專利名稱：一種電致發(fā)光器件制備工藝中制備背電極的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光器件制備工藝中背電極的制作技術(shù)。
背景技術(shù)：
制備電致發(fā)光器件，都必須考慮背電極這個重要環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)的方法是掩膜法，既利用事先光刻好的模板(某些位置)擋住或(而另一些位置)漏過欲蒸發(fā)的導(dǎo)電材料(比如鋁、銀或金等)。電極的形狀與模板的光刻圖樣相同。但是，由于機械間隙的緣故和模板材料的局限性，電極的條紋不能做得太細。無法滿足高清析度的要求。1994年，C.W.Tang，公開了一種美國專利號5,276,380，專利名稱“有機電致發(fā)光圖象顯示器件”，用光刻的辦法在導(dǎo)電ITO玻璃上，預(yù)制與ITO條紋垂直的隔離柱的技術(shù)。該技術(shù)之目的是取代掩膜技術(shù)，提高矩陣屏的分辨率。但是，該技術(shù)要求有質(zhì)量優(yōu)良(價格昂貴)的光刻機和無塵的環(huán)境以及其他苛刻條件等；原因是該技術(shù)的核心—隔離柱，是采用光刻方法實現(xiàn)的。該技術(shù)的另一個缺點是容易短路；因為有機層在隔離柱與ITO的接觸面附近比較薄，使得此處的電極材料有滲透到下面的陽極ITO之上的可能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題既克服掩膜法對板困難、線條粗糙的缺陷，又解決了光刻成本過高、工藝煩瑣等問題。提供一種電致發(fā)光器件制備工藝中背電極制作方法。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是具體的說就是，在制備電致發(fā)光器件過程中，先對光刻好的ITO玻璃或柔性基片，進行類似加蓋印章式的簡單處理，將聚亞胺酯或絕緣樹脂材料印制到已經(jīng)光刻好的ITO玻璃基片上；從而形成絕緣隔離柱，以備蒸發(fā)完各個有機層后蒸發(fā)背電極。
本發(fā)明技術(shù)方案的具體步驟(1)設(shè)計背電極的條紋圖案；(2)選擇高分子材料—聚二甲基硅氧烷，制作條紋圖案的圖章；
(3)利用該圖章，將聚亞胺酯材料印制到已經(jīng)光刻好的ITO玻璃基片上，方向與ITO垂直，厚度約為1-5微米；(4)烘干冷卻后，形成與ITO條紋垂直的的溝道—隔離柱；(5)蒸鍍其他層；(6)蒸鍍背電極材料。從而完成隔離柱和器件的制備。
本發(fā)明與目前使用的掩膜技術(shù)和光刻技術(shù)制備背電極的方法相比的有益效果首先它比掩膜法的分辨率高；其次，它省略了光刻的復(fù)雜工藝過程。既能降低成本，又能提高效率。這樣在薄膜電致發(fā)光矩陣屏的工藝過程中就省略了蒸鍍背電極時的掩膜過程；制出高效彩色的薄膜電致發(fā)光顯示屏。


圖1本發(fā)明的隔離柱技術(shù)圖2電致發(fā)光器件工藝中制備背電極的方法方框中玻璃襯底1、ITO陽極2、有機層3、隔離柱4、背電極-陰極具體實施方式
本發(fā)明的實施方式如圖2所示，其步驟(1)設(shè)計背電極的條紋圖案；(2)選擇高分子材料—聚二甲基硅氧烷Poly(dimethylsiloxane)，制作條紋圖案的圖章；(3)利用該圖章，將聚亞胺酯或絕緣樹脂材料等，印制到已經(jīng)光刻好的ITO玻璃或柔性基片上或者通過虹吸作用把聚合物，填充進去；方向與ITO垂直，厚度為1-5微米；(4)烘干冷卻后，形成與ITO條紋垂直的的溝道—隔離柱，完成隔離柱的制備；(5)蒸鍍其他層電極修飾薄膜、載流子傳輸材料薄膜、發(fā)光材料薄膜等；(6)蒸鍍背電極材料或鎂銀合金等。從而完成隔離柱和整個器件的制備。
依據(jù)以上方法，特別是第(2)、(3)、(4)、在制備電致發(fā)光矩陣屏時，既免受鍍背電極時對板之苦；又能在非光刻的條件下完成高分辨率的矩陣屏。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光器件制備工藝中制備背電極的方法，其特征在于該方法的具體步驟(1)設(shè)計背電極的條紋圖案；(2)選擇高分子材料—聚二甲基硅氧烷，制作條紋圖案的圖章；(3)利用該圖章，將聚亞胺酯或絕緣樹脂材料印制到已經(jīng)光刻好的ITO玻璃基片上，方向與ITO垂直，厚度約為1-5微米；(4)烘干冷卻后，形成與ITO條紋垂直的的溝道—隔離柱；(5)蒸鍍其他層；(6)蒸鍍背電極材料。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光器件制備工藝中制備背電極的方法。先對光刻好的ITO玻璃基片，進行類似加蓋印章式的簡單處理，將聚亞胺酯材料印制到已經(jīng)光刻好的ITO玻璃基片上；形成絕緣隔離柱，備蒸發(fā)完各個有機層后蒸發(fā)背電極。其步驟設(shè)計背電極的條紋圖案；選擇高分子材料—聚二甲基硅氧烷，制作條紋圖案的圖章；利用該圖章，將聚亞胺酯材料印制到已經(jīng)光刻好的ITO玻璃基片上，方向與ITO垂直，厚度約為1－5微米；烘干冷卻后，形成與ITO條紋垂直的的溝道——隔離柱；蒸鍍其他層；蒸鍍背電極材料。該方法的優(yōu)點是既省略了光刻的復(fù)雜工藝，又克服了掩膜法分辨率低，對板(模具)困難的缺點。
文檔編號H05B33/10GK1486123SQ0315623
公開日2004年3月31日 申請日期2003年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月2日
發(fā)明者鄧振波, 張夢欣, 梁春軍, 王永生 申請人:北京交通大學