專利名稱：高音平面振膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種揚(yáng)聲器發(fā)音配件。
目前，國(guó)內(nèi)揚(yáng)聲器中多數(shù)采用高音帶式振膜，但是接收信號(hào)效果差，也出現(xiàn)采用整張的導(dǎo)體平面振膜，但是由于振膜本身太薄，容易燒毀，同時(shí)價(jià)格也昂貴。
鑒此，本實(shí)用新型的目的是提供一種高音平面振膜裝置，它是用組合的平面振膜及條型磁體形成良好的接收信號(hào)效果。
本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的它主要包括平面振膜、磁體及框架，其特征是平面振膜是由導(dǎo)體芯片及其邊緣的絕緣片構(gòu)成，并且該平面振膜以其絕緣片外緣連接在框架的內(nèi)框邊緣中間位置；而在框架內(nèi)框邊緣上、下位置分別連接相對(duì)的條型磁體且上、下條型磁體與平面振膜相間隔。
所述導(dǎo)體芯片表面涂有抗氧化涂層。
由于采用上述方案組合的平面振膜，不易燒毀，使用壽命長(zhǎng)，條型的磁體瞬時(shí)特性也較佳。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。


圖1 本實(shí)用新型典型實(shí)施例示意圖；圖2 本實(shí)用新型典型實(shí)施例圖1的A-A剖視圖；圖3 本實(shí)用新型典型實(shí)施例圖1的B-B剖面圖。
圖中1、平面振膜11、導(dǎo)體芯片12、絕緣片2、磁體 3、框架本實(shí)施例包括平面振膜1、磁體2及框架3，如圖1-3所示，其中平面振膜1是由導(dǎo)體芯片11及其邊緣的絕緣片12構(gòu)成，其中，導(dǎo)體芯片11是覆蓋鋁膜線路的導(dǎo)體，其表面還涂有超薄抗氧化涂層，以阻止該導(dǎo)體在瞬間過(guò)熱氧化；在導(dǎo)體芯片11四周連接玻璃纖維制成的絕緣片12，使平面振膜1能承大功率瞬間輸入，不易燒毀，使用壽命長(zhǎng)。
磁體2是由釹鐵硼制成的條型體，形成推挽驅(qū)動(dòng)磁路，瞬時(shí)特性極佳。
框架3是塑料制成的框體，其內(nèi)框邊緣中間位置連接平面振膜1的絕緣片12外緣，而其內(nèi)框邊緣上、下分別連接上、下相對(duì)的條型磁體2，并且上、下條型磁體2與平面振膜1相間隔；該框架3用定位銷、安裝孔固定連接在面板上(圖中未示)。
權(quán)利要求1.一種高音平面振膜裝置包括平面振膜(1)、磁體(2)及框架(3)，其特征是平面振膜(1)是由導(dǎo)體芯片(11)及其邊緣的絕緣片(12)構(gòu)成，并且該平面振膜(1)以其絕緣片(12)外緣連接在框架(3)的內(nèi)框邊緣中間位置；而在框架(3)內(nèi)框邊緣上、下位置分別連接相對(duì)的條型磁體(2)、且上、下條型磁體(2)與平面振膜(1)相間隔。
2.按權(quán)利要求1所述的高音平面振膜裝置，其特征是所述導(dǎo)體芯片(11)表面涂有抗氧化涂層。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種揚(yáng)聲器發(fā)音配件。它主要是平面振膜由導(dǎo)體芯片及其邊緣的絕緣片構(gòu)成,并且該平面振膜以其絕緣片外緣連接在框架的內(nèi)邊緣中間位置;而在框架的內(nèi)框邊緣上、下位置分別連接相對(duì)的條型磁體,且上、下條型磁體與平面振膜相間隔。從而,不易燒毀,使用壽命長(zhǎng),瞬時(shí)特性也較佳。
文檔編號(hào)H04R7/04GK2362252SQ9825093
公開日2000年2月2日 申請(qǐng)日期1998年12月25日 優(yōu)先權(quán)日1998年12月25日
發(fā)明者楊堅(jiān)輝 申請(qǐng)人:楊堅(jiān)輝