一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，屬于電聲【技術(shù)領(lǐng)域】。本發(fā)明包括軛鐵、磁鐵、感應(yīng)線圈和平衡電樞，還包括抑制線圈，所述的平衡電樞穿過軛鐵的中間，所述的磁鐵對稱設(shè)置于平衡電樞的兩側(cè)，并固定于軛鐵上；所述的感應(yīng)線圈設(shè)置于平衡電樞的一端，所述的抑制線圈設(shè)置于平衡電樞的另一端；或者，所述的抑制線圈設(shè)置于軛鐵與感應(yīng)線圈之間；或者，所述的抑制線圈設(shè)置于感應(yīng)線圈的后端；所述的抑制線圈產(chǎn)生與感應(yīng)線圈相反的感應(yīng)磁場。本發(fā)明有效地抑制了動(dòng)鐵單元在低頻段的失真，提高了對低音的解析能力，從而改善了動(dòng)鐵單元的低音性能；同時(shí)對于動(dòng)鐵單元的中、高頻優(yōu)勢幾乎沒有影響，滿足了消費(fèi)者的聽覺需求。
【專利說明】一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種動(dòng)鐵單元的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，更具體地說，涉及一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]動(dòng)鐵單元具有隔音效果好、體積小、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛運(yùn)用于耳機(jī)及音箱中。與動(dòng)圈單元相比，動(dòng)鐵單元的頻響曲線更加穩(wěn)定，且使用動(dòng)鐵單元的耳機(jī)更加有助于保護(hù)聽力，但是動(dòng)鐵單元的低頻性能并沒有動(dòng)圈單元的低頻性能好，主要原因在于，動(dòng)鐵單元的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)電磁轉(zhuǎn)換效率較高，且其平衡電樞的機(jī)械強(qiáng)度較大，共振頻率較高，因此動(dòng)鐵單兀對于中、高頻的聲音信號的放大幅度強(qiáng)于對于低頻聲音的信號放大幅度，造成中、高頻段的聲音輸出較強(qiáng)，低頻段的聲音輸出不足，失真較為嚴(yán)重。
[0003]現(xiàn)有的動(dòng)鐵單元的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)主要由平衡電樞、軛鐵、感應(yīng)線圈和永磁體組成，永磁鐵對稱設(shè)置于軛鐵內(nèi)，形成平衡電樞的振動(dòng)空間，平衡電樞穿過兩個(gè)永磁體的中間，一端設(shè)置有感應(yīng)線圈，一端通過傳導(dǎo)桿連接振膜。對上述結(jié)構(gòu)的動(dòng)鐵單元進(jìn)行性能測試，如圖4所示，得到動(dòng)鐵單元的失真曲線和頻響曲線。由圖4中的失真曲線可知，該動(dòng)鐵單元在2000Hz范圍內(nèi)的頻段上的失真度較高，尤其在1000Hz附近的失真更為嚴(yán)重；而在2000Hz以上的頻率上，失真度較低，并且波動(dòng)很小。對于市面上的其他動(dòng)鐵單元進(jìn)行性能測試，均獲得了與圖4中類似的失真曲線，可見，現(xiàn)有的動(dòng)鐵單元均存在低頻段失真嚴(yán)重的問題。而許多音樂愛好者偏愛低音，這也使得動(dòng)鐵單元的應(yīng)用受到一定的局限，如何改善動(dòng)鐵單元在低頻段的性能也成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]1.發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0005]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有動(dòng)鐵單元低頻失真嚴(yán)重、低音解析度差的不足，提供一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，采用本發(fā)明的技術(shù)方案，有效地抑制了動(dòng)鐵單元在低頻段的失真，提高了對低音的解析能力，從而改善了動(dòng)鐵單元的低音性能；同時(shí)對于動(dòng)鐵單元的中、高頻優(yōu)勢幾乎沒有影響，滿足了消費(fèi)者的聽覺需求。
[0006]2.技術(shù)方案
[0007]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為:
[0008]本發(fā)明的一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),包括軛鐵、磁鐵、感應(yīng)線圈和平衡電樞，還包括抑制線圈，所述的平衡電樞穿過軛鐵的中間，所述的磁鐵對稱設(shè)置于平衡電樞的兩側(cè)，并固定于軛鐵上；所述的感應(yīng)線圈設(shè)置于平衡電樞的一端，所述的抑制線圈設(shè)置于平衡電樞的另一端；或者，所述的抑制線圈設(shè)置于軛鐵與感應(yīng)線圈之間；或者，所述的抑制線圈設(shè)置于感應(yīng)線圈的后端；所述的抑制線圈產(chǎn)生與感應(yīng)線圈方向相反的感應(yīng)磁場。
[0009]更進(jìn)一步地,所述的抑制線圈與感應(yīng)線圈相連接,且旋向相反。
[0010]更進(jìn)一步地，所述的抑制線圈與感應(yīng)線圈的旋向相同，電流方向相反。
[0011]3.有益效果
[0012]采用本發(fā)明提供的技術(shù)方案，與已有的公知技術(shù)相比，具有如下顯著效果:
[0013]本發(fā)明的一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，在低頻時(shí)，利用抑制線圈改變平衡電樞上的磁通密度，有效地抑制了動(dòng)鐵單元在低頻段的失真，提高了對低音的解析能力，從而改善了動(dòng)鐵單元的低音性能；同時(shí)對于動(dòng)鐵單元的中、高頻優(yōu)勢幾乎沒有影響，滿足了消費(fèi)者的聽覺需求。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1的一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為本發(fā)明實(shí)施例2的一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖3為本發(fā)明實(shí)施例3的一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖4為現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的動(dòng)鐵單元的失真與頻響曲線圖。
[0018]不意圖中的標(biāo)號說明:
[0019]1、軛鐵；2、磁鐵；3、感應(yīng)線圈；4、平衡電樞；5、傳導(dǎo)桿；6、抑制線圈。

【具體實(shí)施方式】
[0020]為進(jìn)一步了解本發(fā)明的內(nèi)容，結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作詳細(xì)描述。
[0021]實(shí)施例1
[0022]結(jié)合圖1所示,本實(shí)施例的一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),包括軛鐵1、磁鐵2、感應(yīng)線圈3、平衡電樞4和抑制線圈6，平衡電樞4穿過軛鐵I的中間，且兩端伸出軛鐵I，磁鐵2對稱設(shè)置于平衡電樞4的兩側(cè),并固定于軛鐵I上，為了避免漏磁，本實(shí)施例中的磁鐵2固定于軛鐵I的內(nèi)側(cè)，其固定方式可以采用膠接或激光焊接；感應(yīng)線圈3設(shè)置于平衡電樞4的一端，抑制線圈6設(shè)置于平衡電樞4的另一端，且感應(yīng)線圈3和抑制線圈6分別與軛鐵I膠接固定，抑制線圈6的匝數(shù)小于感應(yīng)線圈3的匝數(shù)；平衡電樞4遠(yuǎn)離感應(yīng)線圈3的一端連接有傳導(dǎo)桿5，用于連接振膜，將平衡電樞4的振動(dòng)傳導(dǎo)給振膜；抑制線圈6產(chǎn)生與感應(yīng)線圈3方向相反的感應(yīng)磁場，具體可以采用以下兩種方式實(shí)現(xiàn):抑制線圈6與感應(yīng)線圈3相連接，即電流方向相同，且旋向相反；或者,抑制線圈6與感應(yīng)線圈3的旋向相同，電流方向相反。
[0023]實(shí)施例2
[0024]結(jié)合圖2所示,本實(shí)施例的一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),包括軛鐵1、磁鐵2、感應(yīng)線圈3、平衡電樞4和抑制線圈6，平衡電樞4穿過軛鐵I的中間，且兩端伸出軛鐵I，磁鐵2對稱設(shè)置于平衡電樞4的兩側(cè),并固定于軛鐵I上，為了避免漏磁，本實(shí)施例中的磁鐵2固定于軛鐵I的內(nèi)側(cè)，其固定方式可以采用膠接或激光焊接；感應(yīng)線圈3設(shè)置于平衡電樞4的一端，抑制線圈6設(shè)置于軛鐵I與感應(yīng)線圈3之間，且抑制線圈6分別與感應(yīng)線圈3、軛鐵I膠接固定，抑制線圈6的匝數(shù)小于感應(yīng)線圈3的匝數(shù)；平衡電樞4遠(yuǎn)離感應(yīng)線圈3的一端連接有傳導(dǎo)桿5，用于連接振膜，將平衡電樞4的振動(dòng)傳導(dǎo)給振膜；抑制線圈6產(chǎn)生與感應(yīng)線圈3方向相反的感應(yīng)磁場，具體可以采用以下兩種方式實(shí)現(xiàn):抑制線圈6與感應(yīng)線圈3相連接，即電流方向相同，且旋向相反；或者，抑制線圈6與感應(yīng)線圈3的旋向相同，電流方向相反。
[0025]實(shí)施例3
[0026]結(jié)合圖3所示,本實(shí)施例的一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),包括軛鐵1、磁鐵2、感應(yīng)線圈3、平衡電樞4和抑制線圈6，平衡電樞4穿過軛鐵I的中間，且兩端伸出軛鐵I，磁鐵2對稱設(shè)置于平衡電樞4的兩側(cè),并固定于軛鐵I上，為了避免漏磁，本實(shí)施例中的磁鐵2固定于軛鐵I的內(nèi)側(cè)，其固定方式可以采用膠接或激光焊接；感應(yīng)線圈3設(shè)置于平衡電樞4的一端，抑制線圈6設(shè)置于感應(yīng)線圈3的后端，且感應(yīng)線圈3分別與軛鐵1、抑制線圈6膠接固定,抑制線圈6的阻數(shù)小于感應(yīng)線圈3的阻數(shù)；平衡電樞4遠(yuǎn)離感應(yīng)線圈3的一端連接有傳導(dǎo)桿5，用于連接振膜，將平衡電樞4的振動(dòng)傳導(dǎo)給振膜；抑制線圈6產(chǎn)生與感應(yīng)線圈3方向相反的感應(yīng)磁場，具體可以采用以下兩種方式實(shí)現(xiàn):抑制線圈6與感應(yīng)線圈3相連接，即電流方向相同，且旋向相反；或者，抑制線圈6與感應(yīng)線圈3的旋向相同，電流方向相反。
[0027]上述實(shí)施例1?3的一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，在低頻時(shí)，利用抑制線圈6產(chǎn)生與感應(yīng)線圈3方向相反的磁場，減小了平衡電樞4上的磁通密度，使在100Hz左右的頻段內(nèi)，失真曲線的峰值有效地降低，抑制了動(dòng)鐵單元在低頻段的失真，提高了對低音的解析能力，從而改善了動(dòng)鐵單元的低音性能；同時(shí)對于動(dòng)鐵單元的中、高頻優(yōu)勢幾乎沒有影響，滿足了消費(fèi)者的聽覺需求。
[0028]以上示意性地對本發(fā)明及其實(shí)施方式進(jìn)行了描述，該描述沒有限制性，附圖中所示的也只是本發(fā)明的實(shí)施方式之一，實(shí)際的結(jié)構(gòu)并不局限于此。所以，如果本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員受其啟示，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造宗旨的情況下，不經(jīng)創(chuàng)造性地設(shè)計(jì)出與該技術(shù)方案相似的結(jié)構(gòu)方式及實(shí)施例，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),包括軛鐵(I)、磁鐵(2)、感應(yīng)線圈(3)和平衡電樞(4)，其特征在于:還包括抑制線圈￠)，所述的平衡電樞(4)穿過軛鐵(I)的中間，所述的磁鐵⑵對稱設(shè)置于平衡電樞⑷的兩側(cè)，并固定于軛鐵⑴上；所述的感應(yīng)線圈(3)設(shè)置于平衡電樞(4)的一端，所述的抑制線圈(6)設(shè)置于平衡電樞(4)的另一端；或者，所述的抑制線圈(6)設(shè)置于軛鐵(I)與感應(yīng)線圈(3)之間；或者，所述的抑制線圈(6)設(shè)置于感應(yīng)線圈(3)的后端；所述的抑制線圈(6)產(chǎn)生與感應(yīng)線圈(3)方向相反的感應(yīng)磁場。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，其特征在于:所述的抑制線圈(6)與感應(yīng)線圈(3)相連接，且旋向相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減小低頻失真的動(dòng)鐵單元磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，其特征在于:所述的抑制線圈(6)與感應(yīng)線圈(3)的旋向相同，電流方向相反。
【文檔編號】H04R9/02GK104301847SQ201410610389
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年11月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月3日
【發(fā)明者】魏鵬, 何新陽, 陳澄 申請人:常州阿木奇聲學(xué)科技有限公司