背光監(jiān)控裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種背光監(jiān)控裝置，包括激光器、探測器、電源、單片機、四個晶體管和兩個取樣電阻；四個晶體管分別為第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管以及第四晶體管，兩個取樣電阻分別為第一取樣電阻和第二取樣電阻；所述激光器連接至第一晶體管，第一晶體管連接至第二晶體管，第二晶體管連接至第一取樣電阻，第一取樣電阻連接至所述單片機；所述探測器連接至第三晶體管，第三晶體管連接至第四晶體管，第四晶體管連接至第二取樣電阻，第二取樣電阻連接至所述單片機；第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管以及第四晶體管均連接至所述電源。所述背光監(jiān)控裝置通過上述結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)對光器件背光電流進行監(jiān)控，并且監(jiān)控精度高。
【專利說明】背光監(jiān)控裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種背光監(jiān)控裝置，屬于光通信領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)在，光通信業(yè)務(wù)發(fā)展迅速，光模塊在其中起到的作用也越來越重要。在實際應(yīng)用中，光模塊發(fā)射和接收光功率的大小對于系統(tǒng)能否正常運行起到了至關(guān)重要的作用，因此，越來越多的系統(tǒng)上需要光模塊具有數(shù)字診斷監(jiān)控功能，以便能有效的對光模塊發(fā)射和接收光功率進行監(jiān)控，在系統(tǒng)出現(xiàn)故障時，可以提高解決問題的效率。
[0003]為了實現(xiàn)對光模塊發(fā)射和接收功率進行監(jiān)控，首先需要對光器件背光電流進行監(jiān)控，以便檢測光模塊實際發(fā)射和接收功率，而目前的光器件上設(shè)置的背光監(jiān)控元件的精度較低，導(dǎo)致其監(jiān)控誤差較大。
[0004]因此有必要設(shè)計一種背光監(jiān)控裝置，以克服上述問題。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷，提供了一種監(jiān)控精度較高的背光監(jiān)控裝置。
[0006]本實用新型是這樣實現(xiàn)的:
[0007]本實用新型提供一種背光監(jiān)控裝置，包括激光器、探測器、電源、單片機、四個晶體管和兩個取樣電阻；四個晶體管分別為第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管以及第四晶體管，兩個取樣電阻分別為第一取樣電阻和第二取樣電阻；所述激光器連接至第一晶體管，第一晶體管連接至第二晶體管，第二晶體管連接至第一取樣電阻，第一取樣電阻連接至所述單片機；所述探測器連接至第三晶體管，第三晶體管連接至第四晶體管，第四晶體管連接至第二取樣電阻，第二取樣電阻連接至所述單片機；其中，第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管以及第四晶體管均連接至所述電源。
[0008]進一步地，所述第一晶體管和所述第二晶體管相同。
[0009]進一步地，所述第三晶體管和所述第四晶體管相同。
[0010]進一步地，所述激光器至所述第一晶體管之間的電流與所述第二晶體管至所述第一取樣電阻之間的電流相同。
[0011]進一步地，所述探測器至所述第三晶體管之間的電流與所述第四晶體管至所述第二取樣電阻之間的電流相同。
[0012]本實用新型具有以下有益效果:
[0013]所述第一晶體管采集到激光器的背光電流以后，通過第一取樣電阻轉(zhuǎn)換，輸出給單片機，從而實現(xiàn)對發(fā)射光功率的監(jiān)控；而探測器接收到光功率之后，通過第三晶體管和第四晶體管將電流通過所述第二取樣電阻輸出給單片機，實現(xiàn)對接收光功率的監(jiān)控。所述背光監(jiān)控裝置通過上述結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)對光器件背光電流進行監(jiān)控，并且監(jiān)控精度高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0015]圖1為本實用新型實施例提供的背光監(jiān)控裝置的原理框圖。

【具體實施方式】
[0016]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0017]如圖1，本實用新型實施例提供一種背光監(jiān)控裝置，包括激光器、探測器、電源、單片機、四個晶體管和兩個取樣電阻。定義四個晶體管分別為第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管以及第四晶體管，兩個取樣電阻分別為第一取樣電阻和第二取樣電阻。
[0018]如圖1，所述激光器連接至第一晶體管，第一晶體管連接至第二晶體管，第二晶體管連接至第一取樣電阻，第一取樣電阻連接至所述單片機。所述探測器連接至第三晶體管，第三晶體管連接至第四晶體管，第四晶體管連接至第二取樣電阻，第二取樣電阻連接至所述單片機；其中，第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管以及第四晶體管均連接至所述電源。
[0019]如圖1，在本較佳實施例中，所述第一晶體管和所述第二晶體管相同；所述激光器至所述第一晶體管之間的電流與所述第二晶體管至所述第一取樣電阻之間的電流相同。所述第三晶體管和所述第四晶體管相同；所述探測器至所述第三晶體管之間的電流與所述第四晶體管至所述第二取樣電阻之間的電流相同。
[0020]如圖1，所述電源給四個晶體管供電，激光器正常發(fā)光時會有一定的背光電流流過，即A處電流值為II，由于第一晶體管和第二晶體管的工作指標(biāo)和電氣性能均相同，所以在B處流經(jīng)二者的電流是相同的，那么C處的電流12=11，電流12經(jīng)過第一取樣電阻處理后輸出給單片機，單片機實現(xiàn)對發(fā)射器件發(fā)光功率實時監(jiān)控。同樣的，當(dāng)探測器件接收到一定功率的光時，會有電流流經(jīng)D處，該電流為13，在E處第三晶體管和第四晶體管的電流相同，所以F處電流14=13，電流14經(jīng)過第二取樣電阻處理后輸出給單片機，單片機實現(xiàn)對接收光功率實時監(jiān)控。
[0021]另外，本實用新型涉及的各個光模塊不局限于封裝形式和傳輸速率。
[0022]本實用新型實現(xiàn)對光模塊發(fā)射和接收光功率監(jiān)控，裝置簡單，監(jiān)控精度高，成本較低，應(yīng)用方便，并且不局限于封裝形式和傳輸速率，經(jīng)過驗證，本實用新型高精度的背光監(jiān)控裝置滿足應(yīng)用要求，受環(huán)境影響小，對光功率監(jiān)控精度可以控制在±0.3dB以內(nèi)。
[0023]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種背光監(jiān)控裝置，其特征在于，包括激光器、探測器、電源、單片機、四個晶體管和兩個取樣電阻； 四個晶體管分別為第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管以及第四晶體管，兩個取樣電阻分別為第一取樣電阻和第二取樣電阻； 所述激光器連接至第一晶體管，第一晶體管連接至第二晶體管，第二晶體管連接至第一取樣電阻，第一取樣電阻連接至所述單片機； 所述探測器連接至第三晶體管，第三晶體管連接至第四晶體管，第四晶體管連接至第二取樣電阻，第二取樣電阻連接至所述單片機； 其中，第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管以及第四晶體管均連接至所述電源。
2.如權(quán)利要求1所述的背光監(jiān)控裝置，其特征在于:所述第一晶體管和所述第二晶體管相同。
3.如權(quán)利要求1或2所述的背光監(jiān)控裝置，其特征在于:所述第三晶體管和所述第四晶體管相同。
4.如權(quán)利要求1所述的背光監(jiān)控裝置，其特征在于:所述激光器至所述第一晶體管之間的電流與所述第二晶體管至所述第一取樣電阻之間的電流相同。
5.如權(quán)利要求1或4所述的背光監(jiān)控裝置，其特征在于:所述探測器至所述第三晶體管之間的電流與所述第四晶體管至所述第二取樣電阻之間的電流相同。
【文檔編號】H04B10/077GK204231358SQ201420553752
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月25日
【發(fā)明者】穆磊, 李巖 申請人:武漢電信器件有限公司