感測器件及相關(guān)操作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及感測器件及相關(guān)操作方法。裝置、系統(tǒng)、以及方法被提供給感測器件。一種示例性感測器件（102）包括感測布置，該感測布置在襯底上以感測第一屬性；加熱布置（114）；以及控制系統(tǒng)（116），該控制系統(tǒng)（116）耦合到第一感測布置和加熱布置（114），以激活加熱布置（114）加熱第一感測布置，以及在從第一感測布置獲得第一屬性的一個或多個測量值時停用加熱布置。
【專利說明】感測器件及相關(guān)操作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]在此描述的主題的實施例通常涉及感測器件和應(yīng)用，并且更確切地說，主題的實施例涉及補償關(guān)于溫度的感測布置的性能變化。
【背景技術(shù)】
[0002]傳感器被用在各種各樣的應(yīng)用中。例如，電子器件可以包括在一個半導(dǎo)體管芯上制作并且生成指示施加在半導(dǎo)體管芯上或以其它方式臨近半導(dǎo)體管芯的感測到的屬性的幅度的電信號的傳感器。然而，在實踐中，溫度波動可以影響傳感器的組件的電氣特性，并從而不良地影響了感測到的性能的測量。因此，通常在最終測試校準(zhǔn)感測器件對溫度波動的敏感性。然而，當(dāng)感測器件被焊接或以其它方式安裝到電子襯底或其它外部電路的時候，傳感器的組件的電氣特性也可能受到引入的應(yīng)力的影響，從而降低了在最終測試執(zhí)行的校準(zhǔn)的有效性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0003]當(dāng)結(jié)合附圖考慮時通過參閱詳細說明書以及權(quán)利要求，可以得到對本主題的更完整的理解，其中在附圖中相同的參考符號指的是相同的元件，附圖不一定按比例繪制。
[0004]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的示例性感測系統(tǒng)的框圖；
[0005]圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的圖示適合于通過圖1的感測系統(tǒng)中的感測器件實現(xiàn)的示例性校準(zhǔn)過程的流程圖；
[0006]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的圖示適合于結(jié)合圖2的校準(zhǔn)過程通過圖1的感測系統(tǒng)實現(xiàn)的示例性測量過程的流程圖；
[0007]圖4是圖示結(jié)合圖2的校準(zhǔn)過程的一個示例性實現(xiàn)通過感測器件的控制系統(tǒng)提供的信號和/或接收的信號的時序圖；
[0008]圖5描繪了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的圖示具有堆疊管芯配置的感測器件的感測系統(tǒng)的示例性實施例的截面圖；
[0009]圖6描繪了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的圖5的感測器件的堆疊管芯配置的示例性實施例的頂視圖。
【具體實施方式】
[0010]下面的詳細描述僅僅是說明性的并且不旨在限定主題的實施例或這些實施例的應(yīng)用或使用。正如在此所使用的，詞“示例性”意指“充當(dāng)例子、實例、或說明”。在此描述為示例性的任何實現(xiàn)不一定解釋為比其它實現(xiàn)優(yōu)選或有利。此外，不旨在被先前【技術(shù)領(lǐng)域】、背景、或以下詳細描述中的任何明示或暗示的理論所限定。
[0011]在此描述的主題的實施例涉及感測器件，所述感測器件包括在半導(dǎo)體襯底(或管芯)上提供的加熱布置，所述加熱布置可被激活以在感測器件被粘貼、粘合、焊接、或以其它方式安裝到電子襯底之后加熱感測布置并且校準(zhǔn)那個感測布置對溫度波動的敏感性。如下面將要更詳細描述的，在示例性實施例中，感測布置包括控制系統(tǒng)，該控制系統(tǒng)激活或以其它方式使得加熱布置響應(yīng)于從外部計算設(shè)備接收信號，并且只要后續(xù)地從感測布置獲得測量，控制系統(tǒng)就自動地停用加熱布置。此外，感測布置包括用于在從正被校準(zhǔn)的感測布置獲得測量的溫度感測布置的同時獲得溫度測量。如下面將要更詳細描述的，在感測器件被安裝到電子襯底之后，所感測到的屬性的測量以及對應(yīng)的溫度測量被用來確定感測布置的溫度系數(shù)。在示例性實施例中，感測器件包括一個或多個存儲元件，所述一個或多個存儲元件被配置成保持基于溫度系數(shù)信息確定的修正代碼，其中控制系統(tǒng)利用修正代碼和來自溫度感測布置的后續(xù)溫度測量來確定溫度補償值，所述溫度補償值被用來調(diào)整感測到的屬性的后續(xù)測量以獲得感測到的屬性的溫度補償后(或校準(zhǔn)后)的測量。根據(jù)一個或多個實施例，感測布置被實現(xiàn)為在單獨管芯上被制作或以其它方式在其上被提供的磁感測布置，所述單獨管芯與在其上提供有加熱布置和控制系統(tǒng)的管芯不同，其中控制系統(tǒng)利用修正代碼和后續(xù)溫度測量來確定溫度補償值，所述溫度補償值被用來確定周圍磁場的溫度補償后的測量。
[0012]圖1描繪了感測系統(tǒng)100的示例性實施例，所述感測系統(tǒng)100包括感測器件102和計算設(shè)備104。如下面將要更詳細描述的，在示例性實施例中，感測器件102計算被感測到的或通過感測布置110測量的物理屬性(例如，磁場、壓力、加速度等等)的溫度補償后的測量值，并且將溫度補償后的測量值輸出到計算設(shè)備104。如在此使用的，用于物理屬性的溫度補償后(或校準(zhǔn)后)的測量值應(yīng)被理解為是指被影響的、被調(diào)整的、或以其它方式被感測到的(或測量的)溫度值修改的與測量值相對應(yīng)的物理屬性的測量值。在這個方面，溫度補償后的測量值解釋了響應(yīng)于不旨在被感測布置110測量的溫度波動，感測布置110的性能特性變化。應(yīng)了解，圖1是為了解釋的目的的感測系統(tǒng)100的簡化表示，并且不旨在限定在此描述的主題。
[0013]在示例性實施例中，感測器件102包括，但不限于，被配置成感測或以其它方式測量物理屬性的感測布置110、溫度感測布置112、一個或多個加熱布置114、以及控制系統(tǒng)116。如下面將要更詳細描述的，在示例性實施例中，控制系統(tǒng)116作為校準(zhǔn)過程的一部分操作加熱布置114，用于確定感測布置110的溫度系數(shù)信息(例如，標(biāo)量值、方程、函數(shù)等等)以及計算被一個或多個數(shù)據(jù)存儲元件170存儲或以其它方式保持的修正代碼。通過使用修正代碼以及同時被溫度感測布置112測量的溫度調(diào)整從感測布置110 (這是相對于溫度未補償?shù)?獲得的測量值，控制系統(tǒng)116隨后計算溫度補償后的測量值。為了方便起見，從感測布置110獲得的溫度未補償?shù)臏y量值可在此被替代地稱為“原始”測量值，雖然在一些情況下，在被輸出到控制系統(tǒng)116之前，溫度未補償?shù)臏y量值可能已被感測布置110的一種或多種其它性能特性(例如，偏移和/或靈敏度)補償。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，控制系統(tǒng)116利用修正代碼和當(dāng)前溫度來計算向從感測布置110獲得的原始測量值加上和/或從中減掉的溫度補償值，以調(diào)整原始測量值以及獲得溫度補償后的測量值。如下面將要更詳細描述的，控制系統(tǒng)116在從感測布置110獲得原始測量時自動停用加熱布置114，以及在從感測布置110獲得原始測量同時從溫度感測布置112獲得溫度測量。
[0014]在一個示例性實施例中，感測布置110被實現(xiàn)為磁感測布置(或磁力計)，諸如在第一半導(dǎo)體襯底120 (或管芯)上形成、制作或提供的磁隧道結(jié)(MTJ)傳感器。然而，應(yīng)注意，感測布置110不旨在被限定為磁感測布置，并且在替代實施例中，感測布置110可被實現(xiàn)為壓力傳感器、加速計、陀螺儀、慣性傳感器等等。在此所描述的示例性實施例利用磁感測布置，因此，為了方便起見，但沒有限制，感測布置Iio在此可被稱為磁感測布置以及管芯120在此可被稱為磁傳感器管芯。在示例性實施例中，磁感測布置110包括耦合到節(jié)點152的負(或接地)參考電壓，所述節(jié)點152被配置成接收感測器件102的負(或接地)參考電壓；以及耦合到節(jié)點150的正參考(或電源)電壓節(jié)點(輸入)，所述節(jié)點150被配置成經(jīng)由開關(guān)元件142接收感測器件102的正參考(或電源)電壓。在這個方面，電源電壓節(jié)點150可被電連接到感測器件102的電源電壓輸入端子(或插腳或盤)，并且接地電壓節(jié)點152可被電連接到感測器件102的接地電壓輸入端子(或插腳或盤)。如圖1所說明的，如下面將要更詳細描述的，磁傳感器管芯120還包括偏置磁場布置111，該偏置磁場布置111被配置成當(dāng)磁感測布置110被激活、接通或以其它方式通過激活開關(guān)元件142被操作的時候，提供固定的偏置磁場以偏置磁感測布置110。如上面所描述的，根據(jù)一個或多個實施例，磁感測布置110針對一個或多個性能特性被校準(zhǔn)，例如，偏移、靈敏度、交叉軸靈敏度等等，使得來自被采樣、或以其它方式被控制系統(tǒng)116獲得的傳感器管芯120的輸出針對那些性能特性被校準(zhǔn)(或被補償)。例如，磁感測布置110還可包括校準(zhǔn)電路或被配置成支持提供指示周圍磁場的校準(zhǔn)輸出的其它組件。在這個方面，磁感測布置110可被理解為校準(zhǔn)磁感測布置110，因為它提供了其固有性能特性已被校準(zhǔn)的輸出(例如，在磁感測布置110被合并到感測器件102中之前)。
[0015]在所說明的實施例中，感測器件102還包括第二半導(dǎo)體襯底130 (或管芯)，在第二半導(dǎo)體襯底130 (或管芯)上形成、制作、或以其它方式提供有溫度感測布置112、加熱布置114、以及控制系統(tǒng)116。為了方便起見，但沒有限制，第二半導(dǎo)體襯底130在此憑借第二半導(dǎo)體襯底130在其上形成有控制系統(tǒng)116而被替代地稱為專用集成電路(ASIC)管芯。應(yīng)注意，在實踐中，ASIC管芯130可包括被配置成執(zhí)行附加功能和/或本此沒有描述的過程的附加電路、組件等等。此外，雖然圖1圖示了在與磁傳感器管芯120分離的一個管芯130上形成的溫度感測布置112、加熱布置114、以及控制系統(tǒng)116，但是在其它實施例中，磁感測布置110、溫度感測布置112、加熱布置114、以及控制系統(tǒng)116可在相同的(或共有的)管芯上被形成或制作，或者溫度感測布置112、加熱布置114、以及控制系統(tǒng)116可能分別在其自己的單獨管芯上被形成或制作。在示例性實施例中，ASIC管芯130還包括采樣布置122，諸如與其它電路(例如放大器、濾波器、等等)組合的模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器，所述采樣布置122耦合到傳感器管芯120的輸出端子，以對指示由磁感測布置110生成的周圍磁場的輸出電壓信號進行采樣以及將采樣電壓轉(zhuǎn)換為表示由磁感測布置110感測的(或測量的)磁場的數(shù)字值。在這個方面，由采樣布置122輸出的數(shù)字值表示被磁感測布置110獲得的溫度未補償(或原始)的磁場測量值。
[0016]在示例性實施例中，溫度感測布置112被實現(xiàn)為用恒定和與溫度無關(guān)的偏置電流被正向偏置的二極管，其中該二極管的節(jié)點和/或端子充當(dāng)溫度感測布置112的輸出節(jié)點，并且提供了指示跨二極管的電壓的輸出電壓信號，該輸出電壓信號進而指示環(huán)境溫度。以與上述描述的磁感測布置110的情況相似的方式，ASIC管芯130上的第二采樣布置124耦合到溫度感測布置112的輸出節(jié)點以對由溫度感測布置112生成的輸出電壓信號進行采樣，并且將采樣的電壓轉(zhuǎn)換為表示由溫度感測布置112感測的(或測量的)溫度的數(shù)字值。如下面在圖2將要更詳細描述的，在示例性實施例中，控制系統(tǒng)116與操作采樣布置122同步地操作采樣布置124以獲得與憑借在相同的采樣時間同時獲得的、從磁感測布置110獲得的原始測量值相關(guān)聯(lián)或以其它方式相對應(yīng)的溫度測量。
[0017]在所說明的實施例中，加熱布置114被實現(xiàn)為耦合在電源電壓節(jié)點150和接地電壓節(jié)點152之間的切換電阻。例如，如圖1所說明的，加熱布置114可包括電阻元件126，諸如耦合到電源電壓節(jié)點150和開關(guān)元件128的電阻器，諸如耦合在電阻元件126和接地電壓節(jié)點152之間的晶體管，使得電阻元件126和開關(guān)元件128被串聯(lián)電配置在電源電壓節(jié)點150和接地電壓節(jié)點152之間。當(dāng)開關(guān)元件128被閉合、被接通、或以其它方式被激活的時候，加熱布置114為電源電壓節(jié)點150和接地電壓節(jié)點152之間的電流流動提供了電阻路徑，這進而會生成熱量。在示例性實施例中，管芯120、130被封裝在單個器件封裝件中以提供在輸出端子(例如，一個或多個輸出盤、插腳、端口等等)輸出溫度補償后的磁場測量值的感測器件102 ;所述輸出端子耦合到計算設(shè)備104 (例如，一個或多個輸入盤、插腳、端口等等)的對應(yīng)輸入端子。例如，管芯120、130可被安裝到或以其它方式固定到封裝襯底并且用模塑化合物進行封裝，諸如熱固環(huán)氧樹脂模塑化合物等等，所述模塑化合物填充了管芯120、130之間的空間并且保護了管芯120、130 (以及在其上形成的電路和/或組件)免受環(huán)境因素的影響。在這個方面，通過加熱布置114生成的熱量分布在整個器件封裝件并且被轉(zhuǎn)移到傳感器管芯120以加熱感測布置110和/或傳感器管芯120。因此，當(dāng)管芯120、130被封裝的時候，加熱布置114可能加熱整個傳感器管芯120。在示例性實施例中，加熱布置114被放置在ASIC管芯130上，使得當(dāng)管芯120、130在器件封裝件中被封裝的時候，加熱布置114相對于磁感測布置110和/或傳感器管芯120被放置，使得通過加熱布置114生成的熱量以均勻地加熱磁感測布置110的方式被轉(zhuǎn)移到磁感測布置110和/或傳感器管芯120。例如，在管芯120、130被堆疊在感測器件102的器件封裝件中的實施例中，加熱布置114可被放置在磁感測布置110的上方或下方以均勻地加熱磁感測布置110。在其它實施例中，如在下面的圖6的背景中描述的，ASIC管芯130可包括被放置在磁感測布置110的相對側(cè)并且大體上到磁感測布置110是等距離的多個加熱布置114。
[0018]類似地，在示例性實施例中，溫度感測布置112被放置在ASIC管芯130上，使得當(dāng)管芯120、130在器件封裝件中被封裝的時候，溫度感測布置112相對于磁感測布置110和/或傳感器管芯120被放置以測量與磁感測布置110的溫度相對應(yīng)的溫度。在這個方面，溫度感測布置112可盡可能接近磁感測布置110被放置，同時解釋了 ASIC管芯130的平面圖和/或其它布局約束。例如，在管芯120、130被堆疊在感測器件102的器件封裝件中的實施例中，溫度感測布置112可被放置在磁感測布置110的上方或下方。在ASIC管芯130的平面圖和/或其它布局約束阻止了溫度感測布置112被放置在磁感測布置110的上方或下方的其它實施例中，如在下面的圖6的背景中描述的，溫度感測布置112可以與磁感測布置110和加熱布置114之間的間距相對應(yīng)的方式被放置在大體上到加熱布置114是等距離的地方，以測量非極度地受一個獨立加熱布置影響的溫度。
[0019]仍然參照圖1，在示例性實施例中，ASIC管芯130還包括在其上形成或以其它方式提供的開關(guān)元件142、144，其中每一個開關(guān)元件142被串聯(lián)電配置在相應(yīng)感測布置110、112的電源電壓輸入和電源電壓節(jié)點150之間。在這個方面，當(dāng)相應(yīng)開關(guān)元件142、144處于激活狀態(tài)(或者替代地，閉合的或通的狀態(tài))的時候，節(jié)點150處的電源電壓被提供給相應(yīng)感測布置110、112以向相應(yīng)感測布置110、112提供電流(或功率)，而當(dāng)其相應(yīng)開關(guān)元件142、144處于停用狀態(tài)(或者替代地，打開或斷開狀態(tài))的時候，相應(yīng)感測布置110、112被有效地解耦或以其它方式從電源電壓電斷開。因此，當(dāng)開關(guān)元件142、144被激活的時候，與其相關(guān)聯(lián)的感測布置110、112也被激活并且提供了指示感測到的物理屬性的輸出，并且相反，當(dāng)開關(guān)元件142、144被停用的時候，與其相關(guān)聯(lián)的感測布置110、112也被停用并且不消耗來自耦合到電源電壓節(jié)點150的能量源的電流(或功率)。在實踐中，開關(guān)元件142、144可使用任何合適的電控開關(guān)元件，例如，晶體管開關(guān)被實現(xiàn)。
[0020]在所說明的實施例中，控制系統(tǒng)116通常表示了電路、硬件、處理邏輯和/或ASIC管芯130上其它組件的組合，該組合耦合到開關(guān)元件128、142、144以及采樣布置122、124的控制輸入(例如，柵極端子)以操作開關(guān)元件128、142、144以及采樣布置122、124以及在獲得周圍磁場和/或溫度的測量值時停用加熱布置114。如下面將要更詳細描述的，在示例性實施例中，控制系統(tǒng)116響應(yīng)來自所述計算設(shè)備104的信號而激活加熱布置114和/或開關(guān)元件128，并且在操作采樣布置122以從磁感測布置110獲得原始測量值時自動停用加熱布置114和/或開關(guān)元件128。取決于不同的實施例中，控制系統(tǒng)116可被實現(xiàn)為被設(shè)計成支持感測器件102的操作和/或執(zhí)行在此描述的功能的邏輯電路(例如，ASIC)、處理核心、處理單元、通用處理器、微處理器、微控制器、內(nèi)容可尋址存儲器、數(shù)字信號處理器、現(xiàn)場可編程門陣列、任何合適的可編程邏輯器件、離散柵極或晶體管邏輯、離散硬件組件、或其任何組合。在實踐中，控制系統(tǒng)116也可包括或以其它方式訪問數(shù)據(jù)存儲元件或存儲器115，例如，隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、閃速存儲器、寄存器、或被配置成支持控制系統(tǒng)116操作的其它合適的非臨時性計算機可讀存儲介質(zhì)。例如，在一些實施例中，存儲器115可存儲當(dāng)被控制系統(tǒng)116讀取和執(zhí)行的時候會導(dǎo)致控制系統(tǒng)116執(zhí)行一個或多個附加任務(wù)、操作、功能、和/或在此描述的過程的計算機可執(zhí)行編程指令。
[0021]仍然參照圖1，在所說明的實施例中，如下面將要更詳細描述的，計算設(shè)備104通常表示耦合到感測器件102和/或ASIC管芯130的輸入/輸出端子102的電路、硬件、處理邏輯和/或感測系統(tǒng)100的其它組件，其控制了感測器件102的操作并且從感測器件102獲得溫度補償后的磁場測量值，在這個方面，除了具有電源和/或接地電壓輸入端子以及磁場測量輸出端子，感測器件102和/或ASIC管芯130還包括耦合到控制系統(tǒng)116用于從計算設(shè)備104接收信號的輸入端子，所述信號指示期望操作磁感測布置110以獲得更新的磁場測量值和/或指示期望操作加熱布置114以加熱磁感測布置110和/或傳感器管芯120。取決于不同的實施例中，計算設(shè)備104可包括或以其它方式被實現(xiàn)為被設(shè)計成支持感測系統(tǒng)100的操作和/或執(zhí)行在此描述的附加任務(wù)、功能、和/或過程的通用處理器、微處理器、微控制器、內(nèi)容可尋址存儲器、數(shù)字信號處理器、現(xiàn)場可編程門陣列、任何合適的可編程邏輯器件、離散柵極或晶體管邏輯、離散硬件組件、或其任何組合。在此描述的示例性實施例中，計算設(shè)備104是使用一個或多個器件封裝件被實現(xiàn)的，所述器件封裝件與感測器件102分離，但是經(jīng)由電子襯底被連接到感測器件102和/或ASIC管芯130的輸入/輸出端子。在這個方面，感測器件102的封裝襯底或可與計算設(shè)備104的封裝襯底分離，但是這兩個封裝襯底都可被安裝到共同的電路襯底；如在圖5將要更詳細描述的，所述共同的電路襯底被配置成促進感測器件102和計算設(shè)備104之間的通信。在其它實施例中，例如，通過將計算設(shè)備104安裝到與感測器件102相同的封裝襯底上、堆疊感測器件102和計算設(shè)備104等等可在共同的器件封裝件內(nèi)實現(xiàn)計算設(shè)備104和感測器件102。[0022]在示例性實施例中，如下面將要更詳細地描述的，計算設(shè)備104提供了期望操作磁感測布置Iio和/或加熱布置114以校準(zhǔn)感測器件102的溫度以及獲得溫度補償后的磁場測量的信號、指令、或其它指示。在這個方面，在示例性實施例中，ASIC管芯130包括耦合到或以其它方式可訪問計算設(shè)備104以從計算設(shè)備104接收用于操作磁感測布置110的測量配置信息的一個或多個數(shù)據(jù)存儲元件160，例如，采樣頻率(或在操作采樣布置122以獲得連續(xù)采樣之間等待的時間量)、過采樣率(要獲得的新原始磁場測量采樣的數(shù)目)等等。例如，數(shù)據(jù)存儲元件160可被實現(xiàn)為也耦合到或以其它方式訪問控制系統(tǒng)116的一個或多個寄存器。在這個方面，響應(yīng)于期望從計算設(shè)備104獲得磁場測量的信號、指令、或其它指示，控制系統(tǒng)116根據(jù)由測量配置寄存器160保持的測量配置信息來自動操作采樣布置122和開關(guān)元件142。因此，測量配置信息決定了獲得的樣本數(shù)目和連續(xù)采樣的相應(yīng)采樣時間。此夕卜，ASIC管芯130還包括耦合到或以其它方式可訪問計算設(shè)備104以從所述計算設(shè)備104接收溫度補償信息的一個或多個數(shù)據(jù)存儲元件170 (例如，寄存器等等)，用于基于來自磁感測布置110的原始磁場測量值和從溫度感測布置112獲得的對應(yīng)溫度測量值來確定溫度補償后的測量值。如下面將要更詳細描述的，在示例性實施例中，計算設(shè)備104和控制系統(tǒng)116合作地被配置成執(zhí)行校準(zhǔn)過程以確定存儲或以其它方式被補償寄存器170保持的修正代碼。在執(zhí)行校準(zhǔn)過程之后，控制系統(tǒng)116基于從溫度感測布置112獲得的溫度來利用修正代碼計算溫度補償值，并且使用溫度補償值來調(diào)整從磁感測布置110獲得的原始磁場測量值，以獲得被輸出或以其它方式提供給計算設(shè)備104的溫度補償后的磁場測量值。應(yīng)注意，雖然圖1將存儲器115和數(shù)據(jù)存儲元件160、170描繪為單獨的組件，但是在實踐中，數(shù)據(jù)存儲元件160、170的特征和/或功能可被實現(xiàn)或以其它方式集成到存儲器115中。
[0023]圖2描繪了適合于通過感測系統(tǒng)實現(xiàn)以獲得感測到的物理屬性的溫度補償后的測量值的校準(zhǔn)過程200的示例性實施例。可通過由處理電路或其它合適硬件執(zhí)行的硬件、軟件和/或固件、或其任何組合來執(zhí)行與所說明的過程200有關(guān)的各種任務(wù)。為了說明的目的，下面的描述可涉及以上結(jié)合圖1提到的元件。在實踐中，校準(zhǔn)過程200的部分可通過感測系統(tǒng)100的不同元件被執(zhí)行，例如，控制系統(tǒng)116、加熱布置114、磁感測布置110、溫度感測布置112、采樣布置122、124、開關(guān)元件128、142、144、和/或計算設(shè)備104。應(yīng)了解，校準(zhǔn)過程200的實用實施例可能包括任何數(shù)目的附加或替代任務(wù)，不需要按說明的順序執(zhí)行任務(wù)和/或可以同時執(zhí)行任務(wù)，和/或校準(zhǔn)過程200可以被合并到更全面的程序或具有在此沒有詳細描述的附加功能的過程中。此外，只要預(yù)期的整體功能保持完整，就可以從校準(zhǔn)過程200的實用實施例中省略圖2的背景中示出和描述的一個或多個任務(wù)。
[0024]在示例性實施例中，通過啟用或以其它方式操作被校準(zhǔn)的感測布置以獲得感測到的屬性的初始原始測量值，校準(zhǔn)過程200初始化或以其它方式開始(任務(wù)202)。例如，參照圖1，計算設(shè)備104可向控制系統(tǒng)116提供期望從磁感測布置110獲得初始測量的指示。響應(yīng)于接收到用于獲得初始測量的指示，控制系統(tǒng)116根據(jù)由測量配置寄存器160保持的測量配置信息來操作開關(guān)元件142和采樣布置122以從磁感測布置110獲得期望數(shù)目的原始測量。在這個方面，在示例性實施例中，開關(guān)元件142最初處于將磁感測布置110從電源電壓節(jié)點150電解耦的停用狀態(tài)，其中響應(yīng)于從計算設(shè)備104接收用于初始采樣時間獲得初始原始測量的指示，控制系統(tǒng)116激活開關(guān)元件142以向磁感測布置110和偏置場布置111提供節(jié)點150處的電源電壓。在經(jīng)由開關(guān)元件142激活磁感測布置110之后，控制系統(tǒng)116操作采樣布置122以獲得用于環(huán)境磁場的原始測量(或采樣)。如果所述測量配置信息指示應(yīng)獲得多個原始測量(例如，過采樣)，則控制系統(tǒng)116以期望的采樣頻率(或數(shù)據(jù)率)自動操作采樣布置122期望的次數(shù)以實現(xiàn)期望數(shù)目的原始測量。在這個方面，控制系統(tǒng)116可存儲經(jīng)由采樣布置122從磁感測布置110獲得的原始磁場測量的數(shù)目并且對原始磁場測量求平均以獲得與初始采樣時間相對應(yīng)的初始平均原始磁場測量值作為平均原始磁場測量值。在示例性實施例中，控制系統(tǒng)116在獲得每一個獨立原始磁場測量值之后，停用開關(guān)元件142以將磁感測布置110和偏移場布置111從電源電壓節(jié)點150解耦，并且在獲得期望數(shù)目的原始測量之后保持開關(guān)元件142停用。此外，如下面將要更詳細描述的，在示例性實施例中，在采樣布置122在操作的時侯，控制系統(tǒng)116確保加熱布置114被停用或以其它方式被禁用。在這個方面，通過打開、斷開或以其它方式停用開關(guān)元件128，控制系統(tǒng)116禁用或以其它方式停用加熱布置114以防止在操作采樣布置122時電流流經(jīng)電阻元件126，以防止流經(jīng)加熱布置114的電流影響從磁感測布置110獲得的原始磁場測量。例如，當(dāng)開關(guān)元件128被實現(xiàn)為N-型晶體管開關(guān)的時候，通過將實質(zhì)上等于節(jié)點152處的地面電壓的電壓(例如，邏輯低信號)施加到晶體管開關(guān)的控制(或柵極)端子，控制系統(tǒng)116可打開或以其它方式停用開關(guān)元件128。
[0025]仍然參照圖2，在示例性實施例中，通過啟用或以其它方式操作溫度感測布置，校準(zhǔn)過程200繼續(xù)進行以獲得與初始原始測量值相對應(yīng)的初始溫度測量值(任務(wù)204)。在這個方面，在示例性實施例中，控制系統(tǒng)116激活開關(guān)元件144并且同時操作采樣布置124以激活開關(guān)元件142和操作采樣布置124，以在初始采樣時間獲得傳感器管芯120和/或感測器件102溫度的與在初始采樣時間獲得的初始原始磁場測量值相對應(yīng)的原始測量(或采樣)。例如，響應(yīng)于接收到用于獲得初始原始磁場測量的指示，控制系統(tǒng)116可與激活開關(guān)元件142同步地(相應(yīng)地)激活開關(guān)元件144，并且與操作采樣布置122同步地操作采樣布置124，從而在與當(dāng)經(jīng)由磁感測布置110獲得原始磁場測量值大致相同的時間瞬間獲得與磁感測布置110和/或傳感器管芯120的溫度相對應(yīng)的溫度測量值。如上面所描述的，控制系統(tǒng)116可操作采樣布置124以獲得期望數(shù)目的溫度測量值、存儲經(jīng)由采樣布置124從溫度感測布置112獲得的溫度測量的數(shù)目，以及對溫度測量求平均以獲得與初始采樣時間相對應(yīng)的平均溫度測量值。以這種方式，控制系統(tǒng)116獲得與初始原始磁場測量值(Mki)相對應(yīng)的初始溫度測量值(Tki)。在示例性實施例中，控制系統(tǒng)116在獲得每一個獨立溫度測量值之后，停用開關(guān)元件144以將溫度感測布置112從電源電壓節(jié)點150解耦，以及在獲得期望數(shù)目的原始測量之后保持開關(guān)元件144停用。
[0026]在示例性實施例中，在獲得初始測量值之后，通過基于感測到的屬性的初始測量值來確定被校準(zhǔn)的感測布置的性能特性(或?qū)傩?的初始值(任務(wù)206)，校準(zhǔn)過程200繼續(xù)進行。在這個方面，可以基于從感測布置110獲得的初始原始測量值來確定感測布置110的偏移、靈敏度、交叉軸靈敏度、和/或另一個校準(zhǔn)屬性(或特性)的初始值。例如，根據(jù)一個或多個實施例，計算設(shè)備104保持了磁感測布置110的校準(zhǔn)信息，該信息可被用來根據(jù)未補償?shù)拇艌鰷y量值和/或溫度測量值來確定一個或多個性能特性值，例如，磁場偏移系數(shù)、磁場靈敏度系數(shù)等等和/或用于確定相應(yīng)性能特性(或?qū)傩?值的校準(zhǔn)方程。根據(jù)一個或多個實施例，在獲得初始原始磁場測量值和初始溫度測量值之后，控制系統(tǒng)116將初始原始磁場測量值和溫度測量值輸出到計算設(shè)備104，計算設(shè)備104進而利用這些測量值和校準(zhǔn)信息來確定在初始溫度測量值被校準(zhǔn)的一個或多個性能特性的初始值。例如，根據(jù)一個或多個實施例，計算設(shè)備104可根據(jù)初始溫度測量值(TK1)、初始原始磁場測量值(Mki)來計算或以其它方式確定初始磁場偏移值(OFF1X類似地，計算設(shè)備104可根據(jù)初始溫度測量值、初始原始磁場測量值來計算或以其它方式確定初始磁場靈敏度值(SENS1X在其它實施例中，控制系統(tǒng)116可(例如，在存儲器115中)保持磁感測布置110的校準(zhǔn)信息，其中所述控制系統(tǒng)116以與上述描述的計算設(shè)備104背景中類似的方式基于初始溫度測量值來自動確定初始性能特性值。
[0027]在確定初始補償值之后，通過啟用或以其它方式激活加熱布置以提高被校準(zhǔn)的感測布置的溫度(任務(wù)208)，校準(zhǔn)過程200繼續(xù)進行。在這個方面，在操作采樣布置122、124以獲得初始磁場和溫度原始測量值之后，控制系統(tǒng)116通過閉合、接通、或以其它方式激活開關(guān)元件128來啟用或以其它方式激活加熱布置114。例如，如果開關(guān)元件128被實現(xiàn)為晶體管開關(guān)，則控制系統(tǒng)116可將實質(zhì)上等于節(jié)點150處的電源電壓施加到晶體管的控制(或柵極)端子。根據(jù)與一個或多個實施例，響應(yīng)于從計算設(shè)備104接收到期望激活加熱布置114以提高磁感測布置110和/或傳感器管芯120的溫度的指示，控制系統(tǒng)116激活加熱布置114。在其它實施例中，在獲得初始溫度和磁場測量之后，控制系統(tǒng)116自動激活加熱布置114。控制系統(tǒng)116保持加熱布置114和/或開關(guān)元件128在由測量配置信息或計算設(shè)備104決定的時間量處于連續(xù)激活狀態(tài)，以允許ASIC管芯130上的加熱布置114所生成的熱量被轉(zhuǎn)移到所述傳感器管芯120以提高磁感測布置110的溫度。
[0028]在激活加熱布置之后，通過在獲得感測到的屬性的后續(xù)原始測量值和對應(yīng)后續(xù)溫度測量值時停用加熱布置(任務(wù)210、212、214)，校準(zhǔn)過程200繼續(xù)進行。在這個方面，通過在磁感測布置110的輸出在后續(xù)采樣時間被采樣時打開、斷開或以其它方式停用開關(guān)元件128，控制系統(tǒng)116自動禁用或以其它方式停用加熱布置114，使得流經(jīng)加熱布置114的電流不影響在后續(xù)采樣時間從磁感測布置110獲得的周圍磁場測量。在這個方面，相對于初始采樣時間，周圍磁場優(yōu)選地不變，使得相對于初始原始磁場測量值，原始磁場測量值的任何變化可歸因于磁感測布置110和/或傳感器管芯120的溫度變化。以與上述類似的方式，控制系統(tǒng)116激活開關(guān)元件142以啟用或以其它方式操作磁感測布置110，并且操作采樣布置122以當(dāng)加熱布置114和/或開關(guān)元件128被停用時獲得周圍磁場的與后續(xù)采樣時間相對應(yīng)的原始測量(或采樣)。根據(jù)一個或多個實施例，控制系統(tǒng)116與操作采樣布置122同步地停用開關(guān)元件128以采樣磁感測布置110的輸出，使得在磁感測布置110和/或磁傳感器管芯120處于升高的溫度時獲得磁場測量值。換句話說，在采樣磁感測布置110的輸出之前的磁感測布置110和/或磁傳感器管芯120的任何冷卻可以忽略不計。此外，控制系統(tǒng)116激活開關(guān)元件144以啟用或以其它方式操作溫度感測布置112，在操作采樣布置122的同時操作采樣布置124以獲得當(dāng)獲得后續(xù)原始磁場測量值時在后續(xù)采樣時間獲得與磁感測布置110和/或傳感器管芯120的溫度相對應(yīng)的溫度測量。根據(jù)一個或多個實施例，在獲得原始測量之后，控制系統(tǒng)116自動重新激活或以其它方式重新啟用加熱布置114。例如，如果期望激活加熱布置114的指示被計算設(shè)備104保持和/或所述測量配置信息指示應(yīng)獲得多個原始測量，則控制系統(tǒng)116自動激活加熱布置114和/或感測布置110、112的輸出的連續(xù)采樣之間的開關(guān)元件128。在這個方面，根據(jù)一個或多個實施例，對每一個采樣，控制系統(tǒng)116于操作采樣布置122、124同步地停用開關(guān)元件128以采樣感測布置110、112的輸出并且與停止采樣布置122、124的操作同步地激活開關(guān)元件128，使得加熱布置114被激活并且當(dāng)感測布置110、112的輸出不被采樣的時候電流流經(jīng)電阻元件126。
[0029]以與上述類似的方式，在停用加熱布置114以獲得期望數(shù)目的原始測量的同時連續(xù)操作采樣布置122、124之后，控制系統(tǒng)116可對原始磁場測量平均以獲得與后續(xù)采樣時間相對應(yīng)的后續(xù)原始磁場測量值(MK2)，并且對溫度測量求平均以獲得與后續(xù)采樣時間相對應(yīng)的后續(xù)溫度測量值(TK2)。在一些實施例中，如果期望激活加熱布置114的指示被計算設(shè)備104保持，則在獲得后續(xù)原始測量值之后，控制系統(tǒng)116保持加熱布置114和/或開關(guān)元件128處于激活狀態(tài)。在其它實施例中，控制系統(tǒng)116可在獲取后續(xù)原始測量值之后停用加熱布置114，并且保持加熱布置114處于停用激活狀態(tài)，直到從計算設(shè)備104接收到期望激活加熱布置114的后續(xù)指示。
[0030]在獲得后續(xù)原始測量值之后，以與上述類似的方式(例如，任務(wù)206)，通過基于后續(xù)測量值和感測布置的校準(zhǔn)信息來確定后續(xù)溫度處的后續(xù)性能特性值(任務(wù)216)，校準(zhǔn)過程200繼續(xù)進行。例如，控制系統(tǒng)116可將后續(xù)原始磁場和溫度測量值輸出到計算設(shè)備104，計算設(shè)備104進而使用磁感測布置110的校準(zhǔn)信息根據(jù)后續(xù)原始磁場測量值(Mk2)和/或后續(xù)溫度測量值(Tk2)來計算或以其它方式確定第二磁場偏移值(OFF2)或第二磁場靈敏度值(SENS2)。如上面所描述的，在其它實施例中，控制系統(tǒng)116可(例如，在存儲器115中)保持磁感測布置110的校準(zhǔn)信息，其中控制系統(tǒng)116以與上述計算設(shè)備104的背景中類似的方式基于后續(xù)磁場和溫度測量值自動確定后續(xù)性能特性值。
[0031]在圖2所說明的實 施例中，在確定后續(xù)補償值之后，通過基于在不同溫度處的性能特性的不同值來確定性能特性的溫度系數(shù)(任務(wù)218)，校準(zhǔn)過程200繼續(xù)進行。在這個方面，溫度系數(shù)解釋了性能特性(例如，磁場偏移、磁場靈敏度等等)相對于磁感測布置110和/或傳感器管芯120的溫度的變化，其可后續(xù)地被用來提供更精確的溫度補償后的磁場測量值。根據(jù)一個實施例，基于性能特性值相對于溫度中的變化的變化，使用線性回歸來確定.0FK - OFF,
相應(yīng)性能特性的溫度系數(shù)。例如，磁場偏移溫度系數(shù)可被確定為(=廠—廠^在實




1R2 1Rl








O
踐中，可以使用任何合適的解算方程系統(tǒng)的方法或任何合適的回歸分析來確定溫度系數(shù)。換句話說，除了磁感測布置Iio和/或傳感器管芯120的溫度之外，可以使用高階方程(或函數(shù))和/或根據(jù)其它變量和/或測量值來確定溫度系數(shù)。將了解，所使用的用于確定相應(yīng)溫度系數(shù)的方程順序可取決于特定實施例的需要而變化。在這個方面，對于高階溫度系數(shù)確定，校準(zhǔn)過程200可重復(fù)激活加熱布置和獲得附加后續(xù)測量(任務(wù)208、210、212、214、216)的任務(wù)，以提供附加自由度和/或附加數(shù)據(jù)點。
[0032]仍然參照圖2，在確定溫度系數(shù)信息之后，通過存儲與溫度系數(shù)相對應(yīng)的修正代碼以在確定后續(xù)溫度補償后的測量值中使用(任務(wù)220)，校準(zhǔn)過程200繼續(xù)進行。根據(jù)一個或多個實施例，通過將溫度系數(shù)轉(zhuǎn)換為存儲在或以其它方式保持在補償寄存器170中的數(shù)字值(或代碼)來確定修正代碼，以允許控制系統(tǒng)116確定溫度補償值并且通過使用修正代碼調(diào)整后續(xù)原始磁場測量值來輸出溫度補償后的磁場測量值。根據(jù)一個或多個實施例，計算設(shè)備104基于它們相應(yīng)的溫度系數(shù)(Ctc^P Cts)來確定磁場偏移和靈敏度修正代碼，并且存儲或以其它方式將修正代碼(Ctc^PCts)提供給補償寄存器170。在其它實施例中，控制系統(tǒng)116確定溫度系數(shù)和對應(yīng)修正代碼，并且將修正代碼存儲在補償寄存器170或存儲器115 中。
[0033]圖3描繪了適合于通過感測系統(tǒng)實現(xiàn)以獲得感測到的物理屬性的溫度補償后的測量值的測量過程300的示例性實施例?？赏ㄟ^由處理電路或其它合適硬件執(zhí)行的硬件、軟件和/或固件、或其任何組合來執(zhí)行與所說明的過程300有關(guān)的各種任務(wù)。為了說明的目的，下面的描述可涉及以上結(jié)合圖1提到的元件。在實踐中，測量過程300的部分或通過感測系統(tǒng)100的不同元件被執(zhí)行，例如，計算設(shè)備104、控制系統(tǒng)116、磁性感測布置110、溫度感測布置112、加熱布置114、采樣布置122、124和/或開關(guān)元件128、142、144。應(yīng)了解，測量過程300的實用實施例可能包括任何數(shù)目的附加或替代任務(wù)，不需要按說明的順序執(zhí)行任務(wù)和/或可以同時執(zhí)行任務(wù)，和/或測量過程300可以被合并到更全面的程序或具有在此沒有詳細描述的附加功能的過程中。此外，只要預(yù)期的整體功能保持完整，就可以從測量過程300的實用實施例中略去圖3的背景中示出和描述的一個或多個任務(wù)。
[0034]在示例性實施例中，通過將包括要校準(zhǔn)的感測布置的感測器件安裝到電子襯底(任務(wù)302)，測量過程300開始。在這個方面，如下面在圖5的背景中將要更詳細描述的，包括磁感測布置110的感測器件102被安裝到電子襯底，例如，通過焊接、粘合、或以其它方式將感測器件102粘貼到電子襯底。電子襯底可被實現(xiàn)為印刷電路板(PCB)、插入器、或被配置成機械地支撐感測器件102以及給感測器件102提供電連接或從感測器件102提供電連接的其它合適的結(jié)構(gòu)。在示例性實施例中，電子襯底在計算設(shè)備104和感測器件102和/或控制系統(tǒng)116之間提供電互連，以支持上面在圖2的背景中所描述的校準(zhǔn)過程200的操作。取決于實施例，計算設(shè)備104可在感測器件102被安裝到電子襯底之前或之后被安裝到電子襯底。
[0035]在感測器件被安裝到電子襯底之后，通過校準(zhǔn)感測器件上的感測布置(任務(wù)304)，測量過程300繼續(xù)進行。在這個方面，在示例性實施例中，通過執(zhí)行以上在圖2的背景中所描述的校準(zhǔn)過程200通過校準(zhǔn)感測器件102的磁感測布置110，測量過程300繼續(xù)進行。例如，在感測器件102被安裝到電子襯底之后，計算設(shè)備104經(jīng)由由電子襯底提供的互連用信號通知或以其它方式向控制系統(tǒng)116提供期望獲得初始原始磁場和溫度測量值(例如，任務(wù)202、204)的指示。作為響應(yīng)，控制系統(tǒng)116激活開關(guān)元件142、144，并且同時操作采樣布置122、124期望次數(shù)以獲得初始原始磁場測量值和與初始采樣時間相對應(yīng)的初始溫度測量值。根據(jù)一個或多個實施例，控制系統(tǒng)116向計算設(shè)備104提供初始原始磁場測量值和初始溫度測量值，其中，計算設(shè)備104基于初始磁場和溫度測量值來確定一個或多個初始性能特性值(例如，任務(wù)206)。在獲得初始測量值之后，在示例性實施例中，計算設(shè)備104經(jīng)由由電子襯底提供的互連用信號通知或以其它方式向控制系統(tǒng)116提供期望激活加熱布置114并且獲得后續(xù)原始磁場和溫度測量值的指示(例如，任務(wù)208、210、212、214 )。如上面所描述的，控制系統(tǒng)116激活加熱布置114和/或開關(guān)元件128所期望的時間量，然后激活開關(guān)元件142、144，并且同時操作采樣布置122、124期望次數(shù)以獲得后續(xù)原始磁場測量值和后續(xù)溫度測量值，同時當(dāng)采樣布置122、124被操作以對感測布置110、112的輸出進行采樣的時候停用加熱布置114。根據(jù)一個或多個實施例，控制系統(tǒng)116向計算設(shè)備104提供后續(xù)原始磁場測量值和后續(xù)溫度測量值，其中，所述計算設(shè)備104基于后續(xù)磁場和溫度測量值來確定一個或多個后續(xù)性能特性值，基于相對于后續(xù)原始測量溫度處的后續(xù)性能特性值的初始原始測量溫度處的性能特性值之間的關(guān)系來確定性能特性值的溫度系數(shù)，確定與那些溫度系數(shù)相對應(yīng)的修正代碼，以及將修正代碼存儲在補償寄存器170中(例如，任務(wù)216、218、220)。根據(jù)一個或多個實施例，在完成校準(zhǔn)過程200之后，計算設(shè)備104用信號通知或以其它方式指示期望停用加熱布置114，其中所述控制系統(tǒng)116停用或以其它方式禁用加熱布置114和/或開關(guān)元件128。
[0036]仍然參照圖3，在示例性實施例中，在校準(zhǔn)感測布置之后，通過操作感測布置來獲得后續(xù)原始測量(任務(wù)306)，測量過程300繼續(xù)進行。在這個方面，在完成校準(zhǔn)過程200之后，當(dāng)期望新的磁場測量值的時候，計算設(shè)備104用信號通知或以其它方式提供期望從所述感測器件102獲得新的磁場測量值的指示。以與上面所描述的類似的方式，控制系統(tǒng)116激活開關(guān)元件142、144，并且同時操作采樣布置122、124期望的次數(shù)以獲得更新的原始磁場的測量值(例如，Mu)和與那個最近采樣時間相對應(yīng)的更新的溫度測量值(例如，TuX
[0037]在校準(zhǔn)過程完成之后，通過基于所述感測器件的當(dāng)前溫度和所存儲的修正代碼來確定溫度補償值、使用溫度補償值來調(diào)整原始測量值以獲得溫度補償后的的測量值、以及輸出或以其它方式向計算設(shè)備提供溫度補償后的測量值(任務(wù)308、310、312)，測量過程300繼續(xù)進行。在這個方面，控制系統(tǒng)116使用經(jīng)由溫度感測布置112獲得的更新的溫度測量值和在補償寄存器170中保持的修正代碼來計算溫度補償值，以補償磁感測布置110和/或傳感器管芯120的當(dāng)前溫度。在各種實施例中，可向更新的磁場的測量值加上和/或從中減去溫度補償值，可通過將更新的原始磁場測量值乘以和/或除以溫度補償值來縮放更新的原始磁場測量值，或可使用溫度補償值以另一種合適的方式修改更新的原始磁場測量值。例如，根據(jù)一個實施例，控制系統(tǒng)116通過將修正代碼乘以更新的(例如，當(dāng)前的或最近獲得的)溫度測量值和初始溫度測量值之差(例如，0T。= CtoX (Tu-Tei))來計算磁場偏移溫度補償值(例如，Otc),并且通過將計算的磁場偏移溫度補償值與更新的(例如，當(dāng)前的或最近獲得的)原始磁場測量值相加(例如，Mrc = Mf(V)來計算溫度補償后的磁場測量值(例如，Mtc)以補償歸因于溫度而對磁感測布置110的磁場偏移造成的變化。以這種方式，在感測器件102被焊接、安裝、或以其它方式粘結(jié)到電子襯底之后，實現(xiàn)的校準(zhǔn)的磁場偏移或以其它方式提供在磁傳感器管芯120上的磁場偏移可修正溫度變化。在不例性實施例中，控制系統(tǒng)116提供了溫度補償后的磁場測量值作為經(jīng)由由電子襯底提供的電互連輸出到計算設(shè)備104。由任務(wù)306、308、310以及312定義的循環(huán)可重復(fù)感測系統(tǒng)100的整個操作。當(dāng)感測器件102需要被重新校準(zhǔn)的時候，在繼續(xù)進行由任務(wù)306、308、310以及312定義的循環(huán)之前，計算設(shè)備104用信號通知、命令、或以其它方式操作感測器件102以重復(fù)校準(zhǔn)過程(例如，任務(wù)304)。根據(jù)一個或多個實施例，當(dāng)感測器件102的當(dāng)前溫度偏離初始溫度測量值多于閥值時，或當(dāng)流逝的時間量從校準(zhǔn)過程200的前一次迭代開始超過閾值時間量時，控制系統(tǒng)116自動確定重復(fù)校準(zhǔn)過程200。
[0038]圖4描繪了圖示通過圖1的感測系統(tǒng)100實現(xiàn)圖2的校準(zhǔn)過程200的示例性實施例的時序圖400。如所說明的，在某個初始時間U1),計算設(shè)備104明確肯定測量信號Cmeas.active.en )或以其它方式向控制系統(tǒng)116提供期望開始獲得磁場測量的指示。響應(yīng)于從計算設(shè)備104接收到信號，控制系統(tǒng)116明確肯定或以其它方式提供信號(’mag_sens.en')以激活開關(guān)元件142，從而激活磁感測布置110。在激活磁感測布置110之后，控制系統(tǒng)116明確肯定或以其它方式提供信號(’ mag_data_aCq’)來操作采樣布置122以采樣或以其它方式獲得磁感測布置110的輸出作為初始原始磁場測量值。如上面所描述的，在示例性實施例中，控制系統(tǒng)116還在激活開關(guān)元件142的同時激活該開關(guān)元件144，并且在操作采樣布置122以獲得初始溫度測量值的同時操作采樣布置124。在操作采樣布置122、124之后，控制系統(tǒng)116經(jīng)由開關(guān)元件142、144停用感測布置110、112?？刂葡到y(tǒng)116可存儲原始磁場和溫度測量值，或輸出或以其它方式向計算設(shè)備104提供原始磁場和溫度測量值。
[0039]在某個后續(xù)時間(t2),計算設(shè)備104明確肯定加熱器信號(’ die_heater_en’ )或以其它方式向控制系統(tǒng)116提供期望加熱磁感測布置的指示110和/或磁傳感器管芯120的指示。響應(yīng)于從計算設(shè)備104接收到加熱器信號，控制系統(tǒng)116明確肯定或以其它方式提供信號(’ heat_en’)以激活開關(guān)元件128，從而激活加熱布置114以允許電流流經(jīng)電阻元件126。在激活加熱布置114之后，控制系統(tǒng)116激活磁感測布置110 (例如，通過明確肯定’mag_sens_en’ )以促進在由保持在測量配置寄存器160中的測量配置信息決定的某個后續(xù)采樣時間(t3)獲得更新的磁場測量值。在激活磁感測布置110之后，控制系統(tǒng)116操作采樣布置122以采樣或以其它方式獲取磁感測布置110的輸出作為在后續(xù)采樣時間(t3)更新的原始磁場測量值。如所說明的，在采樣磁感測布置110的輸出時，控制系統(tǒng)116與操作采樣布置122同步地停用加熱布置114 (例如，通過非明確肯定’heat_en’ )以防止電流流經(jīng)電阻兀件126。換句話說,在明確肯定加熱器信號時,控制系統(tǒng)116在規(guī)定的米樣時間(t3)自動停用加熱布置114。在所說明的實施例中，在明確肯定加熱器信號時，控制系統(tǒng)116與停止采樣布置122的操作同步地自動重新激活加熱布置114以恢復(fù)流經(jīng)電阻元件126的電流。如上面所描述的，控制系統(tǒng)116可存儲更新的原始磁場和溫度測量值，或輸出或以其它方式向計算設(shè)備104提供用于確定溫度系數(shù)和修正代碼的更新的原始磁場和溫度測量值。
[0040]在所說明的時序圖400中，在明確肯定測量信號(’meas_active_en’ )時,根據(jù)保持在測量配置寄存器160中的測量配置信息，控制系統(tǒng)116連續(xù)操作開關(guān)元件142、144以及采樣布置122、124以獲得原始測量。在這個方面，雖然明確肯定加熱器信號，但是控制系統(tǒng)116與操作采樣布置122、124同步地自動停用加熱布置114，以防止流經(jīng)電阻元件126的電流影響被磁感測布置110感測到的磁場，和/或防止由加熱布置114生成的熱量影響被溫度感測布置112感測到的溫度，并且當(dāng)采樣布置122、124不再采樣感測布置110、112的輸出的時候，自動重新激活加熱布置114。
[0041]參照圖2-4，根據(jù)替代實施例，在執(zhí)行校準(zhǔn)過程200之前或以其它方式在獲得用于確定溫度系數(shù)的初步測量之前，加熱布置114可被初始激活。例如，在某個初始時間，計算設(shè)備104可能明確肯定加熱器信號或以其它方式提供期望加熱磁感測布置110和/或磁傳感器管芯120的指示。響應(yīng)于從計算設(shè)備104接收到加熱器信號，控制系統(tǒng)116明確肯定或以其它方式提供信號(‘heat_en’)以激活開關(guān)元件128，從而激活加熱布置114以允許電流流經(jīng)電阻元件126。后續(xù)地，計算設(shè)備104明確肯定測量信號或以其它方式提供期望開始獲得磁場測量的指示，其中，控制系統(tǒng)116在操作采樣布置122、124時通過激活磁感測布置110和停用加熱布置114來作出響應(yīng)以獲得初始測量值。在獲得初始測量值之后，計算設(shè)備104可能移除或以其它方式非明確肯定加熱器信號。作為響應(yīng)，控制系統(tǒng)116停用加熱布置114,從而允許磁傳感磁傳感器110和/或磁傳感器管芯120冷卻或以其它方式在較低的溫度處獲得后續(xù)測量值之前降低該溫度。以這種方式，在磁感測布置110和/或磁傳感器管芯120具有低于與初始測量值相對應(yīng)的初始溫度的溫度時，獲得用于計算后續(xù)性能特性值和溫度系數(shù)的后續(xù)測量值。
[0042]圖5描繪了示例性感測系統(tǒng)500的截面圖，所述感測系統(tǒng)500包括被安裝到共同電子襯底結(jié)構(gòu)506的感測器件封裝件502 (例如，感測器件102)和計算設(shè)備封裝件504 (例如，計算設(shè)備104)。在這個方面，圖5描繪了圖1的感測系統(tǒng)100的一個示例性實施例。在所說明的實施例中，感測器件502包括ASIC管芯530 (例如，ASIC管芯130)，ASIC管芯530例如通過使用環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂粘合被粘貼、粘合、或以其它方式安裝到封裝襯底結(jié)構(gòu)510。當(dāng)被安裝到電子襯底506的時候,封裝襯底結(jié)構(gòu)510可被實現(xiàn)為引線框架結(jié)構(gòu)、插入器、電路板、或其它合適的電子襯底，所述其它電子襯底包括導(dǎo)電跡線和/或其它電氣互連、焊錫球等等以向/從ASIC管芯530和電子襯底506提供所期望的安裝配置和所期望的電連接。感測器件502還包括以類似的方式被粘貼、粘合、或以其它方式被安裝到ASIC管芯530的上表面的傳感器管芯520 (例如，傳感器管芯120)。在所說明的實施例中，管芯520、530的上表面包括導(dǎo)電粘結(jié)盤(或接觸盤)；所述導(dǎo)電粘結(jié)盤(或接觸盤)起到輸入/輸出端子的作用以用于向管芯520、530提供和/或從管芯520、530接收電信號，其中導(dǎo)電絲焊534形成在傳感器管芯520的上側(cè)表面的粘結(jié)盤和ASIC管芯530的上側(cè)表面的對應(yīng)粘結(jié)盤之間以在管芯520、530之間提供電連接(例如，從磁感測布置110的輸出到采樣布置122的輸入)，并且類似地，絲焊536形成在ASIC管芯530的上側(cè)表面的粘結(jié)盤和封裝襯底結(jié)構(gòu)510之間以給電子襯底506提供電連接，所述感測器件502后續(xù)被安裝到所述電子襯底506。在將管芯520、530粘貼到封裝襯底結(jié)構(gòu)510以及形成粘結(jié)盤534、536之后，通過形成覆蓋所述管芯520、530的諸如熱固環(huán)氧樹脂模塑化合物的模塑化合物550來封裝所述管芯520、530和粘結(jié)盤534、536，傳感器器件封裝件502的制作繼續(xù)進行。應(yīng)注意，雖然圖5中未說明，但是在實用實施例中，感測器件502可包括堆疊在傳感器管芯520上方或ASIC管芯530下方的附加管芯。此外，在其它實施例中，ASIC管芯530可被堆疊在傳感器管芯520的上方。
[0043]在示例性實施例中，電子襯底結(jié)構(gòu)506被實現(xiàn)為PCB、插入器、或能夠給器件封裝件502、504提供物理支持以及其間的電連接的另一種合適的結(jié)構(gòu)。在這個方面，以經(jīng)由絲焊536在ASIC管芯530和電子襯底506之間提供電連接的方式，感測器件封裝件502的封裝襯底結(jié)構(gòu)510被粘貼、粘合、焊接、或以其它方式被安裝到電子襯底506。以類似的方式，計算設(shè)備封裝件504包括被粘貼、粘合、焊接、或以其它方式被安裝到電子襯底506的封裝襯底結(jié)構(gòu)560，使得電子襯底506在計算設(shè)備504和ASIC管芯530之間提供電連接，以支持如上面所描述的圖2的校準(zhǔn)過程200和/或圖3的測量過程300的操作。在實踐中，施加在感測器件封裝件502上的物理和/或熱應(yīng)力給其中所包含的管芯520、530施加應(yīng)力，其進而影響了在傳感器管芯520上提供的感測布置的性能。例如，在傳感器管芯520上的磁感測布置110的情況下，從焊接感測器件封裝件502到電子襯底506的應(yīng)力可能增加和/或降低其磁場靈敏度、磁場偏移等等。
[0044]圖6描繪了在圖5中所說明的堆疊管芯配置的示例性實施例的頂視圖。在所說明的實施例中，ASIC管芯530包括形成在ASIC管芯530上側(cè)表面的一對加熱布置614 (例如，加熱布置114)，它們被部署在傳感器管芯520的相對側(cè)，例如，在ASIC管芯530的相對角處或相對角附近。在示例性實施例中，加熱布置614大體上到感測布置610是等距離以從相對側(cè)均勻地加熱感測布置610。在所說明的實施例中，溫度感測布置612形成在ASIC管芯530的上表面，大體上到每一個感測布置614是等距離的，使得感測到的溫度或以其它方式被溫度感測布置612測量的溫度非極度地受獨立加熱布置614的影響。在一個或多個實施例中，溫度感測布置612以相當(dāng)于磁感測布置610和加熱布置(次)614之間的等距間隔的距離被放置在大體上到加熱布置614是等距離的地方，使得歸因于被激活的加熱布置614的溫度感測布置612的溫度波動對應(yīng)于磁感測布置610所經(jīng)歷的預(yù)期溫度波動。應(yīng)注意圖6僅僅描繪了相對于感測布置610和/或傳感器管芯520的加熱布置614和溫度感測布置612的一個示例性配置，并且在實踐中，加熱布置614和/或溫度感測布置612的位置將取決于平面圖約束和特定實施例的需要而變化。例如，在一些實施例中，ASIC管芯530可包括感測布置610和/或傳感器管芯520周圍的附加加熱布置614，和/或溫度感測布置612可被部署在感測布置610下方以能夠更準(zhǔn)確地測量感測布置610的溫度。在又一實施例中，加熱布置614可提供在傳感器管芯520和/或感測布置610的下方。
[0045]為了簡便起見，在本發(fā)明中可不詳細描述涉及磁感測、溫度感測、校準(zhǔn)方法、半導(dǎo)體和/或集成電路制作、MEMS器件、器件封裝、以及主題的其它功能方面的常規(guī)技術(shù)。此外，僅供參考的目的，某些術(shù)語也可在本發(fā)明中被使用，因此不旨在是限制性的。例如，關(guān)于結(jié)構(gòu)的術(shù)語“第一”、“第二”等這樣的數(shù)值術(shù)語不意味著序列或順序，除非明確地表示。如在此使用的，“節(jié)點”是指任何內(nèi)部或外部的參考點、連接點、結(jié)點、信號線、導(dǎo)電元件、等等；在所述參考點、連接點、結(jié)點、信號線、導(dǎo)電元件、等等處存在給定信號、邏輯電平、電壓、數(shù)據(jù)模式、電流或數(shù)量。
[0046]前面的描述也指被“連接”或“耦合”在一起的單元或節(jié)點或特征。如在此使用的，除非明確聲明，“連接”是指元件被直接結(jié)合到(或直接連通)另一元件，而不一定是機械地。同樣地，除非明確聲明，否則“耦合”是指一個元件被直接或間接結(jié)合到(或直接或間接連通)另一元件，而不一定是機械地。因此，雖然附圖可能描述了電路元件和/或端子之間的直接電連接，但是替代實施例可采用中間電路元件和/或組件，同時以實質(zhì)上類似的方式進行運作。
[0047]最后，根據(jù)本發(fā)明的示例實施例配置的系統(tǒng)、裝置以及方法涉及:
[0048]提供了一種感測器件的實施例。所述感測器件包括第一感測布置，所述第一感測布置在第一襯底上以感測第一屬性；加熱布置；以及控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)耦合到所述第一感測布置和所述加熱布置，以激活所述加熱布置加熱所述第一襯底，以及在從所述第一感測布置獲得所述第一屬性的一個或多個測量值時停用所述加熱布置。在一個實施例中，所述感測器件進一步包括溫度感測布置，其中所述控制系統(tǒng)稱合到所述溫度感測布置，以在獲得所述第一屬性的所述一個或多個測量值的同時，從所述溫度感測布置獲得一個或多個測量的溫度值。在另一個實施例中，所述感測器件包括存儲元件以保持所述第一感測布置的修正代碼，其中所述控制系統(tǒng)耦合到所述存儲元件，以基于所述修正代碼和所述一個或多個測量的溫度值來確定溫度補償值，以及基于所述溫度補償值和所述第一屬性的所述一個或多個測量值來輸出所述第一屬性的溫度補償后的測量值。在另一個實施例中，所述感測器件進一步包括第二襯底，在所述第二襯底上部署有所述加熱布置。在一個實施例中，所述控制系統(tǒng)被部署在所述第二襯底上。在另一個實施例中，所述第一襯底和所述第二襯底被封裝在單個器件封裝件中。在又一個實施例中，溫度感測布置被提供在所述第二襯底上，其中所述控制系統(tǒng)耦合到所述溫度感測布置，以從所述溫度感測布置獲得與所述第一屬性的所述一個或多個測量值相對應(yīng)的一個或多個測量的溫度值。在又一個實施例中，所述第一襯底和所述第二襯底被堆疊。根據(jù)另一個實施例，所述第一感測布置包括磁感測布置，所述磁感測布置被配置成感測周圍磁場。
[0049]在另一個示例性實施例中，提供了一種用于校準(zhǔn)部署在半導(dǎo)體襯底上的感測布置的方法。所述方法包括從所述感測布置獲得由所述感測布置感測到的與第一溫度相對應(yīng)的第一屬性的第一測量值；在獲得所述第一測量值之后，激活加熱布置以加熱所述半導(dǎo)體襯底；以及在激活所述加熱布置之后:從所述感測布置獲得與第二溫度相對應(yīng)的所述第一屬性的第二測量值；在獲得所述第二測量值時停用所述加熱布置。在一個實施例中，所述方法進一步包括在獲得所述第二測量值之后，從所述感測布置獲得與第三溫度相對應(yīng)的所述第一屬性的第三測量值；基于所述第三溫度和所述感測布置的修正代碼來確定溫度補償值，其中至少部分基于所述第一測量值、所述第一溫度、所述第二測量值、以及所述第二溫度來確定所述修正代碼；以及按照所述溫度補償值來調(diào)整所述第三測量值，以獲得所述第一屬性的溫度補償后的測量值。在另一個實施例中，停用所述加熱布置包括:在操作耦合到所述感測布置的輸出的采樣布置以獲得所述第二測量值的同時，停用所述加熱布置。在又一個實施例中，所述加熱布置被部署在第二半導(dǎo)體襯底上，所述第二半導(dǎo)體襯底與所述半導(dǎo)體襯底一起封裝在器件封裝件中，其中所述方法進一步包括在獲得所述第一測量值的同時，從在所述第二半導(dǎo)體襯底上的溫度感測布置獲得與所述第一溫度相對應(yīng)的第一溫度測量值；以及在獲得所述第二測量值的同時，從所述溫度感測布置獲得與所述第二溫度相對應(yīng)的第二溫度測量值。在另一個實施例中，所述方法進一步包括在獲得所述第一測量值之前，將所述器件封裝件安裝到電子襯底，其中激活所述加熱布置包括:從安裝到所述電子襯底的計算設(shè)備接收指示；以及響應(yīng)于接收到所述指示，激活所述加熱布置。在一個實施例中，停用所述加熱布置包括當(dāng)所述指示被明確肯定時，停用所述加熱布置。在另一個實施例中，所述方法進一步包括存儲至少部分基于所述第一測量值、所述第一溫度測量值、所述第二測量值、以及所述第二溫度測量值確定的修正代碼；在獲得所述第二溫度測量值之后，從所述感測布置獲得所述第一屬性的第三測量值；從所述溫度感測布置獲得第三溫度測量值；基于所述第三溫度測量值和所述修正代碼來確定溫度補償值；按照所述溫度補償值來調(diào)整所述第三測量值，以獲得所述第一屬性的溫度補償后的測量值；以及向所述計算設(shè)備提供所述溫度補償后的測量值。
[0050]在又一個實施例中,提供了一種感測系統(tǒng)的實施例，所述系統(tǒng)包括第一襯底，在所述第一襯底上提供有磁感測布置；以及第二襯底。所述第二襯底包括:加熱布置，所述加熱布置被配置成加熱所述第一襯底；以及在其上提供的控制系統(tǒng)，其中所述控制系統(tǒng)耦合到所述磁感測布置和所述加熱布置，以操作所述加熱布置并且從所述磁感測布置獲得原始磁場測量值。在一個實施例中，所述系統(tǒng)進一步包括在所述第二襯底上的溫度感測布置，其中所述控制系統(tǒng)耦合到所述溫度感測布置，以在獲得所述原始磁場測量值的同時獲得溫度測量值。在另一個實施例中，所述系統(tǒng)進一步包括在所述第二襯底上的存儲元件以保持所述磁感測布置的修正代碼，其中所述控制系統(tǒng)耦合到所述存儲元件，以基于所述溫度測量值和所述修正代碼來確定溫度補償值，以及使用所述溫度補償值來調(diào)整所述原始磁場測量值以獲得溫度補償后的磁場測量值。在另一個實施例中，所述系統(tǒng)進一步包括在其上提供有計算設(shè)備的電子襯底，其中所述控制系統(tǒng)經(jīng)由所述電子襯底耦合到所述計算設(shè)備，以接收期望加熱所述第一襯底的指示并且響應(yīng)于所述指示而激活所述加熱布置。
[0051]雖然在前述詳細說明中已經(jīng)提出了至少一個示例性實施例，但是應(yīng)認識到還存在大量的變化。還應(yīng)認識到在此描述的一個或多個示例性實施例不旨在以任何方式限定所要求保護的主題的范圍、適用性、或配置。而是，前述詳細描述將給本領(lǐng)域技術(shù)人員提供一條便捷的路線圖以用于實現(xiàn)所描述的實施例。應(yīng)了解，在不脫離權(quán)利要求所定義的范圍情況下，元素的功能和布置可以做各種變化，其包括在提交本專利申請時侯的已知等同物以及可預(yù)見的等同物。因此，示例性實施例的細節(jié)或上面所描述的其它限制在沒有明確意圖的情況下不應(yīng)該相反地解讀權(quán)利要求。
【權(quán)利要求】
1.一種感測器件，包括: 第一感測布置，所述第一感測布置在第一襯底上以感測第一屬性； 加熱布置；以及 控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)耦合到所述第一感測布置和所述加熱布置，以激活所述加熱布置加熱所述第一襯底，以及在從所述第一感測布置獲得所述第一屬性的一個或多個測量值時停用所述加熱布置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測器件，進一步包括溫度感測布置，其中所述控制系統(tǒng)耦合到所述溫度感測布置，以在獲得所述第一屬性的所述一個或多個測量值的同時，從所述溫度感測布置獲得一個或多個測量的溫度值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感測器件，進一步包括存儲元件以保持所述第一感測布置的修正代碼，其中所述控制系統(tǒng)耦合到所述存儲元件，以基于所述修正代碼和所述一個或多個測量的溫度值來確定溫度補償值，以及基于所述溫度補償值和所述第一屬性的所述一個或多個測量值來輸出所述第一屬性的溫度補償后的測量值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測器件，進一步包括第二襯底，在所述第二襯底上部署有所述加熱布置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的感測器件，其中所述控制系統(tǒng)被部署在所述第二襯底上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的感測器件，其中所述第一襯底和所述第二襯底被封裝在單個器件封裝件中。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的感測器件，進一步包括在所述第二襯底上的溫度感測布置，其中所述控制系統(tǒng)耦合到所述溫度感測布置，以從所述溫度感測布置獲得與所述第一屬性的所述一個或多個測量值相對應(yīng)的一個或多個測量的溫度值。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的感測器件，其中所述第一襯底和所述第二襯底被堆疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測器件，其中所述第一感測布置包括磁感測布置，所述磁感測布置被配置成感測周圍磁場。
10.一種校準(zhǔn)在半導(dǎo)體襯底上部署的感測布置的方法，所述方法包括: 從所述感測布置獲得由所述感測布置感測到的與第一溫度相對應(yīng)的第一屬性的第一測量值； 在獲得所述第一測量值之后，激活加熱布置以加熱所述半導(dǎo)體襯底；以及 在激活所述加熱布置之后: 從所述感測布置獲得與第二溫度相對應(yīng)的所述第一屬性的第二測量值； 在獲得所述第二測量值時停用所述加熱布置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進一步包括: 在獲得所述第二測量值之后，從所述感測布置獲得與第三溫度相對應(yīng)的所述第一屬性的第三測量值； 基于所述第三溫度和所述感測布置的修正代碼來確定溫度補償值，其中至少部分基于所述第一測量值、所述第一溫度、所述第二測量值、以及所述第二溫度來確定所述修正代碼；以及 按照所述溫度補償值來調(diào)整所述第三測量值，以獲得所述第一屬性的溫度補償后的測量值。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中停用所述加熱布置包括:在操作耦合到所述感測布置的輸出的采樣布置以獲得所述第二測量值的同時，停用所述加熱布置。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，所述加熱布置被部署在第二半導(dǎo)體襯底上，所述第二半導(dǎo)體襯底與所述半導(dǎo)體襯底一起封裝在器件封裝件中，其中所述方法進一步包括: 在獲得所述第一測量值的同時，從在所述第二半導(dǎo)體襯底上的溫度感測布置獲得與所述第一溫度相對應(yīng)的第一溫度測量值；以及 在獲得所述第二測量值的同時，從所述溫度感測布置獲得與所述第二溫度相對應(yīng)的第二溫度測量值。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，進一步包括:在獲得所述第一測量值之前，將所述器件封裝件安裝到電子襯底，其中激活所述加熱布置包括: 從安裝到所述電子襯底的計算設(shè)備接收指示；以及 響應(yīng)于接收到所述指示，激活所述加熱布置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中停用所述加熱布置包括:當(dāng)所述指示被明確肯定時，停用所述加熱布置。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進一步包括: 存儲至少部分基于所述第一測量值、所述第一溫度測量值、所述第二測量值、以及所述第二溫度測量值確定的修正代碼； 在獲得所述第二溫度測量值之后，從所述感測布置獲得所述第一屬性的第三測量值； 從所述溫度感測布置獲得第三溫度測量值；` 基于所述第三溫度測量值和所述`修正代碼來確定溫度補償值； 按照所述溫度補償值來調(diào)整所述第三測量值，以獲得所述第一屬性的溫度補償后的測量值；以及 向所述計算設(shè)備提供所述溫度補償后的測量值。
17.—種系統(tǒng),包括: 第一襯底，在所述第一襯底上提供有磁感測布置；以及 第二襯底，包括: 加熱布置，所述加熱布置被配置成加熱所述第一襯底；以及 在其上提供的控制系統(tǒng)，其中所述控制系統(tǒng)耦合到所述磁感測布置和所述加熱布置，以操作所述加熱布置并且從所述磁感測布置獲得原始磁場測量值。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，進一步包括在所述第二襯底上的溫度感測布置，其中所述控制系統(tǒng)耦合到所述溫度感測布置，以在獲得所述原始磁場測量值的同時獲得溫度測量值。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，進一步包括在所述第二襯底上的存儲元件以保持所述磁感測布置的修正代碼，其中所述控制系統(tǒng)耦合到所述存儲元件，以基于所述溫度測量值和所述修正代碼來確定溫度補償值，以及使用所述溫度補償值來調(diào)整所述原始磁場測量值以獲得溫度補償后的磁場測量值。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，進一步包括在其上提供有計算設(shè)備的電子襯底，其中所述控制系統(tǒng)經(jīng)由所述電子襯底耦合到所述計算設(shè)備，以接收期望加熱所述第一襯底的指示并且響應(yīng)于所述指示而激活所述加熱布置。
【文檔編號】G01D3/028GK103512586SQ201310235087
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年6月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月14日
【發(fā)明者】凱文·R·富蓋特, 愛德華·W·卡斯滕斯, 佩奇·M·霍爾姆, 迪安·W·米勒 申請人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司