專利名稱:具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種信號傳輸裝置,尤其涉及一種具有穿孔及錫球的球格陣列(BGA)封裝的信號傳輸裝置。
背景技術(shù):
由于近年來高科技技術(shù)的突飛猛進,尤其在微電子相關(guān)技術(shù)制程的領(lǐng)域中更是日新月異,因此電子相關(guān)產(chǎn)品已深入于每個家庭及各行各業(yè)中,成為現(xiàn)代生活中不可或缺的一部分。
當(dāng)然由于人類的需求越來越多,相對使得電子裝置必須達(dá)到更多功能性的使用,且各電子產(chǎn)品更朝向短小輕薄結(jié)構(gòu)以及多元化功效的目標(biāo)邁進,該短小輕薄結(jié)構(gòu)的電子產(chǎn)品必須具有更密集的電子組件才能減少所占據(jù)的空間,由于電路板上的電子組件已占去大部分的電路板面積,在進行布線時考慮傳輸線阻抗、線與線的間距、信號布線規(guī)則等問題時,更使得信號的電路布局日益困難,而制作球格陣列(BGA)封裝的技術(shù)時,錫球與電路層間會造成的雜散電容,更使得信號傳輸路徑無法形成阻抗匹配,而降低封裝后芯片的高頻響應(yīng),相對限制球格陣列(BGA)封裝的技術(shù)發(fā)展。
請參閱圖1A至圖1D所示,其為常用具有穿孔及錫球的球格陣列封裝結(jié)構(gòu)示意圖。常用的具有穿孔及錫球的球格陣列封裝結(jié)構(gòu)1以一第一基板11頂面?zhèn)壬席B合一第一電路層12,且該第一基板11底面?zhèn)壬弦帛B合有一第二電路層13,由此以交流電信號使得球格陣列封裝結(jié)構(gòu)1進行操作,因此該第一電路層12為一信號層(或為一接地層),而該第二電路層13相對應(yīng)為一接地層(或為一信號層),而以四層的球格陣列封裝結(jié)構(gòu)1為例,該第一電路層12上還疊合一第二基板14,且該第二電路層13上也相對疊合一第三基板15,之后為提供頂層與底層的電路導(dǎo)通,此時開設(shè)依序貫穿該第二基板14、該第一電路層12、該第一基板11、該第二電路層13以及該第三基板15的至少一穿孔16,該穿孔16覆有一導(dǎo)電層17,該導(dǎo)電層17覆于該穿孔16外緣上且延伸出該第二基板14表面與該第三基板15表面一不超過基板長度的適當(dāng)長度d,且將一焊墊18設(shè)于該第三基板15表面上且與該導(dǎo)電層17相連接,最后將一錫球19設(shè)于該焊墊18上。其中該第一電路層12以及該第二電路層13分別開設(shè)有相對應(yīng)該穿孔16的一環(huán)孔10,該環(huán)孔10的外緣輪廓大于該穿孔16的外緣輪廓。
由于以上該錫球19、第二電路層13以及該第一電路層12為金屬材質(zhì)所制成,而金屬與金屬間會形成電容,尤其現(xiàn)今將電子產(chǎn)品朝向短小輕薄結(jié)構(gòu)時,更壓縮球格陣列封裝結(jié)構(gòu)的厚度,相對造成電容效應(yīng)加強,因此如何去降低錫球造成的雜散電容,以達(dá)到確保信號傳輸路徑阻抗匹配的功效問題,為業(yè)界急需解決的問題,以降低支付成本及提升產(chǎn)業(yè)的競爭力,該問題的解決實為刻不容緩。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其通過延伸該絕緣孔(clearance)降低錫球造成的雜散電容,以達(dá)到確保信號傳輸路徑阻抗匹配的功效。
本發(fā)明的次要目的是提供一種具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其通過應(yīng)用于具有穿孔及錫球的封裝,以達(dá)到確保封裝后芯片的高頻響應(yīng)的功效。
本發(fā)明的另一目的是提供一種具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其不需額外增加電路設(shè)計,以達(dá)到較佳信號傳輸路徑阻抗匹配的功效。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供一種具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其包括有至少一核心結(jié)構(gòu)、一第二基板、一第三基板、至少一穿孔、至少一導(dǎo)電層、至少一焊墊以及至少一錫球。
該核心結(jié)構(gòu)至少包括有具有一第一表面與一第二表面的一第一基板,該第一表面上設(shè)有一第一電路層,且該第二表面上設(shè)有一第二電路層。
該第二基板設(shè)于該第一電路層上。
該第三基板設(shè)于該第二電路層上。
該穿孔依序貫穿該第二基板、該核心結(jié)構(gòu)以及該第三基板。
該導(dǎo)電層覆于該穿孔外緣上且延伸出該第二基板表面與該第三基板表面一不超過基板長度的適當(dāng)長度。
該焊墊設(shè)于該第二基板表面上且與該導(dǎo)電層相連接。
該錫球設(shè)于該焊墊上。
其中,該第一電路層以及該第二電路層分別開設(shè)有相對應(yīng)該穿孔的一環(huán)孔,且相對應(yīng)該錫球的位置處開設(shè)有一孔槽。
如上所述的本發(fā)明的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該環(huán)孔與該孔槽為相互連通。
如上所述的本發(fā)明的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該環(huán)孔與該孔槽還填充有一絕緣材質(zhì)。
如上所述的本發(fā)明的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該導(dǎo)電層還延伸出該第三基板表面一不超過基板長度的適當(dāng)長度。
如上所述的本發(fā)明的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該環(huán)孔的外緣輪廓大于該穿孔的外緣輪廓。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供一種具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置的另一較佳實施例,其包括有一第一核心結(jié)構(gòu)、一第二核心結(jié)構(gòu)、一第三基板、一第四基板、至少一穿孔、至少一導(dǎo)電層、至少一焊墊以及至少一錫球。
該第一核心結(jié)構(gòu)具有一第一基板,該第一基板的一側(cè)表面上設(shè)有一第一電路層且另一側(cè)表面上設(shè)有一第二電路層。
該第二核心結(jié)構(gòu)具有一第二基板,該第二基板的一側(cè)表面上與該第一電路層相連接,且另一側(cè)表面上設(shè)有一第三電路層。
該第三基板設(shè)于該第二電路層上。
該第四基板設(shè)于該第三電路層上。
該穿孔依序貫穿該第四基板、該第二核心結(jié)構(gòu)、該第一核心結(jié)構(gòu)以及該第三基板。
該導(dǎo)電層覆于該穿孔外緣上,且延伸出該第四基板表面與該第三基板表面一不超過基板長度的適當(dāng)長度。
該焊墊設(shè)于該第三基板表面上,且與該導(dǎo)電層相連接。
該錫球設(shè)于該焊墊上。
其中,該第一電路層、該第二電路層與該第三電路層分別開設(shè)有相對應(yīng)該穿孔的一環(huán)孔,且該第一電路層以及該第二電路層相對應(yīng)該錫球的位置處開設(shè)有一孔槽。
如上所述的本發(fā)明的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該第三電路層相對應(yīng)該穿孔處也設(shè)有該環(huán)孔。
如上所述的本發(fā)明的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該第三電路層相對應(yīng)該錫球的位置處也開設(shè)有該孔槽,且該環(huán)孔與該孔槽為相互連通。
如上所述的本發(fā)明的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該環(huán)孔與該孔槽還填充有一絕緣材質(zhì)。
如上所述的本發(fā)明的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該第三電路層相對應(yīng)該錫球的位置處也開設(shè)有該孔槽。
為使對于本發(fā)明的目的、特征及功效有更進一步的認(rèn)識與了解,現(xiàn)配合附圖詳細(xì)說明如下。
圖1A為常用的具有穿孔及錫球的球格陣列封裝的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1B為常用的具有穿孔及錫球的球格陣列封裝的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1C為常用的球格陣列封裝穿孔及錫球連接的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1D為常用的球格陣列封裝電路層的上視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2A為本發(fā)明具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置第一較佳實施例的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2B為本發(fā)明具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置第一較佳實施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2C為本發(fā)明具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置第一較佳實施例的上視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3A為本發(fā)明的電路層第一較佳實施例的上視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3B為本發(fā)明的電路層第二較佳實施例的上視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3C為本發(fā)明的電路層第三較佳實施例的上視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3D為本發(fā)明的電路層第四較佳實施例的上視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4A為本發(fā)明具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置第二較佳實施例的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4B為本發(fā)明具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置第三較佳實施例的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5A為本發(fā)明多個環(huán)孔與孔槽組合尺寸與常用環(huán)孔比較的頻率-反射損耗示意圖。
圖5B為本發(fā)明多個環(huán)孔與孔槽組合尺寸與常用環(huán)孔比較的頻率-插入損耗示意圖。
圖5C為本發(fā)明多個環(huán)孔與孔槽組合尺寸與常用環(huán)孔比較的頻率-阻抗示意圖。
圖5D為本發(fā)明多個環(huán)孔與孔槽組合尺寸與常用環(huán)孔比較的頻率-電抗示意圖。
圖號說明1~球格陣列封裝結(jié)構(gòu)10~環(huán)孔11~第一基板12~第一電路層13~第二電路層14~第二基板15~第三基板16~穿孔17~導(dǎo)電層18~焊墊2~具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置20~核心結(jié)構(gòu)21~第一基板211~第一表面212~第二表面22~第一電路層23、23a、23b、23c、23d~第二電路層24~第二基板25~第三基板30、60~穿孔31、61~導(dǎo)電層
32、62~焊墊33、63~錫球34、34a、34b、34c、34d、64~環(huán)孔35、35a、35b、35c、35d、65、65a~孔槽4~具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置40~第一核心結(jié)構(gòu)41~第一基板42~第一電路層43~第二電路層44~第三基板45~第四基板50~第二核心結(jié)構(gòu)51~第二基板52、52a~第三電路層L~長度W~寬度d~長度具體實施方式
本發(fā)明具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置的主要特征在于將電路層對應(yīng)錫球的位置處開設(shè)有一孔槽以延伸該絕緣孔(clearance),該絕緣孔將降低錫球及焊墊造成的雜散電容,確保信號傳輸路徑阻抗匹配,使得具有穿孔及錫球的封裝均可達(dá)到確保封裝后芯片的高頻響應(yīng)的優(yōu)點。
以下將舉出多個較佳實施例詳細(xì)說明本發(fā)明具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置的詳細(xì)手段、操作方式、達(dá)成功效、以及本發(fā)明的其它技術(shù)特征。
請參閱圖2A至圖2C所示,其為本發(fā)明具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置第一較佳實施例示意圖。本發(fā)明的一種具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置2,包括有至少一核心結(jié)構(gòu)20、一第二基板24、一第三基板25、至少一穿孔30、至少一導(dǎo)電層31、至少一焊墊32以及至少一錫球33,該核心結(jié)構(gòu)20至少包括有具有一第一表面211與一第二表面212的一第一基板21,該第一表面211上還覆有一第一電路層22,且該第二表面212上相對覆有一第二電路層23,該第一電路層22與該第二電路層23為導(dǎo)電材質(zhì)制成,且該第一電路層22為一信號層(或為一接地層),而該第二電路層23相對應(yīng)為一接地層(或為一信號層),該第二基板24設(shè)于該第一電路層22上且該第三基板25設(shè)于該第二電路層23上,該第一基板21、該第二基板24以及該第三基板25為絕緣材質(zhì)制成將利于進行電路層的疊合以及部分金屬間電容的隔離。
之后為提供該信號傳輸裝置2頂層與底層的電路導(dǎo)通形成該穿孔30,該穿孔30依序貫穿該第二基板24、該核心結(jié)構(gòu)20以及該第三基板25開設(shè),且將該導(dǎo)電層31覆于該穿孔30外緣上且延伸出該第二基板24表面與該第三基板25表面一不超過基板長度的適當(dāng)長度d,再將該焊墊32設(shè)于該第三基板25表面上且與該導(dǎo)電層31相連接,最后將該錫球33設(shè)于該焊墊32上,由于該導(dǎo)電層31、該焊墊32以及該錫球33皆是導(dǎo)電材質(zhì)制成,因此可順利將第二基板24表面與該第三基板25表面的電路(圖中未示出)進行導(dǎo)通。
該第一電路層22以及該第二電路層23分別開設(shè)有相對應(yīng)該穿孔30的一環(huán)孔34,該環(huán)孔34為一圓形形狀且該環(huán)孔34的外緣輪廓大于該穿孔30的外緣輪廓,且該環(huán)孔34的外緣輪廓與該穿孔30的外緣輪廓間還填充絕緣材質(zhì)以形成絕緣孔(clearance),該絕緣孔可降低錫球33造成的雜散電容,在本發(fā)明較佳實施例中,該第一電路層22以及該第二電路層23相對應(yīng)該錫球33的位置處還開設(shè)有一孔槽35,該孔槽35為一圓形形狀,其中該環(huán)孔34與該孔槽35為相互導(dǎo)通形成為長度為L而寬度為W的膠囊形狀,且該環(huán)孔34與該孔槽35還填充有絕緣材質(zhì),此結(jié)構(gòu)在進行壓合本發(fā)明具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置2即可同時完成,無須增加制程步驟。
請參閱圖3A至圖3D所示,其為本發(fā)明的電路層多個較佳實施例的上視結(jié)構(gòu)示意圖。以下所述的本發(fā)明其它較佳實施例中,因該第一電路層22以及該第二電路層23在上視結(jié)構(gòu)中相同,為便于說明僅標(biāo)示該第二電路層23,且大部分的組件相同或類似于前述實施例,因此相同的組件將直接給予相同的名稱及編號,且對于類似的組件則給予相同名稱但在原編號后另增加一英文字母以示區(qū)別且不予贅述。在本發(fā)明較佳實施例圖3A中,該環(huán)孔34a與該孔槽35a為相互導(dǎo)通,且該孔槽35a外緣輪廓小于該環(huán)孔34a外緣輪廓,因此形成一鑰匙形狀,而由于該環(huán)孔34a與該孔槽35a相連接處具有尖端會產(chǎn)生放電效應(yīng),因此圖3B將該環(huán)孔34b與該孔槽35b相連接處導(dǎo)成圓弧,當(dāng)然也可為其它形狀,而圖3C中該環(huán)孔34c與該孔槽35c為相互導(dǎo)通,且該孔槽35c外緣輪廓與該環(huán)孔34c外緣輪廓相同,因此形成一膠囊形狀,圖3D中該環(huán)孔34d與該孔槽35d并不相互導(dǎo)通,且該孔槽35c外緣輪廓與該環(huán)孔34c外緣輪廓相同,也可為不相同,諸如此類形狀的變形對于熟悉該項技術(shù)的普通技術(shù)人員能依據(jù)上述說明加以變化實施,因此并不脫離本發(fā)明的主旨,也不脫離本創(chuàng)作的精神及范圍,在此并不再多加贅述。
請參閱圖4A及圖4B所示,其為本發(fā)明具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置其它較佳實施例剖視結(jié)構(gòu)示意圖。本較佳實施例的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置4包括有一第一核心結(jié)構(gòu)40、一第二核心結(jié)構(gòu)50、一第三基板44、一第四基板45、至少一穿孔60、至少一導(dǎo)電層61、至少一焊墊62以及至少一錫球63。該第一核心結(jié)構(gòu)40具有一第一基板41,該第一基板41的一側(cè)表面上設(shè)有一第一電路層42且另一側(cè)表面上設(shè)有一第二電路層43,該第二核心結(jié)構(gòu)50疊合于該第一核心結(jié)構(gòu)40之上,該第二核心結(jié)構(gòu)50具有一第二基板51,該第二基板51的一側(cè)表面上與該第一電路層42相連接,且另一側(cè)表面上設(shè)有一第三電路層52,該第三基板44設(shè)于該第二電路層43上,該第四基板45設(shè)于該第三電路層52上,該第一電路層42、該第二電路層43以及該第三電路層52為導(dǎo)電材質(zhì)制成,設(shè)計該第一電路層42為一信號層(或為一接地層),而該第二電路層43相對應(yīng)為一接地層(或為一信號層),且該第三電路層52也相對應(yīng)為一接地層(或為一信號層),如此設(shè)計在制作多層電路板時,可共享一信號層(或為一接地層)以減少多層電路板厚度。
該穿孔60依序貫穿該第四基板45、該第二核心結(jié)構(gòu)50、該第一核心結(jié)構(gòu)40以及該第三基板44,使該導(dǎo)電層61覆于該穿孔60外緣上且延伸出該第四基板45表面與該第三基板44表面一不超過基板長度的適當(dāng)長度d,該焊墊62設(shè)于該第三基板44表面上且與該導(dǎo)電層61相連接,該錫球63設(shè)于該焊墊62上,且該導(dǎo)電層61、該焊墊62以及該錫球63皆是為導(dǎo)電材質(zhì)制成。該第一電路層42、該第二電路層43與該第三電路層52分別開設(shè)有相對應(yīng)該穿孔60的一環(huán)孔64,該環(huán)孔64為一圓形形狀且該環(huán)孔64的外緣輪廓大于該穿孔60的外緣輪廓,且該環(huán)孔64的外緣輪廓與該穿孔60的外緣輪廓間還填充絕緣材質(zhì),在本發(fā)明較佳實施例中,由于該第三電路層52對該視頻支持。
開始通話在確定是否支持視頻后,發(fā)起方和接收方就可以進行通話。如果設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)支持視頻,并且用戶選擇視頻通話時,通話雙方不僅可以聽到對方的聲音,而且可以看到對方的視頻信號。
發(fā)送服務(wù)質(zhì)量測試包目前有兩種方式可以得到網(wǎng)絡(luò)傳輸數(shù)率。一種是在視頻傳輸?shù)臅r候,根據(jù)本地視頻質(zhì)量,判斷網(wǎng)絡(luò)狀況;另一種是主動發(fā)送網(wǎng)絡(luò)測試包(服務(wù)質(zhì)量測試包),測試網(wǎng)絡(luò)的丟包率。前一種的主觀性比較大,用戶在視頻通話的過程中,如果遠(yuǎn)端圖像在本地顯示不清楚(比如出現(xiàn)較多的馬賽克現(xiàn)象),那么就認(rèn)為網(wǎng)絡(luò)狀況不好。但是這種方式只能在通話雙方都選擇視頻通話下才有效,如果通話的某一方不選擇視頻通話,那么就不可以使用這種方法測試判斷網(wǎng)絡(luò)狀況。
第二種方式是在提供視頻支持的設(shè)備上(假設(shè)通話提供方提供視頻支持),每隔一段時間(比如2秒),提供方計算2秒內(nèi)發(fā)送的視頻包的數(shù)量(假設(shè)為1000包),然后就用TCP的帶外數(shù)據(jù)方法發(fā)送一個服務(wù)質(zhì)量測試包,接收到該測試包的使用方把這個包傳回給發(fā)送方,發(fā)送方根據(jù)這個測試包反饋的網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量,動態(tài)調(diào)整視頻傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。
本發(fā)明中,服務(wù)質(zhì)量測試包的格式如下
本發(fā)明的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,確實可應(yīng)用于具有穿孔及錫球的封裝以降低錫球造成的雜散電容,確保信號傳輸路徑阻抗匹配,使具有較佳信號傳輸路徑及確保封裝后芯片的高頻響應(yīng)的功效。
以上所述是利用較佳實施例詳細(xì)說明本發(fā)明,而非限制本發(fā)明的范圍,而且熟知本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知道,不脫離本發(fā)明的精神和范圍可適當(dāng)作些微的改變及調(diào)整。例如,本發(fā)明的電路板雖是以四層板(具有四層電路布局)進行說明,然而其也可以是其它層數(shù)電路布局的電路板。
權(quán)利要求
1.一種具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其特征在于該裝置包括有至少一核心結(jié)構(gòu),該核心結(jié)構(gòu)至少包括有一第一基板,具有一第一表面與一第二表面;一第一電路層,設(shè)于該第一表面上;一第二電路層,設(shè)于該第二表面上;一第二基板,設(shè)于該第一電路層上;一第三基板,設(shè)于該第二電路層上;至少一穿孔,依序貫穿該第二基板、該核心結(jié)構(gòu)以及該第三基板;至少一導(dǎo)電層,該導(dǎo)電層覆于該穿孔外緣上且延伸出該第二基板表面一不超過基板長度的適當(dāng)長度;至少一焊墊,該焊墊設(shè)于該第二基板表面上且與該導(dǎo)電層相連接;至少一錫球,該錫球設(shè)于該焊墊上;其中,該第一電路層以及該第二電路層分別開設(shè)有相對應(yīng)該穿孔的一絕緣的環(huán)孔,且相對應(yīng)該錫球的位置處開設(shè)有一孔槽。
2.如權(quán)利要求1所述的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該環(huán)孔與該孔槽為相互連通。
3.如權(quán)利要求1所述的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該環(huán)孔與該孔槽還填充有一絕緣材質(zhì)。
4.如權(quán)利要求1所述的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該導(dǎo)電層還延伸出該第三基板表面一不超過基板長度的適當(dāng)長度。
5.如權(quán)利要求1所述的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該裝置還包括有一第三電路層,設(shè)于該第三基板上;以及一第四基板,設(shè)于該第三電路層上;其中,該穿孔還貫穿該第三電路層以及該第四基板,且該導(dǎo)電層也覆于該穿孔外緣上且延伸出該第四基板表面一不超過基板長度的適當(dāng)長度。
6.如權(quán)利要求5所述的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該第三電路層相對應(yīng)該穿孔處也設(shè)有該環(huán)孔。
7.如權(quán)利要求6所述的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該第三電路層相對應(yīng)該錫球的位置處也開設(shè)有該孔槽,且該環(huán)孔與該孔槽為相互連通。
8.如權(quán)利要求7所述的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該環(huán)孔與該孔槽還填充有一絕緣材質(zhì)。
9.如權(quán)利要求5所述的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該第三電路層相對應(yīng)該錫球的位置處也開設(shè)有該孔槽。
10.如權(quán)利要求1所述的具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,其中該環(huán)孔的外緣輪廓大于該穿孔的外緣輪廓。
全文摘要
一種具有穿孔及錫球的信號傳輸裝置,包括至少一核心結(jié)構(gòu)、一第二基板、一第三基板、至少一穿孔、至少一導(dǎo)電層、至少一焊墊以及至少一錫球,該核心結(jié)構(gòu)至少包括具有一第一表面與一第二表面的一第一基板,該第一表面上設(shè)有一第一電路層,且該第二表面上設(shè)一第二電路層,該第二基板設(shè)于該第一電路層上且該第三基板設(shè)于該第二電路層上,該穿孔依序貫穿該第二基板、該核心結(jié)構(gòu)及該第三基板,該導(dǎo)電層覆于該穿孔外緣上且延伸出該第二基板表面與該第三基板表面不超過基板長度的適當(dāng)長度,該焊墊設(shè)于該第二基板表面上且與該導(dǎo)電層連接,該錫球設(shè)于該焊墊上,該第一電路層以及該第二電路層分別開設(shè)對應(yīng)該穿孔的一環(huán)孔,且對應(yīng)該錫球的位置開設(shè)一孔槽。
文檔編號H05K3/46GK1599543SQ200410048548
公開日2005年3月23日 申請日期2004年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月8日
發(fā)明者李勝源 申請人:威盛電子股份有限公司