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超導量子干涉儀磁屏蔽室的制作方法

文檔序號:8181077閱讀:680來源:國知局
專利名稱:超導量子干涉儀磁屏蔽室的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種醫(yī)療用的精密儀器超導量子干涉儀的磁屏蔽室。
背景技術
近年來,人們對生物電的研究,得到迅速發(fā)展,已在醫(yī)學上得到應用,如心電圖、腦電圖等,但人們對人體的磁性活動研究,卻落后若干年,其中主要原因是探測儀器達不到測量人體磁活動的要求,因為人體磁場強度很弱,例如,心磁場強度約為10-6GS(高斯)左右,肺磁場強度約為10-7GS-10-4GS(高斯)左右,而環(huán)境磁場強度卻大得多,如地磁場約為5×10-1GS(高斯)左右,城市交流磁噪聲達到10-4GS(高斯)左右,因此,如何從如此強大的磁噪聲中,檢出人體微弱的磁信號,便是人們近年來研究的課題,近年,出現(xiàn)了超導量子干涉儀高精度醫(yī)用測量儀器,可測出人體微弱的磁活動信息,但是,必須屏蔽強大的環(huán)境磁噪聲,目前,還沒有理想的適于該儀器使用環(huán)境的磁屏蔽室。

發(fā)明內容
磁屏蔽分交流磁屏蔽和直流磁屏蔽,交流磁屏蔽較為簡單,而直流磁屏蔽則非常困難,本實用新型對交流磁場,仍采用通常采用純鋁屏蔽材料,而對直流磁場,該磁屏蔽室設置三層磁屏蔽,對屏蔽室的四壁、頂層及地板,均用具有特高初始磁導率μoEF軟合金帶狀屏蔽材料,南北走向環(huán)繞,同時南面的上、下兩角和北面的上、兩角均形成圓滑弧狀繞制,并使接頭處的屏蔽材料相互重疊,如此繞數(shù)圈構成一層屏蔽,每二層屏蔽材料之間不小于10公分,并用非磁性材料作為骨架,屏蔽室的頂層、地板,和南北壁一起,構成三層屏蔽,東壁和西壁,仍為南北走向繞制磁屏蔽材料,屏蔽室的門,可設于東面或西面,用拉式門結構,拉門的兩側邊,鑲有屏蔽材料,并伸出門的兩側邊,屏蔽門拉合時,該伸出的屏蔽材料與屏蔽室墻壁的磁屏蔽材料重疊,屏蔽室的地板,最上面和最底面及中間二層為木板,東西走向,每二層之間用金屬條板支撐,南北走向,木板之間的間隙,用前述軟合金帶狀磁屏蔽材料穿過,這種結構的屏蔽室,其屏蔽效果,可達B<10-12GS(高斯)左右,而且造價較低。


附圖1是本實用新型的正視剖視圖。
附圖2是屏蔽室地板結構剖視圖。
附圖3是屏蔽室拉門剖視圖。
具本實施方式請參閱附圖1所示,在屏蔽室內空間5內,有盛液氮的杜瓦瓶超導量子干涉儀3,受測心磁圖的病人6,圖示有三層屏蔽2,用具有特高初始導磁率μoEF軟合金帶狀屏蔽材料自南向北—自上向下—自北向南—自下向上繞數(shù)圈,構成一層屏蔽,每二層之間距離不小于10公分,用非磁性材料4作為骨架,墻壁的南面上下二角和北面上下二角,形成圓滑弧狀,接頭處的屏蔽材料相互重疊為圓滑狀重疊1,7是地板結構,附圖2是地板結構的剖視圖,圖中最上面和最底面及中間二層為木板8、12,中間用金屬支柱9支撐,木板之間的三層間隙10,用前述軟合金帶狀磁屏蔽材11料穿過,自北向南繞三層;屏蔽室的門13,設于東面,用拉式門結構,拉門13的兩側邊,鑲有二層前述屏蔽材料,并伸出門的兩側邊14,屏蔽門拉合時,該伸出的屏蔽材料14與屏蔽室的墻壁磁屏蔽材料重疊,
權利要求1,一種超導量子干涉儀磁屏蔽室,其特征在于該磁屏蔽室設置三層磁屏蔽,對屏蔽室的四壁、頂層及地板,均用具有特高初始磁導率μoEF軟合金帶狀屏蔽材料,南北走向環(huán)繞,同時南面的上、下兩角和北面的上、兩角均形成圓滑弧狀繞制,并使接頭處的屏蔽材料相互重疊,如此繞數(shù)圈構成一層屏蔽,每二層屏蔽材料之間不小于10公分,并用非磁性材料作為骨架,屏蔽室的頂層、地板,和南北壁一起,構成三層屏蔽,東壁和西壁,仍為南北走向繞制磁屏蔽材料,屏蔽室的門,可設于東面或西面,用拉式門結構,拉門的兩側邊,鑲有屏蔽材料,并伸出門的兩側邊,屏蔽門拉合時,該伸出的屏蔽材料與屏蔽室墻壁的磁屏蔽材料重疊,屏蔽室的地板,最上面和最底面及中間二層為木板,東西走向,每二層之間用金屬條板支撐,南北走向,木板之間的間隙,用前述軟合金帶狀磁屏蔽材料穿過。
專利摘要該磁屏蔽室設置三層磁屏蔽,對屏蔽室的四壁、頂層及地板,均用具有特高初始磁導率μoEF軟合金帶狀屏蔽材料,南北走向環(huán)繞,同時南面的上、下兩角和北面的上、兩角均形成圓滑弧狀繞制,并使接頭處的屏蔽材料相互重疊,每二層屏蔽材料之間用非磁性材料作為骨架,屏蔽室的頂層、地板,和南北壁一起,構成三層屏蔽,屏蔽室的門,可設于東面或西面,用拉式門結構,拉門的兩側邊,鑲有屏蔽材料,并伸出門的兩側邊,屏蔽門拉合時,該伸出的屏蔽材料與屏蔽室墻壁的磁屏蔽材料重疊,屏蔽室的地板,最上面和最底面及中間二層為木板,東西走向,每二層之間用金屬條板支撐,南北走向,木板之間的間隙,用前述軟合金帶狀磁屏蔽材料穿過。
文檔編號H05K9/00GK2494018SQ0125351
公開日2002年5月29日 申請日期2001年9月6日 優(yōu)先權日2001年9月6日
發(fā)明者劉大均 申請人:劉大均
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