揚(yáng)聲器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種揚(yáng)聲器，包括上蓋和基底，上蓋具有高頻腔、中頻腔和低頻腔，中頻腔的容積大于高頻腔且小于低頻腔，高頻腔內(nèi)具有設(shè)置在基底上的高頻驅(qū)動(dòng)器、高頻電極和第一納米碳管薄膜，高頻驅(qū)動(dòng)器通過(guò)高頻電極連接第一納米碳管薄膜以使第一納米碳管薄膜振動(dòng)，中頻腔內(nèi)具有設(shè)置在基底上的中頻驅(qū)動(dòng)器、中頻電極和第二碳納米薄膜，中頻驅(qū)動(dòng)器通過(guò)中頻電極連接第二納米碳管薄膜以使第二納米碳管薄膜振動(dòng)，低頻腔具有設(shè)置在基底上的低頻驅(qū)動(dòng)器、低頻電極和第三納米碳管薄膜，低頻驅(qū)動(dòng)器通過(guò)低頻電極連接第三納米碳管薄膜以使第三納米碳管薄膜振動(dòng)，高頻腔、中頻腔和低頻腔具有微孔，第一納米碳管薄膜、納米碳管薄膜和納米碳管薄膜產(chǎn)生的振動(dòng)波經(jīng)微孔傳出。
【專(zhuān)利說(shuō)明】揚(yáng)聲器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種揚(yáng)聲器，尤其涉及一種納米碳管揚(yáng)聲器。

【背景技術(shù)】
[0002] 揚(yáng)聲器是將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成人耳能夠聽(tīng)到的空氣整棟的設(shè)備。具體地，煙升起能夠 將一定范圍內(nèi)的音頻電功率信號(hào)通過(guò)換能方式轉(zhuǎn)變?yōu)槭д嫘∏揖哂凶銐蚵晧杭?jí)的可聽(tīng)聲 音。按照揚(yáng)聲器的工作原理，現(xiàn)有的揚(yáng)聲器可分為電動(dòng)式、壓電式以及靜電式揚(yáng)聲器等。其 中，電動(dòng)式揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、音質(zhì)優(yōu)秀且成本體，因此應(yīng)用最為廣泛。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中的壓電式揚(yáng)聲器通常包括壓電薄膜、聚合物薄膜以及電極，聚合物薄 膜設(shè)置在壓電薄膜上，當(dāng)與聲音對(duì)應(yīng)的電壓施加在電極上時(shí)，在聚合物薄膜之間產(chǎn)生電壓 差以振動(dòng)壓電薄膜，從而再現(xiàn)聲音。
[0004] 然而，聚合物薄膜具有有限的導(dǎo)電性，不容易涂布在壓電薄膜上，且不能均勻施加 在壓電薄膜上。因此，聚合物薄膜的厚度不均勻，從而降低了聲音的品質(zhì)。另外，由于聚合 物具有較差的耐化學(xué)性和防潮性，所以在低音區(qū)中具有較差的聲壓特性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，有必要提供一種耐化學(xué)性和防潮性的揚(yáng)聲器。
[0006] -種揚(yáng)聲器，包括上蓋和基底，所述上蓋具有高頻腔、中頻腔和低頻腔，所述中頻 腔的容積大于所述高頻腔的容積且小于所述低頻腔的容積，所述高頻腔內(nèi)具有設(shè)置在所述 基底上的高頻驅(qū)動(dòng)器、高頻電極和第一納米碳管薄膜，所述高頻驅(qū)動(dòng)器通過(guò)所述高頻電極 連接所述第一納米碳管薄膜以使所述第一納米碳管薄膜振動(dòng)，所述中頻腔內(nèi)具有設(shè)置在所 述基底上的中頻驅(qū)動(dòng)器、中頻電極和第二碳納米薄膜，所述中頻驅(qū)動(dòng)器通過(guò)所述中頻電極 連接所述第二納米碳管薄膜以使所述第二納米碳管薄膜振動(dòng)，所述低頻腔具有設(shè)置在所述 基底上的低頻驅(qū)動(dòng)器、低頻電極和第三納米碳管薄膜，所述低頻驅(qū)動(dòng)器通過(guò)所述低頻電極 連接所述第三納米碳管薄膜以使所述第三納米碳管薄膜振動(dòng)，所述高頻腔、中頻腔和低頻 腔具有微孔，所述第一納米碳管薄膜、第二納米碳管薄膜和第三納米碳管薄膜產(chǎn)生的振動(dòng) 波經(jīng)所述微孔傳出。
[0007] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例的揚(yáng)聲器通過(guò)納米碳管薄膜的振動(dòng)產(chǎn)生所聲音，由于 納米碳管薄膜具有良好的耐化學(xué)性和防潮性，從而使得揚(yáng)聲器同樣具有良好的耐化學(xué)性和 防潮性。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例的揚(yáng)聲器的截面不意圖。
[0009] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例中電極和納米碳管薄膜連接關(guān)系的示意圖。
[0010] 主要元件符號(hào)說(shuō)明

【權(quán)利要求】
1. 一種揚(yáng)聲器，包括上蓋和基底，所述上蓋具有高頻腔、中頻腔和低頻腔，所述中頻腔 的容積大于所述高頻腔的容積且小于所述低頻腔的容積，所述高頻腔內(nèi)具有設(shè)置在所述基 底上的高頻驅(qū)動(dòng)器、高頻電極和第一納米碳管薄膜，所述高頻驅(qū)動(dòng)器通過(guò)所述高頻電極連 接所述第一納米碳管薄膜以使所述第一納米碳管薄膜振動(dòng)，所述中頻腔內(nèi)具有設(shè)置在所述 基底上的中頻驅(qū)動(dòng)器、中頻電極和第二碳納米薄膜，所述中頻驅(qū)動(dòng)器通過(guò)所述中頻電極連 接所述第二納米碳管薄膜以使所述第二納米碳管薄膜振動(dòng)，所述低頻腔具有設(shè)置在所述基 底上的低頻驅(qū)動(dòng)器、低頻電極和第三納米碳管薄膜，所述低頻驅(qū)動(dòng)器通過(guò)所述低頻電極連 接所述第三納米碳管薄膜以使所述第三納米碳管薄膜振動(dòng)，所述高頻腔、中頻腔和低頻腔 具有微孔，所述第一納米碳管薄膜、第二納米碳管薄膜和第三納米碳管薄膜產(chǎn)生的振動(dòng)波 經(jīng)所述微孔傳出。
2. 如權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述微孔為倒V形，直徑向所述基底方向 逐漸減小。
3. 如權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述高頻電極、中頻電極和低頻電極均為 形成在所述基底上的導(dǎo)電膠、金屬線(xiàn)或?qū)щ娪湍?br> 4. 如權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述上蓋和基底的材料為玻璃、剛性塑膠 或金屬。
5. 如權(quán)利要求4所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述玻璃為石英玻璃或硼硅玻璃。
6. 如權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述基底和上蓋之間具有膠水，以密封所 述基底和上蓋之間的空間。
7. 如權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述第一納米碳管薄膜、第二納米碳管薄 膜和第三納米碳管薄膜軍包括單層、兩層或三層平行排列的納米碳管。
【文檔編號(hào)】H04R17/00GK104244151SQ201310248752
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2013年6月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月21日
【發(fā)明者】張仁淙 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司