專利名稱：一種功放上電消音裝置和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及車載終端功放技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種功放上電消音裝置和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
功放又稱功率放大器，其將信號(hào)源傳輸而來的微弱信號(hào)放大并驅(qū)動(dòng)放大器放音。功放的開閉依賴于受控單片機(jī)MCU，即所述單片機(jī)MCU控制功放開啟或關(guān)閉實(shí)現(xiàn) 終端的放音和靜音。然而，現(xiàn)有的對(duì)功放進(jìn)行上電放音控制時(shí)，如圖I所示，在剛上電的時(shí)間段內(nèi)MCU還未初始化完成投入工作而無法及時(shí)控制功放，從而功放在上電不能完全靜音而產(chǎn)生POPO
曰

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種功放上電消音裝置和系統(tǒng)，在MCU初始化完成前功放無法得電而消除了功放上電的POPO音?！N功放上電消音裝置，包括靜音控制輸出端、處理器MCU和消音電路,其中所述消音電路的電源輸入腳與電源連接；所述消音電路的電平控制腳與所述MCU的靜音控制端連接；所述消音電路的靜音控制輸出端與所述功放設(shè)備的靜音控制輸入端連接。所述消音電路包括第一分壓電阻、三極管、第一并聯(lián)電阻、第二并聯(lián)電阻和第一并聯(lián)電容，其中所述第一并聯(lián)電阻與所述三極管的集電極連接；所述三極管的基極通過阻容組合電路與所述MCU的靜音控制端連接。所述阻容組合電路為第二分壓電阻，第三并聯(lián)電阻和第二并聯(lián)電容。—種功放上電消音系統(tǒng)，包括所述的功放上電消音裝置，電源和功放設(shè)備，其中所述功放設(shè)備的功放設(shè)備靜音輸入接口，與所述功放設(shè)備的靜音控制輸出端連接。從上述的技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型實(shí)施例通過在處理器MCU和所述功放設(shè)備靜音輸入接口之間加設(shè)消音電路，利用消音電路的并聯(lián)電容進(jìn)行充電，所述功放上電消音裝置中的靜音控制輸出端為低電平，阻斷功放設(shè)備在電源上電后得電放音，從而消除了功放上電的POPO音。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本實(shí)用新型公開的現(xiàn)有功放消音系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例公開的功放上電消音裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例公開的功放上電消音裝置消音電路示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例公開的功放上電消音系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種功放上電消音裝置和系統(tǒng)，在MCU初始化完成前功放無法得電而消除了功放上電的POPO音。圖2示出了一種功放上電消音裝置，包括靜音控制輸出端I、處理器MCU2和消音電路3，其中所述消音電路3的電源輸入腳與電源連接；所述消音電路3的電平控制腳與所述MCU2的靜音控制端連接；所述消音電路3的靜音控制輸出端I與所述功放設(shè)備的靜音控制輸入端連接。為了說明清晰，現(xiàn)結(jié)合圖3舉例說明，圖3示出了一種具體的消音電路包括第一分壓電阻R19、三極管Q5、第一并聯(lián)電阻R18、第二并聯(lián)電阻R13和第一并聯(lián)電容EC3，其中所述第一并聯(lián)電阻R19與所述三極管Q5的集電極連接；所述三極管Q5的基極通過阻容組合電路與所述MCU的靜音控制端連接。所述阻容組合電路為第二分壓電阻R12，第三并聯(lián)電阻R17和第二并聯(lián)電容C5。所述阻容組合電路根據(jù)電路需要進(jìn)行電阻阻值與電容值選擇，且連接方式也并不局限于上述形式。剛上電時(shí)，所述功放電源端得電(設(shè)為12V)，此單片機(jī)MCU還在進(jìn)行初始化，而未正常對(duì)功放設(shè)備工作正常時(shí)，所述第一分壓電阻R19給所述第一并聯(lián)電容EC3充電,充電時(shí)間為 T=1/R19*EC3 ；利用電容電壓不能突變?cè)?，即在時(shí)間T內(nèi)所述靜音控制輸出端I (圖中功放控制(MUTE))為低，此時(shí)功放設(shè)備將不能立即得電放音，因此所述功放設(shè)備上電不會(huì)產(chǎn)生POPO
曰；在該充電時(shí)間T內(nèi)，所述MCU將完成初始化，當(dāng)所述MCU正常工作時(shí)，所述消音電路3的電平控制腳(圖中MUTE)為高，所述三極管Q5為導(dǎo)通，此時(shí)第一并聯(lián)電阻R18對(duì)地短路，此時(shí)所述靜音控制輸出端的電壓為R13并R18與R19的分壓，約等于I. 57V ；若選用所述靜音控制輸出端開啟電壓為2. 6V，而此時(shí)MUTE電壓I. 57V小于2. 6V,因此所述功放設(shè)備處于所述MCU控制下的靜音模式；當(dāng)所述MCU控制所述消音電路3的電平控制腳為高，所述三極管Q5為截止，此時(shí)所述靜音控制輸出端的電壓為R13與R19的分壓約等于3. 8V,該值大于所述靜音控制輸出端開啟電壓為2. 6V，因此所述功放設(shè)備處于所述MCU控制下的放音模式。需要說明的是，上述電路連接形式并不局限于實(shí)施例所述形式；而電路選用部件類型、組合方式以及選用部件的參數(shù)值，均為說明該功放上電消音裝置原理所設(shè)定，并不局限。圖4示出了一種基于圖1-2的功放上電消音裝置的功放消音系統(tǒng)，如圖所示，該系統(tǒng)包括功放設(shè)備41、功放上電消音裝置42和電源43，所述功放設(shè)備的功放設(shè)備靜音輸入接口，與所述功放設(shè)備的靜音控制輸出端連接。所述功放上電消音裝置可嵌入車載集控設(shè)備中，或是以單獨(dú)芯片外接。 所述功放上電消音裝置的結(jié)構(gòu)以及部件功能參見圖2-3所示圖示及其對(duì)應(yīng)描述，不再贅述。綜上所述本實(shí)用新型實(shí)施例通過在處理器M⑶和所述功放設(shè)備靜音輸入接口之間加設(shè)消音電路，利用消音電路的并聯(lián)電容進(jìn)行充電，所述功放上電消音裝置中的靜音控制輸出端為低電平，阻斷功放設(shè)備在電源上電后得電放音，從而消除了功放上電的POPO音。本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種功放上電消音裝置，其特征在于，包括處理器MCU和消音電路，其中 所述消音電路的電源輸入腳與電源連接； 所述消音電路的電平控制腳與所述MCU的靜音控制端連接； 所述消音電路的靜音控制輸出端與功放設(shè)備的靜音控制輸入端連接。
2.如權(quán)利要求I的功放上電消音裝置，其特征在于，包括所述消音電路包括 第一分壓電阻、三極管、第一并聯(lián)電阻、第二并聯(lián)電阻和第一并聯(lián)電容，其中 所述第一并聯(lián)電阻與所述三極管的集電極連接； 所述三極管的基極通過阻容組合電路與所述MCU的靜音控制端連接。
3.如權(quán)利要求2的功放上電消音裝置，其特征在于，包括所述阻容組合電路為第二分壓電阻，第三并聯(lián)電阻和第二并聯(lián)電容。
4.一種功放上電消音系統(tǒng),其特征在于,包括權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的功放上電消音裝置，電源和功放設(shè)備。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種功放上電消音裝置，包括靜音控制輸出端、處理器MCU和消音電路，其中所述消音電路的電源輸入腳與電源連接；所述消音電路的電平控制腳與所述MCU的靜音控制端連接；所述消音電路的靜音控制輸出端與靜音控制輸出端連接。本實(shí)用新型實(shí)施例通過在處理器MCU和所述功放設(shè)備靜音輸入接口之間加設(shè)消音電路，利用消音電路的并聯(lián)電容進(jìn)行充電，所述功放上電消音裝置中的靜音控制輸出端為低電平，阻斷功放設(shè)備在電源上電后得電放音，從而消除了功放上電的POPO音。
文檔編號(hào)H04R3/02GK202799098SQ20122011685
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月26日
發(fā)明者何章生 申請(qǐng)人:深圳市凌啟電子有限公司