一種應(yīng)用于nfc接收機(jī)的載波消除系統(tǒng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于電子【技術(shù)領(lǐng)域】，具體為一種應(yīng)用于NFC接收機(jī)的載波消除系統(tǒng)的電路。本發(fā)明電路包括下混頻器、積分器、上混頻器和低通濾波器等電路。下混頻器電路將載波信號(hào)搬移到直流處；積分器電路將此直流信號(hào)進(jìn)行放大并衰減非直流信號(hào)；上混頻器電路將放大后的直流信號(hào)搬移到載波頻率處；低通濾波器電路濾除下混頻后的上半邊帶信號(hào)，同時(shí)對(duì)基帶信號(hào)進(jìn)行放大，得到有用的基帶信號(hào)。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)載波的消除，從而解決了NFC接收機(jī)中的自阻塞問(wèn)題，提高了NFC接收機(jī)的靈敏度。
【專利說(shuō)明】一種應(yīng)用于NFC接收機(jī)的載波消除系統(tǒng)電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電子【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種應(yīng)用于NFC接收機(jī)的載波消除系統(tǒng)電路。

【背景技術(shù)】
[0002]NFC (Near Field Communicat1n)技術(shù)是一種工作頻率為 13.56MHz,通信距離一般在10厘米以內(nèi)的進(jìn)場(chǎng)無(wú)線通信技術(shù)，更具體的說(shuō)，它是一種可以提供移動(dòng)設(shè)備，消費(fèi)類電子產(chǎn)品，個(gè)人電腦和智能控件設(shè)備間進(jìn)行近距離的非接觸式識(shí)別和互聯(lián)的無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)。
[0003]圖1是一個(gè)現(xiàn)有的NFC接收機(jī)，此NFC接收機(jī)通過(guò)一個(gè)耦合電容連接到天線，從而獲取能量，接收機(jī)通過(guò)電阻分壓網(wǎng)絡(luò)獲取天線上的信號(hào)。之所以要用電阻分壓連接到天線的原因是因?yàn)榘l(fā)射機(jī)信號(hào)經(jīng)過(guò)功率放大后輸出，然后通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)連接到天線，由于匹配網(wǎng)絡(luò)阻抗變換的作用，此時(shí)天線上的載波信號(hào)一般在幾十至一百伏特。如此大的電壓早已經(jīng)超出了芯片的安全工作電壓范圍，因此接收信號(hào)必須經(jīng)過(guò)電阻分壓后才能連接到接收機(jī)的輸入端。
[0004]雖然輸入電壓滿足了芯片的安全工作的要求，但是問(wèn)題出現(xiàn)了，由于電阻分壓網(wǎng)絡(luò)其實(shí)是一個(gè)衰減網(wǎng)絡(luò)，其并沒(méi)有頻率選擇性，所以當(dāng)其對(duì)天線載波進(jìn)行衰減的同時(shí)，信號(hào)也相應(yīng)被衰減了相同的倍數(shù)?？梢约僭O(shè)接收機(jī)的靈敏度為-80dBm，分壓網(wǎng)絡(luò)衰減40dB以保證最強(qiáng)射頻磁場(chǎng)下，輸入電壓維持在安全電壓范圍內(nèi)，那么該接收機(jī)能檢測(cè)到天線上的最小信號(hào)就只有_40dBm。如果衰減網(wǎng)絡(luò)衰減20dBm，那能檢測(cè)到的最小信號(hào)就是_60dBm，若不進(jìn)行衰減，那就是-80dBm。顯然，接收機(jī)靈敏度的瓶頸就被分壓網(wǎng)絡(luò)所限制。由于對(duì)載波的衰減是必須的，而對(duì)信號(hào)最好是不要衰減，那能不能設(shè)計(jì)一個(gè)具有頻率選擇性的衰減網(wǎng)絡(luò)，只對(duì)載波進(jìn)行衰減而不影響信號(hào)呢？加入陷波濾波器是一種解決方案，圖2是加入陷波濾波器的NFC接收機(jī)，但是芯片外置器件的成本似乎是不能接受的，如果把陷波濾波器做到芯片內(nèi)部，但是中心頻率為13.56MHz的陷波濾波器需要的電感在uH級(jí)別，片上集成幾乎不可能實(shí)現(xiàn)。因此，怎樣在芯片內(nèi)部實(shí)現(xiàn)一個(gè)具有頻率選擇性的衰減網(wǎng)絡(luò)成為提高接收機(jī)靈敏度的關(guān)鍵。
[0005]本發(fā)明設(shè)計(jì)了一個(gè)可以在芯片內(nèi)部實(shí)現(xiàn)的具有頻率選擇性的衰減環(huán)路系統(tǒng)，完成了電路設(shè)計(jì)，可以有效解決NFC接收機(jī)中的自阻塞問(wèn)題，從而提高傳統(tǒng)NFC接收機(jī)的靈敏度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種能夠提高傳統(tǒng)NFC接收機(jī)的靈敏度的環(huán)路載波消除系統(tǒng)電路。
本發(fā)明提供的載波消除系統(tǒng)電路，參見(jiàn)圖3，該系統(tǒng)很好的實(shí)現(xiàn)了對(duì)于載波的抑制，從而解決了 NFC接收機(jī)的自阻塞問(wèn)題。電路包括:I/Q兩路下混頻器、積分器、上混頻器和低通濾波器；其連接關(guān)系為:天線與兩路下混頻器輸入端相連，兩路下混頻器的輸出端分別與兩路積分器的輸入端相連，同時(shí)還與后面的兩路低通濾波器的輸入端相連，兩路積分器的輸出端與兩路上混頻器的輸入端相連，兩路上混頻器的輸出再反饋到系統(tǒng)的輸入端進(jìn)行相減，從而構(gòu)成一個(gè)閉合的環(huán)路。其中:
所述下混頻器用于將載波信號(hào)及有用信號(hào)進(jìn)行向下的頻率搬移，因?yàn)檩斎氲男盘?hào)的載波頻率是13.56MHz，通過(guò)與13.56MHz的本振進(jìn)行下混頻，可以將載波信號(hào)搬移到直流處，這時(shí)直流信號(hào)的大小就反應(yīng)了輸入載波信號(hào)的大小。
[0007]所述低通濾波器用于對(duì)下混頻之后的上半邊帶的信號(hào)進(jìn)行濾波，同時(shí)對(duì)基帶信號(hào)進(jìn)行放大，從而得到有用的基帶信號(hào)。
[0008]所述積分器用于放大直流信號(hào)，而衰減別的信號(hào)，因?yàn)橄到y(tǒng)所要反饋回去的信號(hào)僅僅是載波信號(hào)部分，而不希望將有用信號(hào)也反饋到輸入，經(jīng)過(guò)下混頻器之后的信號(hào)既有載波信號(hào)部分，還有最重要的基帶信號(hào)，積分器只對(duì)代表載波信號(hào)強(qiáng)弱的直流信號(hào)進(jìn)行放大，對(duì)于基帶信號(hào)部分則進(jìn)行衰減，從而實(shí)現(xiàn)僅僅對(duì)載波信號(hào)進(jìn)行反饋的選頻作用。
[0009]所述上混頻器用于將積分器放大后的直流信號(hào)進(jìn)行上混頻，將直流信號(hào)變頻到13.56MHz，再將其輸出與輸入的信號(hào)進(jìn)行相減，從而實(shí)現(xiàn)僅僅對(duì)于載波信號(hào)的衰減。
[0010]本發(fā)明中，所述的下混頻器，輸入端采用偽差分NMOS輸入，同時(shí)采用了電流復(fù)用技術(shù)來(lái)增大輸入跨導(dǎo)，提高轉(zhuǎn)換增益，降低等效輸入噪聲。輸出端采用電阻作為負(fù)載，在相同的壓降的情況下，可以得到更好的噪聲。
[0011]本發(fā)明中，所述的積分器采用有源積分器結(jié)構(gòu)，在實(shí)現(xiàn)相同的單位增益帶寬情況下，面積更小，噪聲性能也更好。有源積分器中的跨導(dǎo)放大器采用了兩級(jí)放大結(jié)構(gòu)，增益平均分配，輸出級(jí)的差模增益可以通過(guò)共模反饋電阻調(diào)節(jié)。
[0012]本發(fā)明中，所述的上混頻器輸入采用折疊式PMOS差分對(duì)管，使得電壓裕度得到改盡.口 ，
輸出級(jí)通過(guò)共模反饋將輸出直流工作點(diǎn)鉗位在Vdd/2以最大化信號(hào)的輸出擺幅。
[0013]本發(fā)明中，所述的低通濾波器使用了 MFB結(jié)構(gòu)的Butterworth 二階低通濾波器,對(duì)無(wú)源器件的靈敏度不高，更易實(shí)現(xiàn)全差分，其中的運(yùn)算放大器采用全差分結(jié)構(gòu)，通過(guò)共模電阻實(shí)現(xiàn)共模反饋。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1、現(xiàn)有的NFC接收機(jī)結(jié)構(gòu)。
[0015]圖2、增加陷波濾波器的NFC接收機(jī)。
[0016]圖3、正交負(fù)反饋載波消除接收機(jī)框圖。
[0017]圖4、下混頻器電路。
[0018]圖5、積分器電路結(jié)構(gòu)。
[0019]圖6、積分器中跨導(dǎo)放大器電路。
[0020]圖7、上混頻器電路。
[0021]圖8、低通濾波器電路結(jié)構(gòu)。
[0022]圖9、低通濾波器中運(yùn)放電路。

【具體實(shí)施方式】
[0023]下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作進(jìn)一步描述。對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，依據(jù)本發(fā)明還可以獲得其他附圖和其他實(shí)施例。這些都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0024]本發(fā)明提供的載波消除系統(tǒng)的具體電路，包括下混頻器電路，積分器電路，上混頻器電路以及低通濾波器電路。其連接關(guān)系為:天線與兩路下混頻器輸入端相連，兩路下混頻器的輸出端分別與兩路積分器的輸入端相連，同時(shí)還與后面的兩路低通濾波器的輸入端相連，兩路積分器的輸出端與兩路上混頻器的輸入端相連，兩路上混頻器的輸出再反饋到系統(tǒng)的輸入端進(jìn)行相減，從而構(gòu)成一個(gè)閉合的環(huán)路。下面將具體說(shuō)明各個(gè)電路模塊的具體結(jié)構(gòu)。
[0025]本發(fā)明中，下混頻器的電路參考圖4。射頻輸入信號(hào)加載到輸入對(duì)管晶體管Ml，M2的柵極，晶體管M3、M4作為輔助輸入管，其柵極分別通過(guò)對(duì)應(yīng)的電容Cl、C2耦合輸入信號(hào)；晶體管M5，M6, M7, M8是開關(guān)管，其中，晶體管M5、M6的源極分別與輸入管M2，M4的漏極相連，晶體管M7、M8的源極分別與輸入管M1、M3的漏極相連，晶體管M5、M7的柵極接本振L0，晶體管M6、M8的柵極接本振LO的反向信號(hào)；晶體管M5、M8的漏極輸出與負(fù)載電阻Rl相連，晶體管M6、M7的漏極輸出與負(fù)載電阻R2相連。因?yàn)殡娫措妷簽?.2V，考慮到電壓裕度，所以射頻輸入端使用偽差分NMOS對(duì)管Ml，M2作為輸入，同時(shí)采用電流復(fù)用技術(shù)，將PMOS管M3，M4作為輔助對(duì)管，提供額外的電流來(lái)增大輸入跨導(dǎo)，提高轉(zhuǎn)換增益，降低等效輸入噪聲。同時(shí)，因?yàn)榱鬟^(guò)負(fù)載電阻的直流電流減小，壓降減小，從而輸入端的線性度可以得到改善。在輸出端采用電阻作為負(fù)載，在相同的壓降的情況下，可以得到更好的噪聲。
[0026]本發(fā)明中，積分器的電路結(jié)構(gòu)參考圖5。積分器采用有源結(jié)構(gòu)，在實(shí)現(xiàn)相同的單位增益帶寬的情況下，面積更小，噪聲性能也更好。輸入信號(hào)Vin通過(guò)電阻R3接到跨導(dǎo)放大器的負(fù)端輸入，電容C5跨接在跨導(dǎo)放大器的正負(fù)輸入端口間；跨導(dǎo)放大器正輸入端口接地；電容C6跨接在跨導(dǎo)放大器的負(fù)輸入端口與輸出端口之間；負(fù)載電阻R4與負(fù)載電容C7并聯(lián)接在跨導(dǎo)放大器輸出端口與地之間。
[0027]積分器結(jié)構(gòu)及參數(shù)確定后，最主要的是跨導(dǎo)放大器的設(shè)計(jì)，參見(jiàn)圖6。差分輸入信號(hào)接到PMOS管M19、M20的柵端，PMOS管M19、M20的漏極輸出分別接到NMOS管M13、M14的柵端，NMOS管M13，M14的漏端接輸出；反饋電阻R9、R10串接在輸出端口之間，其分壓Vqi接到PMOS管M18的柵極；跨導(dǎo)放大器采用兩級(jí)放大結(jié)構(gòu)，差分輸入PMOS管M19、M20提供第一級(jí)增益，差分輸出NMOS管M13、M14提供第二級(jí)增益，增益在兩級(jí)間平均分配，輸出級(jí)的差模增益可以通過(guò)共模反饋電阻R9、R10進(jìn)行調(diào)節(jié)。通過(guò)控制反饋電阻R9，RlO的分壓比來(lái)控制反饋電壓V,進(jìn)而形成負(fù)反饋機(jī)制，保持輸出的共模電壓穩(wěn)定。
[0028]在本發(fā)明中，上混頻器的電路參見(jiàn)圖7?？紤]到上混頻器對(duì)中頻輸入端口的寬動(dòng)態(tài)范圍要求，這里采用折疊式的差分PMOS管對(duì)M21、M22管作為中頻輸入，輸入信號(hào)接到差分PMOS管對(duì)M21、M22的柵極，晶體管M25、M26、M27、M28是開關(guān)管，其中，晶體管M25、M27柵端接本振信號(hào)L0，晶體管M26、M28接本振LO的反向信號(hào)。輸入PMOS管M21的漏極與晶體管M25、M26的源極相連，輸入PMOS管M22的漏極與晶體管M27、M28的源極相連?；祛l器第一級(jí)的輸出采用PMOS 二極管接法做低阻負(fù)載，晶體管M29、M30的柵端和漏端相連構(gòu)成二極管接法的低阻負(fù)載，晶體管M25、M28的漏端與晶體管M29的漏端相連，晶體管M26、M27的漏端與晶體管M30的漏端相連；信號(hào)輸出形式采用電流輸出，晶體管M31、M32構(gòu)成輸出級(jí)，負(fù)載電阻R13、R14分別與輸出級(jí)晶體管M31、M32采用電容C1、Cll交流耦合。輸出級(jí)同時(shí)通過(guò)共模反饋電阻R11、R12將輸出的直流工作點(diǎn)鉗位在Vdd/2以最大化信號(hào)的輸出擺幅?？紤]上混頻器的轉(zhuǎn)換增益時(shí)，需要注意的是這里是希望本振輸入對(duì)管M25、M26、M27、M28工作在線性放大狀態(tài)而非開關(guān)狀態(tài)。實(shí)際上，上混頻器是一個(gè)典型的吉爾伯特乘法器單元。中頻輸入對(duì)管M21、M22以及本振對(duì)管M25、M26、M27、M28均工作在差分線性放大的飽和區(qū)。
[0029]本發(fā)明中，低通濾波器的電路結(jié)構(gòu)參見(jiàn)圖8。這里采用MFB結(jié)構(gòu)的巴特沃斯二階低通濾波器，這種結(jié)構(gòu)更容易實(shí)現(xiàn)全差分，且對(duì)無(wú)源器件的靈敏度不高。其連接關(guān)系是:輸入信號(hào)Vin與電阻R15左端相連，電阻R17串接在電阻R15右端與運(yùn)放負(fù)輸入端之間，電容C12接在電阻R15右端與地之間，電阻R16 —端與電阻R15右端相連，一端接運(yùn)放輸出端，電容C13 —端接運(yùn)放負(fù)輸入端,一端接輸出端,運(yùn)放正輸入端接地。
[0030]當(dāng)濾波器結(jié)構(gòu)確定后，關(guān)鍵的便是其中運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)，這里運(yùn)算放大器電路參見(jiàn)圖9。放大器采用兩級(jí)全差分結(jié)構(gòu)，差分NMOS對(duì)管M36、M37和M40、M41作為輸入，提供第一級(jí)放大。輸入信號(hào)Vin+接到NMOS管M36、M41的柵端，Vin-接到NMOS管M37、M40的柵端；晶體管M42、M43作為輸出管，提供第二級(jí)放大。晶體管M42、M43的柵端分別與NMOS管M36、M37的漏端相連，晶體管M42、M43的漏端分別與晶體管M40、M41的漏端相連，同時(shí)，晶體管M42、M43的漏端為運(yùn)放輸出端口。電阻R18、R19、R20、R21為共模反饋電阻，它們分別跨接在晶體管M38、M39、M44、M45的柵漏之間。
[0031]電路的設(shè)計(jì)可以先確定增益在兩級(jí)之間的分配，從而可以基本確定共模電阻的值。第二級(jí)的輸出電阻作為運(yùn)放的輸出電阻不能過(guò)大。過(guò)大的輸出電阻會(huì)影響濾波器的增益，一般輸出電阻至少要小于反饋電阻的十分之一。零點(diǎn)對(duì)第二極點(diǎn)的補(bǔ)償可以通過(guò)調(diào)節(jié)
Sm40,41 頭現(xiàn)。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用于NFC接收機(jī)的載波消除系統(tǒng)電路，其特征在于，包括:I/Q兩路下混頻器，積分器，上混頻器和低通濾波器；其連接關(guān)系為:天線與兩路下混頻器輸入端相連，兩路下混頻器的輸出端分別與兩路積分器的輸入端相連，同時(shí)還與后面的兩路低通濾波器的輸入端相連，兩路積分器的輸出端與兩路上混頻器的輸入端相連，兩路上混頻器的輸出再反饋到系統(tǒng)的輸入端進(jìn)行相減，從而構(gòu)成一個(gè)閉合的環(huán)路；其中: 所述下混頻器用于將載波信號(hào)及有用信號(hào)進(jìn)行向下的頻率搬移，因?yàn)檩斎氲男盘?hào)的載波頻率是13.56MHz，通過(guò)與13.56MHz的本振進(jìn)行下混頻，將載波信號(hào)搬移到直流處，這時(shí)直流信號(hào)的大小反應(yīng)輸入載波信號(hào)的大?。? 所述低通濾波器用于對(duì)下混頻之后的上半邊帶的信號(hào)進(jìn)行濾波，同時(shí)對(duì)基帶信號(hào)進(jìn)行放大，從而得到有用的基帶信號(hào)； 所述積分器用于放大直流信號(hào)，而衰減基帶信號(hào)； 所述上混頻器用于將積分器放大后的直流信號(hào)進(jìn)行上混頻，將直流信號(hào)變頻到13.56MHz，再將其輸出與輸入的信號(hào)進(jìn)行相減，從而實(shí)現(xiàn)僅僅對(duì)于載波信號(hào)的衰減； 所述的下混頻器，輸入端采用偽差分NMOS輸入，同時(shí)采用電流復(fù)用技術(shù)來(lái)增大輸入跨導(dǎo)；輸出端采用電阻作為負(fù)載，在相同的壓降的情況下，以得到更好的噪聲； 所述的積分器采用有源積分器結(jié)構(gòu)，有源積分器中的跨導(dǎo)放大器采用兩級(jí)放大結(jié)構(gòu)，增益平均分配，輸出級(jí)的差模增益通過(guò)共模反饋電阻調(diào)節(jié)； 所述的上混頻器 輸入采用折疊式PMOS差分對(duì)管，使得電壓裕度得到改善；輸出級(jí)通過(guò)共模反饋將輸出直流工作點(diǎn)鉗位在Vdd/2以最大化信號(hào)的輸出擺幅； 所述的低通濾波器使用MFB結(jié)構(gòu)的Butterworth 二階低通濾波器,其中的運(yùn)算放大器采用全差分結(jié)構(gòu)，通過(guò)共模電阻實(shí)現(xiàn)共模反饋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于NFC接收機(jī)的載波消除系統(tǒng)電路，其特征在于所述的下混頻器的電路結(jié)構(gòu)如下:射頻輸入信號(hào)加載到輸入晶體管對(duì)M1、M2的柵極；晶體管M3、M4作為輔助輸入管，其柵極分別通過(guò)對(duì)應(yīng)的電容Cl、C2耦合輸入信號(hào)；晶體管M5，M6, M7, M8是開關(guān)管，其中，晶體管M5、M6的源極分別與輸入管M2、M4的漏極相連，晶體管M7、M8的源極分別與輸入管Ml、M3的漏極相連，晶體管M5、M7的柵極接本振L0，晶體管M6、M8的柵極接本振LO的反向信號(hào)；晶體管M5、M8的漏極輸出與負(fù)載電阻Rl相連，晶體管M6、M7的漏極輸出與負(fù)載電阻R2相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的應(yīng)用于NFC接收機(jī)的載波消除系統(tǒng)電路，其特征在于所述的積分器采用有源結(jié)構(gòu)，其中，輸入信號(hào)Vin通過(guò)電阻R3接到跨導(dǎo)放大器的負(fù)端輸入，電容C5跨接在跨導(dǎo)放大器的正負(fù)輸入端口間；跨導(dǎo)放大器正輸入端口接地；電容C6跨接在跨導(dǎo)放大器的負(fù)輸入端口與輸出端口之間；負(fù)載電阻R4與負(fù)載電容C7并聯(lián)接在跨導(dǎo)放大器輸出端口與地之間；其中，跨導(dǎo)放大器的結(jié)構(gòu)為:差分輸入信號(hào)接到PMOS管M19、M20的柵端，PMOS管M19、M20的漏極輸出分別接到NMOS管M13、M14的柵端，NMOS管M13，M14的漏端接輸出；反饋電阻R9、R10串接在輸出端口之間，其分壓Vcm接到PMOS管M18的柵極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的應(yīng)用于NFC接收機(jī)的載波消除系統(tǒng)電路，其特征在于所述的上混頻器的電路結(jié)構(gòu)為:采用折疊式的差分PMOS管對(duì)M21、M22管作為中頻輸入，輸入信號(hào)接到差分PMOS管對(duì)M21、M22的柵極，晶體管M25、M26、M27、M28是開關(guān)管，其中，晶體管M25、M27柵端接本振信號(hào)L0，晶體管M26、M28接本振LO的反向信號(hào)；輸入PMOS管M21的漏極與晶體管M25、M26的源極相連，輸入PMOS管M22的漏極與晶體管M27、M28的源極相連；混頻器第一級(jí)的輸出采用PMOS 二極管接法做低阻負(fù)載，晶體管M29、M30的柵端和漏端相連構(gòu)成二極管接法的低阻負(fù)載，晶體管M25、M28的漏端與晶體管M29的漏端相連，晶體管M26、M27的漏端與晶體管M30的漏端相連；信號(hào)輸出形式采用電流輸出，晶體管M31、M32構(gòu)成輸出級(jí)，負(fù)載電阻R13、R14分別與輸出級(jí)晶體管M31、M32采用電容C1、Cll交流耦合；輸出級(jí)同時(shí)通過(guò)共模反饋電阻R11、R12將輸出的直流工作點(diǎn)鉗位在Vdd/2以最大化信號(hào)的輸出擺幅。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的應(yīng)用于NFC接收機(jī)的載波消除系統(tǒng)電路，其特征在于所述的低通濾波器的電路結(jié)構(gòu)如下:輸入信號(hào)Vin與電阻R15左端相連，電阻R17串接在電阻R15右端與運(yùn)算放大器負(fù)輸入端之間，電容C12接在電阻R15右端與地之間，電阻R16 —端與電阻Rl5右端相連,一端接運(yùn)放輸出端，電容Cl3 —端接運(yùn)放負(fù)輸入端,一端接輸出端，運(yùn)放正輸入端接地；其中，所述運(yùn)算放大器采用兩級(jí)全差分結(jié)構(gòu)，差分NMOS對(duì)管M36、M37和M40、M41作為輸入，提供第一級(jí)放大；輸入信號(hào)Vin+接到NMOS管M36、M41的柵端，Vin-接到NMOS管M37、M40的柵端；晶體管M42、M43作為輸出管，提供第二級(jí)放大；晶體管M42、M43的柵端分別與NMOS管M36、M37的漏端相連，晶體管M42、M43的漏端分別與晶體管M40、M41的漏端相連，同時(shí)，晶體管M42、M43的漏端為運(yùn)放輸出端口 ；電阻R18、R19、R20、R21為共模反饋電阻，它們分 別跨接在晶體管M38、M39、M44、M45的柵漏之間。
【文檔編號(hào)】H04B1/10GK104079308SQ201410331807
【公開日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2014年7月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月13日
【發(fā)明者】張龍祥, 許瀚天, 代應(yīng)波, 閔昊 申請(qǐng)人:復(fù)旦大學(xué)