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雙音圈雙磁隙揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器中的短路環(huán)的制作方法

文檔序號:7585884閱讀:664來源:國知局
專利名稱:雙音圈雙磁隙揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器中的短路環(huán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電磁換能器和驅(qū)動(dòng)器,特別涉及,在一個(gè)共同軸上,在相應(yīng)的雙環(huán)形磁氣隙中,軸向設(shè)置的雙音圈類型的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)。
在檢索與常規(guī)單音圈驅(qū)動(dòng)器相關(guān)的,雙音圈雙磁氣隙揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的基本設(shè)計(jì)中,本申請人發(fā)現(xiàn),雙音圈雙磁氣隙類型在線性、效率、允許的音圈偏移、功率密集度、散熱和最大聲壓輸出能力方面有著優(yōu)越性。而且,還發(fā)現(xiàn),通過在音圈附近的兩個(gè)磁隙區(qū)中引入短路環(huán)能夠進(jìn)一步加強(qiáng)雙音圈雙磁隙方法的某些優(yōu)勢。
授與Okada的日本專利61-137496在揚(yáng)聲器磁體結(jié)構(gòu)中加入一個(gè)導(dǎo)體的環(huán)形板,防止音圈燒毀和渦流對音圈電流的不利影響。
授與Grau的美國專利5,381,483,公開了一種最小電感電動(dòng)換能器,它具有帶高傳導(dǎo)材料的涂層的鐵磁性分流環(huán),以增加換能器的感應(yīng)電流的承載能力。
授與Yamamuro的美國專利3,830,986,公開了一種電聲轉(zhuǎn)換器的磁路(MAGNETIC CIRCUIT FOR AN ELECTRO-ACOUSTIC CONVERTER),它具有夾有傳導(dǎo)層的磁性材料形成的一個(gè)空氣隙,起降低音圈電感的短路環(huán)作用。
日本專利WO 81/02501,公開了一種動(dòng)電型電-機(jī)械換能器的磁路(MAGNETIC CIRCUIT FOR AN ELECTRO-MECHANICALTRANSDUCER OF A DYNAMIC ELECTRICITY TYPE),其中向磁隙中的補(bǔ)償線圈或?qū)w供給信號電流,防止磁場中的干擾。
日本專利198208,公開了一種電磁轉(zhuǎn)換器(ELECTROMAGNETICCONVERER),其中一個(gè)磁環(huán)設(shè)置在空氣隙中,以致它能夠在圓周形磁軛和中心磁軛之間軸向移動(dòng),通過使用一個(gè)在中心和外圓周不同極性磁化的中空圓盤永久磁體,提供高的轉(zhuǎn)換效率。
授與Sato等的美國專利3,783,311,公開了一種在聲裝置中使用的磁性裝置(MAGNETIC DEVICE FOR USE IN ACOUSTIC APPARATUS),其中在音圈隙中的金屬件使磁力線基本僅在一個(gè)方向移動(dòng),降低失真。
授與/Rotshtein的蘇聯(lián)專利587645/SU197801,標(biāo)題為一種電磁揚(yáng)聲器磁路(an electromagnet loudspeaker magnetic circuit),公開了在核心磁極塊上設(shè)置一個(gè)軟磁材料的磁性分路,通過減少磁阻提高聲壓。
上述專利限于僅具有一個(gè)單一信號隙和一個(gè)單一音圈的常規(guī)揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu)。
公開雙音圈雙磁性隙驅(qū)動(dòng)器的專利有,授與Frandsen的美國專利4,612,592,授與Van Namen的美國專利5,231,336和授與Kritter的法國專利1,180,456;但是,這些沒有涉及使用短路環(huán)。
授與Kato等的美國專利4,914,707,標(biāo)題為平衡的車輛揚(yáng)聲器系統(tǒng)(BALANCE VIHICULAR SPEAKER SYSTEM),提出在車輛中的雙音圈雙隙前揚(yáng)聲器音圈上安裝一個(gè)短路環(huán),降低高頻阻抗,以替代與后揚(yáng)聲器串聯(lián),使得后揚(yáng)聲器的阻抗高于前揚(yáng)聲器的一個(gè)電阻。
本發(fā)明的主要目的是提供雙音圈/雙磁隙換能器的一種改進(jìn),減少聲輸出的諧波失真。
本發(fā)明的另一目的是,以減少特別是包括二次諧波失真的偶次諧波失真的方式,實(shí)現(xiàn)上述改進(jìn)。
本發(fā)明的另一目的是,以減少特別是包括三次諧波失真的奇次諧波失真的方式,實(shí)現(xiàn)上述改進(jìn)。
通過添加在靠近音圈的兩個(gè)磁隙附近策略地設(shè)置的高傳導(dǎo)金屬的一個(gè)或多個(gè)短路環(huán),將本發(fā)明作為改進(jìn)方案應(yīng)用到雙音圈/雙磁隙的揚(yáng)聲器和其它換能器上,便實(shí)現(xiàn)了上述的目的和優(yōu)點(diǎn)。
短路環(huán)對穩(wěn)態(tài)磁場無影響,但對磁通密度的任何改變或磁力線的任何位移,象在音圈由聲頻電流硬起動(dòng)加載之下發(fā)生的那些,起反作用。短路環(huán)的位置決定它們的效果,靠近一個(gè)音圈的設(shè)置減小音圈電感,完全在磁力線回路中心線內(nèi)的設(shè)置有利于降低二次諧波和較高偶次諧波失真,在磁通回路中心線上中心設(shè)置,即集中在磁隙上,有利于減少三次諧波和較高奇次諧波失真,而在磁通回路中心線外但接近音圈設(shè)置起整體地降低諧波失真的作用。因此可將多個(gè)環(huán)不同地設(shè)置,以使最佳地抑制偶次和奇次諧波失真,并降低音圈電感。
參照附圖的以下說明,將使本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)更明了。


圖1-3是為了降低偶次諧波失真,在磁通回路內(nèi)設(shè)置的短路環(huán)圖;圖4-5是在磁通回路外設(shè)置的短路環(huán)圖;圖6-7是在磁通回路內(nèi)設(shè)置至少兩個(gè)短路環(huán)并在磁通回路外設(shè)置至少兩個(gè)短路環(huán)的圖圖8-10是為了最佳地抑制奇次諧波失真在磁通回路上集中設(shè)的短路環(huán)的圖;圖11和12是穿過兩個(gè)磁隙的管形結(jié)構(gòu)的短路環(huán)的圖。
在圖1-12的音圈總成10的剖視圖中,示出了雙隙雙音圈揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的基本功能原理,總成10帶有音圈10A和10B,它們懸掛在由一個(gè)永磁體M形成的一對磁化空氣隙中,永磁體M位于一個(gè)第一鋼極塊N和一個(gè)第二鋼極塊S之間,第一鋼極塊N在磁體M的北極上,第二鋼極塊S在磁體M的南極上;和由磁性材料制造的一個(gè)磁軛12,可以認(rèn)為它實(shí)際上限定,與磁體M連接的磁極塊N和S相對稱的一對磁極塊,從而形成兩個(gè)磁隙。
上述結(jié)構(gòu)的磁性系統(tǒng)建立起圖中虛線所示的路線部的一個(gè)磁通回路,這個(gè)磁通回路中心線14一般在每個(gè)磁隙內(nèi)和每個(gè)音圈10A和10B內(nèi)的中心處。
音圈總成10由周知的彈簧懸掛膜片結(jié)構(gòu)(未示出)約束,以便于軸向移動(dòng),根據(jù)周知的電磁學(xué)的右手法則和揚(yáng)聲器的基本方式,響應(yīng)加到音圈10A和10B上的AC(交流電流),一般驅(qū)動(dòng)一個(gè)常規(guī)揚(yáng)聲器圓錐膜片(未示出),兩個(gè)音圈因此相位連接。
在圖1-12的剖面圖中示出一個(gè)同軸的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu),這個(gè)結(jié)構(gòu)可以是彼此顛倒的兩個(gè)基本結(jié)構(gòu)之一(1)圍繞中心線CL1與環(huán)形音圈總成10內(nèi)的磁體M同軸,使得帶有磁極N和S的磁體M是圓拄形的,而磁軛12是管狀的包圍音圈總成10;或(2)圍繞中心線CL2與音圈總成10內(nèi)的圓拄形磁軛12同軸,磁體M和磁極N和S是環(huán)形的包圍音圈總成10。
在揚(yáng)聲器中一個(gè)共同的固有缺點(diǎn)是,作為對在音圈中驅(qū)動(dòng)電流的反應(yīng),在音圈區(qū)域中的磁通易產(chǎn)生圖形變形或調(diào)制。進(jìn)而這能夠使聲輸出失真,并增加線圈繞組的電感,改變頻率響應(yīng)特性。
如上述相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)討論所指出的,在常規(guī)單線圈驅(qū)動(dòng)器的磁空氣隙附近引入銅等的高傳導(dǎo)金屬的短路/分路環(huán),能提供抵抗音圈電流引起的調(diào)制而造成的干擾,穩(wěn)定磁通的有益作用。只要這樣的短路環(huán)是不變的和靜止的,對磁通圖形無影響,然而,環(huán)以內(nèi)部電流產(chǎn)生反作用,對抗在音圈中的驅(qū)動(dòng)電流引起的磁通圖形的任何變化,因此環(huán)能夠顯著降低聲輸出的失真。另外,位于音圈附近的短路環(huán)也降低音圈的電感。
從事雙隙雙音圈換能器驅(qū)動(dòng)器研究的本發(fā)明人,已確認(rèn)出這樣的短路環(huán)的關(guān)鍵位置和結(jié)構(gòu),特別是在關(guān)于降低失真的的關(guān)鍵位置和結(jié)構(gòu),并開發(fā)出選擇地降低二次和/或三次諧波失真的關(guān)鍵位置和結(jié)構(gòu)。
圖1-3示出管狀短路環(huán)的位置,根據(jù)本發(fā)明,它設(shè)在中心線14所限定的磁通回路內(nèi),從而起到降低特別是包括二次諧波失真在內(nèi)的偶次諧波失真的作用。
在圖1中,管狀短路環(huán)16A設(shè)在永久磁體M附近,完全在中心線14限定的磁通回路內(nèi),并基本在鄰近音圈總成10的位置中的兩個(gè)磁極塊N和S之間延伸。在圖2中,管狀短路環(huán)16B嵌入磁軛12的凹入?yún)^(qū)域中,完全在中心線14限定的磁通回路內(nèi),并基本在鄰近音圈總成10的位置中的兩個(gè)磁軛12磁極塊之間延伸。在圖3中,兩個(gè)環(huán),即在圖1所示的環(huán)16A和圖2所示的環(huán)16B結(jié)合在驅(qū)動(dòng)器單元中。因?yàn)閮蓚€(gè)環(huán)位于中心線14限定的磁通回路內(nèi),偶次諧波失真的抑制比圖1或圖2的情況更完全。
圖4和5示出結(jié)構(gòu)為圓盤的環(huán)形短路環(huán)16D和16E的位置,根據(jù)本發(fā)明,它們具有靠近總成10的音圈的一個(gè)邊緣,并因?yàn)樵O(shè)在磁通回路中心線14外,起一般地降仰諧波失真,并降低音圈電感的作用。
在圖4中,第一對短路環(huán)16C分別設(shè)置在磁極N和S的外表面上,第二對短路環(huán)16D位于磁軛12的每端,它們都具有緊密靠近總成10的音圈的一個(gè)邊緣。短路環(huán)16C和16D是環(huán)形圓盤,即平墊圈狀,但取決于結(jié)構(gòu),即,無論CL1或CL2是中心軸,集中在軸上的一對短路環(huán)不必有中心孔,因此可以簡單地為圓盤形。
在圖5中,在磁軛12的外角部中,緊靠總成10的音圈,但在中心線14限定的磁通回路外裝配兩個(gè)短路環(huán)16E。
圖6和7示出的結(jié)構(gòu)中短路環(huán)的位置在中心線14限定的磁通回路內(nèi)外,都接近音圈,因此,主要起抑制二次諧波失真和更高偶次諧波失真的作用,并降低音圈電感。
在圖6中,兩個(gè)短路環(huán)16F’位于每個(gè)磁極塊N和S的內(nèi)角部,在磁通回路內(nèi),主要影響偶次諧波,同時(shí)兩個(gè)環(huán)16F位于磁極塊N和S的外角,兩個(gè)環(huán)16E在磁軛的外角部,與圖5所示相同,這四個(gè)環(huán)在磁通回路外但靠近總成10的音圈,因此普遍地降低諧波失真并降低音圈電感。
在圖7中,總計(jì)設(shè)置了8個(gè)環(huán)每個(gè)磁極N和S中嵌入一對短路環(huán)16G和16G’,兩個(gè)相應(yīng)的短路環(huán)對16H和16H’嵌在磁軛12的相應(yīng)位置中,使得四個(gè)環(huán)在磁通回路內(nèi),另外四個(gè)在磁通回路外。
圖8-10示出的短路環(huán)基本以磁通回路中心線14為中心,這是抑制奇次諧波失真,特別是三次諧波失真的最佳位置。
在圖8中,短路環(huán)16J和16K,在限定兩個(gè)磁隙的四個(gè)磁極塊中的每個(gè)上有一個(gè),嵌入到中心位置,其中所述磁隙是以磁通回路中心線14為中心的。
在圖9中,磁極N和S的整個(gè)面由夾層的短路環(huán)結(jié)構(gòu)16L構(gòu)成,并且如圖所示,相應(yīng)的夾層短路環(huán)結(jié)構(gòu)16H嵌在鄰近音圈的磁軛12的上磁極塊區(qū)域。這些夾層的短路環(huán)結(jié)構(gòu)16L和16H由與磁性級鋼層交錯(cuò)的導(dǎo)電金屬薄板構(gòu)成(一般是銅或鋁)。這個(gè)方法代表一種最接近降低聲失真的達(dá)到理想狀態(tài)的方法,既降低二次也降低三次諧波失真和更高次的多種諧波失真,以及降低音圈電感,因?yàn)閵A層短路環(huán)以很多單個(gè)短路環(huán)的方式起作用,一些設(shè)置在磁通回路內(nèi),一些集中在磁通回路上,一些設(shè)置在磁通回路外,但都靠近音圈設(shè)置。在較高聲頻時(shí)這種短路環(huán)是特別有用的。
圖10表出圖9的非層狀的方案磁極N和S的下面裝配管形短路環(huán)16P,磁軛12裝配管形嵌入的短路環(huán)16Q,環(huán)16Q比環(huán)16P稍長,因此從外角部通過總成10的音圈向內(nèi)延伸,最佳地降低音圈電感和諧波失真。
在圖11中,延伸磁體總成全長的單個(gè)管狀短路環(huán)16R包括加到靠近音圈的磁極N和S面上的表面層,因此降低音圈電感,并降低諧波失真。
圖12大體上示出圖11的另一方案,其中管狀短路環(huán)16S設(shè)置成一個(gè)表面層,所述表面層沿包括磁極區(qū)域的磁軛12上表面的全長延伸,靠近音圈,因此進(jìn)一步降低音圈電感。
圖10-12的其它可行的組合包括在圖10的環(huán)16P的位置設(shè)置環(huán)16R(圖11);在圖10的環(huán)16Q的位置設(shè)置環(huán)16S(圖12);在圖11的磁軛12中設(shè)置環(huán)16S(圖12)。
在各種短路環(huán)的模式中,通常環(huán)制成較重和/或數(shù)目較多時(shí)對一般諧波失真的抑制作用變得更有效。
短路環(huán)對在200-2,000赫芝的聲頻范圍內(nèi)降低諧波失真最有效。
下面是測量的諧波失真的降低結(jié)果頻率200赫芝500赫芝1000赫芝環(huán)結(jié)構(gòu)圖1和5組合;二次諧波失真降低5dB6dB14dB三次諧波失真降低11dB 10dB 2dB環(huán)結(jié)構(gòu)圖5;二次諧波失真降低 無明顯降低三次諧波失真降低9dB4dB2dB本發(fā)明也可在其基本特征和精神范圍內(nèi)以其它方式實(shí)施。本說明的實(shí)施例僅是為了說明而不是限定本發(fā)明。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求指出,而不是由以上說明。本發(fā)明包括在權(quán)利要求的含意和等效范圍內(nèi)的所有變化方案。
權(quán)利要求
1.一種改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)可振動(dòng)膜片產(chǎn)生聲音,包括第一和第二相似的環(huán)形音圈,它們位于作為一個(gè)同軸音圈總成的部分的一個(gè)管狀音圈架上,從頭到尾地彼此分隔開,所述同軸音圈總成圍繞在一個(gè)中心軸四周設(shè)置,驅(qū)動(dòng)耦接膜片,并彈性被限制的僅在軸線的縱向可振動(dòng);第一和第二環(huán)形磁極塊,其結(jié)構(gòu)和設(shè)置成為相對面的對,形成橫跨所述第一音圈的一個(gè)預(yù)定環(huán)形部分的一個(gè)第一環(huán)形磁隙;第三和第四環(huán)形磁極塊,其結(jié)構(gòu)和設(shè)置成為相對面的對,形成橫跨所述第二音圈的一個(gè)預(yù)定環(huán)形部分的一個(gè)第二環(huán)形磁隙;一個(gè)永磁體,具有向著所述第一磁極塊的一個(gè)第一磁極,和向著第三磁極塊的一個(gè)第二磁極;一個(gè)磁軛,具有向著第二磁極塊的一個(gè)第一端,和向著第四磁極塊的一個(gè)第二端;因此提供一個(gè)環(huán)繞磁通回路的主磁路,所述回路串聯(lián)包括(a)所述磁體,(b)構(gòu)成一個(gè)第一磁體極塊的所述第一磁極塊,(c)第一磁隙,橫跨所述第一音圈,(d)構(gòu)成一個(gè)第一磁軛極塊的所述第二磁極塊,(e)所述磁軛,(f)構(gòu)成一個(gè)第二磁軛極塊的所述第四磁極塊,(g)第二磁隙,橫跨所述第二音圈和(h)構(gòu)成一個(gè)第二磁體極塊的所述第三磁極塊,成為整個(gè)回路;由高傳導(dǎo)金屬制造的至少一個(gè)環(huán)形短路環(huán),同軸設(shè)置,與磁通回路耦接,其結(jié)構(gòu)和設(shè)置使得起一個(gè)短路繞組環(huán)的作用,對抗磁通回路強(qiáng)度的任何變化和任何位移,使得所述各音圈通過音頻電流,使得無論何時(shí)音圈架振動(dòng)膜片時(shí),所述環(huán)起反作用,降低所述揚(yáng)聲器聲輸出的諧波失真。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),其中所述至少一個(gè)環(huán)形短路環(huán)完全設(shè)在由其一個(gè)中心線限定的磁通回路內(nèi),起特別是降低聲輸出的偶次諧波失真的作用。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),包括一個(gè)單個(gè)環(huán)形短路環(huán),設(shè)置在所述磁體和音圈架之間,鄰近所述磁體,并基本在兩個(gè)磁極塊之間延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),包括一個(gè)單一環(huán)形短路環(huán),設(shè)置在所述磁軛和音圈架之間,鄰近所述磁軛,并基本在兩個(gè)磁軛極塊之間延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),包括一個(gè)第一環(huán)形短路環(huán),設(shè)置在所述磁體和音圈架之間,鄰近所述磁體,并基本在兩個(gè)磁極塊之間延伸;和一個(gè)第二環(huán)形短路環(huán),設(shè)置在所述磁軛和音圈架之間,鄰近所述磁軛,并基本在兩個(gè)磁軛極塊之間延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),包括至少兩個(gè)環(huán),各自以圍繞磁通回路中心線大體對稱的方式設(shè)置,特別用于降低在聲輸出中的奇次諧波失真。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),其中各所述環(huán)形短路環(huán)是管狀結(jié)構(gòu)的,實(shí)際上構(gòu)成在所述四個(gè)磁極塊中相應(yīng)一個(gè)上的表面層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),其中各所述環(huán)形短路環(huán)嵌入所述四個(gè)磁極塊中相應(yīng)一個(gè)的中心表面區(qū)域中。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),其中所述環(huán)形短路環(huán)的至少一個(gè)是由一個(gè)各個(gè)隔離開的磁性級鋼層的疊層制造成的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),其中至少一個(gè)所述環(huán)形短路環(huán)是跨過兩對所述磁極塊延伸的管狀的結(jié)構(gòu),以實(shí)際構(gòu)成每個(gè)磁極塊上的表面層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),包括至少一個(gè)環(huán)形短路環(huán)完全位于其中心線限定的磁通回路內(nèi),以特別降低聲輸出中的偶次諧波失真;和至少一個(gè)環(huán)形短路環(huán)位于其中心線限定的磁通回路外。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),包括八個(gè)環(huán)形短路環(huán),在其相對區(qū)域的所述各磁極塊的每個(gè)中設(shè)置所述它們中的兩個(gè),使得八個(gè)環(huán)形短路環(huán)中四個(gè)最外面的位于其中心線限定的磁通回路外,八個(gè)短路環(huán)中四個(gè)最內(nèi)面的在其中心線限定的磁通回路內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),其中所述至少一個(gè)環(huán)形短路環(huán)基本設(shè)置在其中心線限定的磁通回路外。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),包括兩個(gè)環(huán),每個(gè)具有比一半音圈長度小的窄的寬度,每個(gè)如下地設(shè)置在其中心線限定的磁通回路外一個(gè)第一環(huán)形短路環(huán)鄰近所述音圈架沿第一磁體極塊的最外邊緣設(shè)置;和一個(gè)第二環(huán)形短路環(huán)鄰近所述音圈架沿第二磁體極塊的最外邊緣設(shè)置。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),包括兩個(gè)環(huán),每個(gè)具有比一半音圈長度小的窄的寬度,每個(gè)如下地設(shè)置在磁通回路外一個(gè)第一環(huán)形短路環(huán)鄰近所述音圈架沿第一磁軛極塊的最外邊緣設(shè)置;和一個(gè)第二環(huán)形短路環(huán)鄰近所述音圈架沿第二磁軛極塊的最外邊緣設(shè)置。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的改進(jìn)的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu),包括四個(gè)環(huán),每個(gè)如下地設(shè)置在磁通回路外一個(gè)第一環(huán)形短路環(huán)沿第一磁體極塊的最外端設(shè)置,靠近所述音圈架延伸;一個(gè)第二環(huán)形短路環(huán)沿第二磁體極塊的最外端設(shè)置,靠近所述音圈架延伸;一個(gè)第三環(huán)形短路環(huán)沿第一磁軛極塊的最外端設(shè)置,靠近所述音圈架延伸;和一個(gè)第四環(huán)形短路環(huán)沿第二磁軛極塊的最外端設(shè)置,靠近所述音圈架延伸。
17.一種揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu)的改進(jìn),所述結(jié)構(gòu)具有兩個(gè)機(jī)械耦接的相似的環(huán)形音圈,相對于在共同的管狀音圈架上的共同的軸同軸設(shè)置,每個(gè)音圈設(shè)置在由永久磁體建立的,音圈內(nèi)和外的環(huán)形磁極塊間的磁隙中的相應(yīng)磁場中,所述永久磁體形成一個(gè)磁通回路,所述回路橫跨與一個(gè)磁軛串聯(lián)的每個(gè)磁隙,磁軛磁性連接兩個(gè)極塊,音圈被懸掛,與在音圈中流過的交變的電流相響應(yīng)地在軸的方向自由振動(dòng),所述改進(jìn)包括至少一個(gè)高傳導(dǎo)金屬環(huán),設(shè)在鄰近音圈的區(qū)域,抵抗永磁體的磁通的強(qiáng)度或位置的任何變比,降低揚(yáng)聲器聲輸出的失真。
全文摘要
通過在兩個(gè)磁隙的附近策略地添加一個(gè)或多個(gè)短路環(huán)(16A-16S),可改進(jìn)雙音圈雙磁隙型揚(yáng)聲器或換能器。短路環(huán)對穩(wěn)態(tài)磁場設(shè)有影響,但抵抗在音圈(10A、10B)由音頻電流硬驅(qū)動(dòng)時(shí)所加負(fù)載下發(fā)生的磁力線的任何密度改變或位移。因此可以將多個(gè)環(huán)策略地布置在不同位置上,最佳地抑制偶次和奇次諧波失真,降低音圈電感。
文檔編號H04R9/06GK1298622SQ99805485
公開日2001年6月6日 申請日期1999年3月19日 優(yōu)先權(quán)日1998年3月19日
發(fā)明者道格拉斯·J·巴頓, 拉爾夫·E·海德, 亞歷克斯·V·薩爾瓦蒂 申請人:Jbl公司
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