高頻電路以及具有該高頻電路的高頻模塊的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的前端電路(10)具有功率放大電路(11a)、低噪聲放大電路(12a)、連接切換電路(13)、旁路電路(12b)、以及衰減部(14)。連接切換電路(13)響應(yīng)于控制信號(hào)(V_RX)對(duì)連接進(jìn)行切換。旁路電路(12b)響應(yīng)于控制信號(hào)(V_LNA)來(lái)形成旁路。衰減部(14)包括多個(gè)衰減電路。多個(gè)衰減電路包括衰減電路(F1、F2、F3)。在天線(xiàn)端子(ANT)與功率放大電路(11a)電連接的情況下，衰減電路(F1、F3)響應(yīng)于控制信號(hào)(V_RX)來(lái)使發(fā)送信號(hào)之中泄漏到接收信號(hào)的傳送線(xiàn)路中的分流信號(hào)衰減。在天線(xiàn)端子(ANT)與低噪聲放大電路(12a)電連接的情況下，衰減電路(F2)響應(yīng)于控制信號(hào)(V_LNA)使接收信號(hào)衰減。
【專(zhuān)利說(shuō)明】高頻電路以及具有該高頻電路的高頻模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高頻電路以及具有該高頻電路的高頻模塊，尤其涉及無(wú)線(xiàn)通信中所使用的聞?lì)l電路以及具有該聞?lì)l電路的聞?lì)l|旲塊。

【背景技術(shù)】
[0002]目前利用無(wú)線(xiàn)LAN (Local Area Network:局域網(wǎng))所進(jìn)行的數(shù)據(jù)通信得到普及，且廣泛地應(yīng)用于電子設(shè)備之間的通信中。無(wú)線(xiàn)LAN的通信標(biāo)準(zhǔn)即IEEE(TheInstitute of Electrical and Electronics Engineers)802.11 標(biāo)準(zhǔn) 中， 具有IEEE802.lla/llb/llg/lln/llac等。其中，IEEE802.1lac作為未來(lái)的無(wú)線(xiàn)LAN通信標(biāo)準(zhǔn)而備受矚目。
[0003]利用基于IEEE802.1lac等標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線(xiàn)LAN來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)通信的電子設(shè)備具有前端電路。前端電路以與天線(xiàn)相連接的方式進(jìn)行設(shè)置，且對(duì)發(fā)送信號(hào)和接收信號(hào)進(jìn)行放大(專(zhuān)利文獻(xiàn)I:W02007/129716號(hào)公報(bào))。
[0004]圖18是表示現(xiàn)有的前端電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。參照?qǐng)D18，前端電路100具有PA (Power Amplifer:功率放大器)101a、LNA (Low Noise Amplifier:低噪聲放大器)102a、旁路電路102b、天線(xiàn)開(kāi)關(guān)103、發(fā)送端子TX、接收端子RX、以及天線(xiàn)端子ANT。
[0005]PAlOla和LNA102a是對(duì)所輸入的微弱的信號(hào)進(jìn)行放大并輸出的放大電路。PAlOla對(duì)發(fā)送端子TX所接收到的信號(hào)進(jìn)行放大。利用PAlOla放大后的信號(hào)被作為發(fā)送信號(hào)來(lái)輸出。LNA102a對(duì)天線(xiàn)端子ANT所接收到的接收信號(hào)進(jìn)行放大。
[0006]旁路電路102b在設(shè)置于天線(xiàn)開(kāi)關(guān)103和LNA102a的輸入端之間的起點(diǎn)A、與設(shè)置于LNA102a的輸出端和接收端子RX之間的終點(diǎn)B之間，形成旁路。旁路電路102b包括SPST(Single Pole Single Throw:單刀單擲)型開(kāi)關(guān)、即開(kāi)關(guān)SW。前端電路100中，通過(guò)對(duì)開(kāi)關(guān)SW進(jìn)行閉合斷開(kāi)控制，從而對(duì)以下兩種情況進(jìn)行切換:利用LNA102a對(duì)到達(dá)起點(diǎn)A的信號(hào)進(jìn)行放大，或者利用旁路電路102b來(lái)繞過(guò)LNA102a。
[0007]天線(xiàn)開(kāi)關(guān)103是SPDT (Single Pole Dual Throw:單刀雙擲)型開(kāi)關(guān)。天線(xiàn)開(kāi)關(guān)103包括端子TA、端子TT、端子TR。端子TA與天線(xiàn)端子ANT相連接。端子TT與發(fā)送端子TX電連接。端子TR與接收端子RX電連接。對(duì)天線(xiàn)開(kāi)關(guān)103進(jìn)行切換，從而使得前端電路100在進(jìn)行發(fā)送動(dòng)作時(shí)，端子TA連接至端子TT，且在進(jìn)行接收動(dòng)作時(shí)，端子TA連接至端子TR0
[0008]首先，對(duì)前端電路100的發(fā)送動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。天線(xiàn)開(kāi)關(guān)103能夠切換成端子TA與端子 TT 相連接。RFIC (Rad1 Frequency Integrated Circuit:射頻集成電路)200 向發(fā)送端子TX輸出信號(hào)。發(fā)送端子TX所接收到的信號(hào)被PAlOla所放大，且作為發(fā)送信號(hào)在天線(xiàn)開(kāi)關(guān)103中從端子TT被傳輸?shù)蕉俗覶A。發(fā)送信號(hào)到達(dá)天線(xiàn)端子ANT，且從天線(xiàn)300被發(fā)送。
[0009]專(zhuān)利文獻(xiàn)2 (日本專(zhuān)利特開(kāi)2009 - 33598號(hào)公報(bào))的高頻電路中，向天線(xiàn)開(kāi)關(guān)追加端子，利用天線(xiàn)開(kāi)關(guān)的隔離度，使輸入至LNA的接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度增大或減小。利用該結(jié)構(gòu)，則可以省去旁路電路。
[0010]IEEE802.1lac 中，相比于現(xiàn)有的 IEEE802.lla/llb/llg/lln 等，要求 PAlOla 的線(xiàn)形性較高。若PAlOla的線(xiàn)形性較高，則能夠降低放大時(shí)所導(dǎo)致的放大信號(hào)失真。其結(jié)果是，發(fā)送信號(hào)的調(diào)制精度得以提高。通常，若提高PAlOla的偏置電壓，則能夠提高PAlOla的線(xiàn)形性。但是，若僅僅通過(guò)提高PAlOla的偏置電壓來(lái)提高PAlOla的線(xiàn)形性，則會(huì)增大PAlOla上的耗電量。因此，導(dǎo)致具有前端電路100的電子設(shè)備的電池持續(xù)時(shí)間變短。因此，一般在IEEE802.1lac中，使用被稱(chēng)為數(shù)字預(yù)失真(下面也稱(chēng)為DPD (digital pre-distort1n))的技術(shù)。
[0011]圖19是表示DPD的概念的框圖。參照?qǐng)D19，在DPD中，除了 PAlOla，還采用失真補(bǔ)償電路104和稱(chēng)合器105。輸入信號(hào)Sin是被PAlOla放大之前的發(fā)送信號(hào)。輸出信號(hào)Sout是輸入信號(hào)Sin被PAlOla放大之后的發(fā)送信號(hào)。
[0012]在輸入信號(hào)Sin的信號(hào)強(qiáng)度較高的情況下，若輸入信號(hào)Sin被PAlOla放大，則會(huì)導(dǎo)致發(fā)送信號(hào)的失真變大。在此情況下，在PAlOla的前級(jí)設(shè)置失真補(bǔ)償電路104。輸出信號(hào)Sout之中的一部分信號(hào)被稱(chēng)合器105分流。失真補(bǔ)償電路104對(duì)被稱(chēng)合器105所分流的信號(hào)進(jìn)行接收。該信號(hào)被稱(chēng)為回送信號(hào)(loop back)S_l00p。失真補(bǔ)償電路104在回送信號(hào)S_loop中生成的失真的相反方向上生成失真的信號(hào)，將該信號(hào)與輸入信號(hào)Sin進(jìn)行合成，輸出失真補(bǔ)償信號(hào)Sp。由此，通過(guò)使用DPD，能夠抑制耗電量的增加，且能夠得到降低了失真的發(fā)送信號(hào)。
[0013]然而，耦合器通常需要線(xiàn)路長(zhǎng)度為λ/4(λ:波長(zhǎng))的傳送線(xiàn)路。因此，若在安裝基板上利用傳送線(xiàn)路來(lái)形成耦合器105，則導(dǎo)致需要較大面積的基板。目前，耦合器105存在貼片器件，能夠降低基板面積。然而，即使在此情況下，通過(guò)另外追加貼片器件，會(huì)導(dǎo)致構(gòu)件成本的增加。
[0014]圖20是表示現(xiàn)有的前端電路中、為了使回送信號(hào)分流而使用天線(xiàn)開(kāi)關(guān)的隔離度的情況下的結(jié)構(gòu)和信號(hào)傳送線(xiàn)路的電路框圖。另外，圖20所示的前端電路110具有天線(xiàn)開(kāi)關(guān)113來(lái)代替天線(xiàn)開(kāi)關(guān)103，這一點(diǎn)不同于圖18所示的前端電路100。前端電路110的其它部分的結(jié)構(gòu)與前端電路100中的對(duì)應(yīng)部分的結(jié)構(gòu)相同，因此標(biāo)注相同的符號(hào)，且不重復(fù)說(shuō)明。
[0015]失真補(bǔ)償電路204設(shè)置于RFIC200。失真補(bǔ)償電路204所輸出的信號(hào)(用虛線(xiàn)表示)被PAlOla放大，且到達(dá)天線(xiàn)開(kāi)關(guān)113。在天線(xiàn)開(kāi)關(guān)113中，使端子TT和端子TR相互電絕緣。因此，當(dāng)從端子TT向端子TA傳送發(fā)送信號(hào)時(shí)，發(fā)送信號(hào)幾乎全部到達(dá)端子TA。然而，從端子TT到端子TA為止的發(fā)送信號(hào)的傳送線(xiàn)路和從端子TA到端子TR為止的接收信號(hào)的傳送線(xiàn)路之間的隔離度是有限的。因而，發(fā)送信號(hào)的一部分作為回送信號(hào)(用點(diǎn)劃線(xiàn)表示)泄漏到接受信號(hào)的傳送線(xiàn)路中。泄漏的回送信號(hào)通過(guò)旁路電路102b而繞開(kāi)LNA102a，從接收端子RX輸出至失真補(bǔ)償電路204。
[0016]由此，通過(guò)使用天線(xiàn)開(kāi)關(guān)113的隔離度，能夠在不另外追加耦合器105的情況下使回送信號(hào)分流，且將回送信號(hào)輸出至失真補(bǔ)償電路204。
[0017]接著，返回圖18，對(duì)前端電路100的接收動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。天線(xiàn)開(kāi)關(guān)103能夠切換成端子TA與端子TR相連接。天線(xiàn)300將所接收到接收信號(hào)輸出至天線(xiàn)端子ANT。天線(xiàn)端子ANT所接收到的接收信號(hào)在天線(xiàn)開(kāi)關(guān)103從端子TA傳送至端子TR。為了在后級(jí)的RFIC200中對(duì)接收信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理，規(guī)定與接收信號(hào)相適的信號(hào)強(qiáng)度的范圍。因而，到達(dá)起點(diǎn)A的接收信號(hào)根據(jù)信號(hào)強(qiáng)度來(lái)切換傳送線(xiàn)路。
[0018]在接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度較低的情況下(信號(hào)狀況不好的情況下)，LNA102a被導(dǎo)通，且開(kāi)關(guān)SW被斷開(kāi)。因此，接收信號(hào)被LNA102a放大。被LNA102a放大的接收信號(hào)從接收端子RX輸出至RFIC200。
[0019]相反地，在接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度較高的情況下(信號(hào)狀況較好的情況下)，LNA102a被截止，且開(kāi)關(guān)SW被閉合。因此，利用旁路電路102b使接收信號(hào)繞開(kāi)LNA102a。因此，接收信號(hào)不會(huì)被LNA102a放大。這是因?yàn)槿粜盘?hào)強(qiáng)度較高的接收信號(hào)被LNA102a放大，則由于LNA102a和RFIC200而會(huì)在接收信號(hào)中產(chǎn)生失真。利用旁路電路102b來(lái)繞開(kāi)LNA102a的接收信號(hào)從接收端子RX輸出至RFIC200。
[0020]然而，在接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度較高的情況下，僅通過(guò)使接收信號(hào)繞開(kāi)以不被LNA102a放大是無(wú)法使接收信號(hào)收斂于適當(dāng)?shù)男盘?hào)強(qiáng)度的范圍內(nèi)的。多數(shù)情況下，需要使接收信號(hào)衰減一 15dB?一 5dB左右。這是為了要滿(mǎn)足IEEE802.1lac中所規(guī)定的特性要求。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0021]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:國(guó)際專(zhuān)利W02007/129716號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本專(zhuān)利特開(kāi)2009-33598號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0022]具有現(xiàn)有的前端電路的前端模塊未以應(yīng)用DH)為前提進(jìn)行設(shè)計(jì)。因此，若僅在現(xiàn)有的前端電路的結(jié)構(gòu)中應(yīng)用DPD，則所泄漏的回送信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度變大。這是因?yàn)樘炀€(xiàn)開(kāi)關(guān)113的隔離度不足夠。若回送信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度變大，則會(huì)導(dǎo)致因LNA102a而在回送信號(hào)中產(chǎn)生的失真變大?；厮托盘?hào)的失真較大會(huì)導(dǎo)致發(fā)送信號(hào)的調(diào)制精度下降，因此是不被希望的情況。因而，為了不使回送信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度變大、或者不使失真變大，需要使回送信號(hào)衰減至收斂于適當(dāng)?shù)男盘?hào)強(qiáng)度的范圍內(nèi)為止。另外，為了使接收信號(hào)也收斂于適當(dāng)?shù)男盘?hào)強(qiáng)度的范圍內(nèi)，需要根據(jù)信號(hào)狀況對(duì)接收信號(hào)進(jìn)行放大或減小，從而調(diào)整其信號(hào)強(qiáng)度。
[0023]然而，在利用天線(xiàn)開(kāi)關(guān)113的隔離度來(lái)使回送信號(hào)分流的情況下，在公共的傳送線(xiàn)路中傳送回送信號(hào)和接收信號(hào)。因此，為了使兩者的強(qiáng)度分別收斂于各自合適的范圍內(nèi)而對(duì)兩者的信號(hào)強(qiáng)度進(jìn)行調(diào)整是較為困難的。
[0024]因此，本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而設(shè)計(jì)的，其目的在于提供一種前端電路，該前端電路能夠使回送信號(hào)和接收信號(hào)這兩者分別收斂于各自合適的信號(hào)強(qiáng)度的范圍內(nèi)。
解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案
[0025]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，高頻電路具有:
功率放大電路，該功率放大電路對(duì)發(fā)送端子所接收到的信號(hào)進(jìn)行放大并輸出發(fā)送信號(hào);
低噪聲放大電路，該低噪聲放大電路對(duì)由天線(xiàn)端子所接收到的接收信號(hào)進(jìn)行放大，并向接收端子輸出被放大后的接收信號(hào)；
連接切換電路，該連接切換電路響應(yīng)于第I控制信號(hào)，對(duì)天線(xiàn)端子和功率放大電路之間的連接、與天線(xiàn)端子和低噪聲放大電路之間的連接進(jìn)行切換；
旁路電路，該旁路電路響應(yīng)于第2控制信號(hào)，在連接切換電路和接收端子之間形成繞過(guò)低噪聲放大電路的旁路；以及
衰減部，該衰減部設(shè)置于接收信號(hào)的傳送線(xiàn)路中。
衰減部包括多個(gè)衰減電路。
多個(gè)裳減電路具有:
第I衰減電路，在利用連接切換電路來(lái)使天線(xiàn)端子與功率放大電路電連接的情況下，該第I衰減電路響應(yīng)于第I控制信號(hào)，使發(fā)送信號(hào)之中泄漏到接收信號(hào)的傳送線(xiàn)路中的分流信號(hào)衰減；以及
第2衰減電路，在利用連接切換電路來(lái)使天線(xiàn)端子與低噪聲放大電路電連接的情況下，該第2衰減電路響應(yīng)于第2控制信號(hào)，使傳送線(xiàn)路中的接收信號(hào)衰減。
[0026]優(yōu)選的是旁路電路包括響應(yīng)于第2控制信號(hào)的開(kāi)關(guān)，從設(shè)置于連接切換電路和低噪聲放大電路之間的起點(diǎn)形成旁路。多個(gè)衰減電路分別設(shè)置在連接切換電路和起點(diǎn)之間、起點(diǎn)和開(kāi)關(guān)之間、或者起點(diǎn)和低噪聲放大電路之間。
[0027]優(yōu)選第I衰減電路和第2衰減電路分別具有設(shè)置在傳送線(xiàn)路和接地節(jié)點(diǎn)之間的開(kāi)關(guān)元件。開(kāi)關(guān)元件響應(yīng)于第I控制信號(hào)和第2控制信號(hào)之中所對(duì)應(yīng)的信號(hào)，使傳送線(xiàn)路和接地節(jié)點(diǎn)電連接。
[0028]優(yōu)選開(kāi)關(guān)元件是FET，且第I衰減電路和第2衰減電路分別還具有:
電阻，該電阻設(shè)置于FET的柵極和接地節(jié)點(diǎn)之間；
第I電容器，該第I電容器設(shè)置于FET的漏極和傳送線(xiàn)路之間；以及第2電容器，該第2電容器設(shè)置于FET的源極和接地節(jié)點(diǎn)之間，F(xiàn)ET的漏極接收第I控制信號(hào)和第2控制信號(hào)之中所對(duì)應(yīng)的信號(hào)。
[0029]優(yōu)選多個(gè)衰減電路分別具有設(shè)置在第2電容和接地節(jié)點(diǎn)之間的電感。
[0030]優(yōu)選多個(gè)衰減電路之中的至少2個(gè)衰減電路分別具有的第2電容器在接地節(jié)點(diǎn)一側(cè)相互連接。衰減部還具有設(shè)置在相互連接的第2電容器的接地節(jié)點(diǎn)一側(cè)和接地節(jié)點(diǎn)之間的電感器。
[0031 ] 優(yōu)選電感器是將高頻電路安裝至封裝的接合線(xiàn)。
[0032]優(yōu)選多個(gè)衰減電路還具有第3衰減電路，該第3衰減電路響應(yīng)于第I控制信號(hào)，與第I衰減電路一起使分流信號(hào)衰減。第I衰減電路設(shè)置在連接切換電路和起點(diǎn)之間。第2衰減電路設(shè)置在起點(diǎn)和低噪聲放大電路之間。第3衰減電路設(shè)置在起點(diǎn)和開(kāi)關(guān)之間。
[0033]優(yōu)選第I衰減電路設(shè)置在連接切換電路和起點(diǎn)之間。第2衰減電路設(shè)置在起點(diǎn)和低噪聲放大電路之間。
[0034]優(yōu)選第I衰減電路設(shè)置在連接切換電路和起點(diǎn)之間。第2衰減電路設(shè)置在起點(diǎn)和開(kāi)關(guān)之間。
[0035]優(yōu)選第I衰減電路和第2衰減電路設(shè)置在連接切換電路和起點(diǎn)之間。
[0036]優(yōu)選第I衰減電路和第2衰減電路設(shè)置在起點(diǎn)和開(kāi)關(guān)之間。
優(yōu)選第I衰減電路和第2衰減電路設(shè)置在起點(diǎn)和低噪聲放大電路之間。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的其它方面，高頻模塊具有上述高頻電路。
優(yōu)選高頻模塊具有失真補(bǔ)償電路，該失真補(bǔ)償電路從接收端子接收經(jīng)第I衰減電路衰減后的分流信號(hào)。失真補(bǔ)償電路根據(jù)經(jīng)衰減后的分流信號(hào)，在向發(fā)送端子輸出之前減小發(fā)送信號(hào)的失真，將失真經(jīng)過(guò)降低后的發(fā)送信號(hào)輸出至發(fā)送端子。
[0038]優(yōu)選高頻模塊還具備:形成有功率放大電路的HBT基板；形成有低噪聲放大電路和連接切換電路的HEMT基板；以及安裝有高頻電路的QFN封裝。
發(fā)明效果
[0039]根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)一種分流信號(hào)與接收信號(hào)均收斂于各自適合的信號(hào)強(qiáng)度范圍內(nèi)的聞?lì)l電路。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0040]圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式I所涉及的高頻電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。
圖2是表不圖1所不的聞?lì)l電路與外部電路之間的連接的電路框圖。
圖3是表不圖1所不的聞?lì)l電路所具有的裳減電路的結(jié)構(gòu)的框圖。
圖4是表示IEEE802.1lac中所規(guī)定的特性要求的圖。
圖5是表示圖1所示的高頻電路的各個(gè)動(dòng)作模式下的控制的圖。
圖6是表示圖1所示的高頻電路的各個(gè)動(dòng)作模式下的信號(hào)傳送線(xiàn)路的電路框圖。
圖7是表示圖1所示的高頻電路中的、TX模式下的隔離度與頻率的相關(guān)性的仿真結(jié)果的圖。
圖8是表示圖1所示的高頻電路中、TX模式下的EVM與功率的相關(guān)性的仿真結(jié)果的圖。 圖9是表示圖1所示的高頻電路中、LNA模式和旁路模式下的增益的仿真結(jié)果的圖。
圖10是表示本發(fā)明實(shí)施方式2所涉及的高頻電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。
圖11是表示本發(fā)明實(shí)施方式3所涉及的高頻電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。
圖12是表示本發(fā)明實(shí)施方式4所涉及的高頻電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。
圖13是表示本發(fā)明實(shí)施方式5所涉及的高頻電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。
圖14是表示本發(fā)明實(shí)施方式6所涉及的高頻電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。
圖15是表示本發(fā)明實(shí)施方式的變形例I所涉及的衰減電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖16是表示本發(fā)明實(shí)施方式的變形例2所涉及的衰減部的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖17是不意地表不在組裝了具有圖16所不的裳減部的聞?lì)l電路的聞?lì)l|旲塊中的、利用封裝內(nèi)的接合線(xiàn)來(lái)實(shí)現(xiàn)的布線(xiàn)的圖。
圖18是表不現(xiàn)有的聞?lì)l電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。
圖19是表示數(shù)字預(yù)失真的概念的框圖。
圖20是表示現(xiàn)有的高頻電路中、為了使分流信號(hào)分流而使用連接切換電路的隔離度的情況下的結(jié)構(gòu)和信號(hào)傳送線(xiàn)路的電路框圖。

【具體實(shí)施方式】
[0041]下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。對(duì)圖中相同或相對(duì)應(yīng)的部分標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào)，且不重復(fù)進(jìn)行說(shuō)明。
[0042]IEEE802.11 標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定有 2.4GHz 頻帶(IEEE802.llb/llg/lln/llac 等)、以及5GHz頻帶(IEEE802.lla/lln/llac等)中的無(wú)線(xiàn)LAN的通信標(biāo)準(zhǔn)。此處，以與5GHz頻帶對(duì)應(yīng)的前端電路(高頻電路)為例，對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0043](實(shí)施方式I)
圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式I所涉及的高頻電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。
[0044]圖2是表不圖1所不的聞?lì)l電路與外部電路之間的連接的電路框圖。
[0045]參照?qǐng)D1和圖2，前端電路10具有PA(功率放大電路)11a、LNA(低噪聲放大電路)12a、旁路電路12b、輸入匹配電路12c、輸出匹配電路12d、天線(xiàn)開(kāi)關(guān)(連接切換電路)13、衰減部14 (不包括輸入匹配電路12c)、發(fā)送端子TX、接收端子RX、天線(xiàn)端子ANT、以及控制端子Tl?T3。
[0046]PAlla和LNA12a是對(duì)所輸入的微弱的信號(hào)進(jìn)行放大并輸出的放大電路。PAlIa對(duì)發(fā)送端子TX所接收到的信號(hào)進(jìn)行放大。利用PAlla放大后的信號(hào)被作為發(fā)送信號(hào)來(lái)輸出。LNA12a對(duì)天線(xiàn)端子ANT所接收到的接收信號(hào)進(jìn)行放大。被LNA12a放大的接收信號(hào)輸出至接收端子RX。
[0047]旁路電路12b在設(shè)置于天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13和LNA12a的輸入端之間的起點(diǎn)A、與設(shè)置于LNA12a的輸出端和接收端子RX之間的終點(diǎn)B之間，形成旁路。旁路電路12b包括開(kāi)關(guān)SW。開(kāi)關(guān)SW是SPST型開(kāi)關(guān)。前端電路10中，通過(guò)利用控制電路400來(lái)對(duì)開(kāi)關(guān)SW進(jìn)行控制，從而對(duì)以下兩種情況進(jìn)行切換:利用LNA102a對(duì)到達(dá)起點(diǎn)A的信號(hào)進(jìn)行放大，或者利用旁路電路102b來(lái)繞過(guò)LNA12a。
[0048]輸入匹配電路12c設(shè)置于天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13和起點(diǎn)A之間。輸入匹配電路12c對(duì)天線(xiàn)300和前端電路10之間的輸入阻抗進(jìn)行匹配。輸出匹配電路12d設(shè)置于LNA12a的輸出端和終點(diǎn)B之間。輸出匹配電路12d對(duì)RFIC200和前端電路10之間的輸出阻抗進(jìn)行匹配。
[0049]天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13是SPDT型開(kāi)關(guān)。天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13包括端子TA、端子TT、端子TR。端子TA與天線(xiàn)端子ANT相連接。端子TT與發(fā)送端子TX電連接。端子TR與接收端子RX電連接。天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13利用后述的控制信號(hào)來(lái)進(jìn)行切換，從而使得前端電路10在進(jìn)行發(fā)送動(dòng)作時(shí)，端子TA連接至端子TT，且在進(jìn)行接收動(dòng)作時(shí)，端子TA連接至端子TR。
[0050]衰減部14包括衰減電路Fl(第I衰減電路)、衰減電路F2(第2衰減電路)、衰減電路F3(第3衰減電路)。衰減電路Fl設(shè)置于起點(diǎn)A和天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13之間。衰減電路F2設(shè)置于起點(diǎn)A和LNA12a之間。衰減電路F3設(shè)置于起點(diǎn)A和開(kāi)關(guān)SW之間。
[0051]RFIC200連接至發(fā)送端子TX和接收端子RX。RFIC200具有失真補(bǔ)償電路204。天線(xiàn)300連接至天線(xiàn)端子ANT?？刂齐娐?00連接至控制端子Tl?T3。
[0052]控制端子Tl?T3分別從控制電路400接收所對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)。控制端子Tl接收控制信號(hào)ν_ΤΧ?？刂贫俗覶2接收控制信號(hào)V_RX (第I控制信號(hào))?？刂贫俗覶3接收控制信號(hào)V_LNA(第2控制信號(hào))。控制信號(hào)V_TX用于PAlla的導(dǎo)通截止控制、以及切換天線(xiàn)13以使端子TA與端子TR相連接的控制中。控制信號(hào)V_RX用于切換天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13以使端子TA和端子TT相連接的控制中?？刂菩盘?hào)V_LNA用于LNA12a和開(kāi)關(guān)SW的閉合斷開(kāi)控制中。
[0053]而且，進(jìn)行布線(xiàn)，以使得衰減電路Fl、F3接收控制信號(hào)V_RX，且衰減電路F2接收控制信號(hào)￥_1^熟。因此，利用上述控制信號(hào)，不僅能夠?qū)Alla、LNA12a、以及開(kāi)關(guān)SW進(jìn)行閉合斷開(kāi)控制，還能夠?qū)λp電路Fl?F3進(jìn)行閉合斷開(kāi)控制。
[0054]圖3是表示圖1所示的前端電路所具有的衰減電路Fl的結(jié)構(gòu)的電路圖。另外，衰減電路F2、F3的結(jié)構(gòu)與衰減電路Fl的結(jié)構(gòu)相同，所以不重復(fù)說(shuō)明。
[0055]衰減電路Fl具有開(kāi)關(guān)元件Q1、電容器Cl，C2、電阻Rl，R2。7 4素子Qlt1、7 —^ 1J 一才 >型(D — mode) FET (Field Effect Transistor) t? 3。開(kāi)關(guān)兀件Ql設(shè)置于高頻信號(hào)(回送信號(hào)或接收信號(hào))的傳送線(xiàn)路和接地節(jié)點(diǎn)GND之間。FET的柵極和接地節(jié)點(diǎn)GND之間設(shè)置有電阻R2。FET的漏極和高頻信號(hào)的傳送線(xiàn)路之間設(shè)置有電容器Cl (第I電容器)。FET的源極和接地節(jié)點(diǎn)GND之間設(shè)置有電容器C2 (第2電容器)。FET的漏極從控制端子Τ2接收控制信號(hào)V_RX。
[0056]電容器Cl、C2分別是用于防止控制信號(hào)V_RX泄漏到高頻信號(hào)的傳送線(xiàn)路和接地節(jié)點(diǎn)GND的DC截止電容。電阻Rl是用于穩(wěn)定控制信號(hào)V_RX的阻尼電阻(damping resistor)。
[0057]當(dāng)FET的漏極接收到L (低電平)信號(hào)以作為控制信號(hào)V_RX時(shí)，衰減電路Fl成為導(dǎo)通狀態(tài)。在此情況下，在傳送線(xiàn)路中傳送的高頻信號(hào)釋放到接地節(jié)點(diǎn)GND。因此，利用衰減電路Fl能夠使高頻信號(hào)衰減。相反地，當(dāng)FET的漏極接收到H(高電平)信號(hào)以作為控制信號(hào)V_RX時(shí)，衰減電路Fl成為斷開(kāi)狀態(tài)。在此情況下，不利用衰減電路Fl來(lái)進(jìn)行衰減，而使高頻信號(hào)在傳送線(xiàn)路中傳送。
[0058]具有上述結(jié)構(gòu)的前端電路10根據(jù)被稱(chēng)為T(mén)X模式、LNA模式、以及旁路模式的這3種動(dòng)作模式來(lái)進(jìn)行動(dòng)作。TX模式是指用于利用DH)來(lái)將發(fā)送信號(hào)進(jìn)行發(fā)送的動(dòng)作模式。LNA模式是指在信號(hào)狀態(tài)不好且接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度較低的情況下、用于利用LNA12a來(lái)放大接收信號(hào)的動(dòng)作模式。旁路模式是指信號(hào)狀況良好且接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度較高的情況下、用于形成利用旁路電路12b來(lái)繞開(kāi)LNA12a的接收信號(hào)的旁路，從而不會(huì)使接收信號(hào)被LNA12a放大的動(dòng)作模式。如下面具體所示，IEEE802.1lac中規(guī)定了每個(gè)動(dòng)作模式中不同的特性要求。
[0059]圖4是表示IEEE802.1lac中所規(guī)定的特性要求的圖。TX模式中規(guī)定了 4.9GHz?5.9GHz的頻帶。LNA模式和旁路模式中規(guī)定了 5.15GHz?5.9GHz的頻帶。
[0060]參照?qǐng)D4，在TX模式中為了滿(mǎn)足與增益相關(guān)的特性要求，必須設(shè)定PAlla的增益以使得發(fā)送端子TX和天線(xiàn)端子ANT之間的增益在27dB以上。而且，為了滿(mǎn)足與回送信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度相關(guān)的特性要求，必須增強(qiáng)PAlla的輸出端和接收端子RX之間的隔離度以使強(qiáng)于一 40dB。另外，為了滿(mǎn)足與回送信號(hào)的失真相關(guān)的特性要求,必須使EVM(Error VectorMagni tude:誤差向量幅度)在1.8%以下。
[0061]回到圖1，在向PAlla的輸出端輸入沒(méi)有失真的調(diào)制信號(hào)的情況下，通過(guò)測(cè)定從接收端子RX輸出的信號(hào)來(lái)求得EVM。但是，在前端電路10所有的結(jié)構(gòu)要素均安裝于封裝內(nèi)的狀態(tài)下，無(wú)法直接測(cè)定出EVM。因此，使用下述的直接手法或者間接手法來(lái)測(cè)定EVM。
[0062]在直接手法中，僅將形成有LNA12a和開(kāi)關(guān)SW的芯片安裝于封裝內(nèi)，測(cè)定天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13的端子TT和接收端子RX之間的EVM。另一方面，作為間接手法，將前端電路10的所有結(jié)構(gòu)要素安裝在封裝內(nèi)，首先測(cè)定發(fā)送端子TX和天線(xiàn)端子ANT之間的EVM。此時(shí)，接收端子RX被50 Ω的終接器終接。接著，測(cè)定發(fā)送端子TX和接收端子RX之間的EVM。此時(shí)，天線(xiàn)端子ANT被50 Ω的終接器終接。通過(guò)比較由此測(cè)定得到的2個(gè)EVM，能夠推定出回送信號(hào)在天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13的端子TT和接收端子RX之間傳送時(shí)所重疊的失真的大小。
[0063]另外，關(guān)于發(fā)送信號(hào)的失真，EVM也必須在1.8%以下。在向發(fā)送端子TX輸入了沒(méi)有失真的調(diào)制信號(hào)的情況下，通過(guò)測(cè)定從天線(xiàn)端子ANT輸出的信號(hào)來(lái)求得該EVM。
[0064]在TX模式下，雖然LNA12a是截止?fàn)顟B(tài)，但是LNA12a接收回送信號(hào)。即使在LNA12a為截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，若LNA12a所接收的回送信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度較高，則仍會(huì)向LNA12a所包含的放大晶體管的柵極一源極之間施加大于等于使LNA12a導(dǎo)通的電壓。因此，導(dǎo)致在回送信號(hào)中產(chǎn)生失真。因而，必須在回送信號(hào)到達(dá)LNA12a之前使其充分地衰減。
[0065]另一方面，在LNA模式下，必須使天線(xiàn)端子ANT和接收端子RX之間的增益在1dB以上。在芳路模式下，必須使上述增益為一 12dB?一 8dB。
[0066]另外，為了滿(mǎn)足旁路模式下的與增益相關(guān)的特性要求而使接收信號(hào)衰減，例如在旁路電路12b的傳送線(xiàn)路上設(shè)置串聯(lián)連接的電阻也能實(shí)現(xiàn)。在此情況下，另外追加的器件僅為電阻。因此，從減小基板面積或減少構(gòu)件成本的角度來(lái)看是有利的。然而，這樣會(huì)導(dǎo)致高頻信號(hào)的失真變大，因而并不優(yōu)選。隨著另外追加電阻，LNA12a相對(duì)于旁路電路12b的阻抗會(huì)相對(duì)地減少。因此，導(dǎo)致LNA12a所接收的高頻信號(hào)的功率增大。因而，高頻信號(hào)的失真變大。
[0067]由此，IEEE802.1lac中所規(guī)定的特性要求因動(dòng)作模式的不同而不同。因此，必須針對(duì)每個(gè)動(dòng)作模式來(lái)對(duì)回送信號(hào)或接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度的衰減量進(jìn)行調(diào)整。下面，參照?qǐng)D5和圖6來(lái)說(shuō)明各個(gè)動(dòng)作模式下前端電路10的動(dòng)作。
[0068]圖5是表示圖1所示的高頻電路的各個(gè)動(dòng)作模式下的結(jié)構(gòu)要素的控制的圖。
[0069]圖6是表示圖1所示的高頻電路的各個(gè)動(dòng)作模式下的信號(hào)傳送線(xiàn)路的電路框圖。圖6 (A)表示TX模式下信號(hào)的傳送線(xiàn)路。圖6 (B)表示LNA模式下信號(hào)的傳送線(xiàn)路。圖6 (C)表示旁路模式下信號(hào)的傳送線(xiàn)路。參照?qǐng)D6，用虛線(xiàn)來(lái)表示發(fā)送信號(hào)和接收信號(hào)的傳送線(xiàn)路。用點(diǎn)劃線(xiàn)來(lái)表示回送信號(hào)的傳送線(xiàn)路。
[0070]首先，參照?qǐng)D5和圖6 (A)來(lái)說(shuō)明TX模式下的發(fā)送信號(hào)和回送信號(hào)的傳送線(xiàn)路。在TX模式下，從控制電路400 (參照?qǐng)D2)輸出H信號(hào)來(lái)作為控制信號(hào)V_TX。輸出L信號(hào)來(lái)作為控制信號(hào)V_RX。輸出L信號(hào)來(lái)作為控制信號(hào)V_LNA。
[0071]控制端子Tl?T3分別接收所對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)，由此天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13切換成端子TA與端子TT相連接。PAlla導(dǎo)通。LNA12a截止。旁路電路12b導(dǎo)通。衰減電路Fl?F3全部導(dǎo)通。
[0072]因而，前端電路10從失真補(bǔ)償電路(參照?qǐng)D2)所接收到的信號(hào)按照發(fā)送端子TX - PAlIa (導(dǎo)通狀態(tài))、端子TT、端子TA、天線(xiàn)端子ANT的順序進(jìn)行傳送。此時(shí)，被PAlla放大后的發(fā)送信號(hào)的一部分作為回送信號(hào)而泄漏到接收信號(hào)的傳送線(xiàn)路中?；厮托盘?hào)按照端子TR、衰減電路Fl (導(dǎo)通狀態(tài))、輸入匹配電路12c、起點(diǎn)A、衰減電路F2 (導(dǎo)通狀態(tài))、開(kāi)關(guān)SW、終點(diǎn)B、接收端子RX的順序進(jìn)行傳送。從接收端子RX向失真補(bǔ)償電路(參照?qǐng)D2)輸出回送信號(hào)。
[0073]接著，參照?qǐng)D5和圖6⑶來(lái)說(shuō)明LNA模式下的接收信號(hào)的傳送線(xiàn)路。在LNA模式下，從控制電路400 (參照?qǐng)D2)輸出L信號(hào)來(lái)作為控制信號(hào)V_TX。輸出H信號(hào)來(lái)作為控制信號(hào)V_RX。輸出H信號(hào)來(lái)作為控制信號(hào)V_LNA。
[0074]控制端子Tl?T3分別接收所對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)，由此天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13切換成端子TA與端子TR相連接。PAlla截止。LNA12a導(dǎo)通。旁路電路12b斷開(kāi)。衰減電路Fl?F3全部斷開(kāi)。
[0075]因此，天線(xiàn)端子ANT所接收到的接收信號(hào)按照天線(xiàn)端子ANT、端子TA、端子TR、衰減電路Fl (斷開(kāi)狀態(tài))、輸入匹配電路12c、起點(diǎn)A、衰減電路F3 (斷開(kāi)狀態(tài))、LNA12a(導(dǎo)通狀態(tài))、輸出匹配電路12d、終點(diǎn)B、接收端子RX的順序進(jìn)行傳送。從接收端子RX向失真補(bǔ)償電路(參照?qǐng)D2)輸出接收信號(hào)。
[0076]最后，參照?qǐng)D5和圖6(C)來(lái)說(shuō)明旁路模式下的接收信號(hào)的傳送線(xiàn)路。旁路模式下，從控制電路400 (參照?qǐng)D2)輸出L信號(hào)來(lái)作為控制信號(hào)V_TX。輸出H信號(hào)來(lái)作為控制信號(hào)V_RX。輸出L信號(hào)來(lái)作為控制信號(hào)V_LNA。
[0077]控制端子Tl?T3分別接收所對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)，由此天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13切換成端子TA與端子TR相連接。PAlla和LNA12a都截止。旁路電路12b導(dǎo)通。衰減電路Fl和衰減電路F3全部斷開(kāi)。衰減電路F2導(dǎo)通。
[0078]因此，天線(xiàn)端子ANT所接收到的接收信號(hào)按照天線(xiàn)端子ANT、端子TA、端子TR、衰減電路Fl (斷開(kāi)狀態(tài))、輸入匹配電路12c、起點(diǎn)A、衰減電路F2 (斷開(kāi)狀態(tài))、開(kāi)關(guān)SW(閉合狀態(tài))、終點(diǎn)B、接收端子RX的順序進(jìn)行傳送。從接收端子RX向失真補(bǔ)償電路(參照?qǐng)D2)輸出接收信號(hào)。
[0079]由此，由于衰減電路Fl?F3分別具有開(kāi)關(guān)元件，因此能夠在每個(gè)動(dòng)作模式下使不同個(gè)數(shù)的衰減電路導(dǎo)通。根據(jù)衰減電路Fl?F3中被導(dǎo)通的衰減電路Fl?F3的個(gè)數(shù)，來(lái)確定高頻信號(hào)的衰減量。對(duì)于各個(gè)動(dòng)作模式以滿(mǎn)足圖4所示的特性要求的方式，來(lái)確定被導(dǎo)通的衰減電路的個(gè)數(shù)。
[0080]具體而言，對(duì)于3個(gè)動(dòng)作模式，為了對(duì)每個(gè)動(dòng)作模式來(lái)調(diào)整高頻信號(hào)的衰減量，必須設(shè)置至少2個(gè)衰減電路。若設(shè)置2個(gè)衰減電路，則通過(guò)對(duì)開(kāi)關(guān)元件進(jìn)行閉合斷開(kāi)控制，以成為(I)兩者都導(dǎo)通狀態(tài)、(2) 一個(gè)為導(dǎo)通狀態(tài)而另一個(gè)為斷開(kāi)狀態(tài)、(3)兩者都為斷開(kāi)狀態(tài)，由此能夠以上述3種方式來(lái)調(diào)整高頻信號(hào)的衰減量。
[0081]本實(shí)施方式所涉及的前端電路10中，設(shè)置有3個(gè)衰減電路。在TX模式下，衰減電路Fl?F3全部為閉合狀態(tài)。因此，回送信號(hào)的衰減量相當(dāng)于3個(gè)衰減電路的衰減量。因而，TX模式下回送信號(hào)的衰減量在所有信號(hào)的衰減量中變得最大。由此，發(fā)送信號(hào)的傳送線(xiàn)路和接收信號(hào)的傳送線(xiàn)路之間的隔離度也得到最大強(qiáng)化。另外，回送信號(hào)的衰減使得回送信號(hào)的失真也有所降低。
[0082]在LNA模式下，衰減電路Fl?F3全部為斷開(kāi)狀態(tài)。因此，接收信號(hào)不被衰減。也就是說(shuō)，由于降低接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度，而需要利用LNA12a來(lái)放大接收信號(hào)，在此情況下，也不會(huì)因衰減部14而使接收信號(hào)衰減。
[0083]在旁路模式下，僅使衰減電路F2為導(dǎo)通狀態(tài)。因此，接收信號(hào)的衰減量相當(dāng)于I個(gè)衰減電路的衰減量。因而，接收信號(hào)的衰減量變得小于回送信號(hào)的衰減量。由此，能夠?qū)⒔邮招盘?hào)調(diào)整成收斂于適當(dāng)?shù)男盘?hào)強(qiáng)度的范圍內(nèi)。
[0084]如上所述，無(wú)論回送信號(hào)和接收信號(hào)是否在公共的傳送線(xiàn)路中傳送，都能夠相互獨(dú)立地調(diào)整回送信號(hào)和接收信號(hào)的衰減量。
[0085]下面，參照?qǐng)D7?圖9來(lái)說(shuō)明前端電路10實(shí)際滿(mǎn)足圖4所示的特性要求的情況。在圖7?圖9中示出了結(jié)果的仿真中，設(shè)定了基于IEEE802.1lac的標(biāo)準(zhǔn)的仿真條件。
[0086]圖7是表示圖1所示的高頻電路10中、TX模式下的隔離度與頻率的相關(guān)性的仿真結(jié)果的圖。參照?qǐng)D7，曲線(xiàn)圖的橫軸表示發(fā)送端子TX接收到的信號(hào)的頻率。曲線(xiàn)圖的縱軸表示隔離度。隔離度是指PAlla的輸出端的發(fā)送信號(hào)和接收端子RX的回送信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度之比。波形7a表示本實(shí)施方式所涉及的前端電路10中隔離度與頻率的相關(guān)性。波形7b表不現(xiàn)有的如端電路中隔尚度與頻率的相關(guān)性。
[0087]如圖4中示出的特性要求那樣，在4.9GHz?5.9GHz中，必須增強(qiáng)隔離度以使其小于一 40dB。在現(xiàn)有的前端電路中，隔離度不足一 20dB。另一方面，在本實(shí)施方式所涉及的前端電路10中，在上述整個(gè)頻帶中，增強(qiáng)隔離度以使其強(qiáng)于一 40dB。因而，前端電路10的隔離度滿(mǎn)足圖4所示的特性要求。因此，可知:通過(guò)使衰減部14包括衰減電路Fl?F3，由此能夠充分地使回送信號(hào)衰減。
[0088]圖8是表示圖1所示的高頻電路10中、TX模式下的EVM與功率的相關(guān)性的仿真結(jié)果的圖。參照?qǐng)D8，曲線(xiàn)圖的橫軸表示調(diào)制信號(hào)在PAlla的輸出端的功率。曲線(xiàn)圖的縱軸表示根據(jù)在從PAlla的輸出端輸入沒(méi)有失真的調(diào)制信號(hào)的情況下、從接收端子RX輸出的調(diào)制信號(hào)所計(jì)算出的EVM。所輸入的調(diào)制信號(hào)的頻率為5.4GHz。波形8a表示前端電路10的EVM。波形8b表示現(xiàn)有的前端電路的EVM。
[0089]如圖4中示出的特性要求那樣，在向PAlla的輸出端輸入具有22dBm以下的功率且沒(méi)有失真的調(diào)制信號(hào)的情況下，必須使在接收端子RX測(cè)定到的EVM在1.8%以下。在現(xiàn)有的前端電路中，即使在輸入具有OdBm左右功率的調(diào)制信號(hào)的情況下，EVM也會(huì)超過(guò)1.8%。另一方面，在本實(shí)施方式所涉及的前端電路10中，在輸入具有22dBm的功率的調(diào)制信號(hào)的情況下，EVM不到1.0%。因而，前端電路10的EVM滿(mǎn)足圖4所示的特性要求。因此，可知:通過(guò)使衰減部14包括衰減電路Fl?F3，由此能夠充分地減小回送信號(hào)的失真。
[0090]此處，22dBm這個(gè)值僅僅是發(fā)送信號(hào)的功率的一個(gè)示例。對(duì)于發(fā)送信號(hào)的功率的范圍，可根據(jù)由隔離度所確定的回送信號(hào)的功率來(lái)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
[0091]另外，根據(jù)圖8所示的模擬結(jié)果，可以得到如下結(jié)論。例如，如果在發(fā)送端子TX和天線(xiàn)端子ANT之間具有其線(xiàn)形輸出為20dBm(直到輸出為20dBm為止，維持EVM為1.8%以下)的PA，當(dāng)輸出為22dBm時(shí)，EVM為5%左右。進(jìn)一步可知:在到輸入為22dBm為止，回送信號(hào)的失真特性具有良好的線(xiàn)性特性。因此，當(dāng)在天線(xiàn)端子ANT輸出22dBm時(shí)，可認(rèn)為在接收端子RX所測(cè)定的5%+α的調(diào)制信號(hào)的失真類(lèi)型(增益失真為正或負(fù)，相位失真為正或負(fù))幾乎是由PA造成的，所以對(duì)其中一個(gè)施加逆向失真即可?？傊?，由于DH)使線(xiàn)形輸出功率為20dBm的PA能夠直到22dBm為止都具有良好的線(xiàn)性特性。至于直到什么范圍內(nèi)PA都具有良好的線(xiàn)性特性，則較大程度上依賴(lài)回送信號(hào)的線(xiàn)形輸入為多少dBm。
[0092]圖9是表示圖1所示的高頻電路10中、對(duì)LNA模式和旁路模式下的增益的仿真結(jié)果的圖。參照?qǐng)D9，曲線(xiàn)圖的橫軸是天線(xiàn)端子ANT所接收的接收信號(hào)的頻率。曲線(xiàn)圖的縱軸是天線(xiàn)端子ANT和接收端子RX之間的增益。波形9a表示LNA模式下的增益。波形9b表示旁路模式下的增益。
[0093]如圖4中示出的特性要求那樣，在5.15GHz?5.9GHz中，必須使LNA模式下的增益在1dB以上。必須使旁路模式下的增益為一 12dB?一 8dB。在本實(shí)施方式所涉及的前端電路10中，在上述整個(gè)頻帶中，LNA模式下的增益都超過(guò)10dB。另外，旁路模式下的增益也在上述整個(gè)頻帶中都收斂于一 12dB?一 8dB之間。因而，前端電路10在LNA模式和旁路模式下的增益都滿(mǎn)足圖4所示的特性要求。因此，可知:通過(guò)使衰減部14包括衰減電路Fl?F3，能夠?qū)⒔邮招盘?hào)調(diào)整為收斂在適當(dāng)?shù)男盘?hào)強(qiáng)度的范圍內(nèi)。
[0094]如上所述，在TX模式下，使所有衰減電路Fl?F3都導(dǎo)通，以使回送信號(hào)衰減。因此，能夠得到滿(mǎn)足IEEE802.1lac中所規(guī)定的特性要求的隔離度。其結(jié)果是，由于能夠降低回送信號(hào)的失真，所以能夠得到滿(mǎn)足上述特性要求的EVM。另外，在LNA模式下，使所有衰減電路Fl?F3都斷開(kāi)，從而不使回送信號(hào)衰減。因此，能夠得得到滿(mǎn)足上述特性要求的增益。而且，在旁路模式下，僅使衰減電路F2導(dǎo)通，能夠適當(dāng)?shù)厥菇邮招盘?hào)衰減。因此，能夠得到滿(mǎn)足上述特性要求的增益。因而，根據(jù)本實(shí)施方式，在TX模式、LNA模式和旁路模式的所有動(dòng)作模式下，都能夠?qū)崿F(xiàn)滿(mǎn)足圖4所示的特性要求的前端電路。
[0095]另外，在本實(shí)施方式所涉及的前端電路10中，可知信號(hào)V_RX為第I控制信號(hào)。但是，第I控制信號(hào)也可為控制信號(hào)ν_ΤΧ。這是因?yàn)榭刂菩盘?hào)V_TX和控制信號(hào)V_RX始終保持H信號(hào)和L信號(hào)這樣相反的關(guān)系。但是，在此情況下，必須變更PAlla和衰減電路F1、F3從而響應(yīng)控制信號(hào)V_TX來(lái)適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行動(dòng)作。另外，基于與上述相同的理由，也能夠?qū)⒖刂菩盘?hào)V_TX和控制信號(hào)V_RX歸總成I個(gè)控制信號(hào)。
[0096]在前端電路10中，天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13和起點(diǎn)A之間、起點(diǎn)A和開(kāi)關(guān)SW之間、以及起點(diǎn)A和LNA12a之間的傳送線(xiàn)路中分別設(shè)置有I個(gè)衰減電路。但是，只要是上述傳送線(xiàn)路，無(wú)論衰減電路位于什么位置，都能夠使在傳送線(xiàn)路中傳送的高頻信號(hào)衰減。這是因?yàn)楫?dāng)衰減電路為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，設(shè)置有衰減電路的傳送信號(hào)的阻抗會(huì)減小，所以高頻信號(hào)會(huì)向衰減電路傳送。因此，高頻信號(hào)的衰減量主要基于衰減電路的個(gè)數(shù)來(lái)確定，而非衰減電路的位置。
[0097]但是，從使回送信號(hào)中所生成的失真減小的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，衰減電路的位置對(duì)于回送信號(hào)會(huì)產(chǎn)生影響?；厮托盘?hào)中產(chǎn)生失真的主要原因是晶體管的線(xiàn)性特性。此處，晶體管是指PAlla所包括的放大晶體管、LNA12a所包括的放大晶體管、以及開(kāi)關(guān)SW所包括的開(kāi)關(guān)晶體管(均未圖示)。更優(yōu)選為，對(duì)作為在回送信號(hào)中產(chǎn)生失真的主要原因的晶體管進(jìn)行確定，在該晶體管的前級(jí)設(shè)置衰減電路。
[0098]另外，若在向LNA12a傳送的接收信號(hào)的傳送線(xiàn)路(天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13和LNA12a之間)中設(shè)置多個(gè)衰減電路，則可能會(huì)使LNA12a的噪聲指數(shù)(Noise Figure)變差。這是因?yàn)樵诟鱾€(gè)衰減電路所包含的FET被導(dǎo)通或截止時(shí)，由于FET的漏極一源極之間的寄生電容，會(huì)導(dǎo)致LNA12a的噪聲指數(shù)變差。
[0099]如上所述，優(yōu)選根據(jù)TX模式下作為在回送信號(hào)中產(chǎn)生失真的主要原因的晶體管、在LNA模式下LNA12a的噪聲指數(shù)等，來(lái)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整對(duì)衰減電路的配置及其個(gè)數(shù)。例如能夠?qū)⑺p電路配置成在天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13和起點(diǎn)A之間設(shè)置I個(gè)衰減電路，在起點(diǎn)A和開(kāi)關(guān)SW之間設(shè)置2個(gè)衰減電路，在起點(diǎn)A和LNA12a之間設(shè)置I個(gè)衰減電路。因而，能夠進(jìn)行如下控制:在TX模式下4個(gè)衰減電路全部被導(dǎo)通，在LNA模式下4個(gè)衰減電路全部被截止，在旁路模式下僅起點(diǎn)A和開(kāi)關(guān)SW之間所設(shè)置的2個(gè)衰減電路被導(dǎo)通。
[0100]下面，在實(shí)施方式2?6中，對(duì)衰減電路的配置及其個(gè)數(shù)不同的前端電路進(jìn)行說(shuō)明。關(guān)于下面的實(shí)施方式和實(shí)施方式的變形例，對(duì)于與實(shí)施方式I所涉及的前端電路10相同或相對(duì)應(yīng)的控制，不進(jìn)行重復(fù)說(shuō)明。
[0101](實(shí)施方式2)
實(shí)施方式2與實(shí)施方式I的不同之處在于:衰減部14具有2個(gè)衰減電路。在實(shí)施方式2中，對(duì)衰減部14在不同的2個(gè)位置分別設(shè)置I個(gè)衰減電路的情況進(jìn)行說(shuō)明。
[0102]圖10是表示本發(fā)明實(shí)施方式2所涉及的高頻電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。參照?qǐng)D10，在前端電路20中，衰減電路Fl(第I衰減電路)設(shè)置在天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13和起點(diǎn)A之間。衰減電路F2 (第2衰減電路)設(shè)置于起點(diǎn)A和LNA12a之間。進(jìn)行布線(xiàn)以使衰減電路Fl接收控制信號(hào)V_RX。進(jìn)行布線(xiàn)以使衰減電路F2接收控制信號(hào)V_LNA。
[0103]在實(shí)施方式2中，在LNA12a的前一級(jí)設(shè)置有衰減電路。因此，根據(jù)實(shí)施方式2，特別具有如下效果:在回送信號(hào)中產(chǎn)生失真的主要原因是LNA12a所包括的放大晶體管的情況下，回送信號(hào)的失真變小。
[0104](實(shí)施方式3)
實(shí)施方式3與實(shí)施方式2不同之處在于:對(duì)2個(gè)衰減電路的配置。實(shí)施方式3與實(shí)施方式2相同之處在于:衰減部14在不同的2個(gè)位置分別設(shè)置I個(gè)衰減電路。
[0105]圖11是表示本發(fā)明實(shí)施方式3所涉及的前端電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。參照?qǐng)D11，在前端電路30中，衰減電路Fl(第I衰減電路)設(shè)置在天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13和起點(diǎn)A之間。衰減電路F2 (第2衰減電路)設(shè)置于起點(diǎn)A和開(kāi)關(guān)SW之間。
[0106]在實(shí)施方式3中，在開(kāi)關(guān)SW的前一級(jí)設(shè)置有衰減電路。根據(jù)實(shí)施方式3，尤其具有如下效果:在回送信號(hào)中產(chǎn)生失真的主要原因是開(kāi)關(guān)SW所包括的開(kāi)關(guān)晶體管的情況下，回送信號(hào)的失真減小。
[0107](實(shí)施方式4)
實(shí)施方式4與實(shí)施方式2、3的不同之處在于:2個(gè)衰減電路幾乎設(shè)置在相同的位置上。
[0108]圖12是表示本發(fā)明實(shí)施方式4所涉及的前端電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。參照?qǐng)D12，在前端電路40中，衰減電路Fl (第I衰減電路)和衰減電路F2(第2衰減電路)均設(shè)置在天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13和起點(diǎn)A之間。
[0109]在實(shí)施方式4中，在天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13和起點(diǎn)A之間設(shè)置2個(gè)衰減電路。根據(jù)實(shí)施方式4，在LNA12a所包括的放大晶體管和開(kāi)關(guān)SW所包括的開(kāi)關(guān)晶體管對(duì)于回送信號(hào)中所產(chǎn)生的失真的影響幾乎差不多的情況下，或者在回送信號(hào)中產(chǎn)生失真的主要原因是哪一個(gè)晶體管這一點(diǎn)并不明確的情況下，尤其具有能夠減小回送信號(hào)的失真的效果。
[0110](實(shí)施方式5)
實(shí)施方式5與實(shí)施方式4不同之處在于:對(duì)設(shè)置于幾乎相同位置上的2個(gè)衰減電路的配置。
[0111]圖13是表示本發(fā)明實(shí)施方式5所涉及的高頻電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。參照?qǐng)D13，在前端電路50中，衰減電路Fl(第I衰減電路)和衰減電路F2(第2衰減電路)均設(shè)置在起點(diǎn)A和開(kāi)關(guān)SW之間。
[0112]與實(shí)施方式3的前端電路30相同，在實(shí)施方式5中，在開(kāi)關(guān)SW的前一級(jí)設(shè)置衰減電路。根據(jù)實(shí)施方式5，在回送信號(hào)中產(chǎn)生失真的主要原因是開(kāi)關(guān)SW所包括的開(kāi)關(guān)晶體管，在此情況下，尤其具有能夠減小回送信號(hào)的失真的效果。另外，在前端電路50中，在向LNA12a傳送的接收信號(hào)的傳送線(xiàn)路中并未設(shè)置衰減電路。因此，能夠抑制在LNA模式下LNA12a的噪聲指數(shù)變差。
[0113](實(shí)施方式6)
實(shí)施方式6與實(shí)施方式4、5不同之處在于:對(duì)設(shè)置于幾乎相同位置上的2個(gè)衰減電路的配置。
[0114]圖14是表示本發(fā)明實(shí)施方式6所涉及的前端電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。參照?qǐng)D14，在前端電路60中，衰減電路Fl (第I衰減電路)和衰減電路F2(第2衰減電路)均設(shè)置在起點(diǎn)A和LNA12a之間。
[0115]與實(shí)施方式2的前端電路20相同，在實(shí)施方式6中，在LNA12a的前一級(jí)設(shè)有衰減電路。因此，根據(jù)實(shí)施方式6，尤其具有如下效果:在回送信號(hào)中產(chǎn)生失真的主要原因是LNA12a所包括的放大晶體管的情況下，回送信號(hào)的失真減小。
[0116]另外，在前端電路10、20、40、60中，在向LNA12a傳送的接收信號(hào)的傳送線(xiàn)路中設(shè)置有2個(gè)衰減電路,與此相對(duì)地,在前端電路30中僅設(shè)置有I個(gè)衰減電路。因此，前端電路30與前端電路11、20、40、60相比，更加能夠抑制LNA模式下的LNA12a的噪聲指數(shù)變差。
[0117](變形例I)
如上所述，在實(shí)施方式I?6中，對(duì)衰減電路均具有圖3所示的結(jié)構(gòu)的情況進(jìn)行了說(shuō)明。然而，衰減電路的結(jié)構(gòu)并不僅限于此。只要衰減電路并聯(lián)地連接在高頻信號(hào)的傳送線(xiàn)路和接地節(jié)點(diǎn)GND之間、且不會(huì)使高頻信號(hào)釋放到接地節(jié)點(diǎn)GND，則對(duì)其結(jié)構(gòu)沒(méi)有限定。下面，說(shuō)明對(duì)衰減電路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行變更后的本實(shí)施方式變形例所涉及的衰減電路。另外，對(duì)于實(shí)施方式變形例所涉及的前端電路，對(duì)與圖3所示的衰減電路Fl的結(jié)構(gòu)要素相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào)，并不重復(fù)進(jìn)行說(shuō)明。而且，對(duì)于其控制也同樣，只要是與實(shí)施方式I?6所涉及的前端電路的控制相同的控制，也不重復(fù)進(jìn)行說(shuō)明。
[0118]圖15是表示本發(fā)明實(shí)施方式的變形例I所涉及的衰減電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。參照?qǐng)D15，在衰減電路Fll中，在電容器CS的接地節(jié)點(diǎn)GND —側(cè)和接地節(jié)點(diǎn)GND之間設(shè)置有電感器LI。因此，利用電容器C2的電容和電感器LI的電感來(lái)形成LC諧振電路。
[0119]下面，對(duì)衰減部14所包括的多個(gè)衰減電路與變形例I中的衰減電路Fll具有相同結(jié)構(gòu)的情況進(jìn)行說(shuō)明。在衰減電路Fll中，可以設(shè)定電容器C2的電容和電感器LI的電感，以使得LC諧振電路的諧振點(diǎn)的頻率位于IEEE802.1lac中所規(guī)定的頻帶內(nèi)。由此，相比于LC諧振電路的諧振點(diǎn)位于上述頻帶之外的情況，能夠更進(jìn)一步地使回送信號(hào)衰減。
[0120]另外，利用衰減量在諧振點(diǎn)附近的頻帶處發(fā)生劇變這一隔離度的特性，能夠靈活地調(diào)整隔離度與頻率的相關(guān)性。例如在包括分別具有與衰減電路Fll相同結(jié)構(gòu)的2個(gè)衰減電路的衰減部14的情況下，可以設(shè)定各個(gè)電容器C2的電容和/或電感器LI的電感，以使得一個(gè)衰減電路的諧振點(diǎn)位于高于上述頻帶的頻帶中，且另一個(gè)衰減電路的諧振點(diǎn)位于低于上述頻帶的頻帶中。由此，能夠使上述頻帶中隔離度與頻率的相關(guān)性變得平穩(wěn)。也就是說(shuō)，能夠?qū)崿F(xiàn)回送信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度不依賴(lài)于發(fā)送信號(hào)的頻率的前端電路。
[0121]作為電感器LI優(yōu)選使用接合線(xiàn)，該接合線(xiàn)用于將前端電路安裝進(jìn)封裝內(nèi)。通過(guò)使用接合線(xiàn)的電感，可以不另外追加電感器。因此，能夠降低部件成本。但是，電感LI不僅限于接合線(xiàn)。電感LI例如可以是螺旋電感器(spiral inductor)、貼片電感器、或者形成于安裝基板上的傳送線(xiàn)路等。
[0122](變形例2)
在變形例I中，對(duì)每個(gè)衰減電路都設(shè)置了 I個(gè)電感器。然而，也可以對(duì)多個(gè)衰減電路設(shè)置共用的電感器。
[0123]圖16是表示本發(fā)明實(shí)施方式的變形例2所涉及的衰減部的結(jié)構(gòu)的電路圖。 參照?qǐng)D16，衰減電路F1、F2所具有的電容器C2在接地節(jié)點(diǎn)GND —側(cè)相互連接。衰減部還包括設(shè)置在其與接地節(jié)點(diǎn)GND之間的電感器L。對(duì)衰減電路的配置及其個(gè)數(shù)與實(shí)施方式2的前端電路20所具有的衰減部14相同。
[0124]設(shè)定電容器C2的電容和電感器L的電感，以使得衰減電路的諧振點(diǎn)位于IEEE802.1lac中所規(guī)定的頻帶內(nèi)。由此，與變形例I的衰減電路Fll相同，能夠靈活地調(diào)整隔離度與頻率的相關(guān)性。另外，具有變形例2所涉及的衰減部的前端電路相比具有2個(gè)衰減電路Fll的前端電路，至少要少I(mǎi)個(gè)電感器。因此，能夠降低部件成本。
[0125]而且，具有變形例2所涉及的衰減部的前端電路與具有2個(gè)衰減電路Fll的前端電路相比，在電容器C2的容量互相相等時(shí)，Q值減小與電感器的電感的減小量相應(yīng)的量。因此，諧振點(diǎn)附近的頻帶中的衰減量的變化相對(duì)較為平穩(wěn)。因此，能夠使隔離度與頻率的相關(guān)性相對(duì)較為平穩(wěn)。在基于IEEE802.1lac的標(biāo)準(zhǔn)的前端電路的情況下，由于頻帶較寬，效果尤其顯著。從其它觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，為了減小Q值，即使不增加電容器C2的個(gè)數(shù)、或者增大電容器C2的尺寸也可以。因此，能夠減小基板面積。
[0126]前端電路被組裝成前端模塊(高頻模塊)，安裝進(jìn)封裝內(nèi)。對(duì)前端電路具有變形例2所涉及的衰減部的情況進(jìn)行說(shuō)明。
[0127]圖17是示意地表示在組裝了具有圖16所示的衰減部的前端電路的前端模塊中、利用封裝內(nèi)的接合線(xiàn)所進(jìn)行的布線(xiàn)的圖。
[0128]圖17 所不的前端模塊 I 具有 HBT (Hetero junct1n Bipolar Transistor:異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)基板la、HEMT(High Elecron Mobility Transistor:高電子遷移率場(chǎng)效應(yīng)晶體管)基板lb、以及QFN(Quad Flat Non-1eaded:方形扁平無(wú)引腳)封裝lc。HBT基板Ia和HEMT基板Ib均安裝于QFN封裝Ic中。為了簡(jiǎn)化而未圖示，但是HBT基板Ia中形成有PAlla0 HEMT基板Ib中形成有LNA12a和天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13。前端電路的其它結(jié)構(gòu)要素也安裝于QFN封裝Ic中。
[0129]QFN封裝Ic是一邊為2.5mm的大致正方形。QFN封裝Ic包括引線(xiàn)框LFl?LF6。引線(xiàn)框LFl?LF6分別如下所述，用接合線(xiàn)連接至所對(duì)應(yīng)的端子或者節(jié)點(diǎn)。也就是說(shuō)，引線(xiàn)框LFl連接至接地節(jié)點(diǎn)GND。引線(xiàn)框LF2連接至接收端子RX。引線(xiàn)框LF4連接至接收控制信號(hào)V_LNA的控制端子T3。弓丨線(xiàn)框LF6連接至接收控制信號(hào)V_TX的控制端子Tl。弓丨線(xiàn)框LF8連接至發(fā)送端子TX。引線(xiàn)框LF13連接至天線(xiàn)端子ANT。引線(xiàn)框LF15連接至控制端子T2。
[0130]這些接合線(xiàn)之中，連接HEMT基板Ib上的電極盤(pán)和引線(xiàn)框LFl的接合線(xiàn)W相當(dāng)于圖16所示的電感器L。在利用接合線(xiàn)進(jìn)行布線(xiàn)時(shí)，通過(guò)使接合線(xiàn)W的長(zhǎng)度稍微變化，能夠?qū)﹄姼衅鱈的電感進(jìn)行微調(diào)。因此，能夠設(shè)定電感器L的電感以使諧振點(diǎn)位于所希望的頻率。因此，能夠靈活地調(diào)整隔離度與頻率的相關(guān)性。另外，電感器L可以不是接合線(xiàn)，也可以是另外設(shè)置的螺旋電感器、貼片電感器、或者傳送線(xiàn)路等。
[0131]另外，對(duì)將具有變形例2所涉及的衰減部的前端電路安裝于QFN封裝Ic的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但是實(shí)施方式I?6所涉及的前端電路也同樣能夠安裝于QFN封裝。另外，并不將安裝于QFN封裝Ic的電路限定為實(shí)施方式I?6的前端電路及其結(jié)構(gòu)要素。QFN封裝Ic中可以包括利用無(wú)線(xiàn)LAN進(jìn)行數(shù)據(jù)通信中所使用的其它電路。
[0132]HBT基板、HEMT基板以及QFN封裝僅僅是示例，基板以及封裝的種類(lèi)并不僅限于此。
[0133]另外，以IEEE802.1lac為例，但是這也僅僅是無(wú)線(xiàn)通信中的示例。不僅限于5GHz頻帶，與2.4GHz頻帶相對(duì)應(yīng)的無(wú)線(xiàn)LAN的前端電路也能夠適用于本發(fā)明。即使是2.4GHz，也能夠獲得相同的效果。而且，無(wú)線(xiàn)通信方式本身也不僅限于IEEE802.11標(biāo)準(zhǔn)中所規(guī)定的無(wú)線(xiàn)LAN。
[0134]在實(shí)施方式I?6中，在天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13和起點(diǎn)A之間設(shè)置輸入匹配電路12c。但是，輸入匹配電路12c可以設(shè)置在天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13和LNA12a之間的任意位置。也就是說(shuō)，輸入匹配電路12c可以設(shè)置于起點(diǎn)A和LNA12a之間。另外，圖1所示的前端電路10中，在端子TR和輸入匹配電路12c之間設(shè)置有衰減電路F1。但是，衰減電路的位置在輸入匹配電路12c的前后皆可。也就是說(shuō)，衰減電路Fl可以設(shè)置在輸入匹配電路12c和起點(diǎn)A之間。
[0135]作為連接切換電路，具體示出了天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13，但是也可以將天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13換成與無(wú)線(xiàn)LAN相對(duì)應(yīng)的雙工器。另外，天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13不僅限于SPDT型開(kāi)關(guān)。天線(xiàn)開(kāi)關(guān)13可以是 SP3T (Single Pole Triple Throw:單刀三擲)型開(kāi)關(guān)、SP4T (Single Pole QuadrupleThrow:單刀四擲)型開(kāi)關(guān)等高階開(kāi)關(guān)。
[0136]對(duì)RFIC200具有失真補(bǔ)償電路204的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但并不僅限于此。失真補(bǔ)償電路可以是與RFIC200不同的外部電路所具有的部件。
[0137]而且，使發(fā)送信號(hào)的一部分分流的分流信號(hào)的作用也并不僅限于適用DPD的情況。根據(jù)分流信號(hào)的電壓(或者功率)來(lái)對(duì)因溫度變化、天線(xiàn)阻抗的變化而導(dǎo)致PAlla各種特性的變動(dòng)進(jìn)行補(bǔ)償這一點(diǎn)，不僅限于DPD，而是被廣泛地利用。在增益變動(dòng)時(shí)，為了對(duì)輸APAlla的功率進(jìn)行增減，或者對(duì)PAl Ia的旁路電路的控制電壓進(jìn)行增減，從而使增益保持一定，也可以使用分流信號(hào)。
[0138]本次公開(kāi)的實(shí)施方式的所有內(nèi)容應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是用于例示而非用于限制。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為本發(fā)明的范圍并不由上述說(shuō)明表示，而是由權(quán)利要求的范圍表示，包含與權(quán)利要求的范圍同等意義及范圍內(nèi)的所有變更。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0139]10、20、30、40、50、60、100、110 前端電路，IlaUOla PA, 12a、102aLNA12, 12b、102b旁路電路，SW開(kāi)關(guān)，12c輸入匹配電路，12d輸出匹配電路，13、103、113天線(xiàn)開(kāi)關(guān)，TA、TT、TR端子，104,204失真補(bǔ)償電路，200RFCI, 300天線(xiàn)，400控制電路，14衰減部，F(xiàn)1、F2、F3、Fll衰減電路，A起點(diǎn)，B終點(diǎn)，TX發(fā)送端子，RX接收端子，ANT天線(xiàn)端子，T1、T2、T3控制端子，V_TX、V_RX、V_LNA控制信號(hào)，Sin輸入信號(hào)，Sout輸出信號(hào)，Sp失真補(bǔ)償信號(hào)，S_loop回送信號(hào)，S_RX發(fā)送信號(hào)，S_RX接收信號(hào)，Ql開(kāi)關(guān)元件，Cl、C2電容器，Rl、R2電阻，I前端模塊，la HBT 基板，Ib HEMT 基板，Ic QFN 封裝，LF1、LF2、LF3、LF4、LF5、LF6、LF7、LF8、LF9、LF10、LFlU LF12、LF13、LF14、LF15、LF16 引線(xiàn)框，W 接合線(xiàn)，7a、7b、8a、8b、9a、9b 波形。
【權(quán)利要求】
1.一種聞?lì)l電路，其特征在于，具有: 功率放大電路，該功率放大電路對(duì)發(fā)送端子所接收到的信號(hào)進(jìn)行放大并輸出發(fā)送信號(hào); 低噪聲放大電路，該低噪聲放大電路對(duì)由天線(xiàn)端子所接收到的接收信號(hào)進(jìn)行放大，并向接收端子輸出被放大后的接收信號(hào)； 連接切換電路，該連接切換電路響應(yīng)于第I控制信號(hào)，對(duì)所述天線(xiàn)端子和所述功率放大電路之間的連接、與所述天線(xiàn)端子和所述低噪聲放大電路之間的連接進(jìn)行切換； 旁路電路，該旁路電路響應(yīng)于第2控制信號(hào)，在所述連接切換電路和所述接收端子之間形成繞過(guò)所述低噪聲放大電路的旁路；以及 衰減部，該衰減部設(shè)置于所述接收信號(hào)的傳送線(xiàn)路中。 所述衰減部包括多個(gè)衰減電路。 多個(gè)所述裳減電路具有: 第I衰減電路，在利用所述連接切換電路來(lái)使所述天線(xiàn)端子與所述功率放大電路電連接的情況下，該第I衰減電路響應(yīng)于所述第I控制信號(hào)，使所述發(fā)送信號(hào)之中泄漏到所述接收信號(hào)的傳送線(xiàn)路中的分流信號(hào)衰減；以及 第2衰減電路，在利用所述連接切換電路來(lái)使所述天線(xiàn)端子與所述低噪聲放大電路電連接的情況下，該第2衰減電路響應(yīng)于所述第2控制信號(hào)，使所述傳送線(xiàn)路中的所述接收信號(hào)衰減。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻電路，其特征在于， 所述旁路電路包括響應(yīng)于所述第2控制信號(hào)的開(kāi)關(guān)，從設(shè)置于所述連接切換電路和所述低噪聲放大電路之間的起點(diǎn)形成所述旁路， 多個(gè)所述衰減電路分別設(shè)置于所述連接切換電路和所述起點(diǎn)之間、所述起點(diǎn)和所述開(kāi)關(guān)之間、或者所述起點(diǎn)和所述低噪聲放大電路之間。
3.如權(quán)利要求1或2所述的高頻電路，其特征在于， 多個(gè)所述衰減電路分別具有設(shè)置于所述傳送線(xiàn)路和接地節(jié)點(diǎn)之間的開(kāi)關(guān)元件， 所述開(kāi)關(guān)元件響應(yīng)于所述第I控制信號(hào)和所述第2控制信號(hào)之中所對(duì)應(yīng)的信號(hào)，使所述傳送線(xiàn)路與所述接地節(jié)點(diǎn)電連接。
4.如權(quán)利要求3所述的高頻電路，其特征在于， 所述開(kāi)關(guān)元件是FET (Field Effect Transistor:場(chǎng)效應(yīng)晶體管)， 多個(gè)所述衰減電路還分別具有: 電阻，該電阻設(shè)置于所述FET的柵極和所述接地節(jié)點(diǎn)之間； 第I電容器，該第I電容器設(shè)置于所述FET的漏極和所述傳送線(xiàn)路之間；以及 第2電容器，該第2電容器設(shè)置于所述FET的源極和所述接地節(jié)點(diǎn)之間， 所述FET的漏極接收所述第I控制信號(hào)和所述第2控制信號(hào)之中所對(duì)應(yīng)的信號(hào)。
5.如權(quán)利要求4所述的高頻電路，其特征在于， 多個(gè)所述衰減電路還分別具有設(shè)置在所述第2電容器和所述接地節(jié)點(diǎn)之間的電感器。
6.如權(quán)利要求4所述的高頻電路，其特征在于， 多個(gè)所述衰減電路之中的至少2個(gè)衰減電路分別具有的所述第2電容器在所述接地節(jié)點(diǎn)一側(cè)相互連接， 所述衰減部還包括電感器，該電感器設(shè)置在相互連接的所述第2電容器的所述接地節(jié)點(diǎn)一側(cè)和所述接地節(jié)點(diǎn)之間。
7.如權(quán)利要求5或6所述的高頻電路，其特征在于， 所述電感器是用于將所述高頻電路安裝至封裝的接合線(xiàn)。
8.如權(quán)利要求2所述的高頻電路，其特征在于， 多個(gè)所述衰減電路還具有第3衰減電路，該第3衰減電路響應(yīng)于所述第I控制信號(hào)，與所述第I衰減電路一起使所述分流信號(hào)衰減， 所述第I衰減電路設(shè)置在所述連接切換電路和所述起點(diǎn)之間， 所述第2衰減電路設(shè)置在所述起點(diǎn)和所述低噪聲放大電路之間， 所述第3衰減電路設(shè)置在所述起點(diǎn)和所述開(kāi)關(guān)之間。
9.如權(quán)利要求2所述的高頻電路，其特征在于， 所述第I衰減電路設(shè)置在所述連接切換電路和所述起點(diǎn)之間， 所述第2衰減電路設(shè)置在所述起點(diǎn)和所述低噪聲放大電路之間。
10.如權(quán)利要求2所述的高頻電路，其特征在于， 所述第I衰減電路設(shè)置在所述連接切換電路和所述起點(diǎn)之間， 所述第2衰減電路設(shè)置在所述起點(diǎn)和所述開(kāi)關(guān)之間。
11.如權(quán)利要求2所述的高頻電路，其特征在于， 所述第I衰減電路和所述第2衰減電路設(shè)置在所述連接切換電路和所述起點(diǎn)之間。
12.如權(quán)利要求2所述的高頻電路，其特征在于， 所述第I衰減電路和所述第2衰減電路設(shè)置在所述起點(diǎn)和所述開(kāi)關(guān)之間。
13.如權(quán)利要求2所述的高頻電路，其特征在于， 所述第I衰減電路和所述第2衰減電路設(shè)置在所述起點(diǎn)和所述低噪聲放大電路之間。
14.一種高頻模塊，其特征在于， 具有權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的高頻電路。
15.如權(quán)利要求14所述的高頻模塊，其特征在于， 所述高頻模塊還具備失真補(bǔ)償電路，該失真補(bǔ)償電路從所述接收端子接收經(jīng)所述第I衰減電路衰減后的所述分流信號(hào)， 所述失真補(bǔ)償電路根據(jù)經(jīng)衰減后的所述分流信號(hào)，在向所述發(fā)送端子輸出之前減小所述發(fā)送信號(hào)的失真，將失真被減小后的所述發(fā)送信號(hào)輸出至所述發(fā)送端子。
16.如權(quán)利要求14或15所述的高頻模塊，其特征在于， 所述聞?lì)l1旲塊還具有: 形成有所述功率放大電路的HBT (Heterojunct1n Bipolar Transistor:異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)基板； 形成有所述低噪聲放大電路和所述連接切換電路的HEMT (High Elecron MobilityTransistor:高電子遷移率場(chǎng)效應(yīng)晶體管)基板；以及 安裝有所述高頻電路的QFN(Quad Flat Non-1eaded:方形扁平無(wú)引腳)封裝。
【文檔編號(hào)】H04B1/44GK104285380SQ201380024758
【公開(kāi)日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2013年5月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月11日
【發(fā)明者】淺野宏之, 大石慎吾 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社