本技術(shù)涉及通訊領(lǐng)域，具體是涉及一種數(shù)字調(diào)制電路及數(shù)字對(duì)講機(jī)。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有的數(shù)字調(diào)制電路，如圖1所示，包括依次連接的數(shù)字基帶單元、壓控晶體振蕩器和模擬基帶單元。發(fā)射時(shí)，語音通過麥克風(fēng)輸入到數(shù)字基帶單元的ad口，在數(shù)字基帶單元內(nèi)進(jìn)行ad轉(zhuǎn)換，轉(zhuǎn)換后由數(shù)字基帶單元做編碼壓縮處理變成待調(diào)制數(shù)字基帶信號(hào)，再經(jīng)過數(shù)字基帶單元的da轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào)后輸出待調(diào)制模擬信號(hào)；該待調(diào)制模擬信號(hào)直接送入壓控晶體振蕩器的壓控端進(jìn)行調(diào)制，待調(diào)制模擬信號(hào)改變了基準(zhǔn)時(shí)鐘頻率，從而改變了模擬基帶單元中鎖相環(huán)的鎖定頻率，完成對(duì)載波的調(diào)制。

2、現(xiàn)有的這種數(shù)字調(diào)制電路，其模擬基帶單元內(nèi)部的鎖相環(huán)所需的環(huán)路濾波器和參考時(shí)鐘都是需要外置的，而由壓控晶體振蕩器的壓控端進(jìn)行調(diào)制的方式需要由遠(yuǎn)高于待調(diào)制模擬信號(hào)頻率的環(huán)路濾波器來保證，這就需要技術(shù)人員通過外部參數(shù)調(diào)整以得到最佳的環(huán)路帶寬，此環(huán)路帶寬也最終決定了鎖相環(huán)的鎖定時(shí)間和壓控振蕩器產(chǎn)生的信號(hào)的相位噪聲，設(shè)計(jì)要求比較嚴(yán)格，研發(fā)成本比較高。

3、而且，現(xiàn)有的這種數(shù)字調(diào)制電路，其調(diào)制信號(hào)是通過基準(zhǔn)時(shí)鐘調(diào)制以控制調(diào)制頻偏的線性，但是基準(zhǔn)時(shí)鐘的調(diào)制范圍是有限的，一般在基準(zhǔn)時(shí)鐘的20ppm以下，當(dāng)頻率低而需要調(diào)制頻偏比基準(zhǔn)時(shí)鐘的壓控范圍大時(shí)就無法滿足調(diào)制要求了，所以低頻段對(duì)講機(jī)就無法采用這種基準(zhǔn)時(shí)鐘調(diào)制的方式。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的之一是提供一種成本較低，且適用頻段較寬的數(shù)字調(diào)制電路。

2、本實(shí)用新型的另一目的是提供一種采用上述數(shù)字調(diào)制電路的數(shù)字對(duì)講機(jī)。

3、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：

4、數(shù)字調(diào)制電路，包括數(shù)字基帶單元、耦合電容、去耦電容和模擬基帶單元，所述模擬基帶單元采用fd6818射頻基帶芯片，所述數(shù)字基帶單元的輸出端經(jīng)過所述耦合電容連接至所述fd6818射頻基帶芯片的自動(dòng)增益控制器的正相輸入端，所述去耦電容連接于所述fd6818射頻基帶芯片的自動(dòng)增益控制器的反相輸入端與地之間，所述fd6818射頻基帶芯片的外接晶振引腳連接外部的基準(zhǔn)晶振。

5、所述基準(zhǔn)晶振采用溫補(bǔ)晶振。

6、所述fd6818射頻基帶芯片中，其模/數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸出端通過其直通通道直接連接到其∑?調(diào)制器的輸入端。

7、所述耦合電容和所述去耦電容均采用規(guī)格不小于0805、容量不小于10uf的電容。

8、數(shù)字對(duì)講機(jī)，具有數(shù)字調(diào)制電路，其數(shù)字調(diào)制電路采用如上所述的數(shù)字調(diào)制電路。

9、采用上述方案后，本實(shí)用新型的數(shù)字調(diào)制電路及數(shù)字對(duì)講機(jī)，其模擬基帶單元采用fd6818射頻基帶芯片，由于fd6818射頻基帶芯片自帶有音頻全直通功能，工作時(shí)，待調(diào)制模擬信號(hào)不再需要使用壓控晶體振蕩器的壓控端進(jìn)行調(diào)制，由于無需使用帶壓控的晶體振蕩器，對(duì)器件要求較低，從而可降低成本。而且，本實(shí)用新型這種數(shù)字調(diào)制電路，由于數(shù)字基帶單元的輸出端連接至fd6818射頻基帶芯片的音頻信號(hào)輸入端，與現(xiàn)有技術(shù)相比，不再受基準(zhǔn)時(shí)鐘的調(diào)制范圍限制，不僅適用高頻段對(duì)講機(jī)，同樣也適用于低頻段對(duì)講機(jī)（如30-45mhz、66-88mhz），適用的頻段較寬。

10、進(jìn)一步地，本實(shí)用新型中，fd6818射頻基帶芯片中，其模/數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸出端跳過其數(shù)字信號(hào)處理單元直接通過其直通通道連接到其∑?調(diào)制器的輸入端。fd6818射頻基帶芯片的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器所輸出的數(shù)字待調(diào)制信號(hào)不再通過其數(shù)字信號(hào)處理單元進(jìn)行數(shù)字信號(hào)處理，如高通濾波、低通濾波、預(yù)加重等，從而避免這些處理對(duì)數(shù)字待調(diào)制信號(hào)的完整性、失真度、幅度頻率等造成破壞或嚴(yán)重失真，保證了數(shù)字待調(diào)制信號(hào)的完整性和失真度。

11、進(jìn)一步地，本實(shí)用新型中，所述耦合電容和所述去耦電容均采用規(guī)格不小于0805、容量不小于10uf的電容，以避免耦合信號(hào)低頻信號(hào)丟失和失真，高頻信號(hào)失真等問題。

技術(shù)特征：

1.數(shù)字調(diào)制電路，其特征在于：包括數(shù)字基帶單元、耦合電容、去耦電容和模擬基帶單元，所述模擬基帶單元采用fd6818射頻基帶芯片，所述數(shù)字基帶單元的輸出端經(jīng)過所述耦合電容連接至所述fd6818射頻基帶芯片的自動(dòng)增益控制器的正相輸入端，所述去耦電容連接于所述fd6818射頻基帶芯片的自動(dòng)增益控制器的反相輸入端與地之間，所述fd6818射頻基帶芯片的外接晶振引腳連接外部的基準(zhǔn)晶振。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)字調(diào)制電路，其特征在于：所述基準(zhǔn)晶振采用溫補(bǔ)晶振。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)字調(diào)制電路，其特征在于：所述fd6818射頻基帶芯片中，其模/數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸出端通過其直通通道直接連接到其∑?調(diào)制器的輸入端。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)字調(diào)制電路，其特征在于：所述耦合電容和所述去耦電容均采用規(guī)格不小于0805、容量不小于10uf的電容。

5.數(shù)字對(duì)講機(jī)，具有數(shù)字調(diào)制電路，其特征在于：其數(shù)字調(diào)制電路采用如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的數(shù)字調(diào)制電路。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種數(shù)字調(diào)制電路及數(shù)字對(duì)講機(jī)，其數(shù)字調(diào)制電路包括數(shù)字基帶單元、耦合電容、去耦電容和模擬基帶單元，所述模擬基帶單元采用FD6818射頻基帶芯片，所述FD6818射頻基帶芯片的外接晶振引腳連接外部的基準(zhǔn)晶振。采用上述方案后，本技術(shù)的數(shù)字調(diào)制電路及使用此數(shù)字調(diào)制電路的數(shù)字對(duì)講機(jī)，其模擬基帶單元采用FD6818射頻基帶芯片，由于FD6818射頻基帶芯片自帶有音頻全直通功能，工作時(shí)，待調(diào)制模擬信號(hào)不再需要使用壓控晶體振蕩器的壓控端進(jìn)行調(diào)制，由于無需使用帶壓控的晶體振蕩器，對(duì)器件要求較低，從而降低成本。而且，本技術(shù)這種數(shù)字調(diào)制電路，由于不再受基準(zhǔn)時(shí)鐘的調(diào)制范圍限制，不僅適用高頻段對(duì)講機(jī)，同樣也適用于低頻段對(duì)講機(jī)，適用的頻段較寬。

技術(shù)研發(fā)人員：魏新波,林志忠,魏理俊,賴章波,徐慶林,黃印杰,莊萍萍,潘珊蓉,陳永建
受保護(hù)的技術(shù)使用者：泉州市琪祥電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231228
技術(shù)公布日：2024/12/19