下時(shí)，塞100變形并且與要印制的外 側(cè)面23的傾斜走向匹配。隨后，塞100又被從殼體2移開(kāi)，這在圖13中又通過(guò)箭頭表示。在 將塞和要印制的外側(cè)面23壓印時(shí)與其接觸的屏蔽材料仍然粘附在殼體2 上，并且形成屏蔽層3的至少一部分，參見(jiàn)圖13。該方法步驟可以根據(jù)需要重復(fù)任意次數(shù)。借助這種方法步驟例如也可 以依次將不同的屏蔽材料施加在殼體2的外側(cè)面上。自然也可能的是，將 所有外側(cè)面完全借助移印用一種或多種屏蔽材料101來(lái)覆蓋。替代移印或者除移印之夕卜，屏蔽層也可以至少部分地借助絲網(wǎng)印刷來(lái) 施加。為此，例如將網(wǎng)或者軍(Maske)施加到殼體的外側(cè)面上，其中屏 蔽材料隨后被涂布到該面上。屏蔽材料具有對(duì)于絲網(wǎng)印刷合適的粘度。該 材料例如可以包括黑色的漆或者其他的黑色顏料。借助刮板，屏蔽材料分 布于外側(cè)面上的網(wǎng)或者罩的凹陷中。作為另外的替代的或者補(bǔ)充的方法，例如噴墨印刷也適合于施加屏蔽 材料。特別是吸收的顏料、例如黑色顏料可以通過(guò)這種方式來(lái)施加。為此， 例如使用傳統(tǒng)的CIJ印刷機(jī)("連續(xù)噴墨"印刷機(jī))。使用DOD印刷機(jī)("按 需滴落式"印刷機(jī))同樣也是可能的。特別是金屬層可以附加于或者替代上述方法例如借助氣相淀積、濺射 或者粘貼來(lái)施加。此外，例如塑料涂敷也適合于施加屏蔽材料。附加地或者替代地，金屬層以及塑料層都例如也可以借助*涂敷來(lái) 施加。例如可以使用靜電粉料涂敷或者其他類型的粉料涂敷。在此，屏蔽 材料以M的形式來(lái)涂布。該材料l^被加熱，由此該材料結(jié)合成為例如 一體式的層，并且在被涂布于其上的表面上保持粘附。本發(fā)明并非通過(guò)借助實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的描述而局限于此。更確切地 說(shuō)，本發(fā)明包括任意新的特征以及這些特征的任意組合，特別是包含權(quán)利 要求中的特征的任意組合，即使這些特征或者組合本身沒(méi)有明確地在權(quán)利 要求中或者實(shí)施例中被明確說(shuō)明.
權(quán)利要求
1.一種用于發(fā)射電磁輻射的光電子器件的殼體，其特征在于，殼體的外側(cè)面至少部分地設(shè)置有屏蔽層，所述屏蔽層適合于屏蔽電磁輻射。
2. 根據(jù)權(quán)利要求i所述的殼體，其特征在于，屏蔽層具有反射電磁 輻射的材料。
3. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的殼體，其特征在于，屏蔽層 具有吸收電磁輻射的材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的殼體，其特征在于，屏蔽層具有黑色材料。
5. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的殼體，其特征在于，屏蔽層 具有漆。
6. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的殼體，其特征在于，所述外 側(cè)面包括具有陶瓷材料的殼體本體的外表面。
7. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的殼體，其特征在于，所述外 側(cè)面包括具有塑料的殼體本體的外表面。
8. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的殼體，其特征在于，所述外 側(cè)面相對(duì)于與殼體的安裝面垂直走向的平面至少部分傾斜。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的殼體，其特征在于，所述外側(cè)面相對(duì)于所 述平面至少部分地傾斜3 0°至6 0° ，包括端點(diǎn)。
10. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的殼體，其特征在于，至少一 個(gè)外側(cè)面基本上完全用屏M覆蓋。
11. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的殼體，其特征在于，屏蔽層 具有塑料或者由塑料構(gòu)成。
12. —種帶有至少一個(gè)輻射二極管的發(fā)射電磁輻射的器件，其特征在 于，所迷器件具有才艮據(jù)權(quán)利要求1至11中的任一項(xiàng)所述的殼體。
13. —種用于制造發(fā)射電磁輻射的光電子器件的殼體或者發(fā)射電磁輻 射的器件的方法，其特征在于包括以下方法步驟-提供殼體或者帶有殼體的器件，以及-將屏蔽層施加到所述殼體的外側(cè)面的至少 一部分上。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，施加屏蔽層包括使 用移印。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的方法，其特征在于，施加屏蔽層包 括使用絲網(wǎng)印刷。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13至15中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，施 加屏蔽層包括使用噴墨印刷。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13至16中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，施 加屏蔽層包括使用塑料涂敷。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13至17中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，施 加屏蔽層包括使用粉料涂敷。
全文摘要
本發(fā)明說(shuō)明了一種用于發(fā)射電磁輻射的光電子器件的殼體。殼體的外側(cè)面至少部分地設(shè)置有屏蔽層，該屏蔽層適合于屏蔽電磁輻射。通過(guò)這種方式，應(yīng)該盡可能地避免對(duì)于一些應(yīng)用不利的從殼體側(cè)面發(fā)射電磁輻射。此外，說(shuō)明了一種帶有這種殼體的發(fā)射電磁輻射的器件，以及一種用于制造相應(yīng)的殼體或者器件的方法。
文檔編號(hào)H05K5/00GK101223836SQ200680026227
公開(kāi)日2008年7月16日 申請(qǐng)日期2006年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月21日
發(fā)明者弗羅林·奧斯瓦爾德, 莫里茨·恩格爾 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司