專利名稱：半導(dǎo)體生產(chǎn)系統(tǒng)用的陶瓷加熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備中用于支持和加熱晶片的陶瓷基座(susceptor)，在半導(dǎo)體加工過程中此設(shè)備對(duì)晶片實(shí)施特殊的處理。
背景技術(shù)：
迄今為止已經(jīng)提出了各種用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的陶瓷基座的結(jié)構(gòu)。例如，日本已審查的專利申請(qǐng)公開H06-28258提出裝備有陶瓷基座的半導(dǎo)體晶片加熱設(shè)備，此陶瓷基座被安裝在反應(yīng)室內(nèi)部，并有內(nèi)置的電阻加熱元件，基座另一面不加熱晶片的表面上裝有柱狀支撐構(gòu)件，使得在它和反應(yīng)室之間形成不漏氣的密封。
為了降低制造成本，晶片正在經(jīng)歷向更大直徑跨度—外徑8英寸-12英寸—的轉(zhuǎn)化，造成支持晶片的陶瓷基座的直徑增加到300mm或更大。同時(shí)，要求晶片的表面溫度偏差—即溫度均勻性—在±1.0％之內(nèi)、優(yōu)選在±0.5％之內(nèi)，該晶片負(fù)載在陶瓷基座上，并被通著電流的電阻加熱元件所加熱。
專利參考文獻(xiàn)1日本專利申請(qǐng)公開H06-28258。
在陶瓷基座的表面或內(nèi)部形成的電阻加熱元件圖案是如此設(shè)計(jì)和安排的，以便能均勻地加熱支撐晶片的表面。更具體而言，一種可能改善晶片表面溫度均勻性的方法是通過最大限度地縮小電阻加熱元件的線寬及相鄰線間的間距來緊密地安排電阻加熱元件。
然而，如果在解決改善晶片表面溫度均勻性的壓力時(shí)過于縮小電阻加熱元件的線路間距離，會(huì)由于電阻加熱元件線路電線間的電位差出現(xiàn)局部放電現(xiàn)象。如果這種局部放電現(xiàn)象進(jìn)一步增加，電阻加熱元件線路電線會(huì)出現(xiàn)短路，造成陶瓷基座的損壞。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到目前的這種情況，本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是使電阻加熱元件圖案設(shè)計(jì)最優(yōu)化，從而制造出有效的用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的陶瓷基座，其在保持晶片表面溫度均勻性的同時(shí)，可防止在加熱操作中由于電阻加熱元件之間的短路引起的基座的損壞。
為達(dá)到上述目標(biāo)，本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的陶瓷基座，這種陶瓷基座在其陶瓷基片的表面或內(nèi)部裝有電阻加熱元件，其特征是在其穿過電阻加熱元件的截面中，底部和側(cè)面形成的最小角為5°或5°以上。
將晶片放到半導(dǎo)體制造設(shè)備用陶瓷基座的晶片載面上，電阻加熱元件通電加熱時(shí)，優(yōu)選晶片表面溫度的偏差為運(yùn)行溫度的±1.0％或更小，及進(jìn)一步優(yōu)選±0.5％或更小。
此外，半導(dǎo)體制造設(shè)備用陶瓷基座的陶瓷基片優(yōu)選是由選自下列原料中至少一種的陶瓷制備的氮化鋁、氮化硅、氮氧化鋁、及碳化硅。更進(jìn)一步優(yōu)選的陶瓷基片是導(dǎo)熱率為100W/m·K或大于100W/m·K的氮化鋁或碳化硅基片。
此外，優(yōu)選這種半導(dǎo)體制造設(shè)備用陶瓷基座的電阻加熱元件由至少一種選自鎢、鉬、鉑、鈀、銀、鎳和鉻的金屬制成。
可進(jìn)一步在這種半導(dǎo)體制造設(shè)備用陶瓷基座的陶瓷基片的表面或內(nèi)部安裝等離子體電極。
附圖簡(jiǎn)述

圖1是陶瓷基座中電阻加熱元件的截面示意圖，圖1(a)顯示實(shí)際的電阻加熱元件的截面，及圖1(b)顯示理想的電阻加熱元件的截面；圖2是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的陶瓷基座的截面示意圖；及圖3是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的陶瓷基座的截面示意圖。
實(shí)施本發(fā)明的最佳模式經(jīng)過詳細(xì)研究電流通過電阻加熱元件、基座溫度升高時(shí)陶瓷基座中出現(xiàn)破裂及類似損壞的現(xiàn)象，本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)電阻加熱元件相互鄰近的線路在其電位差最大的區(qū)域短路，導(dǎo)致基座的損壞。
為避免電阻加熱元件的這種短路現(xiàn)象，本發(fā)明者將其注意力集中在電阻加熱元件的截面結(jié)構(gòu)上，尤其是集中在其穿過電阻加熱元件線路電線的截面(下文也簡(jiǎn)單地稱作“電阻加熱元件截面”)中底部和側(cè)面所形成的角上。更具體而言，這種短路現(xiàn)象存在與否是由電阻加熱元件線路的線間距離、所用電壓、電極形式、以及大氣壓決定的。此線間距離受到為獲得基座溫度均勻性的電阻加熱元件設(shè)計(jì)模式的限制，而所用電壓和大氣壓力由處理?xiàng)l件決定。
如果電阻加熱元件的線間距離不變，當(dāng)電線截面是正方形或矩形時(shí)出現(xiàn)短路的可能性很小；而電線截面是針形時(shí)最有可能出現(xiàn)短路?；谝环N思考，即可通過設(shè)計(jì)電阻加熱元件基座的截面結(jié)構(gòu)來預(yù)防短路引起的破損，并對(duì)如此工作的方法進(jìn)行了研究。
通常將導(dǎo)電糊劑印刷并燒制到燒結(jié)的陶瓷壓塊或生片上，來形成陶瓷基座的電阻加熱元件。如果示意性地顯示所生成的電阻加熱元件的截面形狀，通常是由圖1(b)顯示的理想電阻加熱元件3b的直線形狀來表示。然而實(shí)際上，由于導(dǎo)電糊劑的傾塌或鋪展，電阻加熱元件3a總是具有如圖1(a)顯示的帶有傾斜側(cè)面的基本梯形形狀，及接觸陶瓷基片2的電阻加熱元件3a的側(cè)面和底部形成的最小角θ是銳角。
給定這些因子，通過在0.5mm-20mm的范圍改變圖1(b)所示電阻加熱元件截面中電阻加熱元件3a的線間距離L，及同時(shí)設(shè)定電阻加熱元件底部和側(cè)面形成的最小角θ以大于2°開始，來研究電阻加熱元件通電/加熱時(shí)存在/不存在線路電線間的短路。結(jié)果發(fā)現(xiàn)如不顧及線間距離L，電阻加熱元件截面中底部和側(cè)面形成的最小角θ為5°或更大時(shí)有可能避免線路間的短路。
這里可采用如改變糊劑稀釋度以調(diào)整電阻加熱元件成型中印刷涂布糊劑時(shí)糊劑粘度的方法，來改變電阻加熱元件截面中底部和側(cè)面形成的最小角θ。
在根據(jù)本發(fā)明的陶瓷基座中，即使電阻加熱元件底部和側(cè)面形成的最小角θ為5°或更大，仍注意電阻加熱元件的線間距離L不要太小，即通常要求此線間距離L不小于0.1mm，否則容易出現(xiàn)線路間短路。
使用根據(jù)本發(fā)明的陶瓷基座，其中電阻加熱元件截面中底部和側(cè)面形成的最小角θ為5°或更大，當(dāng)電阻加熱元件通電/加熱時(shí)，可使得晶片表面溫度偏差(即溫度均勻性)有利地在運(yùn)行溫度的±1.0％之內(nèi)，及更有利地在±0.5％之內(nèi)。
然而如果電阻加熱元件線間距離L太大，當(dāng)電阻加熱元件通電/加熱時(shí)，晶片表面的溫度偏差變大，使其難以達(dá)到所需的溫度均勻性。因此，電阻加熱元件的線間距離L優(yōu)選為5mm或更小。
下文將參考圖2和圖3對(duì)本發(fā)明陶瓷基座的具體結(jié)構(gòu)加以說明。圖2顯示的陶瓷基座1有電阻加熱元件3，加熱元件具有指定的線路圖案，被提供在陶瓷基片2a的一個(gè)表面上；以及另一片陶瓷基片2b通過玻璃或陶瓷的粘合劑層4被結(jié)合到陶瓷基片2a的相同表面上。這里，電阻加熱元件3的線路圖案中線寬優(yōu)選為5mm或更小，及更優(yōu)選為1mm或更小。
圖3顯示的陶瓷基座11裝備有內(nèi)置電阻加熱元件13和等離子體電極15。更具體而言，陶瓷基片12a的一個(gè)表面上有電阻加熱元件13，及類似于圖2中顯示的陶瓷基座，通過粘合劑層14a粘接陶瓷基片12b。同時(shí)提供有等離子體電極15的另一片陶瓷基片12c通過玻璃或陶瓷粘合劑層14b，被粘接到陶瓷基片12a的另一面上。
應(yīng)該理解，作為替代粘接各陶瓷基片制造陶瓷基座可選擇的方法，可通過以下的步驟制造圖2和圖3顯示的陶瓷基座制備大約0.5mm厚的生片、將電阻加熱元件電路圖案和/或等離子體電極的導(dǎo)電糊劑印刷涂布到各生片上、將這些生片及如果需要和其他生片一起層壓達(dá)到所需要的厚度，及然后同時(shí)燒結(jié)此多層生片，使它們結(jié)成整體。
實(shí)施方案實(shí)施方案1氮化鋁(AlN)粉末中加入燒結(jié)添加劑和粘結(jié)劑，用球磨機(jī)將它們分散在氮化鋁(AlN)粉末中并與之混合。所生成的粉末混合物用噴霧干燥機(jī)干燥后，被模壓成直徑為380mm及厚度為1mm的圓片。此模壓的圓片在溫度為800℃的非氧化氣氛中脫脂，然后在1900℃燒結(jié)4小時(shí)，生成燒結(jié)的AlN壓塊。所生成的AlN燒結(jié)物的導(dǎo)熱率為170W/mK。將各燒結(jié)AlN壓塊的圓周表面打磨到外徑為300mm，從而為每個(gè)陶瓷基座制備兩片AlN基片。
然后鎢粉末和燒結(jié)添加劑與粘結(jié)劑一起捏制成糊劑，將糊劑印刷涂布到上述AlN基片中一片的表面上，形成預(yù)定圖案的電阻加熱元件線路。變換印刷網(wǎng)篩及糊劑的粘度，來改變電阻加熱元件截面上相鄰線間距離L和電阻加熱元件底部和側(cè)面形成的最小角θ(下文稱作“截面最小角θ”)。所生成的AlN基片在溫度為800℃的非氧化氣氛下脫脂，然后在1700℃烘焙，生成鎢電阻加熱元件。
將Y2O3粘合劑和粘結(jié)劑捏制成糊劑，此糊劑被印刷涂布到剩余AlN基片的表面上，然后在500℃脫脂。將此AlN基片的粘合劑層覆蓋到上述AlN基片形成電阻加熱元件的表面上，及這些基片在800℃加熱粘合。這樣生成了陶瓷基座樣品，它具有圖1的結(jié)構(gòu)及如下列表I中列出的不同的線間距離L和截面最小角θ。
然后，通過基座與晶片載面相反的表面上形成的兩個(gè)電極，在200V電壓下使電流流過電阻加熱元件，將這樣生成的各基座樣品的溫度上升到500℃。檢查基座存在/不存在破裂的出現(xiàn)。此外將厚度0.8mm、直徑300mm的硅晶片放到陶瓷基座的晶片載面上，測(cè)量晶片表面的溫度分布，得到500℃時(shí)的溫度均勻性。各樣品所得的結(jié)果在下面表I中列出。
表I

注解表中星號(hào)(*)標(biāo)記的樣品是比較例。
由表I列出的結(jié)果將能理解，氮化鋁陶瓷基座中電阻加熱元件的截面最小角θ為5°或更大時(shí)，在加熱/溫度升高過程中基座的破裂可得以避免。同樣也明顯的是電阻加熱元件的線間距離L在0.5mm-5mm范圍時(shí)，溫度均勻性可達(dá)到±0.5％.
實(shí)施方案2氮化硅(Si3N4)粉末中加入燒結(jié)添加劑和粘結(jié)劑，用球磨機(jī)將它們分散在氮化硅(Si3N4)粉末中并與之混合。所生成的粉末混合物用噴霧干燥機(jī)干燥，然后模壓成厚度為1mm和直徑為380mm的圓片。此模壓的圓片在溫度為800℃的非氧化氣氛下脫脂，然后在1550℃的溫度下燒結(jié)4小時(shí)，生成燒結(jié)的Si3N4壓塊。所生成的Si3N4燒結(jié)物的導(dǎo)熱率為20W/mK。然后各燒結(jié)的Si3N4壓塊的圓周表面被打磨到外徑為300mm，從而為每個(gè)陶瓷基座制備兩片Si3N4基片。
然后鎢粉末和燒結(jié)添加劑與粘結(jié)劑一起捏制成糊劑，將糊劑印刷涂布到上述Si3N4基片中一片的表面上，形成預(yù)定圖案的電阻加熱元件線路。變換印刷網(wǎng)篩及糊劑的粘度，來改變電阻加熱元件截面上相鄰線間距離L和最小角θ。此Si3N4基片在溫度為800℃的非氧化氣氛下脫脂，然后在1700℃烘焙，生成鎢電阻加熱元件。
將SiO2粘合劑和粘結(jié)劑捏制成糊劑，將此糊劑印刷涂布到另一片Si3N4基片的表面上，然后在500℃脫脂。此Si3N4基片的粘合劑層覆蓋到上述Si3N4基片形成電阻加熱元件的表面上，及這些基片在800℃加熱粘合。這樣生成了陶瓷基座樣品，它具有圖1的結(jié)構(gòu)及如下列表II中列出的不同的線間距離L和截面最小角θ。
然后在200V電壓下使電流流過電阻加熱元件，使這樣生成的各基座樣品的溫度升到500℃，檢查基座存在/不存在破裂的出現(xiàn)。此外將厚度為0.8mm、直徑為300mm的硅晶片放到陶瓷基座的晶片載面上，測(cè)量晶片表面的溫度分布，得到500℃時(shí)的溫度均勻性。各樣品所得的結(jié)果在下面表II中列出。
表II

注解表中星號(hào)(*)標(biāo)記的樣品是比較例。
由表II將能理解，與實(shí)施方案1的氮化鋁產(chǎn)品的情況類似，氮化硅陶瓷基座中電阻加熱元件的截面最小角θ為5°或更大時(shí)，加熱/溫度升高使基座破裂的現(xiàn)象也可得以避免。此外，電阻加熱元件的線間距離L在0.5mm-5mm范圍時(shí)，溫度均勻性可達(dá)到±1.0％。
實(shí)施方案3將燒結(jié)添加劑和粘結(jié)劑加入到氮氧化鋁(AlON)粉末中，用球磨機(jī)將它們分散到氮氧化鋁(AlON)粉末中并與之混合。所生成的粉末混合物用噴霧干燥機(jī)干燥，然后被模壓成1mm厚和直徑為380mm的圓片。此模壓的圓片在溫度為800℃的非氧化氣氛下脫脂，然后在1770℃的溫度下燒結(jié)4小時(shí)，生成燒結(jié)的AlON壓塊。所生成AlON燒結(jié)物的導(dǎo)熱率為20W/mK。將各燒結(jié)的AlON壓塊的圓周表面打磨到外徑為300mm，從而為每個(gè)陶瓷基座制備了兩片AlON基片。
然后鎢粉末和燒結(jié)添加劑與粘結(jié)劑一起捏制成糊劑，將糊劑印刷涂布到上述AlON基片中一片的表面上，形成預(yù)定圖案的電阻加熱元件線路。變換印刷網(wǎng)篩及糊劑的粘度，來改變電阻加熱元件截面上相鄰線間距離L和最小角θ。此AlON基片在溫度為800℃的非氧化氣氛下脫脂，然后在1700℃烘焙，生成鎢電阻加熱元件。
將SiO2粘合劑和粘結(jié)劑捏制成糊劑，此糊劑被印刷涂布到另一片AlON基片的表面上，然后在500℃脫脂。將此AlON基片的粘合劑層覆蓋到上述AlON基片形成電阻加熱元件的表面上，及這些基片在800℃加熱粘合。這樣生成了陶瓷基座樣品，它具有圖1的結(jié)構(gòu)及如下列表III中列出的不同的線間距離L和截面最小角θ。
然后在200V電壓下使電流流過電阻加熱元件，使這樣生成的各基座樣品的溫度升到500℃，檢查基座存在/不存在破裂的出現(xiàn)。此外，將厚度為0.8mm、直徑為300mm的硅晶片放到陶瓷基座的晶片載面上，測(cè)量晶片表面的溫度分布，得到500℃時(shí)的溫度均勻性。各樣品所得的結(jié)果在下面表III中列出。
表III

注解表中星號(hào)(*)標(biāo)記的樣品是比較例。
由表III將能理解，與實(shí)施方案1的氮化鋁產(chǎn)品的情況類似，氮氧化鋁陶瓷基座中電阻加熱元件的截面最小角θ為5°或更大時(shí)，加熱/溫度升高使基座破裂的現(xiàn)象也可得以避免。此外，電阻加熱元件的線間距離L在0.5mm-5mm范圍時(shí)，溫度均勻性可達(dá)到±1.0％。
實(shí)施方案4使用與實(shí)施方案1所述相同的方法，由氮化鋁燒結(jié)物制備陶瓷基座外徑為300mm的AlN基片對(duì)。在使用這些AlN基片對(duì)制備陶瓷基座樣品時(shí)，除了將在一片AlN基片表面上形成電阻加熱元件的原料改變?yōu)镸o、Pt、Ag-Pd、及改變?yōu)镹i-r以外，以與實(shí)施方案1相同的方法形成線間距離L和截面最小角θ不同的W電阻加熱元件。
然后將SiO2玻璃粘合劑涂布到各對(duì)剩余AlN基片的表面上，在800℃的非氧化氣氛下脫脂。然后將此AlN基片的粘合劑玻璃層覆蓋到上述AlN基片形成電阻加熱元件的那一面上，以及此基片對(duì)在800℃加熱粘合，從而生成如下面表IV列出線間距離L和截面最小角θ不同的AlN陶瓷基座。
然后在200V電壓下使電流流過電阻加熱元件，使如此生成的各基座樣品的溫度升到500℃，檢查基座存在/不存在破裂的出現(xiàn)。此外，將厚度為0.8mm、直徑為300mm的硅晶片放到陶瓷基座的晶片載面上，測(cè)量晶片表面的溫度分布，得到500℃時(shí)的溫度均勻性。各樣品所得的結(jié)果在下面表IV中列出。
表IV


注解表中星號(hào)(*)標(biāo)記的樣品是比較例。
由表IV將能理解，與實(shí)施方案1中說明的鎢電阻加熱元件的情況類似，電阻加熱元件由Mo、Pt、Ag-Pd、或Ni-Cr制造的氮氧化鋁陶瓷基座中，電阻加熱元件的截面最小角θ為5°或更大時(shí)，加熱/溫度升高使基座破裂的現(xiàn)象也可得以避免。此外，當(dāng)電阻加熱元件的線間距離L在0.5mm-5mm范圍時(shí)，溫度均勻性可達(dá)到±0.5％。
實(shí)施方案5在氮化鋁(AlN)粉末中加入燒結(jié)添加劑、粘結(jié)劑、分散劑和醇，捏制成一種糊劑，該糊劑使用刮涂技術(shù)成型制成大約0.5mm厚的生片。
然后，生片在80℃干燥5小時(shí)。將鎢粉及燒結(jié)添加劑和粘結(jié)劑一起捏制成的糊劑，印刷涂布到一單片生片表面上，形成預(yù)定電路圖案的電阻加熱元件層。變換印刷網(wǎng)篩及糊劑的粘度，來改變電阻加熱元件截面上相鄰線間距離L和最小角θ。
同樣干燥第二片生片，將相同的鎢糊劑印刷涂布到第二片生片的表面上，形成等離子體電極層。這兩片各具有導(dǎo)電層的生片與沒有印刷導(dǎo)電層的生片層壓成總的50層，此層壓制品在溫度為140℃及施加70kg/cm2壓力下加熱變成一個(gè)整體。
所得到的層壓制品在600℃的非氧化氣氛中脫脂5小時(shí)，然后在1800℃施加100-150kg/cm2壓力熱壓，從而生成3mm厚的氮化鋁平片。這些平片被切成直徑為380mm的圓片，各圓片的外圓周打磨到直徑為300mm。這樣生成了陶瓷基座樣品，它具有圖2的結(jié)構(gòu)，內(nèi)部裝有鎢電阻加熱元件和等離子體電極，及具有如下面表V中列出的不同的線間距離L和截面最小角θ。
然后在200V電壓下使電流流過電阻加熱元件，使如此生成的各基座樣品的溫度升到500℃，檢查基座存在/不存在破裂的出現(xiàn)。此外，將厚度為0.8mm、直徑為300mm的硅晶片放到陶瓷基座的晶片載面上，測(cè)量晶片表面的溫度分布，得到500℃時(shí)的溫度均勻性。各樣品所得的結(jié)果在下面表V中列出。
表V

由表V顯示的結(jié)果將能理解，即使對(duì)于具有內(nèi)置電阻加熱元件和等離子體電極二者的氮化鋁陶瓷基座，當(dāng)電阻加熱元件的截面最小角θ為5°或更大時(shí)，加熱/溫度升高使基座破裂的現(xiàn)象也可得以避免。此外，當(dāng)電阻加熱元件的線間距離L在0.5mm-5mm范圍時(shí)，溫度均勻性可達(dá)到±0.5％。
工業(yè)適用性根據(jù)本發(fā)明，通過電阻加熱元件的截面中底部和側(cè)面間角度的最優(yōu)化，制備了一種有效的用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的陶瓷基座，這種陶瓷基座在加熱操作過程中，不會(huì)出現(xiàn)由于電阻加熱元件線路間短路而造成基座的損壞，同時(shí)能維持晶片表面溫度的均勻性。
權(quán)利要求
1.用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的一種陶瓷基座，在其陶瓷基片的表面或內(nèi)部裝有電阻加熱元件，這種用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的陶瓷基座的特征在于，其電阻加熱元件的截面上由底面和側(cè)面形成的最小角為5°或大于5°。
2.權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的陶瓷基座，其特征在于，當(dāng)晶片被放到晶片載面上，電阻加熱元件通電并加熱時(shí)，晶片表面溫度的偏差為運(yùn)行溫度的±1.0％或小于±1.0％。
3.權(quán)利要求2所述的用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的陶瓷基座，其特征在于，晶片表面溫度的偏差在運(yùn)行溫度的±0.5％之內(nèi)。
4.權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的陶瓷基座，其特征在于其陶瓷基片由至少一種選自氮化鋁、氮化硅、氮氧化鋁和碳化硅的陶瓷制成。
5.權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的陶瓷基座，其特征在于，陶瓷基片是導(dǎo)熱率為100W/m·K或更大的氮化鋁或者碳化硅。
6.權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的陶瓷基座，其特征在于，其電阻加熱元件由至少一種選自鎢、鉬、鉑、鈀、銀、鎳和鉻的金屬制成。
7.權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的陶瓷基座，其特征在于，在其陶瓷基片的表面或內(nèi)部還安置了等離子體電極。
全文摘要
制造了有效的用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的陶瓷基座，其中通過電阻加熱元件線路間距離的最優(yōu)化，預(yù)防了由于加熱操作過程中電阻加熱元件線路間短路造成的損壞，同時(shí)維持了晶片表面溫度的均勻性。用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的陶瓷基座(1)在其陶瓷基片(2)的表面或內(nèi)部具有電阻加熱元件(3a)，電阻加熱元件(3a)截面上由電阻加熱元件(3a)的底部和側(cè)面形成的最小角θ為5°或更大。等離子體電極可安排在陶瓷基座(1)中陶瓷基片(2a)的表面或內(nèi)部。優(yōu)選陶瓷基片(2a)由選自氮化鋁、氮化硅、氮氧化鋁、和碳化硅中的至少一種制成。
文檔編號(hào)H05B3/14GK1613275SQ0380191
公開日2005年5月4日 申請(qǐng)日期2003年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月24日
發(fā)明者加智義文, 柊平啟, 仲田博彥 申請(qǐng)人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社