專利名稱：發(fā)光組件及發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置等所使用的發(fā)光組件，特別涉及顯示裝置等所使用的發(fā)光組件的背面?zhèn)取?br> 背景技術(shù)：
作為發(fā)光組件，最近，電致發(fā)光(EL)組件受到注目，使用該EL組件的顯示裝置，作為取代液晶顯示裝置(LCD)、CRT等的顯示裝置的裝置，其研究正在不斷發(fā)展。
EL組件內(nèi)，作為發(fā)光材料使用有機(jī)化合物即所謂有機(jī)EL組件，具備在電穴注入電極(陽極)以及電子注入電極(陰極)間夾持包含有機(jī)發(fā)光分子的發(fā)光組件層的構(gòu)造。更具體而言，在透明玻璃基板上，形成有作為電穴注入電極的由ITO(Indium Tin Oxide)構(gòu)成的透明導(dǎo)電層，在電穴注入電極上積層有單層或多層構(gòu)成的發(fā)光組件層，該發(fā)光組件層上還形成有作為電子注入電極的鋁(Al)、銀(Ag)、鎂銀合金(MgAg)等的不透明金屬電極。
有關(guān)該種構(gòu)造，從電穴注入電極注入的電穴、以及從電子注入電極注入的電子，在發(fā)光組件層中再結(jié)合，激勵(lì)層內(nèi)所包含的有機(jī)發(fā)光分子，使該分子在恢復(fù)基底狀態(tài)時(shí)所放射的光透過透明電穴注入電極以及玻璃基板，而向外部射出。
如上所述，由于相對(duì)于光射出側(cè)(觀察側(cè))的位于背面?zhèn)鹊慕饘匐姌O，通常采用反射性高的金屬材料，因此，在該發(fā)光組件側(cè)的表面，發(fā)生透過基板以及透明電極向組件內(nèi)射入的外光的反射。該外光的反射，在顯示裝置中，特別是黑色顯示的情況，作為使對(duì)比度低下的一大原因，并且將引起在金屬電極的觀察面(反射面)映入周圍像、而使顯示畫像的可看性降低等顯示質(zhì)量低落的問題。
作為防止該種由于金屬電極的反射造成的顯示質(zhì)量低下的簡便方法，有將LCD所使用的偏光層配置于透明玻璃基板、透明電穴注入電極的玻璃基板側(cè)，即組件的觀察面(射出光的面)側(cè)的方法，例如下記專利文獻(xiàn)1所闡述。
專利文獻(xiàn)1特開平7-142170如前述專利文獻(xiàn)1所記載，在組件的光射出面?zhèn)扰渲闷鈱?，可由該偏光層遮蔽從組件外部射入至組件內(nèi)的光，再由背面?zhèn)鹊慕饘匐姌O反射，并再次從組件射出。
即，從組件外部的通過偏光層而射入組件內(nèi)的入射光，與偏光層的偏光方向平行的直線偏光，該直線偏光經(jīng)金屬電極反射后，其偏光方向作為90°反向。于是，金屬電極的反射光的偏光方向，由于與偏光層的偏光方向不同，因此不能通過偏光層，從而受到遮斷。
以該種方法設(shè)置偏光層，防止光射出面上反射光射出，可抑制對(duì)比度的降低。但是，由于在組件的光射出側(cè)存在偏光層，因此從發(fā)光層的光若不通過偏光層，則無法向外部輸出。偏光板只能使發(fā)光層中的發(fā)光光中與偏光層的偏光方向平行的偏光方向的光通過，因此發(fā)光光的大部分不能通過該偏光層而被吸收。于是，由于設(shè)置了偏光層，使發(fā)光光的利用效率大幅低下，而為了增加組件實(shí)際向外輸出的光量，需要增大有機(jī)EL組件的發(fā)光亮度，因此必須增加電穴注入電極與電子注入電極間(發(fā)光組件層)的電流流量。
但是，在有機(jī)EL組件，包含發(fā)光分子等的有機(jī)化合物的發(fā)光組件層中的電流越多，將加快亮度降低的速度，造成縮短組件壽命的問題。另一方面，為實(shí)現(xiàn)不增加電流量而獲得高亮度，則必須等待開發(fā)出可高效率發(fā)光的新的有機(jī)發(fā)光材料；為實(shí)現(xiàn)增大電流量而能實(shí)現(xiàn)長壽命的組件，則必須等待開發(fā)出來耐久性高的新的有機(jī)發(fā)光材料。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明提供高對(duì)比度且長壽命的高亮度發(fā)光組件以及發(fā)光顯示裝置。
本發(fā)明即在第一電極與第二電極間具備有發(fā)光組件層的發(fā)光組件中，在前述第一電極及前述第二電極內(nèi)，將一方作為光射出側(cè)電極而配置于向外部的光射出側(cè)，位于該光射出側(cè)電極的背面?zhèn)鹊谋趁鎮(zhèn)入姌O，由使從發(fā)光組件層側(cè)入射的光部分透過的半透過電極構(gòu)成，該半透過電極的背面?zhèn)仍O(shè)有反射防止層。
本發(fā)明的另一觀點(diǎn)，為具備在第一電極與第二電極間備有發(fā)光組件層而構(gòu)成的發(fā)光組件的發(fā)光顯示裝置，前述第一電極形成于配置在向裝置外部的光射出側(cè)的透明基板上而為可使從前述發(fā)光組件層射出的光透過的電極；前述第二電極夾持前述發(fā)光組件層而與前述第一電極相對(duì)向，而形成于前述第一電極的背面?zhèn)龋墒箯那笆霭l(fā)光組件層側(cè)的入射光部分透過的半透過電極，前述第二電極的背面?zhèn)仍O(shè)有反射防止層。
本發(fā)明的其他觀點(diǎn)，為具備在陽極與陰極間設(shè)有發(fā)光組件層的電場發(fā)光組件的顯示裝置，前述陽極具備形成于作為向外部的光射出側(cè)的透明基板上而可透過從前述發(fā)光組件層射出的光的電極，前述陰極夾持前述發(fā)光組件層而與前述陽極相對(duì)向，而形成于前述陽極的背面?zhèn)龋墒骨笆鰪陌l(fā)光組件層的射出光部分透過的半透明電極，前述陰極的背面?zhèn)壬闲纬捎蟹瓷浞乐箤印?br> 由此，使用半透過性的電極作為相對(duì)于發(fā)光組件的光射出側(cè)電極位于背面?zhèn)鹊谋趁骐姌O，并在該背面電極的背面?zhèn)仍O(shè)低反射層或反射防止層，由此可使射入組件的外光在背面?zhèn)入姌O的表面無反射而透過，并由反射率低的反射防止層吸收。從發(fā)光組件層進(jìn)入透明的光射出側(cè)電極的光，透過光射出側(cè)電極，另外透過透明基板，而可使光以最小限度的損失有效地射出至組件外。因此，從發(fā)光組件層的發(fā)光光中，到達(dá)背面電極側(cè)的光，與外光相同地?zé)o反射而由反射防止層吸收，可防止由于外光反射引起的對(duì)比度的降低，比起到達(dá)背面電極側(cè)的光被吸收而損失，可提高對(duì)比度而實(shí)現(xiàn)顯示質(zhì)量提高，即觀看性好且實(shí)際亮度高的發(fā)光組件。
本發(fā)明的另一觀點(diǎn)，為前述發(fā)光組件或顯示裝置的前述半透過電極，使用具備可透過光的薄膜化金屬層，或使光通過的開口的網(wǎng)眼狀金屬層。
本發(fā)明的另一觀點(diǎn)，為前述發(fā)光組件或顯示裝置的前述半透過電極使用20nm以下厚度的Ag層或MgAg層。
如上所述，采用作成將金屬層變薄或設(shè)置開口部的結(jié)構(gòu)，使光透過作為可能，同時(shí)可不變更電極材料本身，并可使該電極材料作為電極發(fā)揮功能。
本發(fā)明的另一觀點(diǎn)，為前述發(fā)光組件或顯示裝置，在前述低反射層或發(fā)射防止層上，使用鉬或氧化鉻。
反射防止層上采用鉬或氧化鉻，可在背面?zhèn)入姌O的再背面?zhèn)热菀椎匦纬杀砻娴墓夥瓷渎实偷膶?，可防止透過半透過性的背面電極的外光經(jīng)反射后，再次從組件射出。
如以上所說明，在本發(fā)明中，可控制在背面?zhèn)鹊碾姌O的外光反射，并可實(shí)現(xiàn)對(duì)比度高的發(fā)光組件以及使用該發(fā)光組件的顯示裝置。


圖1本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)EL組件的概略剖面構(gòu)造示意圖。
圖2本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)EL組件的半透過性的第二電極構(gòu)成例示意圖。
圖3本發(fā)明的實(shí)施方式的活性矩陣型有機(jī)EL裝置的概略電路構(gòu)成示意圖。
圖4表示圖3的顯示裝置的1個(gè)像素內(nèi)的部分剖面示意圖。
符號(hào)說明10透明基板；20第一電極(電穴注入電極)；22第二電極(電子注入電極)；30發(fā)光組件；32電穴注入層；34電穴輸送層；36發(fā)光層；38電子輸送層；40電子注入層；46反射防止層；50有機(jī)EL組件；100顯示部；110掃描線；112數(shù)據(jù)線；114電源線；120主動(dòng)層；130柵極絕緣層；132柵極；134層間絕緣層；136接觸電極；138第一平坦化絕緣層；140第二平坦化絕緣層；150絕緣層；160遮光層。
具體實(shí)施例方式
以下根據(jù)

，有關(guān)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施的方式(以下，稱實(shí)施方式)。
作為本發(fā)明的實(shí)施方式的發(fā)光組件，可舉EL組件為例。圖1，以EL組件為例表示本發(fā)明的實(shí)施方式的組件的概略斷面構(gòu)造?；?0采用玻璃、塑料等的透明基板，而該透明基板10上方，積層有EL組件的各要素。該例中，EL組件50為使用有機(jī)化合物作為發(fā)光材料的EL組件，而在第一電極20與第二電極22間，形成有包含有機(jī)化合物的發(fā)光組件層30。
圖1所示的有機(jī)EL組件50，由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(IndiumZine Oxide)等的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，在此具備電穴注入功能的透明電極(光透過性電極，但也可為光透過性稍低的半透過性電極)的第一電極20，直接在透明基板10上形成，或經(jīng)由緩沖(buffer)層、驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL組件的晶體管等形成。第一電極20上面的發(fā)光組件層30，具有包含有機(jī)化合物的單層或多層構(gòu)造，該發(fā)光組件層30上面，有具備電子注入功能質(zhì)半透過性第二電極22，與第一電極20相對(duì)而形成。而該第二電極22的上層，即作為觀察側(cè)，從透明基板10側(cè)看，位于第二電極22再背面?zhèn)?，形成有入射光反射率低的由氧化鉻(CrOxx為任意數(shù))層、鉬(Mo)層等構(gòu)成的反射防止層46。
發(fā)光組件層30，對(duì)應(yīng)所使用的有機(jī)化合物的功能可采用各種構(gòu)造，例如，全具備發(fā)光功能·電穴輸送功能·電子輸送功能的有機(jī)發(fā)光層的單層構(gòu)造，或是從電穴注入電極(陽極)20側(cè)依次積層電穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層的3層構(gòu)造等。圖1所示的發(fā)光組件層30，在電穴注入電極20上，具備以下的積層構(gòu)造包含CFx等的電穴注入層32；包含NPB等的三苯胺的誘導(dǎo)體等的電穴輸送層34；作為目的的包含對(duì)應(yīng)發(fā)光色的有機(jī)發(fā)光分子的發(fā)光層36；包含Alq等的電子輸送層38；以及由LiF等構(gòu)成的電子注入層40。
發(fā)光層36，為取得R、G、B光，分別使用適當(dāng)?shù)牟牧稀?br> 而發(fā)光組件層30，在由包含低分子的有機(jī)化合物的層構(gòu)成時(shí)，各層可由例如真空蒸鍍法分別形成所希望的厚度；而在由包含高分子化合物的層構(gòu)成時(shí)，則可通過噴墨(ink-jet)印刷法、旋壓覆蓋法(spincoat)等方法形成。
第二電極22在圖1的例中，作為陰極發(fā)揮功能，能夠得到可將電子有效地注入發(fā)光電子層30的功能。這種電子注入功能高的材料，功函數(shù)(working parameter)小，通常以光透過率低的金屬材料為適合。例如前面所提的Al、Ag、MgAg合金等。但是，由于重視作為電極的功能，若使用例如以200nm左右的厚度所形成的Al層、Ag層作為電極，在發(fā)光組件層30側(cè)的表面引起反射，而如前所述，將發(fā)生由于外光的反射導(dǎo)致的對(duì)比度的降低。
于是，本實(shí)施方式中，首先，第二電極22，作為電子注入材料，采用合適的例如Al、Ag、AgMg層的情況，使該層厚度為例如5nm至40nm左右的薄膜，可確保光透過性。例如，若為20nm左右的薄膜，則實(shí)現(xiàn)電子注入功能無損傷的50％以上的光透過性、即實(shí)現(xiàn)半透過電極。Al等金屬材料與前述發(fā)光組件層30的各層相同，可由例如真空蒸鍍法等形成，對(duì)蒸鍍時(shí)間的控制等可進(jìn)行高精度的控制達(dá)到所希望的薄膜厚度。
另外，將Al等的遮旋光性金屬材料，作為第二電極22的材料而使用，并且作為實(shí)現(xiàn)半透明性的其它方法，如圖2所示，金屬第二電極22的至少1個(gè)像素中等單位顯示區(qū)域內(nèi)為具有可使光通過的開口的網(wǎng)眼形狀(也包括格子狀)。各開口部，可為圓形、多邊形等，對(duì)形狀沒有特別規(guī)定，但較好是在形成金屬層后，以光蝕刻術(shù)(photolithography微影術(shù))等進(jìn)行選擇性的蝕刻除去形成時(shí)的蝕刻殘留較少，并且在單位區(qū)域內(nèi)盡量使開口面積相等，從防止顯示質(zhì)量的偏差的角度來看是優(yōu)選的。
有關(guān)半透過性的第二電極22，并不限于前述金屬材料，特別可采用不需薄膜化也具備充分光透過性、且導(dǎo)電性上功函數(shù)小的材料。
本實(shí)施方式中，覆蓋該種具備半透明功能的第二電極22，形成有如前所述的反射防止層46，透過第二電極22的光由該反射防止層46吸收，從而防止反射。作為反射防止層46的材料，可采用氧化鉻、鉬的任意一個(gè)，在以真空蒸鍍形成第二電極22后，將蒸鍍?cè)醋兏鼮榉瓷浞乐共牧?，進(jìn)行連續(xù)蒸鍍，可方便地積層形成該反射防止層46。此時(shí)，作為發(fā)射防止層46的材料，在使用鉬的情況，可使反射防止層46的反射率為20％以下，而在采用氧化鉻的情況，則可在5％以下。
有關(guān)作為反射防止層46，選擇何種程度的反射率的材料，考慮所要求亮度、發(fā)光組件層30的發(fā)光分子的發(fā)光亮度以及發(fā)光效率，并且考慮第二電極22的光透過率來決定為宜。但是，為提高對(duì)比度，該反射防止層46的光反射率，優(yōu)選為不到50％，更優(yōu)選則為30％以下。透過第二電極22到達(dá)反射防止層46的光，也包括在發(fā)光組件層30所取得的發(fā)光光，在使用發(fā)光輝度較低的材料的情況下，或是對(duì)組件的要求亮度高的情況，則希望對(duì)發(fā)光光的有效利用。于是，在某種程度上，為使光(發(fā)光光)反射并射出至組件外，則優(yōu)選為選擇例如取得20％左右反射率的鉬作為反射防止層46的材料。相反地，在使用達(dá)到充分發(fā)光亮度的發(fā)光材料的情況下，例如外光非常強(qiáng)的環(huán)境下確保所使用的對(duì)比度為最優(yōu)先的情況等中，則優(yōu)選使用反射非常小的氧化鉻作為反射防止層46的材料。
在此，作為反射防止層46的材料，并不一定限于包含上述金屬元素的材料，而在半透過性的第二電極22的背面?zhèn)仍O(shè)置使用鉬、氧化鉻等的反射防止層46，從而不僅防止了外光的反射，也使熱功能的發(fā)揮作為可能。即，若使用鉬層、氧化鉻層，則具有較高的熱傳導(dǎo)性，由電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光時(shí)，發(fā)光組件層30所產(chǎn)生的熱，通過高熱傳導(dǎo)性的第二電極22，通過該反射防止層46，而發(fā)散至組件外部。眾所周知，有機(jī)EL組件50的熱量對(duì)包含有機(jī)化合物的發(fā)光組件層30的劣化有較大影響，而在本實(shí)施方式中，不使組件的放熱性降低，即可提高組件放熱性，從組件壽命、質(zhì)量提高的角度來看，具有較好效果。
如前述專利文獻(xiàn)1所述，組件的觀察側(cè)，例如第一電極與玻璃基板間、或玻璃基板表面設(shè)置偏光層的情況，可防止外光的不需要的反射。但是，偏光層以PVA(聚乙烯醇)作為主成分，沿著薄膜的分子鎖，使碘等配列而構(gòu)成，且放熱性低。同時(shí)，該偏光層配置于發(fā)光組件層旁，而入射組件不僅是外光，組件的發(fā)光光的大部分也由該偏光層吸收，因此偏光層周邊的溫度，具有上升傾向。于是，從提高放熱性的觀點(diǎn)來看，將偏光層設(shè)于組件的觀察側(cè)反而有相反效果。對(duì)此，如本實(shí)施方式的使組件背面的電極22為半透過型，并在該背面?zhèn)入姌O22的更外側(cè)設(shè)置具有放熱性的反射防止層46，從而一面防止外光的反射，一面謀求組件的放熱，可實(shí)現(xiàn)高亮度、光對(duì)比度的長壽命以及高可信度的有機(jī)EL組件。
以上所說明的作為本實(shí)施方式的發(fā)光組件的一例的具備反射防止層的有機(jī)EL組件的構(gòu)造，該組件可適用于在各顯示像素所采用的平面發(fā)光顯示裝置等。有關(guān)平面顯示裝置，雖已知各像素中具備驅(qū)動(dòng)各顯示組件的開關(guān)組件的活性矩陣(active matrix)型顯示裝置以及沒有該開關(guān)組件的簡單構(gòu)造的單純矩陣型顯示裝置，而本實(shí)施方式的有機(jī)EL組件，可適用于任意類型的顯示裝置。
在適用單純矩陣型顯示裝置的場合中，如前述圖1所示，在透明基板10上形成有透明(也可為半透明)的第一電極20以及夾持著發(fā)光組件層30，形成于該發(fā)光組件層30上的半透明的第二電極22，分別以條紋狀相互幾乎直接相交地形成，從第一電極20以及第二電極22，將電穴與電子注入其間的發(fā)光組件層30使其發(fā)光。當(dāng)然，第二電極22上形成有反射防止層46。
另一方面，在適用于活性矩陣型顯示裝置的場合中，透明基板10上每個(gè)像素形成有薄膜晶體管，并由絕緣層覆蓋該薄膜晶體管，絕緣層上，依順序積層有薄膜晶體管所連接的每個(gè)像素的個(gè)別圖形上所形成的透明第一電極20、發(fā)光組件層30、以及半透明的各像素共享的第二電極22，可采用在該共享第二電極22上進(jìn)一步形成反射防止層46的構(gòu)成。圖3，表示該種活性矩陣型的有機(jī)EL顯示裝置的概略電路結(jié)構(gòu)，而圖4表示該種有機(jī)EL顯示裝置中的1個(gè)像素內(nèi)的部分剖面結(jié)構(gòu)。
首先，在透明基板10上，形成有多個(gè)像素配置成矩陣狀的顯示部120，各像素分別設(shè)有有機(jī)EL組件(EL)50；用于各個(gè)像素地控制該有機(jī)EL組件50的發(fā)光的開關(guān)組件(在此為薄膜晶體管TFT)，以及保持顯示資料的保持電容器Csc。
圖3的例中，各像素形成有第1及第2薄膜晶體管Tr1、Tr2，第1晶體管Tr1與掃描線110相連接，在施加掃描信號(hào)而控制為開啟時(shí)，相應(yīng)的對(duì)應(yīng)施加于資料線112的顯示內(nèi)容的電壓信號(hào)經(jīng)由第1薄膜晶體管Tr1施加于第2薄膜晶體管Tr2的柵極，并以2個(gè)薄膜晶體管Tr1、Tr2間所連接的保持電容器Csc來保持一定期間。并且，第2薄膜晶體管Tr2，將對(duì)應(yīng)前述保持電容器Csc所保持的施加于柵極的電壓的電流，從電源線114供給該第2薄膜晶體管Tr2所連接的有機(jī)EL組件的陽極(電穴注入電極)20。有機(jī)EL組件50，以對(duì)應(yīng)所供給的電流量的亮度發(fā)光，發(fā)光光在第二電極22的背面?zhèn)鹊姆瓷浞乐箤?6有所損失但大部分通過透明第一電極20以及透明基板10，向外部射出。
圖4，圖3表示活性矩陣型有機(jī)EL顯示裝置的1個(gè)像素中的第2薄膜晶體管Tr2和與其相連接的EL組件50的概略剖面構(gòu)造示意圖。圖4所示例，省略了第1薄膜晶體管Tr1，而具備與薄膜晶體管Tr2幾乎相同的構(gòu)造，薄膜晶體管Trl、Tr2的任意一個(gè)的主動(dòng)層120，使用將非晶質(zhì)硅實(shí)施激光淬火后，多結(jié)晶化的多晶硅。而在本實(shí)施方式中，該薄膜晶體管Trl以及Tr2中，覆蓋主動(dòng)層120而形成的柵絕緣層130上方，具備柵極132，即所謂的頂柵型TFT，而位于主動(dòng)層120的柵極132的下方的區(qū)域形成有信道區(qū)域120c、信道區(qū)域120c兩側(cè)的由規(guī)定導(dǎo)電型摻雜物所摻雜的源區(qū)域120s以及漏極區(qū)域120d。
覆蓋柵極132的、在基板的幾乎全面上形成有層間絕緣層134，經(jīng)由開設(shè)于層間絕緣層134的開口的接觸孔，使源極區(qū)域120s、漏極區(qū)域120d的一方與電源線114連接，另一方與連接電極136相連。并且，形成有由無機(jī)材料或有機(jī)材料組成的第一平坦化絕緣層(也可為通常的層間絕緣膜)138以便將這些全部覆蓋，該平坦化絕緣層138上積層有有機(jī)EL組件50的第一電極20，同時(shí)積層有第二平坦化絕緣層140以便覆蓋第一電極20的端部。而第一電極20，在第一平坦化絕緣層138中所形成的接觸孔中與接觸電極136相連。在第一電極20上，如上說述，依次形成有發(fā)光組件層30、第二電極22以及反射防止層46。
有關(guān)以上的構(gòu)成，顯示裝置的光輸出側(cè)為透明基板10側(cè)，而頂柵型的前述第1及第2薄膜晶體管Trl、Tr2中，光照射后易發(fā)生漏電流(leak)的多結(jié)晶硅構(gòu)成的主動(dòng)層120，則位于光輸出側(cè)。于是，為防止由于外光照射造成的漏電流，如圖4所示，優(yōu)選為至少第1及第2薄膜晶體管Trl、Tr2的基板10之間，夾持著例如從主動(dòng)層開始，由SiO2、SiNx的積層構(gòu)造構(gòu)成的絕緣層150，形成遮光層160。并且，該遮光層160，在圖4的構(gòu)成例中，形成于最靠近光射出側(cè)的位置，而由于通常遮光層使用金屬材料而形成，其表面反射率高，這樣可能會(huì)造成前面所述的對(duì)比度低下、對(duì)顯示質(zhì)量等帶來不良影響。于是，與背面?zhèn)鹊姆瓷浞乐箤?6相同，使用表面反射率低的遮光性材料，例如氧化鉻、鉬等形成遮光層較為理想。
因此，作為薄膜晶體管Trl、Tr2的形成區(qū)域的光射出側(cè)形成的遮光層160，形成光反射率低的反射防止遮光層，由于形成于背面?zhèn)鹊牡诙姌O22為半透過性，反射率降低，再在第二電極22的背面?zhèn)仍O(shè)置反射率低的反射防止層46，可實(shí)現(xiàn)對(duì)比度非常高的顯示，同時(shí)還可實(shí)現(xiàn)高亮度下的可信度高的有機(jī)EL顯示裝置。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光組件，其特征在于第一電極與第二電極間具備有發(fā)光組件層的發(fā)光組件中，在前述第一電極及前述第二電極內(nèi)，將一方作為光射出側(cè)電極而配置于向外部的光射出側(cè)，為位于該光射出側(cè)電極的背面?zhèn)鹊谋趁鎮(zhèn)入姌O，由使從發(fā)光組件層側(cè)入射的光部分透過的半透過電極構(gòu)成，該半透過電極的背面?zhèn)仍O(shè)有反射防止層。
2.一種發(fā)光顯示裝置，具備發(fā)光組件的發(fā)光顯示裝置，該發(fā)光組件在第一電極與第二電極間配置有發(fā)光組件層，其特征在于前述第一電極，形成于配置在向裝置外部的光射出側(cè)的透明基板上而為使從前述發(fā)光組件層射出的光可透過的電極；前述第二電極，夾著前述發(fā)光組件層，與前述第一電極相對(duì)地形成于該第一電極的背面?zhèn)?，而使從前述發(fā)光組件層的入射光的一部分透過的半透過電極；前述第二電極的背面?zhèn)仍O(shè)有反射防止層。
3.一種顯示裝置，具備有在陽極與陰極間配置有發(fā)光組件層的電場發(fā)光組件，其特征在于前述陽極，具備形成于作為向外部的光射出側(cè)的透明基板上、而使從前述發(fā)光組件層的射出光透過的半透明電極；前述陰極夾著發(fā)光電子層與前述陽極對(duì)向的形成在該陽極的背面?zhèn)?、使從前述發(fā)光組件層的射出光一部分透過的半透明電極；在前述陰極的背面?zhèn)刃纬捎蟹瓷浞乐箤印?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所記載的發(fā)光組件或顯示裝置，其特征在于在前述半透過電極中，使用光可透過的薄膜化金屬層，或具備可使光通過的開口的網(wǎng)眼狀金屬層的發(fā)光組件或顯示裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所記載的發(fā)光組件或顯示裝置，其特征在于在前述半透過電極中，使用20nm以下厚度的Ag層或MgAg層的發(fā)光組件或顯示裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所記載的發(fā)光組件或顯示裝置，其特征在于在前述反射防止層中，使用鉬或氧化鉻。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光組件及發(fā)光顯示裝置。其方案為有機(jī)電場發(fā)光組件等發(fā)光組件，具備在光射出側(cè)的透明電極構(gòu)成的第一電極(20)、以及夾持著發(fā)光組件層(30)而與第一電極(20)對(duì)向形成于組件背面?zhèn)鹊牡诙姌O(22)；將該第二電極(22)作為半透過性電極，在該第二電極(22)的再背面?zhèn)刃纬捎泄夥瓷渎实偷姆瓷浞乐箤?46)。從組件外部的入射光透過透明電極，無反射地透過半透過性的第二電極(22)，由反射防止層(46)吸收，由此即可抑制外光被背面電極反射，而可提高對(duì)比度。
文檔編號(hào)H05B33/14GK1535096SQ200410031608
公開日2004年10月6日 申請(qǐng)日期2004年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月28日
發(fā)明者西川龍司 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社