專利名稱：一種甚低頻大功率發(fā)射機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及甚低頻發(fā)射機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種甚低頻大功率發(fā)射機(jī)。
背景技術(shù)：
如圖1所示,現(xiàn)有甚低頻大功率發(fā)射機(jī)由多單元逆變橋組成,該單元逆變橋選用MOSFET為主要功率開關(guān)器件。多個(gè)功率逆變器輸出連接變壓器，通過變壓器耦合然后串聯(lián)輸出功率信號(hào)。每個(gè)單元逆變橋功率容量較小，只能最多輸出5 IOkW左右功率。要組成能夠輸出上百千瓦的的大功率甚低頻發(fā)射機(jī)，需要數(shù)十個(gè)逆變橋單元?，F(xiàn)有甚低頻大功率發(fā)射機(jī)選用的功率器件(MOSFET)功率容量小，需要的器件數(shù)量繁多，從而體積龐大、笨重。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種甚低頻大功率發(fā)射機(jī)，用以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種甚低頻大功率發(fā)射機(jī)，包括若干個(gè)串聯(lián)連接的單元逆變橋；串聯(lián)的單元逆變橋輸出通過調(diào)諧匹配網(wǎng)絡(luò)連接至甚低頻天線；所述單元逆變橋包括多個(gè)絕緣柵雙極型晶體管IGBT。進(jìn)一步，每個(gè)單元逆變橋包括四個(gè)IGBT，采用H橋式連接。進(jìn)一步，四個(gè)IGBT，分別為第一 IGBT、第二 IGBT、第三IGBT和第四IGBT ;其中，第
一IGBT的發(fā)射極與第二 IGBT的集電極連接，第三IGBT的發(fā)射極與第四IGBT的集電極連接，第一 IGBT的集電極與第三IGBT的集電極連接，第二 IGBT的發(fā)射極與第四IGBT的發(fā)射極連接；從第一 IGBT的發(fā)射極和第三IGBT的發(fā)射極輸出。本實(shí)用新型有益效果如下:本實(shí)用新型的甚低頻大功率發(fā)射機(jī)具有體積小、功率大、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。

圖1是現(xiàn)有發(fā)射機(jī)組成原理圖；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例中一種甚低頻大功率發(fā)射機(jī)的原理圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖以及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不限定本實(shí)用新型。本實(shí)用新型的目的是將IGBT( Insulated Grid Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)用于甚低頻大功率發(fā)射機(jī)通信領(lǐng)域；由IGBT器件設(shè)計(jì)出的甚低頻大功率發(fā)射機(jī)功率放大器具有體積小，頻率高(一般工業(yè)變頻器的十倍以上)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等特點(diǎn)。
如圖2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例涉及一種甚低頻大功率發(fā)射機(jī)，包括若干個(gè)串聯(lián)連接的單元逆變橋；串聯(lián)的單元逆變橋輸出通過調(diào)諧匹配網(wǎng)絡(luò)連接至甚低頻天線；所述單元逆變橋包括多個(gè)絕緣柵雙極型晶體管IGBT。每個(gè)單元逆變橋包括四個(gè)IGBT，采用H橋式連接，具體為 第一 IGBT的發(fā)射極與第二 IGBT的集電極連接，第三IGBT的發(fā)射極與第四IGBT的集電極連接，第一 IGBT的集電極與第三IGBT的集電極連接，第二 IGBT的發(fā)射極與第四IGBT的發(fā)射極連接;從第一 IGBT的發(fā)射極和第三IGBT的發(fā)射極輸出。在控制方式上，各個(gè)單元逆變橋受發(fā)信處理設(shè)備的信號(hào)控制，發(fā)送頻率較高的甚低頻調(diào)制信號(hào)。發(fā)信處理設(shè)備將報(bào)文信息調(diào)制，控制各個(gè)單元逆變橋工作(斷開或閉合)，將信息進(jìn)行功率放大，然后經(jīng)調(diào)諧匹配網(wǎng)絡(luò)與天線匹配，最后由天線輻射至空間，完成發(fā)信任務(wù)。甚低頻大功率發(fā)射機(jī)所需要的單元逆變橋的個(gè)數(shù)根據(jù)發(fā)射機(jī)設(shè)計(jì)功率不同可以選定。選用IGBT器件組成的單元逆變橋在體積基本與現(xiàn)有的MOSFET組成的單元逆變橋相同的前提下，功率容量提高很大，單個(gè)逆變橋最大能夠輸出50kW以上。選用與現(xiàn)有甚低頻大功率發(fā)射機(jī)相同數(shù)量的單元逆變橋數(shù)組成的發(fā)射機(jī)，采用本實(shí)用新型方案的發(fā)射機(jī)功率等級(jí)是現(xiàn)有功率發(fā)射機(jī)輸出功率的10倍；反之，同樣輸出功率等級(jí)的前提下，本實(shí)用新型方案的發(fā)射機(jī)體積是現(xiàn)有發(fā)射機(jī)的體積的十分之一。本實(shí)用新型的甚低頻大功率發(fā)射機(jī)具有體積小、功率大、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。盡管 為示例目的，已經(jīng)公開了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識(shí)到各種改進(jìn)、增加和取代也是可能的，因此，本實(shí)用新型的范圍應(yīng)當(dāng)不限于上述實(shí)施例。
權(quán)利要求1.一種甚低頻大功率發(fā)射機(jī)，其特征在于，包括若干個(gè)串聯(lián)連接的單元逆變橋；串聯(lián)的單元逆變橋輸出通過調(diào)諧匹配網(wǎng)絡(luò)連接至甚低頻天線；所述單元逆變橋包括多個(gè)絕緣柵雙極型晶體管IGBT。
2.如權(quán)利要求1所述的甚低頻大功率發(fā)射機(jī)，其特征在于，每個(gè)單元逆變橋包括四個(gè)IGBT，采用H橋式連接。
3.如權(quán)利要求2所述的甚低頻大功率發(fā)射機(jī)，其特征在于，四個(gè)IGBT，分別為第一IGBT、第二 IGBT、第三IGBT和第四IGBT ;其中，第一 IGBT的發(fā)射極與第二 IGBT的集電極連接，第三IGBT的發(fā)射極與第四IGBT的集電極連接，第一 IGBT的集電極與第三IGBT的集電極連接，第二 IGBT的發(fā)射極與第四IGBT的發(fā)射極連接;從第一 IGBT的發(fā)射極和第三IGBT的發(fā)射 極輸出。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種甚低頻大功率發(fā)射機(jī)，包括若干個(gè)串聯(lián)連接的單元逆變橋；串聯(lián)的單元逆變橋輸出通過調(diào)諧匹配網(wǎng)絡(luò)連接至甚低頻天線；所述單元逆變橋包括多個(gè)絕緣柵雙極型晶體管IGBT。本實(shí)用新型的甚低頻大功率發(fā)射機(jī)具有體積小、功率大、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H04B1/04GK203104417SQ201320009579
公開日2013年7月31日 申請(qǐng)日期2013年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月9日
發(fā)明者吳浩江, 陸晨, 王輝, 劉少剛, 李子顥 申請(qǐng)人:北京圣非凡電子系統(tǒng)技術(shù)開發(fā)有限公司